Elments doptolectronique

GEII
Departement
Institut Universitaire de Technologie de Mulhouse

Elements
doptoelectronique
p. 1/16

Programme officiel GEII

Essentiellement : comprendre la Physique la base de loptolectronique!
Notamment : bases doptique Gomtrique, ondes, semi conducteur, laser
. . . NB : Pas forcment ncessaire lutilisation des composants opto!

choix des composants selon lapplication (capteurs . . . )

Peu dquations mais beaucoup dides!

Elements
doptoelectronique
p. 2/16

Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire

-Notions (rappel?) sur les champs

-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron

Elements
doptoelectronique
p. 3/16

Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire

-Notions (rappel?) sur les champs

-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron

Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques

Elements
doptoelectronique
p. 3/16

Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire

-Notions (rappel?) sur les champs

-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron

Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques

Les Semi conducteurs

-Semi conducteur intrinsque : principe.
-Semi conducteur extrinsque : Dopage P, dopage N, jonction

Elements
doptoelectronique
p. 3/16

Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire

-Notions (rappel?) sur les champs

-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron

Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques

Les Semi conducteurs

-Semi conducteur intrinsque : principe.
-Semi conducteur extrinsque : Dopage P, dopage N, jonction

Les fibres optiques : principe, proprits

Elements
doptoelectronique
p. 3/16

Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire

-Notions (rappel?) sur les champs

-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron

Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques

Les Semi conducteurs

-Semi conducteur intrinsque : principe.
-Semi conducteur extrinsque : Dopage P, dopage N, jonction

Les fibres optiques : principe, proprits

Quelques applications : tlcommunication (multiplexage, solitons), capteurs. . .

Elements
doptoelectronique
p. 3/16

Loptolectronique
Etude des composants qui emettent,

modulent ou dtectent le signal lumineux.

Utilisation conjointe de llectronique et
loptique (photonique+matriaux)

Dveloppement rapide grce linvention

du laser (date?) et plus rcemment des fibres optiques
Autrefois : mesures trs spcialises.
Aujourdhui : domaine grand public, tlcom,
mdical . . .

Filtrage

Optique
Source

Elements
doptoelectronique
p. 4/16

Intrt de loptique?
Optique : transmission de trs grande capacit (voir proprits lumire)
Les photons nchangent pas dnergie(compatibilit lectromagntique. . . )+
vitesse de propagation

faibles pertes des guides optiques (voir fibre : ordre de grandeur!)

Effets optiques permettant dagir sur le signal (amplification, effets
non-linaires. . . )

Elements
doptoelectronique
p. 5/16

Rappel : quest ce quun champ?

Grandeur qui prend une valeur diffrentes en
chaque point!

Exemples :
La temprature est champ scalaire->
Champ de vitesse locale dun fluide->
on peut gnraliser..
Reprsentation ?

Elements
doptoelectronique
p. 6/16

Champs : exemples

Champ de temprature. Ligne isotherme.

Vitesse du vent. champ vectoriel.
Gradient de temprature?

Elements
doptoelectronique
p. 7/16

La force lectrique
Analogie avec la force
gravitationnelle F M m/r
(direction,sens), mais

109 109 109 109 fois plus

intense!
Deux types de matire positive et
ngative : notion de "Charges".

Force electrique



+


?




Elements
doptoelectronique
p. 8/16

Loi de Coulomb
|F | =

q1 q2
2
40 r12

Loi de Coulomb : Force q1 q2 et

1/r2

0 = 8, 8541012 Fm1 : permittivit

du vide
Direction, sens?

Matire : Proton (+) et lectrons (-)

Cohsion?

Elements
doptoelectronique
p. 9/16

Champ lectrique
Force par unit de charge : Champ lectrique E
Ex:
E(1) =

1 q2
e21
40 r2

Force par unit de charge exerce sur q1 .

Cas de plusieurs charges? Principe de

superposition :
Etot = E1 + E2

Calcul pour une chargeCalcul pour N charges!

Etot =

N
X
j

1 qj
ej1
40 rj

Elements
doptoelectronique
p. 10/16

Potentiel & nergie

Travail contre les forces lectriques pour dplacer une
charge. (rappel Travail=Dplacement*force).En Joule
(J) ou lectron Volt (1 eV=1,6.109J)
W =

F.ds

ds

soit pour lunit de charge :

Wu =

E.ds

ne dpend que des extrmits a et b, pas du chemin!

(force centrale, dessiner diffrents chemins!)

Elements
doptoelectronique
p. 11/16

Potentiel & nergie

: Deux nombres suffisent pour dfinir ce travail!

Pour valuer le potentiel en UN point, il faut un point de

reference P0 .

(b) (a)

E.ds = (b) (a)

(b

potentiel au point P (x, y, z) en prenant la rfrence linfini :

q 1
(x, y, z) =
40 r

a
(a)

P0

Potentiel dune charge unitaire amene dun point de

rfrence.
dtermin pour tout point de lespace :champ scalaire.

Elements
doptoelectronique
p. 12/16

Potentiel
Principe de superposition!
X qj 1
(1) =
40 rj
j

Forme diffrentielle :
Wu =

E.ds E =

: oprateur Nabla (gradient). Le

potentiel est plus simple calculer que le
champ!
(champ scalaire<champ
vectoriel+integrale en 1/r).

Elements
doptoelectronique
p. 13/16

nergie darrachement
Atome=
nergie fournir pour loigner

noyau(proton+neutron)+lectron

llectron du noyau :
qq
W = qV =
40 r

lien avec le potentiel!

Si q et q de charge contraire :
travail fournir W < 0

Electron

'$
?

-l

&%
Noyau

Elements
doptoelectronique
p. 14/16

Atome isol
W (eV)

Distance x (m

Par convention : W = 0 lectron "libre".

W1 < 0 : lectron li latome
W2 < W1 : lectron davantage li
latome (nergie potentielle suprieure).

W1

Elements
doptoelectronique
p. 15/16

En rsum
Il existe une force entre deux charges : la force coulombienne
une charge cre un champ E dans lespace
lnergie lie au dplacement dune charge permet de dfinir le potentiel (V )
Champ et potentiel lectrique vrifient le principe de superposition
En lectrostatique : E =

Elements
doptoelectronique
p. 16/16

Les quations de Maxwell

Maxwell Gauss :
E=

B
t

Maxwell Ampre :
H=j+

D
t

Charges et champ lectrique :

E =

Conservation du flux magntique :

B = 0

Elements
doptoelectronique
p. 17/16

Sources du champ?
Charges et champ lectrique :
E =

Les sources du champ lectriques sont les charges.

courants et champs magntique :

B = 0

Les courants sont sources du champ magntique.

Maxwell-Gauss et Maxwell-Ampre : Champs lectriques et magntiques sont

lis.

Elements
doptoelectronique
p. 18/16

Rappel : Ondes
Source : caillou dans
leau!
Perturbation :
lvation de leau
La pertubation se
propage

Surface

source

La matire ne se

points dgale perturbation.

Surface quiphase :

dplace pas
(bouchon, ballon. . . )
mais lnergie se
propage

Elements
doptoelectronique
p. 19/16

Exemple : le son.

Front do

Point "source" : Variation de

Surpression

Pression
Perturbation du milieu
Cette perturbation est longitudinale

Onde=perturbation qui se propage

Source
Ondes caractrise par la vitesse,
la frquence.

(Objet Vibrant)

Mais support "matriel" : air, eau...

Elements
doptoelectronique
p. 20/16

La Lumire
La lumire est une perturbation du
champ lectromagntique qui se
propage

Nature lectromagntique :
caractris par un couple (E, B)

Caractristique dune onde!

Source champs
lectromagntiques : charges,
notamment les lectrons autour
dun noyau! Lis la matire.

Remarque : Un champ lectromagntique existe dans le vide. Pas besoin

de support 6= son (pas de son dans
lespace!)

Sources : comment crer une perturbation de ce champ?

Elements
doptoelectronique
p. 21/16

Nature de la lumire

Champ electrique

Nature lectromagntique de la
= cT

lumire
Longueur donde (mtre)

Priode T (seconde)
c=vitesse de la lumire dans le
vide( 3.108 m.s1 )

v = c/n vitesse dans un matriau

dindice n

E = E0 cos(t kz)

la frquence f = 1/T = /2 (s1 )

est un invariant de la propagation

I |E|2 .

Elements
doptoelectronique
p. 22/16

Propagation?
E = E0 cos(t k.z)?
Solutions Maxwell de la forme :
f (x, t) = f1 (z ct) + f2 (z + ct)

Champ a` linstant t1

Champ a` linstant t0

Ondes se propageant? Critre de

propagation sans dformation de la
grandeur physique? Illustration avec f1 .

f(z-ct) : ondes progressives se propageant

z0

z1

dans le sens positif (z croissant).

Elements
doptoelectronique
p. 23/16

Spectre lectromagntique
Spectre visible
Energie
croissante

Rayons X

109

Ultra-violet

700

Longueur donde (nm)

Visible

400

Infrarouge

106

Microondes

103

(m)

Elements
doptoelectronique
p. 24/16

Polarisation
E

z Dire

ction
de

pr opa

gation

Direction de vibration du champ electrique.

Une onde lumineuse peut-tre :

Non polarise (lumire naturelle).

polarise de polarisation rectiligne, elliptique...
Le ciel?
Diffrence fondamentale entre lair
(son) et la lumire.

Un polariseur fixe la direction du

Elements
doptoelectronique
p. 25/16

Resum

Elements
doptoelectronique
p. 26/16

Sources optiques et rayonnement

Dfinition : gnrateur de lumire partir
dautres formes dnergie.
Photomtrie : caractrisation des rayonnements optiques (lectromagntiques)
de lmission jusqu la dtection en passant par la transmission.

`
Source de lumiere

gomtrie du rayonnement : source

elle mme (ponctuelle, linique . . .)
et faisceau.
composition spectrale (longueur
dondes et mission)

Energie

(electrique,
thermique, source primaire . . .)

comportement dans le temps

(source continue, pulses?)

ventuellement : rendement, consommation, masse volume.

Elements
doptoelectronique
p. 27/16

Units?
Grandeurs photomtriques : Il existe des quantits dunits lumineuses dont les noms
varient parfois dune discipline lautre!
Il faut toujours sappuyer sur les concepts de base:

flux lumineux=quantit dnergie par unit de temps (puissance).

Eclairement=flux par unit de surface.
Intensit lumineuse=flux par unit dangle solide.
Luminance = Source tendue.
Sensibilit spectrale de loeil

1
0,8

Deux "types" dunits : nergtique (radiomtrie) et visuelle (photomtrie, lie

la sensibilit de loeil).

0,6
0,4
0,2
0
350

450

550

650

Longueur donde (nm)

750

Elements
doptoelectronique
p. 28/16

Flux
Le rayonnement optique transporte de lnergie! Flux nergtique: nergie
mise par unit de temps dans toute les directions (puissance). Unit : le WATT
(W).

Autre grandeur appele Flux, lie lOeil humain : le flux visuel. correspond la
stimulation visuelle loeil. Unit : le LUMEN.

Lien Lumen-watt :
l (0 ) = K(0 )w 0
| {z }
| {z }
Lumen

avec = 680 et K
fonction de sensibilit spectrale.

W att

11111111
00000000
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
000000
111111
00000000
11111111
000000
111111
Aire 2 m2
00000000
11111111
000000
111111
00000000
11111111
000000
111111
000000
111111
000000
111111

Eclairement
0,5 Lux

111
000
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
2
000
111
Aire
1
m
000
111
000
111

Eclairement
1 Lux

Elements
doptoelectronique
p. 29/16

Intensit
S(R)

Angle solide :
= S/R2
4 pour lespace entier. Cas dune surface oriente :
dA. cos
d =
R2

=1
O

V
Intensit :
I=

d
d

en W/stradian ou lm/stradian (Candla)

Elements
doptoelectronique
p. 30/16

Luminance
A flux constant : source de petite dimension plus brillante quune source tendue.
luminance
Luminance : Intensit divise par la surface apparente de la source. Watt.sr1 m2 :
Le =

dIe
d

avec
d = d A cos

Surface apparente de la source dans la direction u.

Plus la surface apparente est petite, plus la luminance est leve (source +
Direction
dobservation

dA

brillante)

Elements
doptoelectronique
p. 31/16

Exemples
Ciel toil
Pleine Lune
Bougie
clairage de bureau
Plein soleil
Laser He-Ne 1 mW

clairement visuel (Lux)

103
0,2
quelques Lux
100 1000
100 000 (555 nm)
1,2.105

clairement nergtique (W.m2 )

2,3 106 (507nm)
1,5
1000

Elements
doptoelectronique
p. 32/16

Propagation dans un milieu matriel

Absorption. Dans un milieu matriel lnergie ne se conserve lors de la propagation :

d (x)
dx

= (x)

O est le coefficient dabsorption (en m1 ). Lintgration mne la formule de

Bouguer :
(x) = 0 exp (x)
Le flux sattnue de faon exponentielle avec la distance dans un milieu matriel.
Traverse dune surface. A la rencontre dune surface, le flux incident i donne
naissance un flux transmis t , un flux rflchi r : On dfinit les coefficient de
transimission T et de rflexion R :
t
T =
i
R=

r
i

avec T + R+ = 1 Sil ny pas dabsorption.

Elements
doptoelectronique
p. 33/16

En rsum
Deux types de grandeur : visuelle et nergtique.
Flux : caractrise la puissance du Faisceau (W) W =

R t2
t1

dt

clairement : Caractrise la densit de puissance (W.m2 )

Intensit : comportement dune source selon la direction considre (W.).
Luminance : caractrise la brillance dune source tendue dans une direction.

Elements
doptoelectronique
p. 34/16

Sources incandescentes
De nombreux corps mettent de la lumire lorsquils sont chauffs! Sources
"usuelles" :
Le Soleil
Arc lectrique : dcharge entre deux lectrodes au carbone. Source de lumire
blanche intense contenant toutes les radiations visibles +infrarouge.

Lampe filament de tungstne : lampe incandescence "usuelle". T de

fonctionnement limite par lvaporation du tungstne. Prsence dun gaz rare
(krypton, argon).

Lampes halognes : galement des lampes filament de tungstne contenant

de la vapeur diode ou dun autre halogne. Temprature plus leve grande
intensit lumineuse. Ampoule de la lampe est en quartz en raison de la
temprature leve atteinte.

Elements
doptoelectronique
p. 35/16

Corps noir : Spectre

Mtal chauff : rougeblanc.
Corps isol, en quilibre thermique, non
rflchissant : Corps Noir

Densite denergie
(u.a.)
3

Aucune particularit lie au corps tudi!

T=7000 K

Proprits :

Spectre demission
du corps noir

1. Rayonnement isotrope, non polaris.

T=6000 K

2. mission : Loi de Planck

T=5000 K

d =

T=4000 K
0
300

700

1300

Longueur donde (nm)

2100

2hc
5 exp(

1
hc
kB T

1)

3. Rayonnement maximal pour max T = K

(Loi de Wien)
4. Le rayonnement total ne dpend que de
temprature = K3 T 4 (Loi de Stefan)

Exemples.
Soleil : 6000K, Lampe a filament : 2500K. Application : Temprature des toiles.

Elements
doptoelectronique
p. 36/16

Quanta dnergie?
Modlisation du corps noir : problmes! Saturation des niveaux suprieurs!
"Catastrophe de lUV" (intgration=nergie infinie!).

Planck introduit lide de niveaux discrets dnergie, puis Einstein lide de

Photons : dualit ondes corpuscule de la lumire.

Le photon transporte une nergie proportionnelle sa frquence :

E = h

avec h=6,63.1034 J.s est la constante de Planck.

Linteraction seffectue par portion dnergie ou quantas!

Question:Comment sorganise lnergie dans la matire?

Elements
doptoelectronique
p. 37/16

Atomistique
Quelle est la structure dun atome isol?
Un atome est constitu de :

Proton de charge positive,

Neutrons,

Latome est lectriquement neutre!

lectrons de charge ngative.

Lunit de la charge est le coulomb. charge dun lectron : -1,6 1019 Coulomb
Organisation des lectrons autour du noyau?
Noyau

Nuclons
?

Electron

Elements
doptoelectronique
p. 38/16

Modle de Bohr
Comment
lectrons

sorganisent
autour
du

les
noyau?

Niveaux denergie

Orbite 1 :

E1

E2

1
0

Noyau
Orbite 2 :

Orbite 3 :

E2

E1

E3

Electron en orbites dnergie En

dcrit "assez bien" les transitions
Mais : rayonnement dune particule en

modle imag mais faux!

orbite->perte dnergie?

Elements
doptoelectronique
p. 39/16

Niveaux dnergie
Donnes par la mcanique quantique!
Que nous dit la mcanique quantique?

Les particules lmentaires se comportent la fois comme des ondes et des

corpuscules. Dualit ondes-corpuscules.

On associe cette particule une fonction donde, qui dcrit son tat.
La notion de trajectoire et donc "dorbite" est abandonne pour celle de "fonction
donde" (r) rgie par lquation de Schrdinger :
~2

(r) + V (x, y, z)(r) = E(r)

2m

(cas des systmes isols) La rsolution de cette quation donne les niveaux
dnergie!
Que faut-il en retenir pour un lectronicien?

Elements
doptoelectronique
p. 40/16

Que nous dit la mcanique Quantique?

Ltat dun lectron est dtermin par ses 4 nombres quantiques. Voici la "recette"
pour trouver des nombres, et donc identifier une tat dnergie :

n, nombre quantique principal (couche lectronique)

l, nombre quantique azimutal (sous couche)
0 l (n 1)

m nombre quantique magntique

l m l

s, nombre quantique de spin.

s = 1/2

Ltat (lnergie) dun lectron correspond un quadruplet (n, l, m, s) unique. Les

niveaux dnergie sont quantifis.
Exemple : n=2

Elements
doptoelectronique
p. 41/16

Niveaux dnergie
Nombre quantique principal (couche
lectronique) :
n
Dsignation

1
K

2
L

3
M

Nombre quantique orbital (sous couche

lectronique):
Notation : niveaux dnergie.

l
Dsignation

0
s

1
p

2
d

3
f

Exemple du Silicium (Z=14 lectrons) :

1S2 2S2 2P6 3S2 3P2
Niveaux dnergie! Remplissage des
couches?

Elements
doptoelectronique
p. 42/16

Niveaux dnergie
Notation : niveaux dnergie.
Nombre quantique principal (couche
lectronique) :
n
Dsignation

1
K

2
L

3
M

Nombre quantique orbital (sous couche

lectronique):
l
Dsignation

0
s

1
p

2
d

3
f

Energie

4f
4d
4p
4s

3d
3p
3s

2p
2s

Exemple du Silicium (Z=14 lectrons) :

1S2 2S2 2P6 3S2 3P2
Niveaux dnergie! Remplissage des
couches?

1s

Elements
doptoelectronique
p. 42/16

Rgles de Klechkowsky
1s
2s

2p

3s

3p

3d

4s

4p

4d

5s

5p

6s

6p

7s

7p

2 e par sous-couche s

5d
6d

4f
5f
6f

6 par sous-couche p
10 par sous-couche d
14 par sous-couche f

Lnergie des niveaux augmente

avec (n + l)

le "remplissage" seffectue nergie

croissante

Elements
doptoelectronique
p. 43/16

Classification priodique
Dans la classification priodique de Mendeleiev, un atome X est reprsent par :
A
ZX

avec Z : le nombre atomique (nombre de proton)

A : le nombre de masse (protons-neutrons).

Latome possde Z protons, Z lectrons, et N=(A-Z) neutrons.

Exemple : le Fluor.

19
9 F

Elements
doptoelectronique
p. 44/16

Classification priodique

Table priodique de Mendeleiev.

Proprits priodiques des

lments lis aux lectrons
priphriques.

Importance

des lectrons priphriques pour les proprits

lectriques, chimiques! (chiffre de
la colonne).

Elements
doptoelectronique
p. 45/16

En bref
Source lumineuse? Etude du corps noir.
Corps noir->Quantification de lnergie!
mission de lumire li aux niveaux dnergie.
Structure des niveaux dnergie dans la matire?
Mcanique quantique 4 nombres dcrivant les etat (lnergie) dun lectron
Remplissage des couches et sous couches
Tableau priodique des lements (colonne=nombres de- externes).

Elements
doptoelectronique
p. 46/16

Interaction matire-rayonnement
Quel rapport entre ce qui nous interesse et la structure lectronique dun atome?
Flux incident

echi

Flux refl

Flux emis
Flux diffuse

111111111
000000000
000000000
111111111

Flux refract
e
000000000
111111111
Flux absorbe
000000000
111111111
000000000
111111111
Dans un premier temps, labsorption et lemission de lumire peuvent tre compris
grce cette structure lectronique.

Elements
doptoelectronique
p. 47/16

Absorption
labsorption se produit si le

Niveaux denergie
Niveau 2

E2

spectre de londe contient la

frquence correspondant
la transition!
Energie du photon absorbe:
E = E2 E1 = h

E2 E1
h

Absorption

Bien connu des chimistes :

spectre dabsorption
caractrisant un produit
(spectromtrie)

Les niveaux 1 et 2 sont des

E1

niveaux permis.
Niveau 1

Tout niveau intermdiaire

entre deux niveaux permis
est un niveau interdit.

Elements
doptoelectronique
p. 48/16

Emission de lumire : Lemission spontane

Niveaux denergie

E2

Niveau 2

Emission spontanee

E1

Niveau 1

les niveaux dnergie suprieurs au fondamental sont instable llectron

excit revient spontanment ltat fondamental!

Llectron restitue lnergie sous forme de rayonnement.

Taux de variation du nombre de photons :

Elements
doptoelectronique
p. 49/16

Sources classiques : problmes

Difficult pour obtenir un rayonnement concentr (spatial)
Difficult dobtenir un rayonnement spectre troit (filtre?)!
Lasers

Elements
doptoelectronique
p. 50/16

Les Lasers
Bref historique
Intrt?
Interaction lumire-matire
Nature du faisceau ; Cohrence temporelle, spatiale (direction), spectre.
Proprits gomtrique. Les faisceaux gaussien : forme, focalisation paramtre
M

Elements
doptoelectronique
p. 51/16

Les Lasers : historique

Comment emettre de la lumire? Corps noir, Max Planck
Einstein 1905 : effet photolectrique->Photons
Emission stimule: Einstein (1917). Prvision thorique.
Maser
Townes

Elements
doptoelectronique
p. 52/16

Gnralits
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation.
Les lasers peuvent avoir des proprits trs variables :

mission : UV, visible, infrarouge

puissance du mW au Megawatt. . .
mais caractristiques communes :

milieu optiquement actif : gaz, liquide, solide, semi conducteur.

une source dnergie (flash, courant,)
une cavit (un rsonnateur)

Elements
doptoelectronique
p. 53/16

Photons induits?

Niveaux denergie

Photon incident non absorb!

Mme direction que le photon

E2

incident
Mme longueur donde!

Nivea

Emission ind

Mme phase
Base effet Laser!
Mme polarisation
E1

Nivea

Elements
doptoelectronique
p. 54/16

Ncessit dun "pompage"

A lquilibre thermique Loi de Boltzmann :
E E1
N1
= exp 2
N2
kb T

N2 < N1
Augmenter N2 pour favoriser lemission induite?
Pompage optique avec des paramtres ralistes!
Inversion de population : N2 > N1 emission stimule

Elements
doptoelectronique
p. 55/16

Exemple : pompage He-Ne

Energie
(eV)
21 S

3s

3.39m

Lenergie permettant dexciter

les electrons peut avoir dautres
formes quun rayonnement lumineux!
Ex : nergie cintique dun lectron!
Dans un laser rouge typique
(632.8 nm) : dcharge ty

Transfert par
collision
20

0, 633m

2s

23 S

1, 15m

Pompage
par

decharge

electrique

1s

(m)

Desexcitation
par
collisions

(ddp : 1 a` 2 kV)

,534 vert
0,594 jaune
0,612 orange
0,633 rouge
1,15 IR
3,39 IR

Helium

Neon

Elements
doptoelectronique
p. 56/16

Cration du faisceau Laser

Gaz/cavit
fondamental
Gaz a` letat

Reflection
totale

Reflection
partielle

Elements
doptoelectronique
p. 57/16

Cration du faisceau Laser

Gaz/cavit
Pompage : dcharge
lectrique . . .
Inversion de
population! N2 > N1
Pompage

Elements
doptoelectronique
p. 57/16

Cration du faisceau Laser

Emission stimulee

Gaz/cavit
Pompage : dcharge
lectrique . . .
Inversion de
population! N2 > N1

Emission stimule
Pompage

Elements
doptoelectronique
p. 57/16

Cration du faisceau Laser

Amplification

Gaz/cavit
Pompage : dcharge
lectrique . . .
Inversion de
population! N2 > N1

Pompage

Emission stimule
Amplification par
rtroaction

Elements
doptoelectronique
p. 57/16

Cration du faisceau Laser

Faisceau Laser

Gaz/cavit
Pompage : dcharge
lectrique . . .
Inversion de
population! N2 > N1

Pompage

Emission stimule
Amplification par
rtroaction
Filtrage cavit,
faisceau laser

Elements
doptoelectronique
p. 57/16

Importance de la cavit
Amplification : expliqu par lemission stimule!
problme : gain insuffisant!
obliger les ondes repasser dans le milieu actif pour obtenir une amplification
suffisante.
Cavit : dispositif de rtroaction optique gnralement obtenu par 2 miroirs.

Utilisation dune cavit : Amplification + filtrage de mode!

Exemple de cavit?

Elements
doptoelectronique
p. 58/16

Un modle de cavit : Perot-Fabry

Les modes propres de cavit sont des ondes planes. La cavit slectionne les
longueurs donde tels que :
m
L=
2n

z
L

Elements
doptoelectronique
p. 59/16

Stabilit dune cavit

Cavite de largeur L

R1 = R2 = L
Stabilit=confiner le rayonnement
Calcul matriciel en paraxial!
L
L
)(1
)1
0 (1
R1
R2
0 g1 g2 1

R1 = R2 =

g2

g1 g2 = 1

-1

g1 g2 = 1

R1 = R2 = L/2

1
-1

R1 = 2L
R2 =

Elements
doptoelectronique
p. 60/16

un exemple de cavit hlium-non

Pourquoi lhlium-non en exemple. Quelques millions de laser vendus depuis 1961 :
codes barres, holographie, alignement, impression, stockage. . .
Concurrenc par les diodes laser, mais qualit du faisceau bien meilleure!

Tube scell avec 85% dhlium et 15% de Non

longueur cavit : entre 20 cm et 2m
rendement asse faible entre 0,01 et 0,1%!
puissance moyenne : entre 0,5 et 100 mW

Elements
doptoelectronique
p. 61/16

A quoi ressemble un faisceau laser?

Questions sur la source :
Proprits du faisceau laser?

Quelle est sa forme dans lespace?

le faisceau diverge-t-il vite?
quelle nergie transporte-t- il?
...

Elements
doptoelectronique
p. 62/16

Faisceau gaussien

Fronts donde

solution de lquation :

1 E
r r

w(z) = w0 zz

w0

z=0

Un faisceau laser est un faisceau

E
r r = 2ik E
z

z
zr

de lumire divergent.

il possde un rayon minimum : le

rayon de ceinture, ou waist, not
w0 .

en z = 0 w0 : rayon de ceinture.

Elements
doptoelectronique
p. 63/16

Faisceau gaussien
Profil de lintensit
transverse.

I exp

2r
w02

I/Imax

Dfinition du rayon (waist)

Imax = [w0 /w(z)]2

dun faisceau gaussien :

largeur 1/e2 .
q
w(z) = w0 1 + ( z )2
zR

Zr =

w02

: longueur de
Rayleigh. Mesure la
divergence du faisceau.
Ex : He-Ne?
LIDAR1km.

e
w(z)

w(z)

Elements
doptoelectronique
p. 64/16

Faisceau gaussien
=

La divergence est lie au rayon

minimum!
Typiquement, w0 1mm soit
= 700nm, ZR 5m et
tan = 2.10 4 rad.
Taille du faisceau 100 m?

Elements
doptoelectronique
p. 65/16

Rayon et waist en z
Rayon de ceinture
w/w0

Rayon de courbure

normalisee

R(z)

du front donde

z/zR

2z R

1
1

q
2
w(z) = w0 1 + z 2 /zR

z/zR

z/zR

R(z) = z(1 +

2
zR
z2

Elements
doptoelectronique
p. 66/16

Remarque : paramtre M
Utilis pour dcrire les carts aux faisceaux parfaitement gaussiens.
r
z
w(z) = w0 1 + M 2 ( )2
zR

Si M=1, le faisceau est parfaitement gaussien. A vrifier dans la fiche technique

constructeur!

Elements
doptoelectronique
p. 67/16

Remarque : Scurit Laser

Paramtre prendre en compte :

longueur donde
temps demission
puissance
focalisation
Dangers potentiels
Vision du faisceau avec un instrument
Vision directe (oeil nu)
Rflexions diffuses
Risque pour la peau
Risque dincendie

1
-

2
-

3A
X
-

3B
X
X
-

4
X
X
X
X
X

Elements
doptoelectronique
p. 68/16

Laser : en rsum
Il faut donc :
Emission induite la base de leffet Laser
Prsences dtats metastable.
Ncessit dun "pompage" (Diffrents type?) vers ces tats!

"Mode" slectionn par la cavit :

Rle de la cavit : confinement,slection, rtroaction. (filtre)!

Structure spatial dun faisceau laser : divergence, waist, intensit . . .

A longueur donde donne, les grandeurs caractristiques sont dtermines
grce au waist.

cart aux faisceaux gaussiens: M .

Elements
doptoelectronique
p. 69/16

Semi conducteur
Structure dun SC?
Cristal ; bandes dnergie
Bande de valence-Bande de conduction
Conduction lectrons-trous
Statistique de Fermi-dirac
Semi conducteur intrinsque, semi conducteur extrinsque : dopage.
Jonction
Dtecteurs optiques

Elements
doptoelectronique
p. 70/16

Semi conducteur : gnralits

En gnral, la rsistance crot avec la temprature
Pour certains corps, dits semi-conducteurs, cest linverse : Germanium,
slnium, graphite, arseniure de gallium. . .

Rsistivit intermdiaire entre conducteurs (108 .m) et isolants (101 0.m)

104 .m ResistiviteSC 106 .m

Lajout "dimpurets" permet daugmenter la conductivit!

Comment seffectue la conduction dans un semi conducteur?

Elements
doptoelectronique
p. 71/16

Structure lectronique des semi-conducteurs?

Structure lectronique dun atome isol 6= structure de plusieurs atomes!
Les atomes peut se lier entre eux grce aux lectrons de leur dernires
couches! lectrons de valences : liaisons covalentes.
Exemple du carbone : quelles sont les lectrons priphriques?

C
Z=6 : 1s2 2s2 2p2

H
H

C H
H

Elements
doptoelectronique
p. 72/16

Cas du Silicium?
Silicium : mme colonne que le carbone soit 4 lectrons priphriques

S
Formation dun cristal de silicium

Elements
doptoelectronique
p. 73/16

Cristal de silicium
Atome isol

Atomes isols (Gaz)

niveaux discrets
Atomes loigns :
pas dinteraction
(Potentiel 0)
Cristal

Plusieurs

atomes :
possibilit de liaison covalente grce
aux lectrons priphriques. Mise en
commun dlectron.

Niveaux denergie
?

Cas dun cristal : arrangement tridimensionnel priodique datomes. atome

empils, proches les uns des autres. Potentiel rsultants?

Cristaux de silicium : Emission/absorption de lumire que deviennent les

niveaux dnergie?

Elements
doptoelectronique
p. 74/16

Cas plusieurs atomes.

Cas de deux atomes proches :

les puits de potentiel se recouvrent partiellement!

mais les lectrons ne peuvent avoir un mme tat quantique!
Ddoublement des niveaux dnergie (principe dexclusion)
1 niveau lgrement plus "haut", un niveau lgrement plus bas!
il ya ddoublement des niveaux dnergie!
Cas dune srie datome?

Elements
doptoelectronique
p. 75/16

Cristal monodimensionnel
V (x)

Allure du potentiel
dans une chaine datomes

Potentiel-force
Connaissance prcise du potentiel :

compliqu!

Modle simplifi.
Vext : potentiel de sortie. E>Vext
llectron peut sortir du cristal.
E<V0 lectron li au noyau
E>V0 lectron libre!

Schrdinger : apparition de
"bandes dnergie". Niveaux quasi
continus dnergie.

V (x)
Vext

Fonction approchee
du potentiel cristallin

V0

apparition de bande permises et de

bandes interdites

Elements
doptoelectronique
p. 76/16

Atome isol-Cristal
Atomes

Cristal

Energie

Distance Interatomique

Elements
doptoelectronique
p. 77/16

Bandes intressantes en lectronique

E

Ensemble des niveaux permis pour

les lectrons de valence = bande
de valence. (lectron les moins lis
aux atomes).

Bande permise suivante : bande de

conduction, spare par une
nergie appele gap.

Bande
de conduction
Bandes
de valence
Bandes
continues

E
E2

E1

Elements
doptoelectronique
p. 78/16

Niveaux dnergie : cristal infini

dnergie Eg (Gap, mesur en eV).
Pas dtats permis pour les
electrons.
Paramtre fondamental des
semi-conducteurs
Distinction qualitative entre isolant
et semi conducteur grce Eg .
1. SC 1 eV
2. Isolant >3eV
3. Mtaux : recouvrement bande
valence et bande de
conduction.

Energie
des electrons

Existence dune bande interdite

Bande de conduction (BC)

Ec
Ef

Eg

Bande interdite

Ev
Bande de Valence (BV)

Elements
doptoelectronique
p. 79/16

Comparaison : SC/isolant
Gap de quelques matriaux :

Germanium : 0,67 eV
Silicium : 1.12 eV
Diamant : 5,5 eV
Silice : 8 eV

T=0 K, silicum et germanium sont isolants.

Si T augmente : agitation thermique e vers la bande de conduction.
conductivit intrinsque qui augmente avec T.
On parle de semi-conducteur intrinsque (pur)

Elements
doptoelectronique
p. 80/16

Conduction dans un SC
Passage des e de BV BC :
lectrons+trous nergie+liaison

trou=lacune dlectron
Application dun champ lectrique
: conduction
Circulent en sens inverse des e .
conduction par lectrons-trous

Par dfinition :
Cration dune paire lectrons-trous
: gnration

Processus inverse : Recombinaison

+
+
+
+
+

+
+

Elements
doptoelectronique
p. 81/16

Effet de la temprature?
Importance de la temprature :
comment la quantifier?

Fonction de FermiDirac

Rpartition des lectrons entre BC

1.1

et BV selon T? statistique de
Fermi Dirac (Physique statistique).
se trouve dans un tat dnergie E :
f (E) =

1
1 + exp

(EEF )
kT

k : constante de boltzmann=
1,38.1023J.K 1
T : temprature absolue (K)

f (E)

indique la probabilit quun lectron

T=0 K

0.9

0.7

0.5

0.3

T>0

0.1

0.1

EF ermi

Energie

2kT

Elements
doptoelectronique
p. 82/16

statistique de Fermi-Dirac
T=0 :
Distribution en chelon.
Peuplement par le niveau le + bas.

Niveau de Fermi= dernier niveau

Fonction de FermiDirac

occup
fig
T6=0 :

talement de la fonction.
peuplement des niveaux>EF
dpeuplement des niveaux <EF

< N (E) >

f (E)

Pas dagitation thermique : systme

1.1

T=0 K

0.9

0.7

0.5

0.3

T>0

0.1

Plus T augmente, plus les niveaux

loigns se peuplent

quilibre dynamique!
Semi conducteur : niveau de Fermi

0.1

EF ermi

Energie

2kT

dans le Gap! Importance du niveau

bas de la BC et haut de la BV

Elements
doptoelectronique
p. 83/16

Quantit de porteur?
Pour connaitre la conductivit du semi conducteur, il faudrait le nombre moyen
dlectrons n dans la BC! Cest a priori facile!
Probabilit de prsence dun tat dnergie nombre dtats dans cette nergie
n = f (E) g(E)

o g(E) est appel densit dtat. Nombre total dans la BC :

ntot =

ECmax
ECmin

f (E) g(E)dE

Somme sur toutes les nergies de la bande de conduction.

Elements
doptoelectronique
p. 84/16

Rle des "impurets" : dopage.

3d10 4s2 3p3

Donneur

But du dopage : amliorer la

conductivit en augmentant
le nombre de porteurs soit
positifs, soit ngatifs.

Ajout dun lment tranger :

choix?
Coup dOeil la
classification priodique :
Lien entre colonnes et
lectrons externes.
Colonne III & V

Accepteur
3d10 4s2 4p1

Rayon atomique
croissant

Halognes
Gaz rares

Elements
doptoelectronique
p. 85/16

SC extrinsque : Dopage N
Dopage N : lment de la colonne V : 5 lectrons priphriques. Donneur
dlectron.

Quatre e vont participer la structure cristalline et un va tre libre, et va avoir

la possibilit de se dplacer dans le cristal.

Partie du cristal porteuse de charges mobiles.

Exemple : le phosphore (P), larsenic (As).

Elements
doptoelectronique
p. 86/16

Niveaux dnergie
Apparition dun niveau donneur proche de la BC!
Dplacement du niveau de Fermi vers la BC
E

EC

Ed

EF
EV

P
As
Sb

Ge
0,012
0,013
0,01

Si
0,044
0,049
0,039

Elements
doptoelectronique
p. 87/16

SC extrinsque : Dopage P
Dopage P :

On incorpore un lment accepteur (trivalent groupe III).

lacune en e : trous
Apparition dun niveau donneur proche de la BV
Exemple : le bore (B), laluminium (Al), le gallium (Ga), lindium (In).

Elements
doptoelectronique
p. 88/16

Rapport Dopant/semi conducteur

Dopages courants : environ 1016 1018 atomes.cm3 .
Silicum: 4,96.1022 atomes.cm 3.

Nombre volumique des lectrons libres = nombre volumique des impurets.

La rsistivit dpend de la concentration en porteur (trous et e )

Elements
doptoelectronique
p. 89/16

Jonction PN
Runion dune rgion dope N et dune rgion dop P.
Jonction PN ou Diode.
Combinaison des porteurs de charges mobiles dans cette zone zone despace
vide de porteurs de charges mobiles (=isolante)
Jonction

Anode

Anode
P

Cathode
Diode
(composant)

Cathode
Diode
e)

(circuit integr

Elements
doptoelectronique
p. 90/16

Jonction PN
+
+

+
+
+

1111
0000
0000
1111
0000
1111
+
0000
1111
- E +
0000
1111
0000
1111
0000
1111
+
0000
1111
+
0000
1111
0000
1111
0000
1111
id

is

Elements
doptoelectronique
p. 91/16

Jonction PN : ilustration
11
00
00
11
00
11
00
11
00
11

Nombre volumique dimpuretes

Accepteurs

Trous

Jonction : contact dune zone n

donneuse, et p accepteuse.

quilibre dynamique : courant de

diffusion et courant de saturation
zone de dpltion.
inhomognit de la distribution
de charge.

Region
p

111
000
000
111
00
11
0
1
00
011
1
0
1
0
1
0
1
Donneurs

Electrons

Jonction

Region
n

Charge volumique

Champ electrique

Apparition dun champ lectrique

barrire de potentiel!

Potentiel electrique

Elements
doptoelectronique
p. 92/16

Polarisation de la jonction
Appliquer une champ lectrique afin de modifier la barrire de potentiel

Polarisation directe :
Autoriser les porteurs majoritaires se dplacer.

diminution de la zone de dpltion

augmentation de i :
i = is exp

eV
1
kT

Polarisation inverse
V conforte la barrire de potentiel

Courant de porteurs majoritaires quasi nul.

Elements
doptoelectronique
p. 93/16

En bref
Passage au cristal : apparation de bande continues : bande de valence, bande
interdite (gap), bande de conduction

SC : Conduction par lectrons-trous

Statistique de Fermi-Dirac : Effet de la temprature sur les porteurs.
Dopage N et P : ajout dlments de la colonne III ou IV augmentation des
porteurs

Jonction : Existence dun champ interne.

Elements
doptoelectronique
p. 94/16

Application : capteurs et metteurs optiques

Photodtecteurs : interaction lumire-matire deux types de dtecteurs.

1. Dtecteur thermique : modification des proprits lectriques par variation de

temprature (chauffement). conversion chauffement-signal lectrique :
Bolomtre variation de rsistance
Thermopile (thermocouple) effet thermolectrique
Dtecteur pyrolectrique variation de capacit
Assez peu sensibles la longueur donde, effets thermique donc lents!
2. Dtecteur quantique : interaction directe dun photon et dun lectron du
matriau.

Elements
doptoelectronique
p. 95/16

Dtecteurs quantiques : effets internes et externes

Interaction direct dun photon et dun e .
Effets internes
photoconduction

photovoltaque
photolectromagnetique

Effets externes

photomission (photomultiplicateur
...)

Laspect quantique est fondamental : longueur donde de seuil.

Forte dpendance de la rponse avec la longueur donde.
Rponse beaucoup plus rapide que les dtecteurs thermiques.

Elements
doptoelectronique
p. 96/16

Effets internes

hc
>>
E

avec

E = Ec Eb (intrinsque)
E = Ec Ed (extrinsque)

Bande de conduction (BC)

Ec
Ef

Eg

Ev

Energie
des electrons

Energie
des electrons

1. Cration de porteurs libres grce

lnergie du photon. Il faut :

Bande de condu

Ec
Eg
Ev

Bande de Valence (BV)

Bande de Valence (B

2. Drainage les porteurs vers lextrieur :

Photovoltaque
Photoconducteur

diffrence de potentiel interne (ex :jonction PN) :

Pas de polarisation externe
diffrence de potentiel externe :
Photorsistance, photodiode

Elements
doptoelectronique
p. 97/16

Caractristique
Beaucoup de dtecteurs se comportent comme des gnrateurs de courant : tude
du courant pour dterminer les paramtres caractristiques :

Courant dobscurit
Sensibilit
Rponse spectrale
Influence du bruit (FEB, Dtectivit)

Elements
doptoelectronique
p. 98/16

Courant dobscurit io
Courant permanent dun dispositif plac dans lobscurit.

Origine interne : libration de porteur de charge par la temprature. Augmente

avec s problme dans linfrarouge.

Il en rsulte que :

Sensibilit la temprature : drive thermique, ne pas confondre avec une

variation du signal!

Fluctuation autour de la valeur moyenne qui augmente avec le courant

dobscurit Limite lamplitude minimale des signaux dtectables!

Elements
doptoelectronique
p. 99/16

Sensibilit S
S=

variation grandeur de sortie

variation du mesurande

A lentre : flux lumineux .

En sortie : courant I
S en A.W1 (A.lumen1 )
Courant de sortie I :
i = i0 + ip
S=

Un capteur est linaire si ip % flux s =

ip

ip

Sensibilit au flux
sensibilit spectrale

Elements
doptoelectronique
p. 100/16

Sensibilite spectrale S()

Cas dun rayonnement monochromatique : trac de S en fonction de la longueur
donde.
Fournie par le constructeur.
S=

q
hc

Rponse maximum pour la longueur donde de pic

Sr ()

Attention : A.W1 ou A.lm1

Elements
doptoelectronique
p. 101/16

Influence du bruit
Flux quivalent au bruit m (FEP/ NEP) : Flux produisant un courant quivalent au
courant de bruit.
Si dtecteur linaire :
i = S
donc
F EB = m =

iB
S

avec Ib courant de bruit.

Remarque
Le courant bruit ib dpend de f et de A!
FEB spcifique :
F EB = m =

i
B
S A f

W.Hz1/2

Elements
doptoelectronique
p. 102/16

Dtectivit
Inverse du FEB : augmente avec la qualit du Capteur.
Dtectivit spcifique D

A f
D =
F EB

cm.Hz1/2 .W1
Notation
Les fiches techniques fournissent les conditions de mesures.
D ( ; f ; f )

Elements
doptoelectronique
p. 103/16

Photorsistances

Diple SC sans jonction dont la rsistance diminue avec

lclairement!
Principe :

Pas de lumire : peu de porteurs! R 104 109

Lumire gnration de paire lectrons-trous, baisse de la

Symbole

rsistance. photoconduction

photons dnergie hf > EG Existence dune longueur donde de

seuil.
Exemple : sulfure de cadmium, Sulfure de plomb.

Elements
doptoelectronique
p. 104/16

Variation de rsistance et sensibilit

R ()

i=

E
Rp

et par dfinition

107
106

S=

di
d

105
104
103

La sensibilit diminue avec le flux et elle

est proportionnelle a la tension E . Donne constructeurs dans un diviseur de
tension :
dv
S =
d
(V.W1 )

102

Ev (lx)
0,1

10

100

1000

RP
E
RL

Elements
doptoelectronique
p. 105/16

Rponse spectrale
Sensibilit relative la sensibilit maximum.
Fournie par le constructeur, dpend du
semi conducteur utilis.
Sr ()

CdS

CdSe
0,5

(nm)
300

400

500

600

700

800

900

1 000

Reponse
spectrale relative. Photoresistance
au sulfure de Cadmium
eniure

et sel
de Cadmium

Elements
doptoelectronique
p. 106/16

Temps de rponse et rponse en frquences

Temps de rponse : dure
ncessaire pour que la resistance
ait vari de de 63%.
Typiquement : quelques dizaines de
s quelques dizaine de millisecondes

Rponse en frquence : Sensibilit

rapporte la sensibilit en basse
frquence.

Frquence de coupure modeste :

inutilisable pour dtecter des flux
rapidement variable!(
photodiode).

Elements
doptoelectronique
p. 107/16

Montages lmentaires
Dtection de la rsistance variable!
VCC

VCC

R2

i=

VCC
(Rb +Rp )

mA

RP
R1

RP

`
Photometre

Commande directe dun relais (Ie ,Id )

Eclairage
publique

Elements
doptoelectronique
p. 108/16

Exemple de photoresistance (PbS)

Domaine spectral
max
Robscurite
Sensibilite (2 m)
D (2, 800, 1))
Surface photosensible
Temps de rponse

[0,3-3] m
2,2 m
1,5 M
8.104 V.W1
4.1010 cm.Hz1/2 .W1
6 mm6 mm
100 s

Elements
doptoelectronique
p. 109/16

Photodiode
Diode jonction sensible la lumire. Plusieurs modes : photoconduction,
photovoltaque. La fonction dpend :

de la polarisation
de la rsistance de charge

Elements
doptoelectronique
p. 110/16

Mode photovoltaque

Diode non polarise.

Paire lectrons-trous spars par le champ interne ddp aux bornes de la photodiode.
iD
Cration dune paire lectron trous E =
h . Fonctionnement 6= selon la rsis0
tance de charge :
M3
En courant si R faible. Limite
photovoltaque/photoconducteur.
Quadrant II
M2

i = ip . Linarit courant-flux.
Problme si faible flux (courant
M1
dobscurit).

En tension si R leve.

Elements
doptoelectronique
p. 111/16

Photoconduction : Mode de fonctionnement

iD
VCC

VD

Droite

Quadrant III :

III

dattaque

Elements
doptoelectronique
p. 112/16

Schma quivalent et temps de rponse

rs

rd

Cd

Cp

Temps de rponse dpendant de la capacit et de la rsistance du circuit! (systme du premier ordre) Paramtre optimiser!
Rsistance de charge faible.

Cablage minimisant les capacits

parasites

Capacit Cd <<
I

Cd

Cp

mode photoconducteur avec tension inverse suffisante.

Elements
doptoelectronique
p. 113/16

Autres photodiodes
Photodiode avalanche : plus rapide, meilleur sensibilit. Courant multipli
parnun coefficient M dpendant de la tension inverse.
M=

1
1 ( VvB )m

avec 3 < m < 6

Meilleure sensibilit, plus rapide.

Photodiode PIN. SC intrinsque entre P et N. Temps de rponse trs court

(parfois<ns). Faible capacit.Faible bruit.

Elements
doptoelectronique
p. 114/16

Photodiode : Rsum
La caractristique courant-tension donne le mode de fonctionnement.

Cadrant I.
u et i positifs ;
photodiode=rcepteur. Laisse passer un courant important au-del de la tension
de seuil=comportement diode au silicium classique (ne dpend pas de
lclairement).

Cadrant IV.
i est ngatif, u positif.
puissance instantane p = u.i ngative : photodiode = gnrateur. Mode
photovoltaque(ex :panneaux photovoltaques)
Pas de relation simple entre la tension produite et lclairement.

Cadrant III.
Pour u < 0 : passage dun courant ngatif trs faible, (courant inverse ou
photocourant :A) , proportionnel lclairement (rigoureusement si u = 0).
Mode photoconducteur.
instrumentation : photomtres, colorimtres, spectrophotomtres.

Elements
doptoelectronique
p. 115/16

Phototransistor

Linarit de la photodiode est bonne pour

des courants faibles!
Principe photodiode + transistor : Phototransistor.

Reprsenta
quivalente

Elements
doptoelectronique
p. 116/16

Optocoupleur (Photocoupleur)
Dfinition
Composant destin transmettre linformation avec un isolement lectrique grce
un couplage optique entre entre et sortie.
Photocoupleur=photometteur+photorcepteur dans une bote!
galement appel optoisolateur.

Elements
doptoelectronique
p. 117/16

Rsum
Photorsistance :
Simple SC dop.

Principe : augmentation des porteurs, R diminue.

type de rponse : non linaire. Non adapte aux frquences leves.
Photodiode :
fonctionnement selon le cadrant
photoconduction : polarisation inverse. Rponse linaire, rapidit.

photovoltaque : mode gnrateur. Fonctionnement 6= selon la rsistance de

charge

Elements
doptoelectronique
p. 118/16

Un mot sur les cellules solaires

Le GEII mne tout! Type de SC et rentabilit. Le rendement dpend du type et de la
puret du cristal!
1955 : premires cellules solaires : 6%.

Cristallin. Rendement :
Semi cristallin. Rendement :
amorphe. Rendement :

Elements
doptoelectronique
p. 119/16

Un mot sur les cellules solaires

Energie
solaire
en kW.h.m2 .jour
Production annuelle panneau solaire photovoltaque 100 kWh par m2 (majeure
partie de lEurope)
Production franaise dlectricit : 550 TW.h en 2002.
->5 milliard de m2, soit 5.000 km2 environ (1% du territoire).

Elements
doptoelectronique
p. 120/16

Diode lectroluminescente

Diode produisant de la lumire par mission spontane.

Passage dun lectron de la bande de conduction
la bande de valence recombinaison dun lectron et
dun trou.
Pour un semi conducteur de Gap Eg , le photon mis a
une longueur donde :

Puce
semi conductrice

Reflecteur

hc
Eg

Lenti

Pour mettre de la lumire,il faut favoriser les recombinaisons radiatives!

Injection de porteurs.
-

Con

Elements
doptoelectronique
p. 121/16

Injection de porteur
E

Bande de conduction

EC

linjection de porteur est ralise en polarisant

EV
+

une jonction PN en direct

barrire de potentiel abaisse

injection dlectrons de la zone N vers la zone P
injection des trous dans le sens contraire
Recombinaison radiative
ce phnomne est appel lectroluminescence

Jonction non polarisee

Bande de valence

Bande de conduction
-

EC

EV
+

+
+

Jonction polarisee

Bande de valence

Elements
doptoelectronique
p. 122/16

Intensit, Spectre et direction

4

Intensite
Relative

flux mis=f(courant) linaire dans un domaine

limit de courant.
Diode rayonnement latral ou normal

Distribution spectrale large= non

monochromatique centre sur p

Courbe courant-tension similaire une diode

rpartition de lintensit lumineuse?
diagramme de rayonnement
Angle de demi-intensit

20
40
60
Intensite lumineuse=f(courant)
Intensite
relative

10

80

iD (mA

20

30

1
0,8

40

0,6

50
0,4

60

70

80

Elements
doptoelectronique
p. 123/16

Mode dattaque?
Diode polarise en direct. Point de fonctionnement : intersection droite dattaque et
courbe caractristique.
iD

T2

T1 T0

iD

T2

T1

T0

iD

T2

T1

T0

v
Tension : Emballement thermique

v
Courant : Ok
R
Vcc

Elements
doptoelectronique
p. 124/16

Les diodes lasers

Principes de bases identiques aux Lasers mais matriaux semi conducteurs.
Diode jonction dans laquelle on injecte un courant pour obtenir une mission
stimule.
Utilisation en forte augmentation ces 10 dernires annes : transmission par
fibres optiques, lectures de codes barres. . .

Elements
doptoelectronique
p. 125/16

Rponse en courant
e

T1
Effet laser

T2 > T1

LED

iD
iT

Elements
doptoelectronique
p. 126/16

Diodes Lasers: Avantages

Petite taille : puissance en dizaine de Watts dans des boitiers de lordre du mm3 !
Gamme de longueur intressantes
Bon rendement
Modulation du courant Modulation du signal
Faible taille, bas cot

Elements
doptoelectronique
p. 127/16

Profil spatial
Faisceau elliptique!
grand axe=petit cot de la diode.
Optique corrective pour rendre le faisceau circulaire

y
dx
x
dy

Elements
doptoelectronique
p. 128/16

diode laser/LED
Diode Laser

LED

1 nm

50 nm

(nm)

(nm)

Elements
doptoelectronique
p. 129/16

Problmes
Applications trs diffrentes (monochromaticit, longueur de cohrence)!
astigmatisme/faisceau elliptique
qualit de faisceau infrieur un laser He-Ne

Elements
doptoelectronique
p. 130/16

Comparaison Lasers
LSC
Bandes de conduction
et de valence
Densit de porteurs
Injection dun courant

Autres lasers
Niveaux dnergie
atomique
Densit dinversion
de population
Pompage

Elements
doptoelectronique
p. 131/16

La lumire, support dinformation?

Paramtre du rayonnement

Caractre de la modification

Quantit mesure

Direction de propagation

Dviation

Position angulaire, dformati

Flux

Attnuation par absorption

paisseur, composition ch
ique

Modulation tout ou rien

vitesse de rotation dun disqu

Nombres dobjets

Frquence

Changement de frquence

Intensit, Longueur donde

Rpartition
lnergie

Phase

Dphasage entre deux rayons

Position, dimension, dpla

ment, vairation dindice

Polarisation

rotation, changement

Pression, contrainte

spectrale

Vitesse dplacement
de

Temprature de la source
lmission

Elements
doptoelectronique
p. 132/16

lments doptique gomtrique

Rayon lumineux.Indice optique.
Principe de fermat
En pratique : Loi de Snell Descartes
Lentille minces

Elements
doptoelectronique
p. 133/16

Optique gomtrique
But : dcrire la propagation de la lumire avec les rayons lumineux
Direction et sens = ceux de londe lumineuse.
Caractristique dun milieu optique :

transparent sil laisse passer la lumire

homogne si ses caractristiques sont indpendantes de lespace.
isotrope si les caractristiques optiques sont indpendantes de la direction
Dans un milieu transparent, homogne, isotrope, un
rayon lumineux se propage en ligne droite.
Deux Rayons lumineux ninteragissent pas entre eux.

Elements
doptoelectronique
p. 134/16

Indice optique dun milieu

On dfinit lindice optique n dun milieu par la rapport :
n=

c
>1
v

c : vitesse de propagation de la lumire dans le vide

v :vitesse de propagation dans le milieu considr.
Caractristique importante en optique : dfinit comment les faisceaux lumineux se
propagent.
Dfinition :
1. Plus lindice dun milieu est lev, plus le milieu est dit rfringent

2. Dioptre : sparation entre deux milieux dindice diffrent.

3. Rfraction : nom donn au phnomne de dviation de la lumire quon peut
observer lorsquelle change de milieu.
Exemples
Eau : 1,33
Silice : 1.454
Air : 1,0003
La lumire se propage moins vite dans un matriau dindice lev!

Elements
doptoelectronique
p. 135/16

Chemin optique
Chemin optique LAA entre A et A : longueur parcourue par la lumire dans le vide
pendant le mme temps quelle mettrait parcourir AA le milieu dindice n.
LAA =

cdt =
t

n. d s
A

Exemple : Chemin optique et retard de phase.

Elements
doptoelectronique
p. 136/16

Principe de Fermat
nonc (simplifi) :
La lumire prend toujours le chemin le plus rapide pour aller dun
point un autre .

Le principe de Fermat permet de comprendre la rfraction!

Dans lair, le chemin le plus court entre 2 point est la ligne droite.
A la travers dun dioptre, le chemin le plus court est donn par les relations de
Snell-Descartes

Elements
doptoelectronique
p. 137/16

La Lumire : Rflection-Rfraction
Rfraction : nom donn au phnomne de dviation de la lumire quon peut
observer lorsque elle change de milieu.

Quantitativement.
Loi de Snell-Descartes : Rfraction dun rayon lumineux.
n1 sin i1 = n2 sin i2
i1 ,i2 : angle entre la normale au dioptre et le rayon. Dduite du principe de
Fermat (Exemple du nageur).

Remarque: lindice dpend la longueur donde!

Elements
doptoelectronique
p. 138/16

Rflexion totale interne

Lorsquun rayon pntre dans un milieu
moins rfringent, il sloigne de la noril
male la surface de sparation. La cas
limite correspond au rayon rasant la surDioptre
face pour lequel :

n1
n0 sin il = n1 sin
2
On dit quil ya rflexion totale interne.
NB :Rfraction, angle critique diffrent selon la couleur!

n0
echi

Rayon refl

Rayon limite rasant

i2

Elements
doptoelectronique
p. 139/16

Lentilles Minces
Dfinition.
Lentille sphrique : milieu transparent limit par deux surfaces sphriques ou
une surface sphrique et une plane.

Axe optique principal : Axe autour duquel la lentille possde une symtrie de
rvolution.
Centre optique

Les lentilles convergentes : bords minces, font converger les rayons.

Les lentilles divergentes : bords pais, font diverger les rayons.
Schma: Lentille mince convergente, divergente. Reprsentation des lentiles minces

Elements
doptoelectronique
p. 140/16

Construction gomtrique des rayons

Un rayon frappant une lentille paralllement laxe optique passe par le foyer
principal image

Un rayon passant par le centre optique ne subit aucune dviation

un rayon passant par le foyer principal merge selon une direction parallle
laxe optique.
Application. Cas des lentilles minces convergentes et divergentes. Faisceaux
parallles

Elements
doptoelectronique
p. 141/16

Formule de conjugaison
Formule de conjugaison. Permet de trouver les positions relatives images.
1
1
1

=
OA
OA
OF

Elements
doptoelectronique
p. 142/16

Rsum Optique gomtrique

le principe de Fermat est un principe fondamental de loptique gomtrique
Snell-Descartes : comportement des rayons arrivant sur un dioptre (rflection,
rfraction). Se dduisent du principe de Fermat.

Il existe un angle critique tel quaucun rayon nest rfract.

La relation de conjuguaison des lentilles minces permet de connaitre la position
dune image quand on connait focale et position de lobjet (+savoir tracer les
rayons).

Elements
doptoelectronique
p. 143/16

Les Fibres optiques

Principe dessin avec coeur-gaine. Silice.
Monomodes, multimodes : dimension des coeurs.
Ouverture numrique
Dispersion et attnuation
Amplification par fibres dopes (laser tout fibrs?)
Sensibilit aux dformations->Dtecteurs
Comment choisir une fibre en fonction dune application?

Elements
doptoelectronique
p. 144/16

Gnralits

Guide dondes dilectriques circulaires pouvant transporter de lnergie et de linformation

optique

coeur : partie centrale o est confine la lumire

gaine : partie priphrique servant au guidage, dindice lgrement diffrent ( 1%).

Gnralement intgr dans des cbles tresss (acier ou Kevlar). Protection de la partie
guidante des facteurs environnementaux et physiques.

Gaine (n2 )
(Cladding)

Revetement

Dimension du cur : diamtre entre

4 et 100 m.

Coeur (n1 )
[Core]

Elements
doptoelectronique
p. 145/16

Inconvenients/Intrt
Avantages :

insensibilit aux perturbations lectromagntiques,

isolation lectrique,
intgrit de la transmission,
dimensions (faible poids, faible encombrement),
importantes capacits de transmission,
fiabilit et longvit des installations,
abondance de matire premire,
absence dinterfrences entre liaisons parallles (diaphonie),
affaiblissement des signaux trs rduits,
Inconvnients :
prix lev des dispositifs fibres optiques (exceptes les tlcommunications
optiques),

connectique,
rticence du secteur industriel face un produit nouveau,
mise en uvre ncessitant une formation particulire,

Elements
doptoelectronique
p. 146/16

Comparaison des bandes passantes

dB/km
20

15

Paire

torsadee

Blindee
RG22U

Coaxial
RG220U

coaxial
RG217U

Gradient dindice
=0.85 m

10

Gradient dindice
= 1.3 m

Bande passante cable coaxiaux et

fibre multi/monomode.
Monomode

= 1.3m

BP (Mhz)

0
0.1

10

100

1000

10000

100000

Sources: universite Saint Etienne

Elements
doptoelectronique
p. 147/16

Remarques : thories du guidage

Deux approches thoriques possibles :
1. Thorie gomtrique : valable pour des coeurs de dimensions beaucoup plus
grandes que la longueur donde.
2. Thorie ondulatoire : les quations de Maxwell avec les conditions aux limites.
On se limite ici la thorie gomtrique!

Pour des diamtres beaucoup plus grands que la longueur donde les deux thories
se rejoignent (approximation de loptique gomtrique).

Elements
doptoelectronique
p. 148/16

Fibre saut dindice

n2

Air

n1

a : Rayon du coeur
n1 : indice du coeur
n2 : indice de la gaine<
rg : rayon de la gaine

n1
Saut dindice en rg = a

n2
a

rg

Paramtres particuliers.
-Diffrence dindice normalise (mesure du saut dindice) : =

n1 n2
n1

Elements
doptoelectronique
p. 149/16

Fibre saut dindice

Pourquoi une fibre guide-t-elle la lumire? La fibre saut dindice permet den donner
une ide simple!
Air

n2

n1

Principe : Pour quun rayon soit guid, tous les rayons lumineux heurtant linterface
entre le cur et la gaine devront respecter la condition de rflexion totale interne.
Condition dinjection.

Elements
doptoelectronique
p. 150/16

Ouverture numrique (O.N.) dune fibre

Louverture numrique caractrise langle maximum m que peut faire le faisceau
pour assurer sa propagation dans la fibre optique.
ON = n0 sin m

Cone
dacceptance

q
= n21 n22

Rayon non guide

m
Gaine
Une grande O.N permet de coupler une grande quantit de lumire issue dune
source assez divergente (LED).

Elements
doptoelectronique
p. 151/16

Fibre gradient dindice

En pratique : utilisation de fibres gradient dindice. Pas de saut brusque dindice.

Gradient dindice

Guidage assur par la variation dindice.

Rduit le temps de parcours des rayons lumineux.
Profil dentre, profil de sortie Exemple de profil : parabolique.

Elements
doptoelectronique
p. 152/16

Monomode et multimode
Un mode est une forme du champ (de rayon lumineux) qui peut se propager dans la
fibre.
Fibre multimode : coeur de rayon important (jusqu 100 m). Plusieurs tats du
champ sont possibles dans la fibre. A chaque inclinaison correspond un
groupe de rayons auquel on peut associer un mode.

Fibre monomode: coeur de faible dimension (10m). Un seul tat du champ

est possible dans la fibre. Plus difficile mettre en oeuvre.

Fibre multimode
n2
z
n1

Sur de longues distances : fibre monomode pour minimiser les problmes de

dispersion.

Elements
doptoelectronique
p. 153/16

Couplage de la lumire dans une fibre

Diffrents couplages ont t imagins suivant la source!

positionnement prcis de la fibre : centrer le coeur sur le faisceau laser.

en pratique : objectif douverture numrique O.N de la fibre.
Optique
de focalisation
(objectif. . . )

Support
pour fibre nue

ou connectorisee

Laser
Fibre

x
Micro
positionnement

z
y

Elements
doptoelectronique
p. 154/16

Attnuation dans une fibre

Si lon injecte une puissance lumineuse P0 lextrmit dun fibre, on ne rcupre
quune fraction P1 de P0 lautre extrmit. Lattnuation de la fibre est le rendement
exprim en dcibel sous la forme.
Pertes en Db.km

P1
10
= log
L
P0

Attnuation des fibres :

1000 dB.km1 en 1960.

20 dB.km1 en 1985
0,2 dB.km1 en 1984.

Elements
doptoelectronique
p. 155/16

Attnuation dans une fibre

1970

Attenuation
en dB/km

OH

3.5

1990

0,4

850

1300

1550

Longueur donde (nm)

Elements
doptoelectronique
p. 156/16

Telecom et fibres optiques

Points forts : nombreux avantages par rapport au cuivre.

Dbits trs lev : centaine de Mbits/s jusquau Gbits/s voire le Tbits/s.

insensible aux rayonnements lectromagntiques (CEM)

attnuation du signal infrieure celle dun conducteur lectrique (environ 1dB/Km).

Utilisable en environnement difficile (peu sensible T).

lgres et peu encombrantes . . .

matire premire bon march

mais

travaux public couteux

Raccordements difficiles raliser (1 dB)

moins chre que le cuivre, mais connectique/convertisseurs couteux + les travaux

Elements
doptoelectronique
p. 157/16

Dispersion

Attenuation

Dispersion

La vitesse de propagation dpend de lindice! La silice est un matriau dispersif.

Lindice de rfraction n1 du coeur dpend de la longueur donde.
Vitesse de propagation diffrente selon la couleur!
Distorsion de temps de propagation dans le domaine spectral couvert par les
sources optolectroniques.

Elements
doptoelectronique
p. 158/16

Dispersion de la silice
Propagation dinformation : recouvrement des bits successifs.

1
Impulsion illisible

Nb : Le minimum de dispersion chromatique est atteint pour une longueur donde de

1300 nm. Solitons?

Elements
doptoelectronique
p. 159/16

En bref : choisir une fibre

Paramtre de la fibre?
Longueur donde de coupure

dispersion chromatique
monomode ou multimode?
Attnuation
Paramtre V , frquence normalise de la fibre.

Elements
doptoelectronique
p. 160/16