Avances en Energas Renovables y Medio Ambiente

Vol. 10, 2006. Impreso en la Argentina. ISSN 0329-5184

ASADES

SIMULACIN ELECTRICA Y TERMICA DE PANELES FOTOVOLTAICOS#

M. Gea, M. T. Montero, C. Cadena
Instituto de Investigacin en Energas No Convencionales (INENCO - CONICET)
Universidad Nacional de Salta Av. Bolivia 5150 C.P. 4400 Salta
Tel - Fax 0387-4255489 e-mail: geam@unsa.edu.ar

RESUMEN: Se elabor un programa de simulacin que predice la perfomance energtica de un sistema fotovoltaico para
cualquier condicin de radiacin solar y temperatura ambiente, a partir de las caractersticas estndar provistas por el fabricante.
La simulacin est basada en un modelo formado por un circuito elctrico y un circuito trmico acoplados. Se compararon los
resultados con las curvas I-V de equipos comerciales. Se estudi el comportamiento de un panel fotovoltaico con una carga
resistiva a travs de una experiencia de campo. Se valid la simulacin comparando los resultados tericos con los
experimentales. El programa desarrollado puede ser usado como una herramienta de clculo y diseo de sistemas fotovoltaicos.
Palabras clave: energa solar, paneles fotovoltaicos, simulacin.
INTRODUCCION
La potencia entregada por los paneles fotovoltaicos depende de la radiacin solar incidente, de la temperatura de la celda y de la
resistencia de carga. En general, el fabricante provee datos operacionales limitados del panel, como la tensin en circuito abierto
Voc, la corriente de corto circuito Isc, los valores de tensin y corriente para mxima potencia Vmp y Imp, y los coeficientes de
temperaturas de tensin a circuito abierto y de corriente de corto circuito. Estos datos estn referidos a condiciones estndar de
radiacin (1000 W/m2) y temperatura de celda (25 C).
Para predecir la perfomance de un panel en otras condiciones de operacin se elaboraron distintos modelos fsicos. Uno de los
modelos ms estudiados es el desarrollado por el Sandia National Laboratory (Sandia National Laboratories, 2002). Este permite
determinar la produccin de energa elctrica para una determinada carga bajo cualquier condicin de radiacin solar y
temperatura de celda, pero requiere como datos de entrada valores del panel que comnmente el fabricante no provee.
Un modelo ms completo y que usa los datos del fabricante est constituido por cinco parmetros: un generador de corriente, un
diodo, una resistencia serie, una paralelo y un factor a de idealidad del diodo modificado para un panel, que depende de la
temperatura de celda (Duffie and Beckman, 1991). Su esquema se presenta en la figura 1. Puede ser usado para una celda
individual, para el conjunto de celdas que constituyen el panel o para un arreglo de paneles.

Figura 1: Circuito equivalente del modelo elctrico de los 5 parmetros para el panel fotovoltaico
Para simular la produccin de un panel para distintas condiciones de radiacin y temperatura es necesario acoplar el modelo
elctrico a un modelo trmico. Los modelos acoplados ms sencillos suponen estado estacionario, es decir, consideran intervalos
de medicin de la potencia mucho ms grandes que el tiempo de respuesta trmica del modulo. Cuando los valores de radiacin
fluctan rpidamente el tiempo de respuesta de la masa trmica del panel es significativa y debe ser considerada en el modelo.

Trabajo parcialmente financiado por el CIUNSa

04-01

Para ello la temperatura de la celda debe ser obtenida del balance trmico del panel bajo condiciones no estacionarias,
considerando el intercambio de calor convectivo y radiativo de ste con el ambiente.
La reciente utilizacin de paneles fotovoltaicos integrados a techos y fachadas de edificios ha impulsado el desarrollo de modelos
trmicos y elctricos acoplados los cuales fueron incorporados a programas de simulacin de edificios. Uno de estos es el Esp-r
(Clarke et al, 1997), el cual predice adecuadamente el impacto del balance trmico del edificio pero puede no ser exacto en la
prediccin de la energa producida por el panel fotovoltaico (ibpsaNEWS, 2006). Otro programa de simulacin de edificios que
ha incorporado modelos de paneles fotovoltaicos es el Energy Plus, que utiliza el modelo de prediccin de potencia elctrica
desarrollada por el Sandia National Laboratory (Energy Plus Manual, 2006) pero este tiene, como se dijo, la desventaja que
requiere datos de entrada que no son incluidos normalmente en la hoja del fabricante.
En este trabajo se presenta la utilizacin del programa Simusol (Saravia et al, 2000) para realizar una simulacin del
comportamiento elctrico y trmico de un panel fotovoltaico. Este programa permite, en una primera etapa, construir de manera
grfica los circuitos equivalentes de los modelos trmico y elctricos del sistema fotovoltaico. Luego, en una segunda etapa,
resuelve las ecuaciones del sistema transitorio generado por los balances energticos de dichos modelos acoplados. Se utiliz en la
simulacin el modelo de los cinco parmetros para la produccin de energa elctrica fotovoltaica y un modelo trmico que
contempla la inercia trmica del panel y su intercambio de calor con el medioambiente.
MODELO ELECTRICO
A diferencia de otros, el modelo de los cinco parmetros no precisa experiencias adicionales para determinar sus caractersticas y
all radica lo valioso del mtodo. Se vale slo de datos que brinda el fabricante y utiliza la radiacin solar absorbida y la
temperatura de celda combinadas en ecuaciones semi empricas para predecir la curva I-V de la celda (y por lo tanto la potencia)
para las distintas condiciones de operacin. Fue validado rigurosamente contra datos experimentales y comparado con modelos
ms complejos (De Soto et al, 2006). Por todo esto es que se elige este modelo para la simulacin.
Se comprueba que para una determinada radiacin si la temperatura de celda aumenta se produce un decrecimiento en la tensin
de circuito abierto y un leve incremento en la corriente de corto circuito. A fin de que el modelo reproduzca estos efectos es
necesario conocer como varan los parmetros del circuito con la temperatura. Las siguientes son las ecuaciones que representan
con buena aproximacin este comportamiento. Fueron encontradas por Townsend y presentadas en Duffie y Beckman, 1991.

T
a
= c
a ref Tref

(1)

V + IRs

I D = I 0 e a 1

(2)

I mp
Vmp + Voc
a ln 1
I L

Rs =
I mp

IL =

I0
I 0 ref

GT
I Lref + Isc (Tc Tcref
GTref

T
= c
Tcref

arefs 1
e

04-02

Tcref

Tc

(3)

)]

(4)

(5)

 Isc =

Voc =

dI sc I sc (T2 ) I sc (T1 )

dT
T2 T1

dVoc Voc (T2 ) Voc (T1 )

dT
T2 T1

(6)

(7)

ID = corriente de diodo o corriente de oscuridad (A)

IL = corriente fotogenerada (A)
I0 = corriente inversa de saturacin del diodo (A)
Rs = resistencia serie (ohm)
a = parmetro de ajuste de la curva
Isc = corriente de cortocircuito (A)
Voc = tensin de circuito abierto (V)
Vmp = tensin del punto de mxima potencia (V)
Imp = corriente del punto de mxima potencia (A)
Isc = coeficiente de temperatura de la corriente de cortocircuito (A/K)
Voc = coeficiente de temperatura de la tensin de circuito abierto (V/K)
= energa de banda prohibida (eV)
Tc = temperatura de la celda (K)
T1, T2 = temperaturas cercanas a Tc (K)
G = irradiancia (W/m2)
Ns = nmero de celdas en serie
Subndice ref = de referencia

MODELO TRMICO
La temperatura del mdulo ser calculada con el balance energtico a partir de un modelo trmico representado en el circuito de la
figura 2, que incluye la radiacin solar absorbida, la capacidad calorfica del panel, las prdidas de calor al medioambiente y la
potencia elctrica producida.

Figura 2: Esquema del circuito trmico para el balance energtico del mdulo fotovoltaico
Radiacin absorbida por el panel
El factor que ms influye en la potencia de salida de un panel fotovoltaico es la radiacin solar absorbida por la superficie de la
celda. La radiacin solar incidente depende del ngulo de sta respecto a la normal del panel. Adems, la fraccin transmitida por
la cubierta transparente que protege la celda decrece significativamente cuando el ngulo de incidencia es superior a los 65 . La
distribucin espectral de la radiacin solar est influenciada por la masa de aire, que es la relacin entre la masa de aire que
atraviesa la radiacin en un dado lugar y la que atravesara si su direccin fuera cenital, debido a la dispersin y a las absorciones
selectivas producidas por partculas presentes en la atmsfera. Normalmente no se cuenta con datos medidos de radiacin solar
sobre el plano del panel, por lo tanto es necesario realizar una estimacin usando informacin de radiacin sobre plano horizontal
y de ngulo de incidencia. La radiacin total absorbida S se obtiene sumando las componentes directas, difusa y reflejada por el
suelo, suponiendo isotrpicas a las dos ltimas (Duffie and Beckman, 1991):
S = () [ Gb Rb K,b + Gd K,d (1 + cos ) / 2 + G K,g (1 - cos ) / 2 ]

04-03

(8)

S = Radiacin total absorbida por el panel

() = Transmitancia-absorbancia del panel para radiacin normal al plano
Gb = Componente directa de la radiacin total sobre superficie horizontal (W / m2)
Rb = Relacin entre la radiacin sobre plano inclinado y sobre plano horizontal
K,b = Modificador de la radiacin directa por efecto de la inclinacin respecto a la normal
Gd = Componente difusa de la radiacin total sobre superficie horizontal (W / m2)
K,d = Modificador de la radiacin difusa por efecto de la inclinacin respecto a la normal
= Inclinacin del panel ()
G = Radiacin total sobre superficie horizontal (W / m2)
= Reflectancia del suelo
K,g = Modificador de la radiacin reflejada por el suelo por efecto de la inclinacin respecto a la normal
Capacidad calorfica del panel
A fin de determinar la efectiva capacidad calorfica del panel para predecir la temperatura de la celda en la evolucin transitoria,
el mdulo es considerado compuesto por tres capas de materiales diferentes: una placa de celdas de silicio monocristalinas, una
lmina de Polister y Tedlar y una cubierta de vidrio. La temperatura del mdulo es supuesta uniforme en toda la superficie y la
inercia trmica de los materiales adhesivos y del marco del panel son considerados despreciables. La capacidad calorfica del
mdulo es la suma de las capacidades calorficas de sus componentes y se calcula con la ecuacin 9 con los valores de la Tabla 1:
C = A i ( di i ci )

(9)

C = capacidad calorfica del panel (J / C)

A = rea del panel (m2)
d = espesor del elemento (m)
= densidad del material (kg / m3)
c = calor especfico del material (J / kg C)

Elemento

d (m)

(kg / m3)

c (J / kg C)

C (J / C)

Celdas de silicio

0,0003

2330

677

211,5

Polister/Tedlar

0,0005

1200

1250

335,2

Cubierta vidrio

0,003

3000

500

2011,5

Total
Tabla 1: Propiedades de los elementos que componen el panel y clculo de la capacidad calorfica total

2558,2

Transferencia de calor al ambiente:

Para la determinacin del coeficiente de transferencia convectivo se considera predominante la conveccin forzada ya que el
mdulo en estudio no esta completamente expuesto a la accin del viento. Se utiliza la expresin dimensional que considera la
proporcionalidad con la velocidad del viento (Duffie and Beckman, 1991):

h = 2,8 + 3,0 V

(10)

h = coeficiente de transferencia de calor por conveccin (W/m2 C)

V = velocidad del viento (m/s)
En cuanto a las prdidas radiativas, estas ocurren hacia las superficies circundantes: el cielo y el suelo. Por lo tanto dependen de la
temperatura de stos, de la emisividad de las superficies y del factor de forma que est relacionado con la inclinacin del panel.
Para los factores de vista se toman las expresiones de Liu Jordan : (1 + cos ) / 2, para panel cielo y (1 - cos ) / 2, para panel
suelo (Duffie and Beckman, 1991). De este intercambio, las prdidas radiativas resultantes son:
qrad = A (1 + cos ) / 2 cielo T 4 cielo + (1 - cos ) / 2 suelo T 4 suelo - panel T 4 panel

04-04

(11)

qrad = radiacin trmica (W/m2)

= constante de Stefan - Boltzmann (5,669 x 108 W/m2 K4)
= emisividad de la superficie
T = temperatura (K)
En este trabajo se tomaron cielo = 0,95, suelo = 0.95 y panel = 0,9. Dadas las condiciones de clima seco durante el perodo de
estudio se tom una temperatura de cielo 20 C menor que la temperatura ambiente. Las prdidas conductivas a travs de soportes
y estructura se consideran despreciables.
SIMULACIN DE LOS CIRCUITOS ELCTRICOS Y TRMICOS ACOPLADOS
Para la simulacin de los circuitos acoplados se eligi el programa Simusol. Este programa fue inicialmente desarrollado para el
estudio de sistemas solares a parmetros concentrados desde el punto de vista trmico. Sin embargo puede ser usado para otros
sistemas fsicos como elctricos, hidrulicos, de humedad, etc. Tambin es posible mediante Simusol estudiar sistemas con
magnitudes fsicas mezcladas. En este trabajo se presenta como se realiza la simulacin de los modelos elctricos y trmicos
descriptos precedentemente, de manera acoplada, para obtener la perfomance terica de la produccin de potencia de un sistema
fotovoltaico.

Figura 3: Circuitos y datos de entrada para el programa Simusol

04-05

Los circuitos equivalentes que modelizan los procesos elctricos y trmicos se dibujan en el mismo diagrama (figura 3). En esta
hoja se definen los elementos en el cuadro de datos, las condiciones iniciales, las condiciones de borde, la rutina de integracin y
los parmetros a estudiar. El programa calcula la evolucin trmica y elctrica temporal actualizando en cada paso de clculo el
valor de los parmetros elctricos en funcin de la temperatura de la celda con las relaciones definidas en el cuadro de funciones.
Los elementos resistivos y las fuentes de corrientes del modelo elctrico estn predefinidos en Simusol. La caracterstica tensincorriente del diodo es representada por la funcin exponencial dada en la ecuacin (2). Las caractersticas de fbrica del panel
fotovoltaicos se ingresan como parmetros. El parmetro a definido en la ecuacin (1) y las dems funciones que dependen de la
temperatura de la celda estn referidas al nodo 3 del circuito trmico. Las ecuaciones (3), (4) y (5) correspondientes a la
resistencia en serie, a la corriente fotogenerada y la corriente de saturacin inversa respectivamente, se incluyen en el cuadro de
funciones. La radiacin solar y la temperatura del aire ambiente son ingresadas al programa mediante tablas incluidas en archivos
de datos.
CURVAS I-V
Aunque el programa Simusol toma como variable independiente el tiempo para calcular la evolucin transitoria de los circuitos,
es posible encontrar la relacin I-V de un mdulo fotovoltaico variando paramtricamente una carga resistiva desde cero hasta un
valor muy grande. A fin de comprobar los resultados obtenidos por la simulacin, se estudi un panel fotovoltaico de 36 celdas de
Si cristalino en serie que se encuentra en la bibliografa (Duffie y Beckman, 1991). Se utilizaron los datos caractersticos que all
figuran y que se presentan como Mdulo 1 en la Tabla 2. Se generaron las curvas I-V y de potencia para valores fijos de
temperatura. Para ello se fij la temperatura de la celda del modelo (nodo 3) mediante una fuente de temperatura fija para los
valores de 25 C y 50 C. Como resultado se obtuvieron las curvas de la figura 4 que son coincidentes con las de la bibliografa.

A (m2)

ISC (A)

VOC (V)

IMP (A)

VMP (V)

Isc (A/K)

Voc (V/K)

Mdulo 1

0,427

2,9

20

2,67

16,5

1,325 x 10-3

-0,0775

Mdulo 2

0,447

2,85

21

2,65

16,3

1,325 x 10-3

-0,072

50

2.5

40

Potencia (W)

Corriente (A)

Tabla2: Caractersticas tcnicas de los mdulos fotovoltaicos estudiados

1.5
T = 50 C

T = 25 C

30
20

T =25 C
T =50 C

10

0.5

0
0

10

15

20

25

10

15

20

25

T ensin (V)

T ensin (V)

Figura 4: Curvas IV y PV del Modulo 1 para condiciones estndar y temperatura de celda de 50 C

La figura 4 muestra el efecto de la temperatura en la curva caracterstica I-V. A una radiacin fija, el incremento de temperatura
de celda produce un decrecimiento de la tensin de circuito abierto y un leve incremento en la corriente de corto circuito. Estos
resultados producidos por la simulacin con Simusol reproducen con exactitud las curvas de Duffie and Beckman, 1991, para el
modelo de los 5 parmetros.
Tambin se realiz una simulacin del comportamiento de un mdulo fotovoltaico marca SOLARWATT modelo 12-27 que es
estudiado desde hace algunos aos en el INENCO. Sus caractersticas figuran en la Tabla 2 bajo la identificacin de Modulo 2. En
la hoja de datos tcnicos estn las curvas I-V para radiacin standart y temperaturas de celda de 25 C y 47 C. En este caso la
simulacin tambin reproduce las curvas del fabricante ajustadamente (figura 5).

04-06

3
50
40

Potencia (W)

Corriente (A)

2.5

T =25 C

1.5

T =47 C

30
20
T =25 C

10

0.5
0

T =47 C

0
0

10

15

20

25

10

T ensin (V)

15

20

25

T ensin (V)

Figura 5: Curvas IV y PV del Modulo 2 para condiciones estndar y temperatura de celda de 47 C.

ESTUDIO EXPERIMENTAL
Con el objetivo de validar los modelos elctrico y trmico y el programa de simulacin, se realiz un estudio experimental
consistente en el monitoreo de la produccin de potencia de un mdulo fotovoltaico conectado a una resistencia de 5,1 ohm
mediante la medicin de tensin y corriente en la carga. Durante el perodo de ensayo se midieron adems la temperatura
ambiente, la temperatura superficial del mdulo, velocidad de viento y la radiacin solar normal al plano. Las medidas de tensin
y corriente se tomaron con voltmetro y ampermetro, las de temperatura con termocuplas, la velocidad de viento con un
anemmetro y las de radiacin con un solarimetro. Las medidas se tomaron cada hora durante la maana y medioda de un da
claro. Se cuenta, de ensayos anteriores, con el valor del () del panel en estudio igual a 0,7.
Los datos experimentales de radiacin solar y temperatura ambiente se ingresaron como condiciones de borde del modelo
mediante archivos de datos. Como resultados de los balances energticos de la simulacin se obtuvieron la potencia elctrica, la
temperatura de celda y la temperatura de la superficie del panel. Ante lo complicado que resulta medir la temperatura de celda, se
tomaron las medidas de la temperatura superficial para contrastar el modelo trmico con los datos experimentales (figura 6).
Como parmetro de ajuste se tom el coeficiente de transferencia de calor por conveccin que produjo un ajuste adecuado para el
valor de 10 W/m2 C, que se considera adecuado para las condiciones de viento del ensayo.

5000

30
2000
15

1000

0
0

5000
T iempo (s)

T de celda

T ambiente

T s up. s imulada

Ir r adiancia

0
10000

1200
1000

11

800
10

600
400

9
200
8
0

5000
T iempo (s)

T sup. medida

S imula do

Me dido

Irradiancia (W/m2)

3000

12

Tensin (V)

4000

45

Irradiancia (W/m2)

Temperatura (C)

60

0
10000
Ir r a dia nc ia

Figura 6: Resultados de la simulacin y comparacin con datos experimentales para temperaturas y tensin en la carga

Tambin se realiz una comparacin entre valores experimentales y tericos de las variables elctricas: tensin, corriente y la
potencia obtenida como producto de las dos anteriores. Los resultados se muestran en las figuras 6 y 7.

04-07

800
600

1.5

400
200

1
0

2000
Simulado

4000 6000
T iempo (s)
Medido

8000

30
Potencia (W)

Corriente (A)

1000

25
20
15
10
0

0
10000
Ir r adiancia

2000

4000

6000

8000

1200
1000
800
600
400
200
0
10000

Irradiancia (W/m2)

1200
Irradiancia (W/m2)

2.5

Tiempo (s)

Simulado

Medido

Irradiancia

Figura 7: Resultados de la simulacin y comparacin con datos experimentales de corriente y potencia elctrica producida

CONCLUSIONES
La capacidad del programa de simulacin de reproducir con buena aproximacin la perfomance de un panel fotovoltaico hace que
pueda considerarse a los modelos planteados y al programa de simulacin como una buena herramienta de clculo y diseo de
sistemas fotovoltaicos.
Se utiliz el programa Simusol, que adems de ser un soft libre, permite construir con simplicidad los circuitos para la simulacin
en un ambiente grfico. Esto abre la posibilidad de utilizarlo tambin como herramienta didctica en cursos de grado y posgrado.
Los resultados de este trabajo significan una nueva validacin del modelo de los cinco parmetros, el cual tiene la ventaja de usar
caractersticas del mdulos accesibles ya que utiliza slo los que provee el fabricante. Tambin se concluye que el modelo trmico
empleado reproduce bien las condiciones reales.
En este trabajo se utiliz como carga un elemento resistivo. Queda planteado realizar la modelizacin y simulacin de un proceso
de carga de batera y de otras aplicaciones comunes de los sistemas fotovoltaicos. Tambin ser posible realizar mediante
simulacin estudios relativos al envejecimiento de los mdulos desde el punto de vista ptico (prdida de las propiedades pticas
de los materiales de la cubierta) como as tambin desde el punto de vista elctrico.
REFERENCIAS
Clarke J.A Johnstone C.M Kelly N Strachan P.A. (1997). The simulation of photovoltaic-integrated building facades Proceedings
of Building Simulation '97 Conference, Prague, Vol 2, pp 189-195.
De Soto W., Klein S. And Beckman W. (2006). Improvement and validation of a model for photovoltaic array performance. Solar
Energy 80, pp. 7888.
Duffie J. A. y Beckman W. A. (1991). Solar Engineering of Thermal Processes, 2 edicin, pp. 768-780. Wiley Interscience, New
York.
Energy Plus Manual 2006. Documentation Versin 1.3
ibpsaNEWS, 2006. The Journal of de International Building Perfomance Simulation Association. Volumen 16. Number 1.
Sandia National Laboratories, 2002. Database of Photovoltaic Module Performance Parameters. Disponible en: <http://
www.sandia.gov/pv/docs/Database.htm>.
Saravia L. y Saravia D. (2000) Simulacin de sistemas solares trmicos con un programa de clculo de circuitos elctricos de
libre disponibilidad. Avances en Energas Renovables, Vol. 4, pp. 8.17 8.23.

ABSTRACT: A program of simulation that predicts the energetic perfomance of a photovoltaic system for any condition of solar
radiation and environmental temperature, based on the standard characteristics provided by the manufacturer was elaborated. The
simulation is based on a model formed by an electrical circuit and a thermal circuit which are coupled. The results with curves I-V
of commercial equipments were compared. The behavior of a photovoltaic panel with a resistive load was studied through a field
experience. The simulation was validated comparing the theoretical results with the experimental ones. The program developed
can be used as a calculating and designing tool of photovoltaic systems.
Keywords: solar energy, photovoltaic panels, simulation.

04-08