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Introduo
Este relatrio tem por meio esclarecer ou demonstrar o funcionamento do
transistor de juno bipolar (TJB), bem como aplicaes, funcionamento, construo,
fabricao e tambm do circuito tipo darlington.
O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na
dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na
dcada de 1960. So utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de
sinais eltricos. O termo vem de transfer resistor (resistor/resistncia de transferncia),
como era conhecido pelos seus inventores.
O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico,
significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo
da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa
entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros prestabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da
variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente,
ocasiona o processo de amplificao de sinal.
Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eltrico mais
fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados
por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado por exemplo),
cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais
eltricos com as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os
alto-falantes. A este processo todo d-se o nome de ganho de sinal.
Funcionamento
No transistor de juno bipolar ou TJB, o controle da corrente coletor-emissor
feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base
polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma
pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais
de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de
acordo com o ganho.
Na eletrnica, o Transistor Darlington um dispositivo semicondutor que
combina dois transstores bipolares no mesmo encapsulamento (chamado par
Darlington).
A configurao (originalmente realizada com dois transistores separados) foi
inventada pelo engenheiro Sidney Darlington. A ideia de por dois ou trs transistores em
um mesmo chip foi patentada por ele, mas no a ideia de por um nmero arbitrrio de
transistores, o que originaria o conceito moderno de circuitos integrados.
Polarizao do transistor:
Polarizando o transistor de forma adequada consegue-se estabelecer um fluxo de
corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes
Um transistor formado por um emissor (e), uma base (b) e um coletor (c). A
Figura a seguir mostra um transistor NPN polarizado. A regio da base do transistor
fina de modo que os eltrons so impelidos para esta regio por causa da polarizao
direta na juno entre o emissor e a base e depois so atrados pela carga positiva
presente no material tipo ''N'' atravessando a outra juno entre base e coletor.
Experimento 01
O uso do transistor como chave a aplicao mais simples para o mesmo.
Seguindo o experimento utilizamos um TJB do tipo BC548 NPN, usamos um resistor de
470 ligado em srie com um LED de cor verde ao seu coletor, na base do transistor
ligamos uma resistor de 5,6K e o emissor ligado com o plo negativo da fonte de 12V.
O resistor da base improvisou uma chave para que pudssemos ligar e alternar o
experimento em duas posies (1 e 2).
A chave S na posio 1, o transistor entra na regio de saturao e passa a
conduzir, pois a corrente no coletor (IC) mxima e por sua vez a tenso(Vce)
mnina, mas suficiente para conduzir. E a chave S na posio 2 entra na regio de corte,
onde sua tenso mxima(Vce) e sua corrente mnima(IC) no sendo o suficiente para
romper a camada de depleo do transistor.
Experimento 02
Conexo Darlignton
um caso especial de amplificador coletor comum a conexo Darlignton, que
consiste na ligao em seqncia de dois seguidores de emissor. A corrente da base do
segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor, gerando um ganho de corrente
entre a primeira base e o segundo emissor. Sendo sua principal vantagem uma alta
impedncia de entrada.
Esta configurao serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um
grande ganho de corrente (hFE ou parmetro do transistor). O Ganho total do
Darlington produto do ganho dos transistores individuais. Um dispositivo tpico tem
um ganho de corrente entre 1000 e 20.000. A tenso base-emissor tambm maior.
consiste da soma das tenses base-emissor, e para transistores de silcio superior a
1.4V.
Mas antes de iniciarmos o circuito Darlignton testamos outros dois circuitos com
transistor independentes um para o transistor BC 548 do tipo NPN e outro para o
transistor BD 135 NPN e foram feitas as seguinte medies:
Transistor
BC 548
BD 135
Darligton
Ic (mA)
90
90
90
Ib(A)
932
415
4,3
= Ic / Ib
96,57
216,87
20930,85
Aps estas medies trocamos o transitor BC 548 tipo NPN pelo BD 135 do tipo
NPN e faremos as mesmas medies e calcularemos o .
Ao obtermos o ganho beta de cada um dos transistores poderemos calcular o
da conexo Darlington, pois o beta da conexo Darlington o produto dos betas
anteriores, isso se utilizarmos os mesmos transistores, como foi pedido no experimento
Concluso
Foi possvel concluir que o transistor utilizado somente como chave denota o
menor uso deste componente, bem como a sua utilizao para amplificar sinais sendo
possvel de obter ganhos de corrente e de acordo com a sua aplicao e custo.
O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenes
da histria moderna, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores e
equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do transistor na sociedade moderna
sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples,
resultando preos irrisrios.
conveniente salientar que praticamente impossvel serem encontrados
circuitos integrados que no possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo
milhes de transistores,Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente
quase universal para tarefas no-mecnicas. Visto que um dispositivo comum, como um
refrigerador, usaria um dispositivo mecnico para o controle, hoje frequente e muito
Bibliografia
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMSI: FUNDAMENTAL
THEORY AND APPLICATIONS, VOL. 46, NO. 1, JANUARY 1999
Darlingtons Contributions to Transistor Circuit Design
David A. Hodges, Fellow, IEEE
Wikipedia Enciclopdia livre on-line
www.ebah.com.br/transistor
Electronica teoria de circuitos Boylestad nashelsky oitava edio
LABORATRIO DE ELETRICIDADE E ELETRNICA CAPUANO E MARIANO