MEDIDAS ELECTRICAS

CODIGO: AE3010

LABORATORIO N3
CURVA CARACTERSTICA DE
ENTRADA Y DE SALIDA DEL
TRANSISTOR Y FET

Quispe Mamani Elizabeth

Alumnos :

Grupo

Semestre

Fecha de
entrega

0
8

Ingeniero:
Arcos Camargo,
Marco Antonio
0
9

1
5

Nota:

Hora
:

Electrotecnia

indus

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Tema :

Curva caracterstica de entrada y de

salida del TRANSISTOR y FET

Nro. DD-106
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Semestre:

Grupo

I.

OBJETIVOS:
Mediante este experimento se explorarn y medirn las propiedades
de un transistor bipolar a partir de diferentes curvas caractersticas.
En este experimento se medirn y analizaran las propiedades de un
transistor de efecto de campo a partir de varias curvas
caractersticas.
Funcionamiento bsico de un transistor bipolar
Medicin de las caractersticas de entrada, salida.
Caractersticas de la curva de entrada y salida del FET.

II.

MATERIALES
Un transistor BC 547B
Una resistencia de 100
Una resistencia de 10K
Cables
Un diodo 1N4007
Resistencia de 22K
Resistencia de 1K
Potencimetro de 10K
Un FET J2N3819

III.

FUNDAMENTO TERICO:

El transistor
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una
corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad
de transistores.

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Curva caracterstica de entrada y de

salida del TRANSISTOR y FET

Transistor
NPN

Estructura de un transistor Transistor

NPN
PNP

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Grupo

Estructura de un transistor
PNP

FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del
transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1
Figura 2
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por
la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por
lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la
lmpara.
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No
es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

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Curva caracterstica de entrada y de

salida del TRANSISTOR y FET

Semestre:

Grupo

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP
Entonces podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y
la unin base - colector inversamente.
ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de
Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de
la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor
entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta
forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga
conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los
transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para
una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en
sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin h FE. Se
expresa de la siguiente manera:
= IC / IB

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Tema :

Curva caracterstica de entrada y de

salida del TRANSISTOR y FET

Semestre:

Grupo

Field-effect transistor:
El transistor de efecto de campo (FET) es un transistor que utiliza un campo
elctrico para controlar la forma y por lo tanto la conductividad elctrica de un
canal de un tipo de portador de carga en un material semiconductor. FETs son
tambin conocidos como transistores unipolares ya que implican un
funcionamiento de tipo de una sola portadora. La FET tiene varias formas, pero
todas tienen alta impedancia de entrada. Mientras que la conductividad de un
transistor no FET est regulada por la corriente de entrada (el emisor a la base
actual) y por lo tanto tiene una baja impedancia de entrada, la conductividad de
un FET est regulada por una tensin aplicada a un terminal (la puerta), que
est aislado del dispositivo. La tensin de puerta aplicada impone un campo
elctrico en el dispositivo, ste a su vez atrae o repele a los portadores de
carga hacia o desde la regin entre un terminal de origen y una terminal de
drenaje. La densidad de caracteres de carga a su vez influye en la
conductividad entre la fuente y el drenaje
IV.

1
2
3
4

ANALISIS DE TRABAJO SEGURO:

PASOS BASICOS DEL
TRABAJO

DAO PRESENTE EN
CADA PASO

RECEPCION DE LOS
MATERIALES DE TRABAJO

CAIDA DE LOS
MATERIALES U
OBSTACULOS EN EL
CAMINO

CAMINAR CON SEGURIDAD Y

PERCATARNOS DE LOS
OBSTACULOS

VERIFICACION DEL ESTADO

DE LOS MATERIALES

CADA DEL MATERIAL

TENER CUIDADO CON LAS

MANOS

REALIZACION DEL MONTAJE

DAO A LOS MATERIALES

TALES COMO EL
GENERADOR O EL
MULTIMETRO

CUIDAR QUE NO ESTEN

COLGADOS LOS CABLES DEL
INTERFASE.

REALIZAR LA EXPERIENCIA
EN EL LABORATORIO

CORTO CIRCUITO

SEGUIR EL PROCEDIMIENTO
ADECUADO

CONTROL DE RIESGO

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5
6
7

Grupo

RUPTURA DE CABLES
CONECTORES O CADA
DE OBJETOS

DESCONECTAR
CUIDADOSAMENTE LOS
CABLES DEL GENERADOR

VERIFICACION DEL ESTADO

DE LOS MATERIALES LUEGO
DE SER UTILIZADOS

CADA DEL MATERIAL

TENER CUIDADO AL
MOMENTO DE REVISAR EL
ESTADO DE LOS MATERIALES

DEJAR LOS MATERIALES EN

LA MESA PARA QUE LOS
ALMACENEROS LO
ENTREGUEN.

PERDIDA DE
CONECTORES
,RESISTENCIAS U OTROS
OBJETOS

VERIFICAR EN TODO
MOMENTO LA CANTIDAD DE
ELEMENTOS EMPLEADOS.

ORDEN Y LIMPIEZA

-------------------

-------------------

DESMONTAJE

8
V.

Semestre:

PROCEDIMIENTOS:
A.

TRANSISTOR: CURVA CARACTERISTICA DE ENTRADA:

Imagen N: Circuito armado para la curva de

entrada del transistor

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Grupo

REALIZACIN DEL EXPERIMENTO Y TAREAS

Seleccione en el osciloscopio y el generador de funciones las opciones
indicadas anteriormente y registre la curva caracterstica de entrada del
transistor.

Imagen N2: curva caracterstica de entrada.

Cul de las siguientes afirmaciones acerca de la caracterstica de entrada del

transistor es correcta?

La caracterstica corresponde a la de una resistencia.

La caracterstica corresponde a la de un diodo.
La corriente que circula por la base del transistor aumenta inicialmente
de manera muy dbil para, a continuacin, hacerlo abruptamente.
La tensin de la base es proporcional a la corriente que
circula por la resistencia.
La corriente que circula por la resistencia es proporcional a la tensin
presente en la resistencia.

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Curva caracterstica de entrada y de

salida del TRANSISTOR y FET

B.

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Grupo

Transistor: Curva caracterstica de salida

Imagen N3: Circuito para la curva caracterstica de salida.

Realizacin del experimento y tareas

Seleccione en el osciloscopio y en el generador de funciones las opciones que
se indicaron anteriormente. Ajuste el potencimetro de manera que una tensin
de 0,5 V caiga en la resistencia de 1kiloohmio.

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Curva caracterstica de entrada y de

salida del TRANSISTOR y FET

Semestre:

Grupo

Imagen N4: Curva caracterstica de salida

Cul es el valor de las corrientes que caen en la resistencia de la base?

0,5 V con 1kiloohmio corresponden a: 500__A
0,75 V con 1kiloohmio corresponden a: 750__A
1,0 V con 1kiloohmio corresponden a: 1000__A
1,5 V con 1kiloohmio corresponden a: 1500__A
FORMULA

U
I=
R

CALCULOS

RESPUESTA

I=

0.5
1 103

I =500 A

I=

0.75
3
1 10

I =750 A

I=

1.0
1 103

I =1000 A

I=

1.5
1 103

I =1500 A

Cul es la importancia de la inflexin tpica de la curva caracterstica de

salida?
El osciloscopio no puede representar valores ms altos en el eje Y.
La corriente preseleccionada para la base se limita debido a la ganancia
constante de corriente del transistor.

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Grupo

La resistencia del colector limita el flujo de la corriente que circula por el

transistor.
Cul es el valor de la corriente mxima del colector con una intensidad
de 1000 A en la base? Compare el resultado calculado con el valor de la
curva de medicin.
Mxima corriente calculada 3__mA
Mxima corriente leda 3.2__mA

C.

FET: Curva caracterstica de entrada:

Imagen N5: Circuito para la curva caracterstica de entrada

Realizacin del experimento y tareas

Registre la caracterstica del circuito con el osciloscopio y copie el oscilograma
en el siguiente recuadro:

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Imagen N6: Curva caracterstica de entrada del FET

D.

FET: CURVA CARACTERISTICA DE SALIDA

Imagen N6: Curva caracterstica de entrada

Realizacin Imagen
del experimento
y tareas
N7: Circuito
para la curva caracterstica de salida
Seleccione en el osciloscopio y el generador de funciones los valores
especificados anteriormente. Ajuste el potencimetro de manera que la tensin
en la puerta del transistor de efecto de campo sea, aproximadamente, igual a
230 mV. Registre la caracterstica de salida con el osciloscopio y copie el
oscilograma en el recuadro siguiente:

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Imagen N8: Curva caracterstica de salida del FET

A continuacin, repita el procedimiento, pero con tensiones de 0,6 V, 0,9 V

y 1,3 V y observe la caracterstica.
Con pequeas tensiones entre el drenador y la fuente, el canal se
comporta como una resistencia lineal. Si a partir de cero se hace que la
tensin V GS se vuelva cada vez ms negativa, las zonas de capas de
bloqueo crecen en el interior del canal. De esta manera disminuye la
seccin transversal del canal y aumenta su resistencia. Si el voltaje de la
puerta ha llegado a lo que se conoce como tensin de corte, las capas
de bloqueo se tocan y el transistor de efecto de campo est bloqueado.
Cul es el valor de tensin VGS con el que el transistor de efecto de
campo empieza a bloquear la corriente?
VGS = - 1,7_V

VI.

OBSERVACIONES:
Algunos materiales tenan alguna dificultad por lo cual nos dificulto un
poco con el laboratorio.
A falta de algunos materiales que se requera para la realizacin de
nuestro laboratorio como el potencimetro, l docente tuvo que

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realizar un potencimetro casero para que dicha experiencia se

pueda llevar lo ms exitosa posible.
Se observ que durante el laboratorio no simplemente se debe ver la
ayuda del circuito armado que nos da el programa, si no que verificar
con nuestro circuito, para tener ms seguridad de lo que se est
realizando y entender mejor con lo que se quiere conseguir.
Hacer breves verificaciones para evitar equivocaciones en la
experiencia.
VII.

CONCLUSIONES:
La curva caracterstica para la salida del FET es casi similar a la de un
BJT.
Hubo un margen de error debido a que a las resistencias no eran tan
exactos.
La corriente de salida es controlada por un campo elctrico
(fuente de tensin).
A medida que aumenta la intensidad aumenta la tensin
Se identific correctamente las curvas tanto de entrado como de
salida del transistor y del FET.

VIII.

ANEXOS:

El transistor frente a la vlvula termoinica

Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos
llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas
similares a la de los transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los
atraviesa depende de la tensin en el borne de comando, llamado rejilla. Las
razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:

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Las vlvulas termoinicas necesitan tensiones muy altas, del orden de

las centenas de voltios, tensiones que son letales para el ser humano.
Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve
particularmente poco tiles para el uso con bateras.
Probablemente, uno de los problemas ms importantes es el peso. El
chasis necesario para alojar las vlvulas, los transformadores requeridos
para suministrar la 5 5 alta tensin, todo ello sumaba un peso
importante, que iba desde algunos kilos a algunas decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto
comparado al del transistor, sobre todo a causa del calor generado.
Adems las vlvulas termoinicas tardan mucho para poder ser
utilizadas. Las vlvulas necesitan estar calientes para funcionar.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera
computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba ms de treinta
toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequea
ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales algunas se
quemaban cada da, necesitando una logstica y una organizacin importantes.
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
Un fototransistor es una combinacin integrada de fotodiodo y transistor
bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiacin ptica. Existen
transistores FET (de efecto de campo), que son muy sensibles a la luz. Un
fototransistor es ms sensible que un fotodiodo.
Cuando exista una misma cantidad de radiacin de luz incidiendo sobre los dos
transistores, el condensador C se carga durante ambas medias ondas
senoidales a travs de los transistores, con la misma carga pero polaridad
opuesta. El voltaje resultante por lo tanto es aproximadamente cero. Cuando
existe una radiacin desigual en los fototransistores, la seal diferencial es
amplificada con el amplificador operacional, con el fin de energizar un motor,
por ejemplo. En el semi ciclo positivo de la onda de entrada, la corriente viaja
por el diodo D1, por el fototransistor derecho, y por lo tanto aparece una carga
neta positiva en el condensador. Por el contrario, cuando viene el semiciclo
negativo de la onda, el diodo D2 conduce, y aparece un voltaje negativo en el
condensador. Este cambio de polaridad se puede utilizar para controlar la
direccin de giro de un motor, controlando la radiacin incidente sobre los
fototransistores.
Funcionamiento en conmutacin

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El transistor FET puede ser utilizado en conmutacin, hacindolo trabajar entre

dos puntos bien diferenciados de su curva caracterstica (ID-VD), de forma
similar a como se haca con el transistor bipolar.
La zona de funcionamiento se deber fijar entre los puntos Q1, correspondiente
a la regin de corte y Q2 correspondiente a la regin lineal. La tensin de
puerta deber de ser tal que haga conmutar al transistor entre dichos estados.
Variando la tensin de puerta entre los lmites VGS<VT (no existe canal,
transistor cortado) y VGS=VGS4 (en el ejemplo corresponde a regin trodo,
transistor en conduccin), haremos funcionar al transistor en conmutacin.

IX.

BIBLIOGRAFIA:
Annimo. (1990). Field-effect transistor. 2015, de wikipedia Sitio
web: https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Field

effect_transistor&action=history
Equipo docente . (2015). CIRCUITOS DE CONMUTACIN CON
TRANSISTORES. APLICACIONES CARACTERSTICAS . 2015,
de Didacta21 Sitio web:

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http://www.didacta21.com/documentos/Cuerpos_Docentes/Profes

ores_de_Secundaria/Tecnologia/Tema_demo_de_Tecnologia.pdf
Pablo Turmero. (2015). Transistores BJT . 2015, de
Monografas.com Sitio web:
http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-yaplicaciones/transistores-bjt-y-aplicaciones.shtml#aplicacioa