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COMIT DE REDACCIN DE LA COLECCIN

ELECTRICIDAD-ELECTRNICA
Jos Manuel Alonso Carca del Busto

Jos Otero Arias

Ingeniero Superior de Telecomunicacin.

Respollsable de Control de Infol"lllClti\'Osde TVE.
Presidellte de ACTA.

Ingelliero Industrial.
Profesor de Sistemas Electl'lnicos r de
Tecnologa.

Fernando Blanco Flores

Maestro IndustriaL.
Pro/esor Tcnico de Equipos Electrnicos.
Florencio Jess Cembranos Nistal
Ingeniero Tcnico de Electrnica, Regulacin
." Automatismos. Especialidad de Inteligellcia
Artificial y Rohtica.
Pro/esor Tcnico de Automatismos.
Jos Manuel Huidobro Moya
Ingeniero Superior de Telecomullicacin
Responsahle de Mrketing en Eric.uOI/.

Elas Rodrguez Deguez

Licenciado en Ciencias de la Educacill.
Allalista de Sistemas In/iJrnl,ticos.
Director de Formacin de PL.c. Madrid.

Jos Roldn Yiloria

Maestro Industrial de Electricidad r Mecllica.
Responsahle de O/Icilla Tcnica - Sector del
AUTom\'il.

Jos Luis Sanz Serrano

David Lasso Trraga

Tcnico Especialista en Instalaciones y Lneas
Elctricas.
Director Tcnico del Departamento de
Aplicaciones Domticas de PL.c. Madrid.

Ingeniero Tcnico Industrial de Electricidad.

ProFesor de la Escuela de 11l~('IIiera Tcllica
Industrial de Madrid.

Jos Carlos Toledano Casca

Juan Jos Manzano

Maestro Industrial de Electricidad.
Profe.\or Tcnico de Instalaciones Elctricas.

Licellciado ('11 Ciencias Fsims.

Tcnico de la Direccin de Mrketing de
IBERDROLA.

Jos Moreno Cil

Illgelliero Tcllico Industrial de Electricidad.
ProFesor Tcnico de Instalaciones Electrotcnicas.

Jess Trashorras Montecelos

Santiago Olvera Peralta

Ingelliero Tcllico de Electricidad.

Catedrtico de Sistemas Ele.-trnicos y
Automticos.

Ingelliem Tcllico Industrial.

Pro/esor Tcnico de Equipos EleClrllicos.
Miguel Oriol Yelilla

Joaqun Yelasco Ballano

Illgelliem Tcnico Industrial.

ProFesor Tcllico de Equipos Electrnicos.

Ingelliero Tcllico de Telecolllullicaciones.

Prr!fesor de Sistemas Electronicos.

ASESORES TCNICOS
Jos Carlos Toledano Casca

Andrs Colmena Asensio

Licenciado en Ciencias Fsicas.

Tcnico de la Direccin de Mrketing de
IBERDROLA.

Illgeniero Tcnico Industriat.

Pro{esor de Sistelllas Electrtnicos.

Directora Editorial: M" Teresa Gme;.-Mascaraque Pre;.

Directora de Produccin: Susana Pawin Snche;..
Editoras de Produccin: COllsuelo Garca AS('llsio
Mnica Elvim Sall Cristbal
Diseo de la Coleccin: MOlltl'texto, S.L.
Diseo de Cubierta: Mont.\'lexto, S.L.

Joaqun Velasco Ballano

Miguel Oriol Velilla
Jos Otero Arias

Sistemas de Regulacin y Control Automticos

1998

o~

~CJ
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Editorial Paraninfo
ITP An Intemational Thomson Publis~g
Magallanes, 25; 28015 Madrid ESPANA
Telfono: 91 4463350 Fax: 91 4456218
(itesparaninfo.pedidos@mad.servicom.es)

company

JOAQUN VELASCO BALLANO

MIGUEL ORIOL VELILLA
JOS OTERO ARIAS

Para ms informacin:
ITF1LATlNAMERlCA
Sneca,53
Colonia Polanco
11560 Mxico D.F. Mxico
Tel: 525-281-2906 Fax: 525-281-2656
(ewinter @mail.intemeLcom.mx)
Puerto Rico/CaribbeanNenezuela
Michael Rabell, Senior Sales Rep.
268 Muoz Rivera Ave,
Suite 510, 5th Floor
Hato Rey, PR 00918
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(102154.1127 @compuserve.com)

Amrica del Sur

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Santiago CHll-E
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e-mail sdeluque@ba.net
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Cambridge, MA 02142
Tel: 617 528 3104 Fax: 6174234325

Diseo de cubierta: Montytexto, S.L.

Reservados los derechos para todos los pases de lengua espaola. De confonnidad con lo dispuesto en el artculo 270 del Cdigo Penal vigente, podrn ser castigados con penas de multa y
privacin de libertad quienes reprodujeren o plagiaren, en todo o en parte, una obra literaria,
artstica o cientfica fijada en cualquier tipo de soporte sin la preceptiva autorizacin. Ninguna
parte de esta publicacin, incluido el diseo de la cubierta, puede ser reproducida, almacenada o
transmitida de ninguna forma, ni por ningn medio, sea ste electrnico, qumico, mecnico,
electro-ptico, grabacin, fotocopia o cualquier otro, sin la previa autorizacin escrita por parte
de la Editorial.
Impreso en Espaa
Printed in Spain
ISBN: 84-283-2472-7
Depsito Legal: M-27.607-1998
Preimpresin: Montytexto, S.L.
Grficas ROGAR, Polgono Industrial Alparrache - Navalcamero (Madrid)

(073/57/34)

Prlogo

IX

Transductores, sensores y circuitos

acondicionadores

1.1. Introduccin
1.2. Clasificacin de los transductores
1.3. Caractersticas de los transductores
1.3.1. Rango de medida
1.3.2. Sensibilidad
1.3.3. Resolucin
1.3.4. Sobrerrango
1.3.5. Error de Medida
1.3.6. Salida deseada
1.3.7. Respuesta en frecuencia
1.3.8. Respuesta temporal
1.3.9. Condiciones ambientales de trabajo
1.4. Tipos de transductores
1.5. Transductores de temperatura
1.5.1. Transductor por efecto termoelctrico.
Termopar
1.5.2. Transductor mediante resistencia metlica
1.5.3. Transductores mediante semiconductor
1.5.4. Transductor a cuarzo
1.5.5. Pirmetros de radiacin
1.5.6. Termmetro bimetlico
1.5.7. Termmetros por dilatacin de fluidos
1.6. Transductores de velocidad y desplazamiento
"
1.6.1. Transductores de velocidad angular
analgicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.6.2. Transductores de velocidad angular digitales
1.6.3. Transductores de velocidad lineal
1.6.4. Transductores de desplazamiento analgicos
1.6.5. Transductores de desplazamiento digitales
1.7. Transductores de fuerza o deformacin
1.7.1. Resistivos. Galgas extensomtricas
1.7.2. Piezoelctricos
1.7.3. Capacitivos
1.8. Transductores de aceleran
1.9. Transductores de corriente de efecto Hall

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1.10. El amplificador operacional

1.11. Circuitos acondicionadores con amplificadores
operacionales
1.l1.1. Amplificador inversor
1.11.2. Amplificador no inversor
1.11.3. Seguidor de tensin
1.11.4. Amplificador diferencial
1.11.5. Circuito integrador
1.11.6. Circuito diferenciador
1.11.7. Circuito proporcional-integral
1.11.8. Circuitos comparadores de tensin
1.12. Acondicionadores para transductores resistivos
Ejemplos resueltos
Cuestiones de autoevaluacin

El diodo de potencia, el tiristor y el GTO.

Rectificacin
2.1. Introduccin
2.2. El diodo de potencia
2.2.1. Estructura bsica. Caractersticas
2.2.2. Tensin de ruptura del diodo
2.2.3. Prdidas en conduccin
2.2.4. Caractersticas de conmutacin
2.2.5. Tipos de diodos de potencia
2.3. El tiristor
2.3.1. Estructura fsica
2.3.2. Caracterstica tensin-corriente
2.3.3. El tiristor en estado de bloqueo (OFF)
2.3.4. El tiristor en estado de conduccin (ON)
2.3.5. Principio de cebado por puerta
2.3.6. Formas de cebar un tiristor
2.3.7. Caractersticas de conmutacin
2.3.8. Caracterstica de puerta
2.3.9. Importancia de di/dt y dv/dt
2.3.10. Circuitos de disparo de puerta
2.4. Tiristores de puerta TURN-OFF (GTO's)
2.4.1. Estructura fsica
2.4.2. Fsica del apagado
2.4.3. Caracterstica de conmutacin
2.5. Rectificacin

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2.5. l.
2.5.2.
2.5.3.
Ejemplos
Cuestiones

Rectificacin
en puente monofsico
Rectificacin
en puente trifsico
Rectificacin trifsica totalmente controlada
resueltos
de autoevaluacin

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Transistores POWER-MOSFET,
IGBT'S
y BJT'S .....
.......................

3.1. Introduccin
3.2. Transistores
MOSFET (Metal-xido-Semiconductor)
3.2.1. EslruclUra interna y funcionamiento
(MOSFET de pequCl'ia seal)
3.2.2. Zonas de funcionamiento
del MOSFET de
acumulacin
de canal "N" . . . . . . . . . . . . .
3.2.3. Estructura bsica de un MOSFET de potencia
3.2.-+. Caractersticas
de conmutacin
3.2.5. Lmites de funcionamiento.
rea de
operacin segura
3.2.6. Estabilidad de temperatura
3.2.7. Prdidas de potencia. Consideraciones
trm icas
.1.2.8. Funcionamiento
en paralelo de los MOSFET
3.3. Transistores
IGBT"S
3.3.1. EstruclUra de un IGI3T de canal N.
Funcionamiento
3.3.2. Caractersticas
de conmutacin
3A. Tcnicas de excitacin de los MOSFET e IGST"S
3.). Reduccin del pico de corriente inverso
.1.6. Aplicaciones
3.6.1. Regulador reductor DC-DC (Buck)
3.6.2: Convertidor
elevador DC-DC (Boost)
....
3.6.3. Regulador reductor-elevador
(Buck-Boost)
3.6.-+. Regulador Cck
3.6.5. Convertidor
trifsico con MOSFET
3.6.6. Convertidor
(Puente en "H") con carga
inductiva
3.7. Ellransistor
bipolar de potencia
(B.JT)
3.7.1. EstruclUra y caractersticas
3.7.2. Caractersticas
de conmutacin
3.7.3. Prdidas en conduccin
3.7.-+. rea de operacin segura
3.7.5. Circuitos de disparo
3.7.6. Circuitos de proteccin (SNUBBERS)
Ejcmplos n:sueltos
Cucstiones de autoevaluacin

Regulacin de velocidad para motores de

c.c.

-+.1. Introduccin
-+.2. Principio de funcionamiento
del motor de C.C.
-+.2. l. Fuerza conlraelectromotriz.
Corriente dc
inducido. Par motor
-+.2.2. Conexin de los motores dc c.c.
-+.2.3. Modos de operacin del motor de c.c.
-+.2.4. Caractersticas
de velocidad y de par motor
-+.2.5. Variacin de la velocidad a par constante y
a potencia constante

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-+.3. Control analgico de sistcmas

. . . . . .
-+.3.1. Control de dos posiciones (Conectado/
Desconectado)
-+.3.2. Control proporcional
(P) .
-+.3.3. Control integral (I)
-+.3A. Control proporcional-integral
(PI)
-+.3.5. Control proporcional)
derivada (PD)
-+.3.6. Control proporcional.
integrador y
derivador (PID)
. . . . ..
-+.4. Funcin de transferencia
del motor para modelo
en pequea seal
-+.5. Regulador de velocidad de c.c.
. . . . .. .
-+.5.1. Diagrama de bloques
. . .. . . .
-+.5.2. Circuito dc temporil.acin
lineal
-+.5.3. Generador de onda triangular
-+.5.4. Circuito comparador
(PWM)
4.5.5. Gcnerador de impulsos (C.l. SP 6(1)
4.5.6. Convertidor
DC-DC (l3ipolar)
. . . . .
-+.5.7. Regulador de velocidad (PI
4.5.S. Regulador dc intensidad (Pl)
-+.5.9. Circuito acondicionador
de \elocidad
..
-+.5.10. Circuito de proteccin contra sobrec(lrrientes
. . . . . .
Cuestiones de autoevaluacin

. .

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..

..

..

Regulacin de velocidad para motores de C.A.

5.1. Introduccin
5.2. Principios de funcionamiento
del motor de
induccin
5.3. Placa de bornes de un motor asncrono
5.-+. Circuito equivalente
de un motor de C.A.
5.5. Balance de potencias en el motor asncrono
5.6. Variacin de la veloeidad en el mntor asncrono
5.6.1. Control por variacin de la tensin
estatrica
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.6.2. Control por variacin de la frecuencia
5.7. Circuito integrado "HEF -+752VP" para el control
de motores asncronos. Caractersticas
5.7.1. Funciones de entrada/salida
del c.l. HEF
-+752
5.8. Diagrama de bloques del accionamiento
5.9. Diseio y clculo de los bloques constituyentes
del
circuito de potencia
5.9.1. Rectificador
+ filtro
5.9.2. Resistencia de frenado (crowbar)
5.10. Convertidor
puente trifsico
..
5.11. Formas de onda en borne s de un motor de
induccin por P.W.M.
5.12. Prdidas durante la recuperacin
del diodo
1Il verso
5.13. Anl isis del proceso de conmutacin
de los
elementos de potencia en una rama del inversor
5.14. Diseo y clculo del inversor trifsico con
MOSFET
5.15. Aislamiento
de la seal de control. Circuito
excitador
5.16. Circuito de marcha-paro
. . . . . . . . . . . . . ..
5.17. Circuito de temporizacin
lineal: Referencia de
la velocidad

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5.18. Regulador de velocidad proporcional-integral

5.19. Circuito de compensacin de 'TR"
5.20. Circuito generador de impulsos PWM
5.20.1. Seal de reloj "FCT"
5.20.2. Seal de reloj "vcr
5.20.3. Seales de reloj "RCT" y "OCT"
5.21. Amplificador de impulsos
5.22. Encoder de Velocidad. Principio de
funcionamiento
5.23. Tacmetro digitaJ. Visualizador

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135
135
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136
137

5.24. Circuito acondicionador de velocidad

5.25. Proteccin contra sobrecorrientes
5.26. Perfil armnico de la modulacin senoidal del
ancho de pulso
5.27. Eliminacin de armnicos
Cuestiones de autoevaluacin

Bibliografa

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140
142

143

ITP-PARANINFO

Los transductores y sensores resultan indispensables en

muchas aplicaciones de la electrnica relacionadas con diversos
aspectos de nuestro entorno, tales como la automatizacin de
industrias de proceso, la robtica, el ahorro energtico, la medicina, el mundo del automvij, etctera.
La eleccin del transductor condiciona, a veces, la sensibilidad, estabilidad y exactitud de los instrumentos de medida. Por
este motivo se ha considerado oportuno cubrir un amplio nmero de transductores y ofrecer, en la medida de lC\posible, algunos ejemplos prcticos de sus aplicaciones ms comunes. Por el
contrario, se han obviado aquellos dispositivos que suelen tener
un menor uso industrial, as como aqullos otros que se encuentran en proceso de desarrollo.
Por otra parte, la electrnica de potencia se encarga de la utilizacin de la electrnica de estado slido para el control y la
conversin de la potencia elctIica. Las tcnicas de conversin
requieren de la conmutacin de los dispositivos semiconductores de potencia, de tal forma que los circuitos electrnicos de
bajo nivel, que por lo general estn formados por circuitos integrados y componentes discretos, generan las seales de disparo
requeridas para el control de dichos dispositivos de potencia. En
la actualidad, tanto los circuitos integrados como los componentes discretos estn siendo reemplazados por los microcontroladores.
A pesar de que un disposjtivo de potencia ideal no debera
presentar limitaciones de conmutacin (tiempo de activacin y
desactivacin, capacidades de manejo de corriente y de voltaje,
etc.) en la realidad no sucede as. El hecho de que hoy en da se
estn desarrollando dispositivos de potencia de conmutacin
rpida, con lmites crecientes de corriente y de voltaje, tales
como los transistores MOSFET, IOBT y MCT, hace que la
electrnica de potencia se encuentre todava en pleno crecimiento y desarrollo.
El libro est pensado para aquellos estudiantes de Ciclos Formativos de la nueva Formacin Profesional relacionados con la
Electricidad y con la Electrnica, especialmente para los que
cursen los ciclos de Sistelpas de Regulacin Automticos
(Mdulo Profesional de Sistemas Electrotcnicos de Potencia) y
de Desarrollo de Productos Electrnicos (Mdulo Profesional
de Electrnica de Sistemas). Tambin puede resultar de inters
para alumnos de Escuelas de Ingeniera que cursen esta materia
y, en general, para todos aqullos que deseen reforzar y ampliar
sus conocimjentos en este campo.

ITP-PARANlNFO

Los autores han procurado abordar los temas con cierta profundidad, tanto en el aspecto terico como en el prctico, buscando siempre aplicaciones que puedan resultar de inters tanto
a la hora de analizadas como a la hora de llevadas a la prctica.
Ser conveniente, por tanto, que el lector posea una cierta base
terica que le permita abordarlos con cierta garanta de xito.
La presente obra est distribuida en cinco grandes temas:
Tema 1: En l se clasifican los diferentes tipos de sensores
y transductores que ms se utilizan en la actualidad, as como
sus caractersticas, propiedades, principios de funcionamiento,
aplicaciones, etc. Tambin hace referencia al anlisis terico de
los circuitos acondicionadores a utilizar para los transductores
estudiados. Se incluye, adems, una sepe de ejemplos prcticos
que ponen de manifiesto todo lo anterior.
TemaIl: Trata sobre aquellos dispositivos que en principio se emplearon en la electrnica de potencia (diodo de potencia, tiristor y OTO): estructura, caractersticas, prdidas de
potencia, circuitos de control, etc. Incluye, adems, la rectificacin (controlada y no controlada) y ejemplos prcticos.
Tema IlI: Aborda el tema de los transistores de potencia
(MOSFET, IOBT y BJT): estructura, caractersticas, prdidas de
potencia, control, etc. Se completa con algunas de las aplicaciones ms importantes en las que este tipo de dispositivos juega un
papel fundamental.
Tema IV: Est destinado a la regulacin de velocidad de
los motores de corriente continua tanto en bucle abierto como
cerrado. Incluye adems una clasificacin de los diferentes tipos
de control que se pueden realizar, as como un prototipo de regulacin basado en un circuito integrado (SP 601).
Tema V: Est dedicado a la regulacin de velocidad de los
motores de corriente alterna trifsicos Uaula de ardilla) tanto en
bucle abierto como cerrado. En este caso se ha desarrollado un
nuevo prototipo de regulador basado en el circuito integrado
HEF 4752, que es el corazn del sistema, y sobre el cual se ha
basado el diseo y anlisis del mismo.
Finalmente, los autores esperan que esta obra sea del agrado
de los lectores y encuentren en l todo lo necesario para adentrarse y profundizar en este campo, al mjsmo tiempo que estn
abiertos a cualquier sugerencia o crtica que pueda mejorar esta
obra en el futuro.

Clasificar y describir funcionalmente los tipos de sensores y transductores utilizados en

los sistemas de medida en funcin de las magnitudes que se pueden medir y del campo
de aplicacin espec((ico donde se utilizan.

Conocer el principiq de funcionamiento y las caractersticas fsicas por las que se rigen
los sensores y transductores de acuerdo con su naturaleza, tipologa y campos de aplicacin.

Aplicar estructuralmente y con fiabilidad todos los procesos necesarios en el diseo de

pequeos circuitos c n transductores.

Reconocer los parmetros fundamentales y necesarios de los componentes electrnicos

en los manuales de caractersticas tcnicas y relacionar los comp(!nentes electrnicos
reales con su smbolo en el esquema.

Identificar los circuitos bsicos de la aplicacin con la funcin que realizan.

Conocer el principid de funcionamiento de los diferentes tipos de circuitos acondicionadores de seal y el tratamiento de las seales elctricas que procesan.

Conocer aquellos circuitos acondicionadores integrados ms importantes que existen

actualmente en el mercado as como sus principales aplicaciones.

Aplicar estructuralmente y con ,fiabilidad todos los procesos necesarios en el diseo de

pequeios circuitos acondicionadores de seal y relacionar los componentes electrnicos
reales con su smbolo en el esquema a utilizar.

Identificar y Justificar las variaciones de las magnitudes caractersticas del circuito

acondicionador pro ocadas por las disfunciones introducidas.

En varios casos proticos de anlisis de sistemas de medida que contengan todos los elementos de cadena de adquisicin y tratamiento de datos aplicados a entornos reales
donde intervengan variables de distinta naturaleza:
Calcular las magnitudes y parmetros bsicos del sistema, contrastndolos con los
valores reales medidos en dicho sistema, explicando y Justificando las posibles variaCIones.
Realizar las pruebas y ensayos de calibracin necesarios para lograr las especificaciones de precisin requeridas, utilizando los instrumentos adecuados.
Distinguir las distintas condiciones de error que pueden presentarse en el proceso de
medida y explicar la respuesta que el sistema ofrece ante cada una de ellas.

1.1. Introduccin
En ocasiones. en cualquier proceso de control y regulacin.
surge la necesidad de medir una magnitud fsica. qumica o
biolgica para posteriormente
poder procesarla y convertirla en
una seal elctrica (analgica
o digital) fcilmente
tratable.
Surge as la necesidad de disponer de elementos
sensores,
transductorcs y transmisores, los cuales se pueden definir
como:

SE SOR: Elemento que se encuentra en contacto directo

con el proceso a medir. Convierte la magnitud a medir en
otra (elctrica o no) que posteriormente
el transduetor es
capal de convertir en una seal susceptible de medida.
Viene definido por una funcin que relaciona las magnitudes de entrada y de salida. El sensor es. por tanto. un elemento fundamental en la adquisicin de datos.
Conviene tener presente que existen sensores tales como
los "termopares"
los cuales, por influencia directa de la
magnitud fsica a medir. generan una seal elctrica. En
este caso. sensor y transductor
forman un mismo elemento.

TRANSDUCTOR:

Tiene por objeto transformar la seal.

proporcionada
por el sensor. en otra de tipo elctrico cuya
medida y tratamiento resulten ms fciles. Generalmente
estas seales suelen scr muy pequeas (dcl orden de
microvoltios y en pocos casos de milivoltios). Incluye al
sensor como una parte de l.

TRANSMISOR:

Su misin es la de transformar la seal

proporcionada
por el transductor en otra seal normalizada. de tipo analgico o digital.

La seal final. proporcionada

por el transmisor. debe ser
proporcional
al fenmeno fsico que se pretende medir
(temperatura.
velocidad. humedad. presin, ete.). Dicha
proporcionalidad
debe ser. en la mayora de los casos. lo
ms lineal posible. Es por ello por lo que, en ocasiones.
se incluye en el propio transmisor
un "circuito acondicionador".
En la figura 1.1 se encuentra
ques del sistema completo.

representado

el diagrama

de blo-

La magnitud proporcionada
por el sensor ser. asimismo.
proporcional a la magnitud fsica que se mide, pero lo realmente importante es la seal elctrica que se obtiene en la salida del
transductor.

Magnitud
fsica

Seal elctrica
normalizada

Scnsor

Transmisor

Magnitud transductible:
- Resistencia
- Capacidad
- Deformacin
- Fuerza, etc.

Seal til:
- Elctrica
- Mecnica

Figura 1.1. Diagrama de bloques (sensor+transductor).

En el caso de que la seijal que proporciona el

sea elctrica (por ejemplo. mecnica) sc le suele
de captador. A partir de ahora se har referencia
como un elemento que proporciona una seal de

transductor no
dar el nombre
al transductor
tipo elctrico.

Generalmente.
cuando se trabaja con un transduetor o sensor.
la seal proporcionada
por el mismo, bien analgiea (de eOlTiente o tensin) o digital. es muy dbil. Es necesario. por tanto.
intercalar entre elemento sensor ) el circuito dc medida una
etapa aeondicionadora
capa/: de generar una seal (anLllgica o
digital) perfectamente
definida.
Lno de los elementos ms importan es dentro de un circuito
Llcondicionador es. sin duda. el amplificador oper<Jcional en sus
diferentes contiguraciones.
Estos dispositivos manipulan seales elctricas para. en esencia. realil.ar alguna de las dos tareas
siguientes:
TrLltLImiento de la informacin.
Control de potencia.
La funcin de estos circuitos electrnicos es trLltar las seales
elctricas de modo que puedan exciur los correspondientes
aetuadores.
En aquellos casos en los que el sersor no proporcione una
seal elctrica senn necesarios
dispositivos
encargados
de
generar seales elctricas a partir de tas. Por ejemplo. cn el
caso de transductores
basados en la \ ariacin de resistencia a
unLl respuesta vm"Llble ser necesario un circuito (puente de
Wheatstone. divisor resistivo. etc.) que posea una alimentLlcin
elctrica pam poder obtener una seal de salida, pues la "Llriacin de resistencia cn s no genera seal alguna.
En otros ser necesaria la lineali/acin
de b respuesta (termistores). ILI compensacin
de pertur Llciones (galgas extensomtricas)
o una configuracin
que aumente la sensibilidad
mediante el empleo de \'arios transduct Jres.

1.2. Clasificacin de los

transductores
Atendiendo a la forma de utili/acin de la energa generada
por la magnitud fsica a medir. los tran,ductores
se pueden clasiticar en:

ACTIVOS:

Aqullos en los que por influencia directa de

la magnitud fsica tratadLl sc generan seales elctricas
intrnsecamente
en el elemento sensor. En este tipo, sensor
y transduetor son un nico elemento que no requiere alimentacin elctrica exterior para la obtencin de la seal
y s en ILIposterior amplificacin.

PASIVOS: Aqullos que requieren alimentacin elctrica

exterior. Alguna caracterstica elctrica (resistencia. capacidad. etc,) es modificada por el tlnmeno objeto de medicin. hacindose necesaria una excitacin elctrica para
obtener una seal elctrica proporcional
a la magnitud
bajo prueba,
Atendiendo al tipo de seal proporcionada
transductores se pueden clasificar en:

en su salida.

los

ANALGICOS:
La seal de salidLl es funcin proporcional a la magnitud fsicLl que se trata en todo el campo
de Llctuacin del dispositivo.

ITP-PARANINFO

 DIGITALES: La seal de salida se presenta en forma de

niveles discretos de tensin a los que se les asigna valores
numricos de acuerdo con un convenio preestablecido.
Estas seales digitales suelen obtenerse en forma de trenes
de impulsos con un cdigo determinado. Los transductores digitales pueden ser absolutos e incrementales.
- Absolutos: Cuando el dato obtenido est referido a un
origen fijo.
- Incrementales:
el anterior.

Cuando un dato tiene como referencia

1.3.2. Sensibilidad
Es la razn entre una variacin de la magnitud de salida y la
correspondiente variacin de la magnitud de entrada que la provoc, es decir, la pendiente de la caracterstica que relaciona la
salida elctrica con la magnitud fsica detectada. El clculo de la
sensibilidad del transductor de la figura 1.2 ser:
...
S enslbIlldad

SALIDA (mV)

1.3. Caractersticas de los

10
=S=-=0,2mVlmm
50

10

transductores
5

En los sistemas de adquisicin de datos, puede considerarse

que el transductor es el principal elemento ya que puede considerarse que el sensor forma parte de l.

25

Generalmente, en cualquier proceso de regulacin o control,

el objetivo principal es obtener una seal elctrica (analgica o
digital) proporcional a la magnitud fsica que se desea controlar.
Esta magnitud fsica ser la que determine la utilizacin de uno
u otro tipo de transductor, el cual estar basado en un determinado principio fsico. La seleccin de dicho elemento depender
de la naturaleza de las magnitudes fsicas a medir (temperatura,
velocidad, posicin, fuerza, deformacin, humedad, etc.), del
tipo de fenmeno fsico a controlar (esttico o dinmico) as
como de una serie de caractersticas (tabla 1.1) que se describen
a continuacin.

Rango de medida
Sensibilidad
Resolucin
Sobrerrango
Estti as
Operativas

Error de medida

Caractersticas
de los
Transductores

ENTRADA (mm)

50

Figura 1.2. Sensibilidad.

1.3.3. Resolucin
Es la mnima variacin detectable de la magnitud de entrada.

1.3.4. Sobrerrango
Se denomina tambin sobrecarga o medida mxima y es la
mxima magnitud de entrada que se puede aplicar al transductor, modificando las caractersticas del mismo pero sin causarle
daos permanentes (figura 1.3).

OFFSET
Linealidad
Histresis
Repetibilidad
Precisin

SALIDA
Posible alteracin
de las caracteristicas

Salida deseada
Din~icas

Respuesta
en frecuencia
{ Respuesta temporal

SU~'edad
Hu edad

Ambientales

Vi . aciones
Ru o
Int rferencias Electromagnticas
Te peratura

100%

----'--

125%
-MAGNITUD
FSICA

Sobrecarga

Figura 1.3. Sobrerrango.

1.3.5. Error de medida

Se define como la razn entre el error total y el rango completo de medida. Se suele expresar en tanto por ciento. El error
total es la diferencia entre el valor ledo y el valor real.

1.3.1. Rango de medida

Es la diferencia entre el valor mximo y el mnimo que el elemento es capaz de medir. No se ha de utilizar un transductor
para realizar medidas por debajo de la dcima parte del valor
mximo que es capaz de medir.

ITP-PARANINFO

Existen errores que no son atribuibles al transductor, denominados sistemticos, que son inherentes a la medida. Se pueden producir por vibraciones, defectos en la alimentacin, errores en la instalacin, errores de calibracin, etc.
Existe otro tipo de errores, los cuales dependen del comportamiento del transductor, tales como la no-lineaJidad, histresis,
repetibilidad, variacin de la medida con la temperatura, etc.

1.3.5.4. Repetibilidad

1.3.5.1. Error de cero (OFFSET)

E~ aqul que sc produce cuando la magnitud a medir cs nula
) la ~eiial proporcionada
por el transductor no lo es. Sc sucle
e\prc~ar en porccntajc ~()bre el fondo de cscala.
E~te crror suele proJucirsc en tran~dllctores pasivos. los cuail:~ pucden proporcionar
seal dc salida en ausencia de seal a
Illcdir. debido a la C\i~tencia de una fuente de excitacin.
La corrcccin de este error ~e consigue mediante tcnicas de
cOlllpcn'acin.
la~ cuales consisten en introducir en el sistema
una ~cal de \ alm COllswntc ) ~entido contrario al error.

Cuando en un transductor
~c realiza una misma medida
mltiples \eces. en la Illi~ma direccin e iguales condiciones.
pucde ocurrir que la seiial de ~alida del mismo sea diferente
(figura 1.6).
Se define repetibilidad como la ran entre la m:lxima diferencia entre las lecturas de salida) el rango de medida. normalmente expresado en tanto por ciento.
Ill\IIlla diferencia
Repetibilidad

= ----------

100

rango de medida

1.3.5.2. Error de linealidad

SALIDA
ELCTRICA

NOrlnallllente la caracterstica deltransductor

recta. lo cual da lugar a este tipo de error.

no es una lnea

Se ddinc error de lillealidad como la mxima desviaein de

la curva caracterstica con respecto a la recta que une el origen
) cl fondo de eSGlia. (Figura 1.-1-). Para su correcta determinaci(lIl la caracterstica del transductor ha de pasar por el origen de
coordenadas.
e~ decir. que el OFFSET sea nulo.
m\ ima di ferencia ab~oluta
Error de linealidad = -----------rango dc medida
SALIDA
ELECTRICA

Repetibilidad

. MAGNITUD
FSICA

Figura 1.6. Repetibilidad.

100

1.3.5.5. Error combinado. Precisin

A
Respuesta

..

ideal
A

Respuesta

,
A

Mxima

real

desviacin

Se denomina precisilI de un transductor al valor cuadrtico

medio de los en'ores de linealidad. hist'esis y repetibilidad. Se
mide en tanto por ciento sobre fondo de escala.

. MAGNITUD
FSICA
Rango de medida

1.3.6. Salida deseada

Figura 1.4. Error de linealidad.

1.3.5.3. Histresis
En muchas ocasiones, la caracterstica del transductor, obteniJa dando valorcs crecientes no coincide con la obtenida dando
\'alme~ decrecientes. tal y como se puede observar en la figura
1.5. denominndose
histresis a este hecho.
1.:1 histresis se puede cuantificar mediante la raLn entre la
Ill\ima diferencia
de seales medidas. en proceso crcciente y
decrccicntc.
para un mismo \'alor de la magnitud de entrada
entre cero)
fondll de cscala y el rango de medida. Se suele
e\11I"e~ar en tanto pm ciento.
mxima diferencia

En funcin del proceso a tratar. en determinados

casos se
desear una seal de tensin, la cual variar proporcionalmente
a la magnitud de entrada a controlar. El' otros. sin embargo, se
necesitar una seal de corriente o un tren de impulsos convenientemente codificado.
Para obtener una seal digital a partir de otra analgica
viceversa. bastar con utili;:ar un convertidor AID o D/A.

La transmisin de datos ana lgicos es ms delicada que la de

digitales. pues los problemas de ruidos. acoplamientos
e interferencias. presentes cn ambas transmisiones.
son ms fciles de
tratar digitalmente
mediantc la adecuada codificacin y restauracin de impulsos. En transmisin analgica se han de introducir filtros que no son tan eficaces y que Introducen rctrasos.

rango de medida

1.3.7. Respuesta en frecuencia

SALIDA
ELCTRICA

Es aquclla caracterstica
mina la mxima frccuencia
capa de soportar.

Histresis

..

. MAGNITUD
FSICA

Rango de medida

Figura 1.5. Histresis.

dinmica dcl transductor que deterde la magnitud a medir quc va a ser

1.3.8. Respuesta temporal

Resulta de inters especificar la respucsta del transductor a un
escaln de la magnitud de entrada quc es de la forma indicada

/TP-PARANlNFO

en la figura 1.7 sobre la cual se podrn definir los siguientes

parmetros de inters.

tr = Tiempo de subida.
ts = Tiempo de asentamiento.
ta = Tiempo de adquisicin.
Usualmente estos tiempos son definidos respecto a determinados porcentajes del valor final. Es importante advertir que la
forma de especificar estos tiempos e incluso sus mismas definiciones pueden ser distintas para diferentes fabricantes.
EXCITACiN

da se realizar mediante instrumentos pticos y en el primero

mediante dispositivos que posean propiedades sensibles a la
temperatura.
En el caso de los transductores en los que exista contacto se
debern tener en cuenta las siguientes normas para un correcto
funcionamiento del sistema:
El medio en el que se realiza la medida no ha de ser perturbado.
Debe existir un buen contacto trmico entre el dispositivo
y el medio a estudiar.
En el caso de fluidos puede ser necesaria su agitacin para
obtener una temperatura homognea.

J'----------r----------.-TIEMPO
RESPUESTA

(1)

Is

Se deben mjnimizar las prdidas por conduccin y aislar

trmicamente el sensor y el e.'(terior.
Las principales escalas de medida de temperatura se encuentran representadas en la tabla 1.2, donde se indica tambin la
relacin entre ellas.

ESCALAS DE MEDIDA DE TEMPERATURA

Congelacin/
Ebullicin del
agua

Unidades

Centesimal
(C)

O C - 100C

Grados
Centgrados
o Celsius

tc=(tF-32)'5/9
tc=tK-273,15

Fahrenheit
(F)

32F - 212F

Grados
Fahrenheit

tF=9/5te+32
tF=9/5'(~-273,

Absoluta
(K)

273.15 K373,15 K

Kelvin

Escala
---------------------TIEMPO

(1)

Figura 1.7. Respuesta temporal.

1.3.9. Condiciones ambientales

de trabajo
En los ambientes industriales existen determinados factores,
tales como suciedad, humedad, vibraciones, ruido, interferencias electromagnticas, temperatura, etc., que pueden producir
un funcionamiento incorrecto del transductor, por lo que habrn
de tenerse en cuenta en el momento de seleccionarlo.

1.4. Ti os de transductores
En funcin de la magnitud fsica a medir y teniendo en cuenta su importancia, grado de utilizacin y aplicaciones de los mismos, se tratarn, principalmente, los siguientes transductores:

De temperatura.
De velocidad.
De posicin o despwzamiento.
De fuerza o deformacin.
De aceleracin.
De corriente (efecto Hall).

Relacin
entre escalas

15)+32

tK=te+273,15
tK=5/9(tF-32)+273,15

En la tabla 1.3 se indican diferentes tipos de transductores

de temperatura clasificados por el principio fsico que utilizan, de los cuales algunos de ellos sern desarrollados ms
ampliamente.

TIPOS DE TRANSOUCTORES
Principio
fisico

Tipo
Acoplamiento
termoelctrico

DE TEMPERATURA
Denominacin
Termopar
Sonda piromtrica

Resistencia metlica

Sonda termomtrica

Semiconductor

Termistor
Diodo
Transistor
Circuito integrado

Cuarzo

De cuarzo

Elctrico

Por radiacin total

1.5. Transductores de tem eratura

La medida de la temperatura en cualquier medio fsico es el
objeto de estos transductores.
En funcin del tipo empleado puede existir o no contacto
fsico con el medio a estudiar. En el segundo supuesto la medio

ITP-PARANlNFO

pticos

Por radiacin parcial

Pirmetros

de radiacin

Dilatacin de slidos

Termmetro

bimetlico.

Dilatacin de fluidos

Termmetro de mercurio,
Termomanmetro

Bicromticos

Mecnicos

etc.
etc.

En la tabla lA se puede observar

medida de los di ferentes transduetores

el rango aproximado
de temperatura.

de

sean mnimas. y mantener

nada de referencia.

Rango de medida (OC)

Tipo de transductor

-270 a 1820

T1 = Tm

Resistencia Metlica

-260 a 1400

(Unin
medida)

-100 a 450

Transistor

-50 a 150

Circuito integrado

-50 a 150

Pirmetro
Termmetro

de radiacin

300 a 3000

bimetlico

-200 a 500

Metal A

Metal B

Dilatacin de vapor

O a 400

Tl = Tm
(Unin

Tabla 1.4.

<

medida)

1.5.1. Transductor por efecto

termoelctnco. Termopar

Metal A

Cable de
compensacin

Tref=T2
Metal C

\
Metal C
Conexin fria
(Isotrmicai

Metal B

Generalmente el fabricante ofrece la sensibilidad del elemento tomando como referencia la temperatura de congelacin del
agua (O C). El procedimiento
para mantener la unin fra a O C
(tigura 1.11) se realiza mediante el bao de la misma en hielo.
lo cual resulta fcil de construir pero difcil de mantener.
Metal A
(Unin
medida)

\
Metal B

Metal C

Metal A

Bao de hielo
Tref = O C
P=lalm.

t-jecto Thomson: Si un metal posee dos zonas a diferenuna diferencia

Metal C

Tl = Tm

de distinta
naturaleza se crea una direrencia de potencial denominada
potencial de contacto.
de forma que al circular una
corriente elctrica de uno a otro se produce una absorcin
o cesin de calor. en funcin del sentido de la corriente. de
manera que la temperatura alcanzada no corresponde a la
prevista segn efecto Joule.

entre stas se origina

Metal C
Conexin fra
(Isotrmica)

el cual

Efecto Peltier: En la unin de dos metales

tes temperaturas
potencial.

Figura 1.10. Utilizacin de cable d(~compensacin.

Un termopar est constituido por la unin de dos metales de

distinta naturaleza.
La unin se realiza por soldadura en un
extremo (temperatura a medir) y por contacto en el otro.
Su funcionamiento
se basa en el efecto Seebeck,
depende de otros dos efectos: el Peltier y el Thomson.

de

Metal C

<---

-100 a 600

Dilatacin de gas

Aparato
medida

Cuando el circuito de control cst alejado del punto de medida de temperatura

(figura 1.10) se dehe emplear un cable de
compensacin
que evite que las propiedades
del termopar se
modifiquen.

-55 a 600

Dilatacin de lquido

T2, denomi-

Figura 1.9. Medida de Le.m. en un termopar.

-100 a 250

Cuarzo

la temperatura

Tref=T2

Termopar

Termistor

conslante

Figura 1.11. Termopar con unin fra a O 0c.

de

que normalmente
se utiliza es la de compensaen sumar a la seal generada por el termopar
una tensin proporcional a la temperatura de la unin fra (Iigura 1.12), de tal forma que la suma de ambas sea la que proporcionase el termopar con la unin fra a O 0c.
La tcnica

Si dos metales de di ferente naturaleza se unen forman un circuito cerrado (figura 1.8). presentarn a su vez el efecto Peltier
y el efecto Thomson. Por esta razn, a lo largo del circuito existir una diferencia de potencial y. por tanto, existir una intensidad de corriente de naturaleza termoelctrica.
METAL A

cin, consistente

Se debe tener en cuenta que la tensin proporcionada

por el
termopar es de la forma: V, = E (TI - 7'2)' donde E es el gradiente de tensin proporcionado
por el fabncante. referido a O C y
1'" 1'2 las temperaturas de las uniones.

SENSOR

~~

METAL B

Figura 1.8. Efecto Peltier y Thomson.

Si se abre el circuito por una de las dos uniones (figura 1.9)
es posible. mediante el adecuado aparato de medida, obtener la
fuerza electromotriz generada en el tennopar, teniendo en cuenta que ser necesario conectar un nuevo metal C, cuyas prdidas

Amplificador

Vt=EIT1-T2)

V=E(Tl-T2)tE.T2

I COMPENSACiN I

o Vo=A.E.Tl
~

Vc=E.T2

Figura 1.12. Compensacin de termopar (diagrama de bloques).

Los termopares
utilizados en la industria para la medida,
principalmente.
de altas temperaturas se clasifican en funcin de

ITP-PARANINFO

los dos metales constituyentes de los mismos, tal y como se

muestra en la tabla 1.5.
donde:

R es la resistencia elctrica del conductor a una

temperatura "t" .

Ro es la resistencia elctrica del conductor a O 0e.

a es el coeficiente de temperatura de la resistencia.

Hierro / Constantan

55

Cromo / Constantan

78

Cromo / Aluminio

- 70 a 1370

41

Platino-Radio

10% / Platino

.50 a 1760

10,5

Platino-Radio

13% / Platino

-SO a 1760

12

Platino-Radio
Platino-Radio

30% /
6%

O a 1820

l:

1.5.

Si la dependencia no es lineal, la relacin resistencia-temperatura tiene por ecuacin:

R t = R" ( I + a 1 t + a2 t

+ ... +

a" t " )

donde al ' al' ... an son coeficientes que dependen del material con el que est construido el sensor.
Los materiales a emplear en la construccin del dispositivo
han de reunir una serie de caractersticas, entre las que se
encuentran:
Coeficiente de temperatura elevado.
Resistividad elevada.

En la figura 1.13 se observa la variacin de la f.e.m. en funcin de la temperatura para cada uno de los tipos de termopares.

Ductilidad para facilitar el proceso de fabricacin del

resistor.
Estabilidad de caractersticas con el tiempo.

t.e.m. (mV) 80

De las dos primeras depender la sensibilidad del transductor,

de la tercera el tamao y rapidez de respuesta y de la ltima el
que se comporte prcticamente igual durante su vida til.

70
60
50

Platino, cobre y nquel son los materiales que poseen las anteriores caractersticas, cuya variacin relativa de resistencia con
la temperatura se indica en la figura 1.14.

40
30
20
10

Rt/Ro a (O 0e

200

400

600

800 1000 1200 1400 1600 t/C)

Figura 1.13. Variacin de la f.e.m. en diferentes termopares.

6"

1.5.2. Transdudor mediante

resistencia metlica
Su principio de funcionarnjento est basado en la variacin
que experimenta la resistividad de un conductor y, por tanto, la
resistencia en funcin de la te\Tlperatura ya que:
R=p'-

S
donde:

L es la longitud del conductor.

S es la seccin del mismo.
Los dispositivos fabricados bajo este principio, generalmente, consisten en un arrollamiento del hilo conductor protegido y
aislado adecuadamente. Una importante caracterstica del material empleado es el denominado coeficiente de temperatura, el
cual representa la variacin de la resistencia del conductor en
funcin de la temperatura.
Suponiendo una dependencia lineal de la resistencia con la
temperatura, la relacin entre ambas es de la forma:

ITP-PARANINFO

200

400

600

800

Figura 1.14. Variacin relativa de resistencia con la temperatura.

En la tabla 1.6 se indican algunas caractersticas de las sondas de resistencia metlica fabricadas con estos materiales.

R es la resistencia elctrica del conductor.

p es la resistividad del material empleado.

+-----t

. .IR. el"""."
~
.~ c,Mte
~
Cobre

-----

--

l~
~

de

--~

1,56

0,00425

-200 a 120

6,38

0,0063 a 0,0066

-150 a 300

9,83

0,00385

PreciIi6n

oc

Ti 1.
El cobre presenta una variacin de resistencia con la temperatura prcticamente lineal, es barato y estable, pero tiene baja

re~i~tividad y su rango de utilizacin

blemas de oxidacin.

se ha de limitar por pro-

El nquel posee mayor resistividad y elevado coeficiente de

temperatura
pero ste vara en funcin del proceso de fabricacin y su respuesta no es lineal con la temperatura.
Prcticamente no se usa.
El platino es el material idneo por su estabilidad
~in. ~iendo el principal inconveniente
su coste.

Este montaje se emplea, por tanto. con resistencias relativamente baja~ de lo~ hilos de conexin y cuando el valor medido
no necesita gran exactitud.
El montaje ms utilizado es el de conexin mediante tres
hilos (figura 1.16). En l, la resistencia PT 100 est conectada al
puente a travs de tres hilos conductores.

y preci-

La resistencia
de platino con una resistencia
de 100 Q a
O C y 138.5
a 100C. denominada
PT I00, es la que se
~uele utilizar en la industria. En ella, a efectos prcticos, se
puede considerar
que la respuesta
es prcticamente
lineal.
Para realizar su funcin como sensor de temperatura,
necesita ser alimentada con una corriente de muy bajo valor ya que
si su disipacin trmica por efecto Joule es apreciable,
dar
lugar a un error en la medida debido al autocalentamiento.

La medida de temperatura
con este tipo de sensores, normalmente
se realiza mediante
puentes de Wheatstone,
en
montajes denominados
de dos, tres o cuatro hilos, siendo la
re~i~tencia dependiente
de la temperatura
una de sus ramas.
El montaje de dos hi los (figura 1.15) resulta ser el ms sencillo, pero presenta el inconveniente
de que la resistencia de
lo~ hilos de conexin de la PTIOO al puente (R" y Rh) vara
con la temperatura.
cometindose
un error en la medida. aunque e~to~ hilos ~ean de baja resistencia

R(PT100)

Figura 1.16. Montaje de tres hilos.

Del anlisis. se desprende
ha de cumplir:

Aparato de medida

que para el equilibrio

del puente se

\
R,' (R
-

+
1

R )

"

/'
J

El circuito se disear de modo que R 1 = R 2 por lo que en

estas circunstancias
el valor hmico de la PT I00 ser:

-=-

RI''fI(X)

R"

R,

con lo cual la medida no estar innuida por la longitud

conductores ni la temperatura si R" = R,.

de los

El montaje de cuatro hilos (figura 1 17) se emplea para una

mayor precisin de la medida. Consiste en efectuar dos medidas de la resistencia de la PT I00 combinando
las conexione~.
de modo que la ~onda est primero en un brazo del puente y
luego en otro. El valor de la re~islencia ser la media de la~
do~ medidas.

~R(PT100l

Figura 1.15. Puente de Wheatstone (montaje de dos hilos).

Para con~eguir el equilibrio del puente se modifica el valor
de R3 ha~ta que la lectura del aparato de medida (galvanmetro) sea cero. momento en el que se cumple
la relacin
R1 RI'TlOO = R2 . R, . donde se han supuesto nulas Ra y Rh
El valor de la resistencia

R~

R,

de la PT 100 ser:
R~

~2

~2

R~

-=- V
Si se tienen en cuenta las resistencias
PT l 00, las ecuaciones quedan modificadas

de conexlon
de la forma:

de la

R3D

1
T

-=V

c::J

R(PT100)

T
R4D

. c::J

R(PT100)

Figura 1.17. Montaje de cuatro hilos.

ITP-PARANlNFO

1.5.3. Transdudor mediante

semicondudor

donde:

Basan su funcionamiento en la variacin de resistencia que

un semiconductor experimenta con la temperatura.
Los diferentes tipos de sensores que utilizan este principio de
funcionamiento pueden ser:

R, es la resistencia en ohmios de la temperatura absoluta T.

Ro es la resistencia en ohmios a la temperatura absoluta de referencia To'
B es una constante dentro del intervalo de utilizacin.

El valor de la constante B, se puede obtener a partir de la

medida de la resistencia del termistor para dos temperaturas
conocidas:

Termistores.
Diodos.
Transistores.
Circuitos integrados.

1.5.3.1. Termistores

Tomando logaritmos neperianos y despejando B se obtiene:

InRI-lnRz
B=----I
I

Estn constituidos por semiconductores electrnicos de

pequeo tamao con un coeficiente de temperatura elevado, por
lo que presentarn una alta sensibilidad y tiempo de respuesta
relativamente bajo.
Cuando se utilizan para la medida de temperatura, debe mantenerse una corriente muy baja a travs de ellos (tpicamente
menores de IOOIlA) para conseguir que la disipacin de potencia sea despreciable y, por tanto, su autocalentamiento por efecto Joule.
Para obtener una aceptable estabilidad en los termistores se
hace necesario su adecuado envejecimiento.

En cuanto al coeficiente de temperatura de la NTC ser de la

forma:
I d Rr
lIB'
a=---=--B-Re
Rr d T
Rr
T2

( T1 T1)

"=--

T2

Si se expresa en tanto por ciento, ser:

Normalmente estarn montados, al igual que las resistencias

metlicas, sobre un puente de Wheatstone, siendo stos una de
sus ramas.
En determinadas ocasiones ser necesario, mediante procedimientos adecuados, lineal izar la caracterstica resistencia-temperatura del termistor.

En la figura l.18 se puede observar la caracterstica de dos

termistores NTC junto con la de la PT 1OO.
RES(OHMI

108

En cuanto a la distancia entre el termistor y el instrumento de

medida, puede ser elevada siel\lpre y cuando la resistencia de los
hilos de conexin del termistor al puente sea despreciable frente a la suya propia.
Su uso no est limitado a la medida de temperatura sino que
pueden emplearse tambin para otras funciones electrnicas
como interrupcin, medida de nivel de lquidos, etc.
Los ms conocidos son los NTC (coeficiente de temperatura
negativo) y los PTC (coeficiente de temperatura positivo).

1.5.3.1.1. Termistores NTC

Son resistores no lineales, estructuralmente constituidos por

semiconductores con coeficiente de temperatura negativo elevado, del cual reciben su nombre.
El termistor del tipo perla es el ms utilizado para la medida
de temperatura, introducindolo en montajes similares a los
empleados con las resistencias metlicas.
La relacin entre la resistencia del termistor NTC y la temperatura viene dada por la expresin:
B

R=R'e
I

ITP-PARANINFO

- 1')
(17'T;

10-2
100

100

200

TEMPERATURA

Figura 1.18. Caracterstica resistencia.temperatura

300

400

de dos NTCy PTlOO.

Entre las aplicaciones de los termistores NTC se encuentran:

Medida de temperatura
Compensacin de temperatura
Regulacin de temperatura
Estabilizacin de tensin
Alarmas

El acondicionamiento
con~istir en alimentar la PTC con
una corriente de valor constante. de forma que las variacione~
de resi~tencia se COIl\ iertan en variaciones de tensin proporcionale~ a la mi~ma.

Proteccin
Retardo~, etc.

1.5.3.1.2. Termistores PTC

Se trata de resistores no lineales constituidos
~emiconductores
con coeficiente de temperatura
do. de donde reciben ~u nombre.

por materiales
positivo eleva-

Su valor hmico aumenta al hacerlo la temperatura y el valor

absoluto de su cocl'iciente de temperatura es, en la mayora de...
los casos. superior al de lo~ termistores NTC.

Su relacin re~i~tencia-temperatura
se puede observar eI1 la
figura 1.19 en la que se pueden distinguir tres zonas perfectamente definidas:

Puesto que la variacin de resistencia del termistor PTC en

funcin de la temperatura
no es line' 1. generalmente
requieren un proceso de linealilacin
con~ ~tente en aadir al di~positivo resistores
fijos en el mismll elemento
transductor
(figura 1.20). obteniendo as elementos en forma de divisor de
tensin o de resistencia \ariable.

o +v

Zona 1, en la que el coeficiente

de temperatura es ligeramente negativo. Dicha zona est por debajo del punto crlico de tran~formacin de la red clistalina.

Zona 11, en la que ~e ha producido

el cambio de la red
cristalina del sistema tetragonal al cbico (se ha superado
el punto de Curie) y el coeficiente de temperatura es positivo.

111, en la que la estructura cbica es estable y el coeficiente de temperatura negativo.

ZOfla

R(OHM)

o
Figura 1.20. Linealizacin de PTe.

Entre las aplicacione~

Osciladores
111

Estabilizacin

de los tellllisrores

PTC se encuentran:

de relajacin.
de corriente.

Medida de nivel de lquidos.

Proteccin.
Compensacin

Figura 1.19. Caracterstica resistencia.temperatura

El campo de aplicacin
11. para la cual se cumple:

donde:

de los termistores

R{ es la resistencia
ta

de PTe.

PTC ser la zona

del PTC a la temperatura

absolu-

T.

A. B Y E son constantes

caractersticas

(A y E tienen

unidade~ de ohmios).
El margen de utilizacin de esta expresin ser: TI < T < T~.
en el cual. el coeficiente de temperatura para A < < B ser de la
forma:
IX

Expresado

-.--,------

dR

BEe"T

en tanto por ciento:

IX

B I 02

(En

% K

1)

tic.

~T

T2

T1

de temperatura.

1.5.3.2. Otros sensores de temperatura

mediante semicondudor
Existen diodos de arseniuro de galio (GaAs) y silicio (Si)
que pueden ser utilizados en un rango de temperaturas
comprendido
entre I K Y 400K. Es posible encontrar
tambin
configuraciones
basadas en transistores.
En ellos la pendiente de la caracterstica
resistencia-temperatura
y la sensibilidad es diferente en funcin del tramo del rango de medida que se trate. Para su excitacin
es necesaria
una fuente
regulada
de corriente
constante
y el aparato de medida a
emplear ha de ser sensible y poseer una elevada impedancia
de entrada.
Entre los circuitos
integrados
se utilizan sensores
que
generan en su salida una tensin proporcional
a la temperatura del tipo LM35 cuya sensibilidad
es de IOmV/"C y LMI35
con sensibilidad
de IOmV/K y otros que se comportan como
una fuente de corriente proporcional
a la temperatura
del tipo
AD590 que posee una sensibilidad
de I..tA/"C. En general
poseen una respuesta prcticamente
lineal.

ITpPARANINFO

Se utilizan cuando se desea realizar la medida de la temperatura sin contacto material y sin ejercer ninguna influencia sobre
la temperatura del objeto bajo prueba.

+Vs

Los tres tipos de pirmetros de radiacin utilizados en la

industria son:
Va
Pirmetros de radiacin total.
Pirmetros de radiacin parcial.
Pirmetros de radiacin bicromtica.

R=18K

1.5.5.1. Pirmelro de radiacin total

Figura 1.21. Circuito con LM35.

En la figura 1.21 se puede observar la utlizacin del sensor

LM35, en un montaje que entregar a su salida una seal de tensin positiva si se miden temperaturas por debajo de O e ya que
la seal de tensin proporcionada por el sensor est referida a
O 0e. Si el diodo posee una tensin umbral de 0,5V (Vy =O,5V),
el rango de medida del conjunto sera de -50 e a + 155 0e.

La radiacin emitida por el objeto en el cual se desea medir

la temperatura se concentra en una termopila, constituida por
varios termopares (Pt-Pt/Rh) de pequeas dimensiones y conectados en serie, mediante una lente de pyrex, slice o fluoruro de
calcio (figura 1.22).
Lente

1.5.4. Transdudor a cuarzo

Su principio de funcionamiento se basa en la variacin de frecuencia de oscilacin que experimenta el oscilador a cristal de
cuarzo cuando se modifica la temperatura del cristal. La talla del
cristal se realiza de forma que se obtenga la mayor sensibilidad
posible a este efecto.
La obtencin de la temperatura se reduce a la medida de la
frecuencia del oscilador, para lo cual la salida del oscilador atacar a un frecuenCmetro digital y a un visualizador que indicar
temperatura.
El rango de medida de estos dispositivos est comprendido
entre -100 e y 250 0e.
Posee la ventaja de una gran inmunidad al ruido. En la actualidad prcticamente no se emplea debido al bajo costo de los
convertidores analgicos/digitales, empleados normalmente con
otro tipo de sensores de temperatura.

1.5.5. Pirmetros de radiacin

Se basa en la ley de Stefan-Boltzmann, la cual dice que la
cantidad de energa radiada, por unjdad de tiempo y superficie,
por un cuerpo negro ideal es proporcional a la potencia cuarta de
la temperatura absoluta del cuerpo.

w=or4

TERMOPllA

Figura 1.22. Pirmetro de radiacin total.

La parte de los termopares expuesta a la radiacin est ennegrecida para que su comportamiento sea similar al de un cuerpo
negro, aumentando la absorcin de energa.
La r.e.m. proporcionada por la pila termoelctrica depende de
la temperatura de la unin fra, por lo que se utilizarn tcnicas
de compensacin de la misma.
La relacin entre la f.e.m. generada y la temperatura del cuerpo bajo prueba ser independiente de la distancia entre l y la
lente si no existe la presencia de gases y otras sustancias que
puedan absorber energa entre ellos, y siempre que la imagen de
la superficie radiante cubra totalmente la unin caliente de la termopila. Son, por tanto, sensibles a gases y otras sustancias que
puedan encontrarse entre el pirmetro y la superficie del cuerpo
cuya temperatura se desea medir.
Las temperaturas indicadas por este mtodo de medicin
difieren de las verdaderas en funcin del tipo de lente empleada
y el coeficiente de emisin del cuerpo. Ser necesario, por tanto,
realizar la adecuada correccin mediante tablas de coeficientes
de emisin y las curvas de correccin de la lente empleada u
otros procedimientos.

donde: T es la temperatura absoluta de la superficie emisora.

W es la cantidad de energa radiada por unidad de
tiempo y superficie en todas las longitudes de onda.
W

(Jes la constante de Stefan-Boltzman (5,67 LQ-8_4)'

m-K Z
Los pirmetros de radiacin miden, por tanto, la temperatura
de un cuerpo a distancia, en funcin de la radiacin luminosa
que ste emite.

ITP-PARANlNFO

1.5.5.2. Pirmelro de radiacin parcial

(monocromticos)
Son sensibles a una nica banda de frecuencias de emisin.
Poseen un tiempo de respuesta rpido y son poco sensibles a
magnitudes parsitas.

Lo~ plrometros
optlCOS de radiacin parcial manuales se
basan en la comparacin
visual entre la emisin producida por
el objeto bajo prueba y la emisin de una lmpara de filamento
incandescente,
pudiendo ser de corriente variable en la lmpara
(figura 1.23) o de corriente constante en la lmpara con variacin de brillo en la imagen del objeto (figura 1.24).

1.5.6. Termmetro bimetlico

~
r

Lente

o
1I

Se basan en la relacin existente entre las intensidades

de
radiacin del cuerpo a do~ longitudes de onda diferentes para
determinar la temperatura del mismo. Este tipo de pirmetros no
se ve influido por magnitudes parsitas.

Lmpara de
comparacin

Filtro

Ventanilla
de enfoque

1.5.5.3. Pirmetros de radiacin bicromtica

1 2 3

c;J

Figura 1.23. Pirmetro manual de radiacin parcial (corriente variable).

Est basado en la dilatacin de ~lid s y es muy empleado en

sistemas de seguridad o regulacin cuando se les dota de contacto~ elctricos.
Su principio de funcionamiento
se basa en el diferente coeficiente de temperatura de dos metale~ laminados conjuntamente.
Pueden configurarse en forma recta, curva e incluso en forma de
espiral. Al variar la temperatura uno de ellos se dilatar o contraer ms que el otro. producindose
una variacin en la curvatura del par bimetlico. Si uno de lo~ extremos est lijo. en el
otro se producir un de~plazamiento
(o giro) al variar la temperatura.

Persiana

Prisma

/\

1.5.7. Termmetros por dilatacin

de fluidos

(
..
Lente

Ventanilla
de enfoque

Su funcionamiento
se basa en la dilatacin
por lquidos y gases al aumentar su temperatura.

11

experimentada

El termmetro de vidrio es, sin duda. el ms conocido. Consta de un depsito de vidrio que conti e un fluido (mercurio,
alcohol. pentano, tolueno, etc.) que al calentarse se dilata y sube
por el tubo capilar.

Lmpara
de enfoque

Figura 1.24. Pirmetro manual de radiacin parcial (corriente constante).

Existen termmetros de mercurio que. adems, aprovechan la

caracterstica
conductora del mi~mo para efectuar un contacto
elctrico.

Cuando la luminosidad del filamento se confunde con la de

la imagen del cuerpo emisor (figura 1.25) se puede obtener la
temperalUra en funcin de la intensidad de con;ente en la lmpara o de la vm;acin de brillo que se ha provocado en la imagen del cuerpo.

En los termomanmetros.
la variacin de temperatura en un
fluido. dentro de un recipiente herm'lico se traduce en una
variacin de presin. Si ~e mide la variacin de presin es posible obtener el valor de la temperatura.

Temperatura
baja

Temperatura
correcta

Temperatura
alta

Figura 1.25. Medida de temperatura por comparacin.

Tienen el inconveniente
rador humano.

de necesitar

la presencia

Los termmetro~ de bulbo y capilar consisten. esencialmente

en un bulbo que se conecta mediante un capilar a una espiral.
Cuando la temperatura del bulbo se moJifica. el gas o el lquido
en el bulbo se expande y la espiral tiende a desenrollarse. Conectando a sta un dispositivo
indicador (aguja) y graduando
la
escala adecuadamente
se puede obtener el valor de la temperatura. Existen varias clases de este tipo de termmetros:
Clase
Clase
Clase
C1a~e

1: Termmetro~ actuados por lquido.

[1: Termmetros actuados por vapor.
1fI: Termmetros actuado~ por gas.
[V: Termmetros actuado~ por mercurio.

de un ope-

Los pirmetros de radiacin parcial automticos disponen del

mecanismo
necesario que modifica la intensidad a travs del
filamento de la lmpara hasta conseguir que la radiacin de la
misma coincida en brillo con la de la imagen del objeto. En ese
momento, la intensidad de corriente por la lmpara ser funcin
de la temperatura del objeto sometido a medicin.

1.6. Transductores de velocidad

y desplazamiento
Como su nombre indica, los transductores de velocidad se
emplean para detectar la velocidad de un mvil. tanto lineal

ITP-PARANlNFO

como angular. Los transductores de desplazamiento se utilizan

para detectar la posicin de un objeto en un instante determinado, la distancia recorrida por el mismo o el giro a que ha sido
sometido en su caso.

Tacodnamo
Tacoakemador

Analgico

Angular
Transductores

Fotoelctricos
Inductivos
{ Etc.

Digital (Encoders)

de velocidad

Los transductores que aqu se tratarn se referirn nicamente a velocidad o desplazamiento de slidos, pues la medida de
velocidad de fluidos se realiza de forma diferente.

Taqumetro de hilo
Taqumetro electromagntico

Lineal

Atendiendo al tipo de movimiento del objeto sujeto a medida, una primera clasificacin se puede realizar en funcin de
ste:
Transductores de velocidad y desplazamiento lineal
Transductores de velocidad y desplazamiento angular
Aplicaciones de los primeros se encuentran en cilindros
neumticos o hidrulicos, prensas hidrulicas, etc., mientras que
los segundos se aplican en todo tipo de sistemas rotativos.
Conviene, por tanto, reCOrdar que para cada tipo de movimjento (lineal o angular), existen determinadas relaciones entre
desplazamiento (o ngulo girado), velocidad, aceleracin y
tiempo, pues dichas relaciones permitirn, en el transductor,
obtener una seal proporcional a la magnitud objeto de medida.
Las ms importantes se detallan en la tabla 1.7, donde:

x es desplazamiento lineal (m).

ves la velocidad lineal (mis).
a es la aceleracin lineal (mls2).
es desplazamiento angular (radin).
J es la velocidad angular (radin/s).
a es la aceleracin angular (radin/s2).

de

dt

dt

dv

doo
lX=--

dt

dt

Transduetores

de desplazamento

Potenciomtrieos
Inductivos
Sineromquinas
Capaeitivos

Inerementales
Digitales (Eneoders)

Absolutos

angular analgicos

00=--

8=--

Analgicos

1.6.1. Transdudores de velocidad

dx
V=--

En cuanto a los transductores de desplazamiento, los ms

importantes se indican en la tabla 1.9. En ocasiones, una misma
tecnologa se podr utilizar para obtener dispositivos sensibles al
desplazamiento lineal o angular.

Los tacogeneradores son aquellos transductores de velocidad angular analgicos cuyo principio de funcionamiento es
similar al de los generadores de energa elctrica.
Se basan, para su funcionamiento, en la ley de Faraday, la
cual establece que la fuerza electromotriz inducida en un circuito elctrico formado por un conductor cerrado (espira) es numricamente igual a la derivada respecto al tiempo, cambiada de
signo, del flujo magntico que lo atraviesa.

1.7.

E = ---

dP
dt

En muchas ocasiones, la velocidad angular se mide en revoluciones por minuto y no en radianes/segundo.

Segn el tipo de seal proporcionada por el transductor se
pueden clasificar en:
Analgicos (funcin continua).
Digitales (funcin discreta).

donde:

la fuerza electro motriz inducida.

es el flujo magntico.
t es el tiempo.

E es
([J

En el caso de un circuito plano con N espiras, la fuerza electromotriz inducida ser:

dP

E=-N--

Otro tipo de clasificacin se puede realizar en funcin del

principio fsico empleado por el transductor:
Potenciomtricos.
lnductivos.
Capacitivos.
pticos.
Etc.
Por otra parte, con determinados transductores se podrn realizar simultneamente la medida tanto de desplazamiento y posicin como de velocidad, teniendo en cuenta las relaciones
expresadas en la tabla 1.7.
Los transductores de velocidad ms relevantes se indican en
la tabla 1.8.

ITP-PARANINFO

dt

Si varias espiras formando un cuadro rectangular se encuentran en el interior de un campo magntico de tal forma que el
flujo que las atraviesa sea variable (bien por rotacin del cuadro
o del campo magntico), y siendo ex el ngulo formado por el
plano de la bobina con la normal al campo, el flujo que atraviesa el cuadro es de la fonna <1>
= A-B-cos ex, siendoA el rea limitada por l y B la induccin magntica (densidad de flujo
magntico ).
La derivada del flujo respecto al tiempo es, por tanto:
dP

--

dt

da.

-AB sena..-dt

La variacin de a respecto al tiempo es la velocidad angular

w. Si el cuadro tiene N espiras. la fuerza electromotriz
inducida
ser proporcional a la velocidad angular y ser de la forma:
N d<fJ

N'A

to al tiempo (dC/>/dl) ser nula y. por consiguiente.

intensidad de cOITiente.

no existir

ex

w'sell

dI
En funcin del tipo de seal suministrada
doro podrn ser:

por el tacogenera-

Dnamo tacomtrica o tacodnamo

cuando a su salida
una seal de corriente continua.
Alternador tacomtrico o tacoalternador cuando a su
salida proporciona una seal de corriente altellla.
proporciona

1.6.1.1. Dnamo tacomtrica (tacodnamo)

Est constituida

por:

Un inductor fijo denominado estator que genera, mediante electroimanes o imanes permanentes. un campo magntico con un nmero par de polos.
Un inducido giratorio o rotar constituido por cuadros de
espiras cuyos extremos estn conectados
a un colector.
En estas espiras se inducir una fuerza electromotriz
debida a las variaciones
del flujo magntico durante la
rotacin. El colector es solidario al inducido y en l se
produce la cone.xin elctrica con el circuito exterior:
est compuesto
por un nmero par de segmentos aislados elctrica mente entre s (delgas) sobre los cuales frotan dos escobillas
fabricadas con un material derivado
del carbn. El nmero de del gas ser el doble de la cantidad de cuadros de espiras existentes.

Figura 1.27. Tacodnamo de una sola espira en la posicin "b".

En el momento en el que la espira alcanza la posicin de la
figura 1.28, la variacin de flujo magntico volver a ser mxima. al igual que la intensidad de cOITiente. Esta intensidad
tendr. en la espira. el sentido contrario al que posea en la posicin inicial. La corriente por la carga tendr. sin embargo. la
misma polaridad ya que la posicin de las escobillas en las delgas del colector ha cambiado. realizando ste la funcin de rectiticador.

./
./

Considerando
una tacodnamo con una nica espira y dos
delgas en el colector (figura 1.26). su funcionamiento
ser el
siguiente:

./
./

Al girar el inducido, la espira corta el campo magntico producido por el inductor. Cuando se encuentre en la posicin indicada en la figura 1.26, la variacin de flujo magntico con respecto al tiempo (dC/>/dl) ser mxima y tambin lo ser la
intensidad de corriente inducida.
Inductor

+
Figura 1.28. Tacodnamo de una sola espira en la posicin "c".

/'
/'

/'
/'

Sentido
de rotacin

Espira
(Inducido)

En la tigura 1.29 se aprecia la forma de onda de la intensidad

de con'iente por el inducido y en la carga.

Escobilla
Corriente
inducido

Resistencia
de carga
. t

S
Colector

Inductor

Delga

Figura 1.26. Tacodnamo de una sola espira en la posicin "a".

Cuando. en su rotacin, la espira alcanza la posicin indicada en la figura 1.17. la variacin de flujo magntico con respec-

Corriente
carga

...t

Figura 1.29. Intensidad de corriente por el inducido y la carga.

ITP-PARANlNFO

En la prctica se obtiene una f.e.m. ms uniforme arrollando

un gran nmero de espiras sobre el inducido y poniendo en contacto cada espira con su propio par de segmentos de conmutacin (delgas). Las escobillas hacen contacto con cada espira
durante un tiempo muy corto que corresponde al instante en que
la f.e.m. se encuentra prxima a su valor mximo. As, si hubiera seis espiras en el inducido igualmente espaciadas sobre su circunferencia se produciran seis f.e.m. como se indica en las curvas de trazo fino de la figura 1.30. La diferencia de potencial en
los bomes de la tacodnamo est representada en trazo grueso.
V

1.6.1.2. Alternador tacomtrico

(tacoalternador)
Se trata de un dispositivo que genera a su salida una seal
alterna senoidal cuya frecuencia y amplitud son proporcionales
a la velocidad de rotacin de su ej~.
La variacin de flujo magntico a travs de las espiras se consigue, en este caso, mediante un imn giratorio.
Un alternador tacomtrico elemental (figura 1.31) est compuesto por:

salida

Un rotor constituido por imanes permanentes (elemento

inductor).

-o
Ql

Un estator o elemento inducido, formado por un bobinado

en el que se induce una f.e.m. senoidal cuya amplitud y
frecuencia son proporcionales a la velocidad de rotacin
del inductor.

>
V

espira

Figura 1.30. Tensin de salida de una tacodnamo.

La tensin de salida no es estrictamente continua, sino que
presenta una cierta ondulacin. Uno de los factores de calidad de
estos transductores es la ondulacin que se define de la forma:
Ondulacin

v
_1TI_a_x

-V
__

Eje sensor \

.
Vs

"_"_"

La tacodnamo debe ir acoplada con el eje que se encuentra

en rotacin y del que se desea medir la velocidad angular,JTIotivo por el que supone una ~arga adicional para el mismo. El rotor
de la dnamo tacomtrica debe tener muy poca inercia con el fin
de someter al eje al mnimo movimiento de torsin. Este es el
motivo por el que son utilizados cada vez menos, tendindose a
emplear detectores de velocidad digitales, los cuales resultan
ms precisos y econmicos.
Estas dnamos generan una f.e.m. cuya amplitud es proporcional a la velocidad angular y su polaridad indica el sentido de
giro.
V med =K'n
donde: Vmed es la tensin media generada a su salida.
K es la constante taquimtrica proporcionada por el
fabricante.
n es el nmero de revoluciones por minuto.
La constante taquimtrica puede variar por:
Nivel de intensidad alcanzada (reaccin de inducido).
Cuanto menor sea la intensidad generada, menor ser su
influencia sobre dicha constante. En cualquier caso la
tacodnamo atacar a un amplificador de alta impedancia
de entrada para que el efecto de la intensidad de corriente
sea despreciable .
Temperatura. Las caractersticas magnticas del elemento
varan con la temperatura, influyendo negativamente
sobre todo en las dnamos tacomtricas de imanes permanentes.
La seal de salida de la dnamo tacomtrica presenta una
variacin de frecuencia proporcional a la velocidad de giro y al
nmero de delgas del colector, por lo que ser necesario introducir un filtro R-C que elimine dicha variacin.

ITpPARANlNFO

u -

Carga

Estator
Rotar (Inductor)

Figura 131. Alternador tacomtrico elemental.

En la figura 1.32 se representan diferentes posiciones del
rotor con respecto al inducido y la forma de onda de la tensin
de salida.
Su principal ventaja consiste en no necesitar para su funcionamiento ni colector ni escobillas, lo cual le dota de mayor vida
media. El mayor inconveniente que posee es el no poder determinar el sentido de giro ya que en su salida se obtiene una seal
proporcional al valor absoluto de la velocidad de giro del rotor.
Los circuitos acondicionadores para este dispositivo convertirn la tensin de salida en una seal cuya frecuencia sea independiente de la amplitud, obtenindose una elevada inmunidad
al ruido y facilitando su transmisin a distancia, o una seal continua cuya amplitud vare en funcin de la velocidad de giro .

V.

Id)

(al

I'J

(CI

(bl

lalV

"'

lb)

Figura 1.32. Diferentes posiciones del rotor respecto al inducido y Vs'

Podr trabajar a velocidades relativamente pequeas puesto
que la informacin de la velocidad est en la frecuencia de la

~eal generada. resultando mayor su inmunidad

fcil la transmisin de la misma.

al ruido y ms

En los detectores por transparencia.

emisor y receptor se
montan enfrentados. interponindose
entre ambos los dientes u
orificios del disco acoplado al elemento mvil (figura 1.34).

1.6.2. Transduclores de velocidad

()

angular digilales

EMISOR

Son aqullos que generan a su salida una seal de tipo digital. Proporcionan.
por tanto. un nmero de impulsos por cada
vuelta del eje en rotacin. de tal fOnll<1 que cuanto mayor sea el
nmero de revoluciones a las que gira dicho eje. mayor ser la
frecuencia de dichos impulsos. Si se desease una seal analgica proporcional a la velocidad angular basta con utilizar un conversor frecuencia-tensin.

Reciben el nombre de codificadores

(encoders) incrementales y suclcn estar consLilUidos por un disco que gira solidario con
el eje de rotacin cuya velocidad se pretende medir.
En funcin de la tecnologa empleada en la deteccin de pulsos. el di~co utilizado e~tar dentado o poseer una pista situada
en el permetro exterior dispuesta con zonas opacas y transparente~ a la magnitud f~ica base de la deteccin.
La~ diferentes
estos dispositivos

tecnologa~
son:

empleadas

en la fabricacin

de

lll<lS

RECEPTOR

1"

Exi~te la posibilidad de poder detectar el ~entido de giro

introduciendo
un doble sistema emi~or-receptor.
situados, prximos y en la mi~ma circunferencia.
de forma que uno de ello~
se activar ante~ que el otro. en funcin Jel ~entido de giro (figura 1.35).

~a

da B

/..
:
Eje sensor
AlimenlaClon

y los
Disco

Figura 1.35. Deteccin de sentido de giro.

Los transductores de velocidad indllcnvos se usan, principalmente. en aquellas aplicaciones donde la suciedad forme parte
del entorno de trabajo. En los de reluctancia variable el disco
dentado. de material ferromagntico,
se encuentra en el interior
de un campo magntico.
provocndose
perturbaciones
del
mismo en funcin de si ste ha de atravesar o no la hendidura
del disco.
En cualquier ca~o. se trata de dispositivos robustos. simples.
inmunes a ruidos y cuya seal de salida resulta fcil en su conversin y tratamiento.

MOTOR

EMISOR
+ Vcc

La anchura de la~ franjas o de la~ ranuras, as como su separacin deben estar en relacin con la rapidez de respuesta del
fototransistor,
debindose
obtener impulsos claros en todo el
rango de velocidades a detectar.

Atimenlacion

',..1/
/

Figura 1.34. Deteccin por transparencia.

A6~pCT~~R ~a ,da

Los transductores
fotoelctricos constan. fundamentalmente,
de un emi~or de luz (cliodo led) y de un receptor (fototransistor),
pudiendo actuar por reflexin o por transparencia. En los primeros, el cmisor y receptor estn montados en un mismo frente,
uno al lado del otro y el haz de luz incidente se reflejar o ser
absorbido por las franjas alternas (en dos colores muy contrastados: blanco y negro) dispuestas sobre la superficie mvil (figura 1.33).

--.--

EJE

Alimentacin:

indllctivoS.

()

DISCO

A6~~T~~R

son los transductoresjotoelctricos

empleados

MOTOR

A6:~T~~R:Sa ida A

Inductiva por reluctancia variable.

Inductiva por corrientes de Foucault.
Por efecto Hall.
Capacitiva.
Magnetorresisti va.
Fotoclctrica.
Lo~

RECEPTOR

o o GND

1.6.3. Transduclores de

velocidad lineal

OUT

Figura 1.33. Transduclor fotoelctrico de velocidad angular por reflexin.

Al incidir el ha/. de luz emitido sobre las franjas marcadas
radialmentc
en el disco. se reflejar en las blancas y har que
el fototransistor
se sature. Por el contrario, cuando el haz incida sobre las franjas oscuras, no existir reflexin y el fototransistor
pennanecer
cortado. Se obtiene as un tren de
impulsos.

La medida de la velocidad del despl' zamiento rectilneo es el

objeto de este tipo de transductores.
El nmero de ellos existente es muy limitado. ya que en la medida de la velocidad lineal se
suelen utilizar transductores
de velociJad angular previa conversin del movimiento lineal en angular.
Entre los diferentes tipos de transductores empleados
medida de velocidad lineal se encuentran los taqumetros
y los electromagnticos.

para la
de hilo

ITP-PARANINFO

1.6.3.1. Taqumetro de hilo

El mvil cuya velocidad se pretende medir se une al extremo
de un hilo, el cual est bobinado a un eje giratorio. Solidario con
el eje se encuentra un transductor de velocidad angular el cual
medir una velocidad de rotacin proporcional a la velocidad de
desplazamiento lineal del mvil. Se realiza en ellos, por tanto,
una conversin de desplazamiento lineal en angular.
La precisin global de este tipo de transductores es del orden
del 0,25% y la carrera del objeto puede ser de hasta 12 metros.
El hilo ha de ser capaz, en cada caso, de soportar la fuerza de
traccin a la que se le somete.

1.6.3.2. Taqumetro lineal electromagntico

Estn compuestos por un imn pennanente y de una bobina.
Cuando uno de los dos se desplaza con respecto al otro se provoca una variacin de flujo magntico a travs de la bobina que
inducir en ella una fuerza electromotriz proporcional a la velocidad de desplazamiento (figura 1.36).
Devanado

IMN
PERMANENTE

El movimiento del cursor depender del desplazamiento del

objeto sujeto a medida ya que estar unido mecnicamente al
mencionado objeto (figura 1.37).
Magnitud
fisica que
mueve el
cursor

v7

Jt

71

CURSOR
/ 7 77

METAL
7 7
7

:]erminales
para medir
77/
resistencia

Figura 1.37. Transductor potenciomtrico.

El valor hmico de la resistencia existente entre cualquiera de

los extremos del potencimetro y el cursor depender, adems
de la constitucin interna del dispositivo, de la posicin de dicho
cursor y, por tanto, del desplazamiento o posicin del objeto
bajo prueba.
Las principales tcnicas de fabricacin de estos elementos
son tres:
Potencimetros bobinados: La resistencia se obtiene
mediante un hilo metlico bobinado sobre un soporte aislante (figura 1.38). Se caracterizan por poseer una mala
resolucin, ya que la variacin de resistencia no es continua (el cursor salta de espira en espira). Suelen ser elementos de difcil elaboracin y alto coste.

--c=J--

Vstago de
unin al
objeto en
movimiento

F~

B
o

SALlD~-!

Figura 1.36. Taqumetro lineal electromagntico.

Existirn, por tanto, dos tipos de taqumetros lineales electromagnticos:

Eje sensor
(cursor)

De imn mvil en el que el objeto sujeto a medida se acopla mecnicamente al imn permanente .
De bobina mvil en el que el objeto se acopla mecnicamente a la bobina.
Figura 1.38. Transductor potenciomtrico bobinado.

Son, por tanto, transductores de tipo activo, por lo que no

necesitan para su funcionamiento de ningn tipo de excitacin.
La seal de salida indicar, asimismo, el sentido del desplazamiento y la mxima velocidad estar determinada por la mxima f.e.m. inducida que soporte el bobinado, pudiendo llegar a
25 mis.

Potencimetros CERMET: Estn constituidos (figura

1.39) por un sustrato aislante sobre el que se deposita, por
procedimientos electroqumicos, una capa de xido metlico. Poseen mejor resolucin que los bobinados pero no
son tan robustos.

La linealidad de estos dispositivos suele ser del orden del 1%

Yel recorrido mximo est limitado aproximadamente a 60 cm.
Pista de baja resistencia
i

1.6.4. Transdudores de
desplazamiento analgicos
1.6.4.1. Transdudores potenciomtricos
Se emplean para la deteccin de desplazamiento (o posicin),
tanto lineal como angular, siendo, en cada caso, diferente la geometra del dispositivo.
Estn constituidos por una resistencia fija sobre la cual se
desplaza (lineal o angularmente) un contacto elctrico o cursor.

ITP-PARANINFO

Pista de alta
resistencia entre
AyB

Figura 1.39. Transductor potencio mtrico CERMET.

Potellcimetros

MAGNETO-RESISTENTES:
Utilizan
como sensor una magnetolTesistencia
y como elemento
mvil un imn (figura I AO). Tienen la ventaja de no existir contactos metlicos ni roces. Como inconveniente cabe
destacar su dependencia de la temperatura. La magnetorresistencia vara su valor hmico de unos 100 Q cuando la
induccin es nula a I ,5K Q cuando la induccin es de unos
6.000 Gauss.
o

angulares

existen

dos tipos dife-

Circulares con un rango de medida inferior a 360 o (figura IA2)

Multivuelta o helicoidales cuyo rango de medida es un
mltiplo

de 360

o.

Salida

MAGNETORRESISTENCIA

..

Entre los potencimetros

rentes:

1---

S
Imn

Figura 1.40. Potencimetro magneto-resistente.

La mxima velocidad de desplazamiento
del cursar est fijada por el fabricante, con el fin de asegurar el adecuado contacto
elctrico entre cursar y elemento resistivo.
Exceptuando
los potencimetros
basados en magnetorresistencia, uno de sus inconvenientes
consiste en el inevitable desgaste mec<1nico que se produce por el rozamiento entre el cursor
y la supedicie sobre la que se desplaza, el cual inOuye directamente en la vida media del potencimetro.

Rn
Figura 1.42. Potencimetro angular.
Si se considera ahora el potencimetro
de la figura IA2. la
resistencia entre el cursar y cada uno de los extremos del potencimetro ser de la forma:

RCII

Como ya se ha puesto de manifiesto anteriormente,

en funcin de su geometra se emplearn para la medida de desplazamientos lineales o angulares.
En la medida de desplazamientos
da no suele superar los 10 cm.

lineales, su rango de medi-

Considerando
el potencimetro
de la figura IAI, la resistencia entre el cursar y cada uno de los extremos del potencimetro ser de la forma:

R
-e
"
L

donde:

R ~-"'(L
CIJ
L

e)

RCA y RCB son las resistencias entre cursar y cada uno

de los extremos del potencimetro.
R" es su resistencia nominal.
L es la longitud del elemento.
e es la distancia entre cursar y extremo A.
B

I~
R

CA

R(fl

qJ"

Re\

R
donde:

"

RCA y RCB son las resistencia~ entre cursar y cada uno

de los extremos del potencimetro.
R" es su resistencia nominal.
qJ" es la carrera del cursar.
qJc es el ngulo girado por el eje del potencimetro.

Se han considerado
elementos con una variacin lineal de
resistencia en funcin de la posicin del cursar, pero es necesario indicar que existen potencimetros
cuya variacin no es
lineal (logartmica, exponencial, seno. coseno. etc.).

1.6.4.2. Transdudores indudivos

Basan su funcionamiento
en el hec o de que en todo conductor que se encuentra en el interior de un campo magntico
variable se induce una fuerza electromotliz,
tal y como enunci
Faraday.

!
Los transductores
de dos tipos:

CB

O C

~
,

R"

Rn

,,

Figura 1.41. Potencimetro lineal.

de desplazamient

inductivos

pueden

ser

De inductancia variable.
Transformadores diferenciales (LVDT).

1.6.4.2.1. Transdudores de indudancia variable

Utilizan para su funcionamiento
la variacin de reluctancia
que se produce en un circuito magntico cuando su ncleo ferro-

ITP-PARANlNFO

magntico se desplaza, por estar unido mecnicamente al objeto del que se desea conocer su desplazamiento (figura 1.43).

Son transductores de desplazamiento angular de aspecto

similar al de los motores. Se caracterizan por su robustez y precisin, siendo su campo de aplicacin el de las mquinas de control numrico, robtica y numerosos sistemas en los que resulta
necesario el control de posicin.

Bobina
0000000\0000

6X

100000000001

1.6.4.3. Sincro-mquinas

Ncleo ferromagntico

Figura 1.43. Transductor de inductancia variable.

Pueden ser de entrehierro variable o de ncleo mvil y estar

compuestos por una bobina o por dos en oposicin.

1.6.4.2.2. Transformador diterencial (LVDT)

Est constituido por una cpsula cilndrica en la que se han
realizado tres bobinados idnticos, distribuidos geomtricamente tal y como muestra la figura 1.44. Por su interior se puede desplazar un ncleo de material ferromagntico que, mediante el
adecuado acoplamiento mecnico ir unido al objeto mvil cuyo
desplazamiento se trata de detectar.
Bobirwdos

secundario

Bsicamente se tratan de transformadores con acoplamiento

variable, en los que uno o varios de los devanados pueden desplazarse respecto a los dems. Variando el acoplamiento entre
primarios y secundarios, es decir, la inductancia mutua entre
ellos, variar tambin la tensin alterna inducida en los devanados si uno o ms de los primarios se excitan con corriente alterna. Poseen, por tanto, dos circuitos magnticos, uno en el estator y otro en el rotar.
Su momento de inercia es pequeo, siendo relativamente baja
la carga mecnica que se realiza sobre el eje de giro. Son poco
sensibles a la temperatura, humedad, choques y vibraciones,
pudiendo trabajar en ambientes polvorientos.
La necesidad de escobillas en la conexin elctrica del rotar
es el principal inconveniente que presentan.
Entre las diferentes configuraciones de las sincro-mquinas
se encuentran el SINCRO y el RESOLVER.

Material no
ferro magntico

1.6.4.3.1. Transformadores sncronos lrifsicos (sincros)

Se trata de un transformador variable. Consta de un estator
cilndrico de material ferro magntico, con tres bobinados dispuestos a 120 o conectados en estrella, y un rotar, tambin de
material ferro magntico, con uno, dos o tres bobinados.

Ncleo
ferromagntico

Bobinado

primario

VS1

"O

VS

VS2

Al aplicar una tensin alterna en el rotar (50, 60, 400 o

2.600 Hz), el estator realiza la funcin de secundario. Las tensiones inducidas en los devanados del estator sern de la
misma frecuencia que la de referencia que alimenta al primario y sus amplitudes dependern de la posicin relativa entre
rotar y el correspondiente bobinado del estator (ngulo formado entre primario y secundario).
Su rango de medida es de 360 o y su precisin, segn modelos, vara entre cinco y treinta minutos .
En la figura 1.45 se observa la representacin esquemtica de
un transformador sncrono y su notacin asociada.

i 52

Figura 1.44. Transformador diferencial (LVDT).

a
\~

/')'
\

Si se alimenta el primario con una corriente alterna, se crea

un campo magntico variable. A medida que el ncleo se desplaza entre los devanados, la amplitud de la corriente alterna
inducida en los secundarios variar en funcin de la posicin de
dicha pieza. La variacin en las tensiones de los secundarios,
una vez conectados en serie oposicin, servir para cuantificar
la magnitud fsica causante de la variacin, as como la direccin del desplazamiento en funcin de la fase de la seal resultante (O o 180 O).
Mediante estos dispositivos se pueden detectar desplazamientos desde 10-7 m hasta 2 cm con gran precisin (0,05 %).
Para mayores recorridos deben construirse especialmente.
Sus aplicaciones ms usuales estn en palpadores, bancos de
ensayos, medidores de espesor, etc.

ITP-PARANINFO

/./

R1

o'

,,

:
:

,
,

./

53

'o

51

R2

o'

Figura 1.45. Representacin esquemtica de un transformador sncrono.

1.6.4.3.2. Resolvers O resolucionarios

Son otro tipo de transformadores variables similares a los sincros, cuyos devanados estn dispuestos formando un ngulo de
90 o en el estator y en el rotar.

Po~een una preci~i<n, segn modelos, entre I y 20 minutos.

Sus aplicacioncs. adems de la mcdida de ngulos, son la transll1i~i<ll.recepcin y convcr~in de datos angulares.
En la figura 1.-+6 ~e repre~enta un rcsolver elctrico en el quc
hay do~ devanados en el rotar y dos en el estator, pero puede que
uno de 1m cuatros no se utilice (se deja en circuito abier10 o cortocircuito a cOIl"eniencia).

donde:

e es

la capacidad del condensador.

la capacidad especfica de induccin.
l es la longitud del condensador.
r es el radio de la armadura exterior.
r] es el radio de la <u'madura interior.

e es

rl
S2

S4
rl

R2

Sl

R4

Rl

R3

Figura 1.46. Representacin esquemtica de un resolver elctrico.

1.6.4.4. Capacitivos
Figura 1.48. Condensador cilndrico.
Basan su funcionamiento
en la variacin de la capacidad de
un condensador al actuar sobre l la magnitud fsica que se desea
medir.
Se emplean para medir pequeos desplazamientos,
tambin se pueden usar para cuantificar fuerzas.

aunque

La capacidad de un condensador
depende, nicamente del
dielctrico y de su geometra. En el caso de un condensador
plano (figura 1.-1-7). su capacidad viene expresada de la forma:

K;-

"d

<

donde:

e es

S
;.d

la capacidad

del condensador.
dielctrico.
S, es la capacidad especfica de induccin en el vaco.
e es la capacidad especfica de induccin.
S es la superficie de una de las armaduras.
d es la distancia de separacin de armaduras.

Ke es el coeficiente

Va

Vb

+0

21t;

__

1r

Inr2

Se utilizan pru'a la medida de desplazamientos,

tanto lineales
como angulares. Reciben el nombre de codificadores (lineales o
angulares), encoders (angulares) o reglas (lineales).
Las diferentes
estos dispositivos

tecnologas
son:

empleadas

Inductiva

por reluctancia

variable.

Inductiva

por cOITientes de Foucalllt.

Magnetorresisti

en la fabricacin

de

va.

Fotoelctrica.
Los ms empleados
son los transductores
fotoelctricos
(pticos), seguidos de los illductivos, motivo por el que se desa-

lJ
(figura

Como ya se mencion anteriormente.

son aqullos que generan a su salida una seal de tipo digital. Proporcionan,
por tanto,
un nmero de impulsos por cada vuelta del eje en rotacin o
cada unidad de desplazamiento
lineal.

Capacitiva.

rrollarn en profundidad

Figura 1.47. Condensador plano.

Para Ull condensador

cilndrico
viene dada por la expresin:

desplazamiento digitales

Por efecto Hall.

1.6.5. Transductores de

1.48), su capacidad

los primeros.

Los transductores
fotoelctricos constan, fundamentalmente.
de un emisor de luz (diodo led) y de un receptor (fototransistor).
pudiendo actuar por reflexin o por transparencia. En los primeros, el emisor y receptor estn montados en un mismo frente,
uno al lado del otro y el haz de luz incidente se reflejru' o ser
absorbido por las franjas alternas (en dos colores muy contrastados: blanco y negro) dispuestas sobre la superficie mvil.
Al incidir el haz de luz emitido sobre las franjas, se reflejar
en las blancas y hru' que el fototransistor se sature, Por el conU'ario, cuando el haz incida sobre las franjas oscuras, no existir

/TP-PARANINFO

reflexin y el fototransistor permanecer cortado. Se obtiene as

un tren de impulsos.

Fototransistor

En los detectores por transparencia, emisor y receptor se

montan enfrentados, interponindose entre ambos los dientes
u orificios del disco acopladq al elemento mvil.
Alimentacin

La anchura de las franjas o de las ranuras, as como su

separacin deben estar en relacin con la rapidez de respuesta del fototransistor, debindose obtener impulsos claros en
todo el rango de velocidades a detectar.

:.--

Alimentacin

-- --=t--

Eje sensor

"l

"

',

DISCO

Dentro de los codificadores existen dos tipos:

Incrementales,
que proporcionan informacin de la
posicin actual referida a otra posicin. Aunque pueden
medir desplazamientos, se utilizan principalmente para
la medida de velocidades.

Salida

Proporcionan informacin del desplazamiento referido a

situaciones anteriores. Se denominan encoders en el caso de
desplazamientos angulares o reglas si el desplazamiento es
lineal.

JllJJlJlJlJUl[ljJJl.
n ~

P"'O

S.I;d.

1 "eI1,

U1

paso

Absolutos, que proporcjonan informacin sobre la posicin exacta.

1.6.5.1. Codificadores incrementa/es

Figura 1.50. Encoder incremental con salida ndice.

Para la medida de velocidad y desplazamiento angulares, con
deteccin del sentido de giro, se introduce un doble sistema emisor-receptor, situados, prximos y en la misma circunferencia,
de forma que uno de ellos se activar antes que el otro, en funcin del sentido de giro (figura 1.51).

~:'1'1 /,,/

El dispositivo ms simple posee nicamente un par emisorreceptor, proporcionando solamente informacin del desplazamiento y no de su sentido.

/"

..

.)/

..
""
__.. _. _f~>~_)'"

====::::/::

. .. _;>--~

AhmentaClon.

//

":

_Salida

aRrollO ~ndice

ADAPTADOR

"

/
.~_

.J',/. ~~y

Salida

~
-41

ADAPTAOOfI

0t1

,~,;,!Jl!Yj:K

=--- __

ORCUITO

~--l

-- e

~",

Alimentacin
Alimentacin

En la figura 1.49 se puede observar la constitucin de un

codificador incremental angular y otro lineal, as como la
seal proporcionada por ambos.

A~~;T~~R

~.-;:::.~

/~

E'

Jese!,~o~.

"

O;sco

____-1....

Figura 1.51. Encoder incremental con deteccin de sentido de giro.

Salida

En el caso de medida de velocidad y desplazamiento lineales

se emplea un sistema similar, tal y como se puede observar en la
regla de la figura 1.52, en la que se ha empleado e] sistema de
reflexin.

Entrada

ENCODER

Salida

Salida

INCREMENTAL

~-=~I'Z

Regleta

Cursor

INCREMENTAL

Figura 1.49. Codificadores incrementales (encoder y regla).

En el caso de los encoders incrementales, se puede intro-'

ducir un sistema capaz de determinar la posicin inicial del
disco. Basta para ello introducir un nuevo par emisor-receptor
que se active nicamente en uno de los segmentos del disco.
A la seal proporcionada por este sistema se la denomina salida ndice (figura 1.50).

ITP-PARANlNFO

Receptor

h~1
REGLA

Emisor

Emisor

<

Figura 1.52. Deteccin de sentido de desplazamiento lineal.

La resolucin de estos codificadores depender del ngulo de
cada segmento en el caso de los angulares y de la anchura de
cada uno de ellos en el caso de los lineales.

El circuito acondicionador
estar formado, principalmente.
por un contador digital encargado de almacenar el nmero de
impulsos producido por el codificador. En la tigura 1.53 se ha
empleado un encoder incremental de 16 impulsos/vuelta
y un
contador con 32 estados, por lo que transcurrida
la segunda
vuelta se repetirn los estados del contador.

ENCODER

Entrada
eontaJe

Salida

INCREMENTAl
(16Imp ..'vuellal

Salida'
eowd" c50

.'

"

CONTADOR
BINARIO

."

>.,

.....

_,

50
51
52
53

54

."

"

;<

paralelo. una combinacin

binaria de un determinado
cdigo
que corresponde a la posicin del sistema. independientemente
de las condiciones iniciales.
Con el fin de obtener el cdigo de Il bits. se utilizan Il pares
de emisores-receptores.
En el caso de los angulares (tigura
1.56), el disco estar constituido por 2/l segmentos y n pistas
concntricas. Si se trata de codificadores
lineales, la regla estar
dividida en Il pistas. ) dentro de cada una de ellas existirn las
zonas necesarias, opacas o transparente,
(de reflexin o no) para
contigurar el cdigo empleado (figura 1.57).

._,

lfU~-'":- iL ~J"
:J, "JSJlJUlflIlJ1.flJiLLrS JSU1!L~ _~1'lJL
.~J.,~l_L
L

Folodlodos

Fototransistores
o

5'

Alimentacin

52

L
1 ____

53
54

: CirCUito
: adaptador

o
L1

[
2' "uelta

Eje
sensor

Figura 1.53. Circuito acondicionador de encoder incremental.

Si se desea duplicar la resolucin del sistema ser necesario
incluir un circuito capaz de proporcionar
un impulso por cada
flanco (subida o bajada) proporcionado
por el codificador. En la
figura 1.54 se muestran las modificaciones
a realizar en el circuito de la figura 1.53. as como las formas de onda ms representativas.

Pistas

C
B

I ENCODER
I INCREMENTAL

Salida

.f'-.....--~=.
JU
l/""
R
B

(16 imp./vueltai

CONTADOR

Entrada

contaJe

BINARIO

50

51

52

53

54

VA

-'L-I-.~~ ~I

---1

-t

Jl Ul fl!1F

-t

01234567023

Figura 1.56. Encoder absoluto en binario natural.

Emisor

Regleta codificada

22.5"

Salida
encoder

Receptor

LJJLJ' JLJLJLJl

rLn

LJLLJLrL~_

VB(\J\.j~_
Entrada
contaje

~~~~~~~~~~~~~~~~

~_.

11.25

Figura 1.54. Circuito para duplicar la resolucin del sistema.

Deteccin por reflexin

Si el codificador posibilita la deteccin de sentido de desplazamiento, el acondicionamiento

ser de la forma que se indica
en la figura 1.55.
Entrada

ENCODER
:REMENT~

--------,IDOWN

L:

descendente

CIRCUITO DE DETECCiN
DE SENTIDO D~ GIRO Y

DETECCION

E,Ic,d,

UP

ascendente

DE FLANCOS

CONTADO~
DESCONTADOR
DIGITAL

: ~~

La resolucin (menor desplazamiento

que se puede detectar),
en el caso de los angulares, depender del nmero de pistas (1/),
de la forma:
Resolucin

o Sn.1
o $n

Figura 1.57. Codificador lineal absoluto.

Figura 1.55. Acondicionador de encoder con deteccin de sentido de giro.

2"
Si se trata de un codificador
lineal, su resolucin
depender, asimismo, del nmero de pistas (u) y de la longitud de
la regla (L):

"
L
R eso 1lIcton--

1.6.5.2. Codificadores absolutos

Proporcionan,
tal y como
exacta del elemento mvi 1.

se ha mencionado,

')"

la posicin

Si en el codificador incrementai es necesario un sistema de

contaje externo de los impulsos y la bsqueda de la posicin inicial (ndice), el coditicador absoluto suministra directamente, en

Para obtener una mayor resolucin, ser necesaJio aumentar

el nmero de pistas y, por tanto, el nmero de pares emisorreceptor (el nmero de bits del cdigo), aumentando la complejidad del codificador.
Con el tin de evitaJ' indeterminaciones.
binaJios cOlltinuos y cclicos.

se utilizan

cdigos

/TP-PARANINFO

Un cdigo es continuo si las combinaciones correspondientes a nmeros decimales (base diez) consecutivos son
adyacentes.
Se denominan combinaciones binarias adyacentes aqullas
que difieren nicamente en un bit.

o
\

Regleta codificada

Un cdigo continuo en el que la ltima combinacin es adyacente con la primera se denomina cclico.
El cdigo ms utilizado en codificacores absolutos es el
Gray, tambin denominado reflejado ya que la formacin del
cdigo de n bits se realiza a partir del de n-l, repitiendo simtricamente las combinaciones de ste y aadiendo por la izquierda un nuevo bit O para las 2n-1 primeras combinaciones y un 1
para las 2n-/ siguientes.
En la tabla 1.10 se representa la formacin de los cdigos
Gray de 2,3 y cuatro bits.

0000
0001
0011
0010
01 10
01.11
O 10 1
0100
1 100
1 1 01
1111
1 1 1O

1010

en cdigo

GRAY

Figura 1.59. Encoder absoluto lineal en cdigo Gray.

Puesto que el cdigo Gray resulta ms difcil de utilizar que

el binario natural, normalmente, se realizar la conversin a ste
ultimo cdigo, siendo sta relativamente simple (figura 1.60).
Gn-1

0----

Gn-2

0-

)~-

G1

)D

GO

o_~)~BO

o Bn-1
OBn-2

oB1

Figura 1.60. Convertidor Gray Binario.

1.7. Transdudores de fuerza

o deformacin
--

-------

-- ---

1O1 1

100 1
1000

l:

1.10.

La figura 1.58 muestra un encoder absoluto con codificacin

en cdigo Gray.

1.7.1. Resistivos. Galgas

extensomtricas
Su funcionamiento se fundamenta en la variacin de resistencia que experimenta un conductor al deformarse. No poseen,
por tanto, elementos o piezas mviles.
En el caso de un conductor con resistividad y seccin constantes, su valor hmico se puede expresar de la forma:
L
R=p'A

donde:

p es la resistividad del material.

L es la longitud del elemento.

A es rea transversal del elemento.
R es la resistencia del elemento diferencial de conductor al paso de la corriente elctrica en la misma
direccin en la que se ha medido la longitud L.

Figura 1.58. Encoder absoluto en cdigo Gray.

Si se tratase de un codificador lineal, sera similar al de la

figura 1.59.

ITP-PARANlNFO

Se observa que la resistencia de un conductor depender,

adems del tipo de material con el que est fabricado, de sus
caractersticas geomtricas. Si se produce una deformacin del
conductor (variacin de sus dimensiones), implicar una variacin en su valor hmico, por lo que se puede evaluar la magnitud fsica que ha actuado sobre l, que ser proporcional a la
deformacin.
Considerando una lmina conductora sometida a traccin, su
longitud se incrementar, mientras que su seccin transversal

disminuir, aumentando el valor de su resistencia (figura 1.61).

Asimismo, se modificar la distancia interatmica en el caso de
los metales o la concentracin de portadores de carga en los
semiconductores. factores que repercutirn en la resistividad del
material.

La variacin relativa del rea transversal del elemento ser,

por tanto, de la forma:
elA
A

Trasladndola a la expresin de la variacin relativa de resistencia:

dR
R

L+L

La relacin entre la variacin de dimensin y su valor original. denominada deformacin lineal, se representa por E y es:
dL
C

--

La razn entre el esfuerzo (F/A) y la deformacin lineal se

denomina mdulo de elnsticidad o mdulo de Young (E), siendo su valor una caracterstica propia del matelial empleado.
F

Mdulo de elasticidad (E)

Esfuerzo
Deformacin lineal

dL
L

Puesto que el volumen. dentro de ciertos lmites. permanece

constante. el alargamiento en el sentido del esfuerzo se ve acompaado de una reduccin de la seccin transversal. La deformacin transversal est relacionada con la defonnacin longitudinal por un factor de proporcionalidad denominado mdulo
de Poisson (J.l) cuyo valor. asimismo. es especfico del material
empleado.
dw

d L

La variacin de resistencia ser de la forma:

(' R

-'dp,
cip

(J

aR

-dL+
('L

-elA
JA

-'dp ,-dL
A
A

dR
dp
--.-,p

dL

dA

Suponiendo que la seccin del material al que se le aplica el

esfuerzo, inicialmente, posee una anchura x y un espesor y:

Cuando el incremento tiende a cero. es decir, se trata de un

diICrcncial:
dA-

(1
p

Las galgas extensomtricas se basan en este fenmeno fsico. Generalmente son de tipo pelcula (figura 1.62) y constan de
una fina capa metal izada de una aleaccin conductora, depositada sobre una lmina de material plstico aislante, de forma que
sta se pueda adaptar fcilmente a una superficie. El material
conductor sufrir las deformaciones que afecten a la mencionada superficie, siendo posible medir esfuerzos a partir de la variacin de resistencia.
La galga ha de estar, por tanto, fijada al elemento sometido a
esfuerzo. Es por ello preciso seleccionar adecuadamente el
adhesivo a utilizar para cada aplicacin, ya que una seleccin
inadecuada puede dar lugar a medidas errneas.

r-

I
I
I

::~
-
I

::J

2'lJ"c'x'v

Figura 1.62. Galga extensomtrica.

La sensibilidad de la galga se especifica mediante el denominado factor de galga el cual se define como la razn entre la
variacin relativa de resistencia y la deformacin.

p'A

--'dA
A~

En cuanto a la variacin relativa de resistencia. ser de la

forma:
R

!!...E.... dL'2'f.l.dL

fl'-

w
L
donde w es cualquiera de las dos dimensiones de la seccin
transversal.

dR

dA
A

Se observa que uno de los dos sumandos depende de la deformacin fsica del material. En cuanto al otro sumando (dp/p). se
trata del coeficiente piezorresistivo del material, el cual, generalmente, es despreciable. En determinados substratos cristalinos, sin embargo, es el trmino dominante.

Figura 1.61. Lmina conductora sometida a traccin.

dL
1,

!!..!i ~

l-l

!!...E...

Factor de galga

(K)

elR

dR

d!
I

Las variaciones de temperatura se han de tener muy en cuenta a la hora del empleo de galgas extensomtricas, ya que por
esta causa es posible obtener medidas incorrectas. La resistencia
de un material conductor sufre moditicaciones al ser deformado,
pero tambien variar si lo hace la temperatura del medio en el
que se encuentre. Ser necesario, p r tanto, emplear galgas
fabricadas con aleacciones quc compensen este efecto no deseado dentro del margen de temperaturas de trabajo.
En cuanto a la detcccin de las variaciones de resistencia. se
realiza normalmente mediante un puente de Wheatstone, siendo la galga una de sus ramas, obtenindose de esta forma una
tensin proporcional a la variacin de resistencia en la galga y.
por tanto, a la deformacin y el esfuerzo.

ITP-PARANINFO

Atendiendo al tipo de material empleado en su construccin,

las galgas pueden ser:
Galgas metlicas.
Galgas semiconductoras.
Con una nica galga, ser necesario alinearla en la direccin
precisa para que las isostticas de la estructura sometidas a
esfuerzos pasasen a travs de la parte activa de la galga. Por esta
razn se recurre al montaje de varias de ellas en el mismo dispositivo, obtenindose as las galgas multiaxiales.

1.7.1.1.

1.7.1.3.

Galgas multiaxia/es

Tal y como se ha puesto de manifiesto anteriormente, para

que las isostticas de la estructura bajo prueba pasen a travs de
la parte activa de la galga y puesto que no siempre se dispone de
informacin para alinearla en la direccin adecuada, se recurren
a montajes de dos o ms elementos en un mismo dispositivo,
formando entre s ngulos de 45, 60, 90 o 120 0. Estos conjuntos de galgas reciben el nombre de rosetas y sirven para medir
deformaciones en dos o ms direcciones. En la figura 1.63 se
observa una roseta de dos elementos a 90 0.

Galgas metlicas

El material conductor es metlico de seccin circular y est

soportado por una fina lmina de material aislante.
El hilo conductor puede fabricarse mediante Constantan,
aleaccin de cobre y nquel al 55 % Y 45 %, respectivamente.
Su factor de galga vale K=2 y posee bajos niveles de deriva trmica, lo que le hace idneo en aplicaciones de medida estticas.
Otro tipo de material empleado en la construccin de estos
dispositivos es el Nicrom, aleaccin de nquel (80 %) Y cromo
(20 %), el cual ofrece un mayor margen de compensacin de
temperatura.
Figura 1.63. Roseta de dos galgas a 90 0.
En cuanto al material aislante del soporte, en funcin del
margen de temperatura de trabajo, se suele realizar con nylon,
vinilo, polietileno o tefln.
Las galgas extensomtricas metlicas de trama pelicular son
las ms empleadas y constan de una pelcula metlica de 20 a 30
micras de grosor. Su proceso de fabricacin es similar al de los
circuitos impresos y permiten realizar medidas especiales, por
ejemplo la medida directa de esfuerzos radiales y tangenciales.
Poseen las siguientes ventajas frente a las de filamento:

Optimizacin en el diseo de la galga.

Reduccin de dimensiones.
Mayor superficie de evacuacin trmica.
Reduccin de la separacin entre elemento sensor y galga.

En general, las galgas metlicas poseen una resistencia elctrica entre 100 y 5.000 n y su factor de galga est comprendido
entre K=2 para las aleacciones descritas y K=4 para la aleaccin
platino-tungsteno.

1.7.1.2.

Galgas semiconducloras

Al igual que las anteriores, estn formadas por una lmina de

material aislante encargado de soportar al elemento transductor,
que en este caso se trata de un semiconductor (cristal de silicio
convenientemente dopado).
Su funcionamiento se basa en el efecto piezorresistivo anteriormente descrito (variacin de la resistividad del material en
funcin de las deformaciones). Sus caractersticas dependen,
principalmente, del nivel de cjopado de la red cristalina, de tal
forma que cuando ste aumenta se reduce, tanto el factor de
galga como la sensibilidad trmica, y aumenta la linealidad de
su respuesta.
Son de tamao reducido, fcil instalacin, alta sensibilidad
(50 o 60 veces mayor que la de las galgas metlicas) y elevada
resistencia a la fatiga.

ITP-PARANINFO

1.7.2. Piezoelctricos
Su funcionamiento est basado en la propiedad que presentan determinados materiales cristalinos, tales como el
cuarzo, denominada piezoelectricidad. Esta propiedad consiste en la capacidad que posee el cristal de producir carga elctrica bajo la accin de una fuerza aplicada en la direccin
correcta. Cuando la estructura cristalina se deforma por la
accin de la fuerza que acta sobre ella se produce la polarizacin de las caras sobre las que se ejerce el esfuerzo, quedando cada una de ellas con una carga elctrica de distinto
signo. Esta deformacin que provoca la asimetra en la distribucin de cargas en la red cristalina, provoca una diferencia
de potencial susceptible de medida si se colocan dos placas
conductoras en las zonas polarizadas elctricamente. Estas
placas quedarn cargadas elctricamente de forma que la tensin elctrica existente entre ellas ser proporcional a la
deformacin sufrida por el material y, por tanto, a la fuerza
aplicada.
La sensibilidad de un cristal al efecto piezoelctrico depende de su geometra y de la direccin en la que se aplique el
esfuerzo.
Se utilizan principalmente en la medida de fuerzas y deformaciones. En la figura 1.64 se observa el esquema bsico de
una clula de carga construida mediante un material piezoelctrico.
La carga electrosttica acumulada y, como consecuencia, la
diferencia de potencial tienden a disminuir con el tiempo, por
lo que son adecuados para medidas de tipo dinmico. Si la
fuerza a medir no vara (esttica) o sus variaciones son lentas,
este mtodo de medida resulta inadecuado. En la figura 1.65
se representa la respuesta de un cristal piezoelctrico ante un
escaln.

1.8. Transductores de aceleracin

FUERZA

Segn las leyes de la dinmica. la aceleracin de un cuerpo

depende de la fuer;:a aplicada sobre l ) de la masa del mismo.
siempre que esta ltima sea constante.

/- =
donde:

TENSiN

1// . (/

F es la fuerza en newtons (N).

111 es la masa en Kg.
a es la aceleracin en m/s2.

Por otra parte el despla;:amiento

est relacionado con la velocidad por medio de su derivada. Asimismo la velocidad est
relacionada con la aceleracin por su derivada. La aceleracin
es, por tanto. la derivada segunda del desplazamielllo
con respecto al tiempo.

Figura 1.64. Clula de carga bsica mediante material piezoelctrico.

(/

-dI' )
dI
I \

(/

(Kg)

dI

Fuerza

De las anteriores relaciones se deduce que un transductor

aceleracin estar compuesto de:
(V)
Tensin

33

'-t

Figura 1.65. Respuesta de un cristal piezoelctrico ante un escaln.

1.7.3. Capacitivos
Tal y como se puso de manifiesto en el apartado correspondicntc a mcdida de desplazamientos,
basan su funcionamiento
en la variacin de la capacidad de un condensador
al actuar
sobre l la magnitud fsica que se desea medir.
La capacidad del condensador depende del dielctrico empleado y de su geometra. La modificacin de cualquiera de los dos
(o ambos) dar lugar a una variacin de la capacidad que depender de la causa que ha originado dicha variacin. En la figura
1.66 se muestra una clula de carga construida para la medida de
fuer;:as.

FUERZA

CAPACIDAD

Figura 1.66. Clula para medida de fuerzas por efecto capacitivo.

de

Una masa denominada lIlasa ssmica sometida a la acelcracin a medir. la cual. como consecuencia
de la inercia
que en ella se provoca por la variacin de velocidad.
produce una fueral o desplazamiento
relativos susceptibles
de medida.
Un elemento
transductor
de fuerza o desplazamicnto
encargado de generar la correspondiente
seal elctrica.
El dcsplazamiento
o el esfuerm medido. para una masa ssmica de valor constante. ser proporcional a la acclcracin.
Si la medida de la aceleracin se real iza a travs dc la fuerza.
se utilizarn transductores
piemelctricos
y piezorresistivos.
Si
el valor de la aceleracin se prctende (Ibtener a travs del desplazamiento
se utilizarn
transductores
potenciomtricos
c
inductivos.

1.9. Transductores de corriente

de efecto Hall
Aunque es posiblc la medida de la intcnsidad de corriente
elctrica por otros mtodos (shunt. tran. formador de intensidad.
etc.). en este apartado se tratarn nicamente aquellos dispositivos basados en el efecto Hall. al ser lus ms empleados como
sensores de corriente.
Su principio de funcionamiento
(figura 1.67) es el siguiente:
Cuando una intensidad de corriente elctrica (le) circula a tra\ s
de un elemento semiconductor
(e1cmelllo Hall) y ste se somcte
a la accin de un campo magntico (B) externo, perpendicular a
la trayectoria de las cargas que originan dicha intensidad de
corriente. stas son desviadas por las lneas de fuerza del campo
magntico (fuerza dc Lorent;:). Se producen entonces acumulaciones anmalas de carga cn determinadas
zonas de dicho conductor. Tales acumulaciones
dc carga dan lugar a una diferencia
dc potcncial perpendicular
a la direccin de la corriente y al
campo magntico aplicado, dcnominada
tensin o d.d.p. Hall.
Dicho potencial es proporcional a la induccin magntica y a la
intensidad de corriente que atraviesa el elemento.

ITP-PARANlNFO

1 Il 1+1'++++++++-1

I I II1

'-\

1+.

><

8<:--~x'
,.
x

I .""

Tensin
de Hall

VH

La perturbacin del campo magntico se produce cuando el

conductor por el que circula la intensidad de corriente a medir se
pasa por el entrehierro. Se obtiene as una seal de tensin proporcional y de la misma forma de onda que la intensidad que circula por el conductor. Si en lugar de pasar una vez el conductor
por el entrehierro pasa dos veces, la amplitud de la seal de salida ser aproximadamente el doble, para una mjsma intensidad
de corriente (1), ya que la influencia del conductor sobre el
campo magntico ser el doble.
El valor de la tensin Hall ser de la forma:

Ic

Figura 1.67. Principio de funcionamiento del efecto Hall.

La fuerza que sufren las cargas a causa de la induccin

magntica ( FII1 = q . ~ x iJ) ser de la misma direccin y sentido opuesto a la que cree el camJo elctrico originado por la
separacin de las cargas ( FE = q . E). Las cargas acumuladas en
los extremos del conductor aumentarn con el tiempo, al igual
que el campo elctrico, hasta que las fuerzas elctrica y magntica posean el mismo mdulo. En este momento las cargas no se
desviarn y el valor del campo elctrico (E) permanecer constante, cumplindose:
qvB=qE

donde: VH es la tensin Hall inducida (V).

B es la induccin magntica (T).
le es la corriente de control que atraviesa el elemento.
K es el coeficiente de sensibilidad del elemento.
Vo es la tensin de OFFSET.
El fabricante suele indicar la manera ms cmoda de obtener
la tensin de salida del detector, la cual es funcin de la intensidad detectada y de la intensidad nomjnal del propio elemento:

= E=v'B

La tensin Hall depender de la distancia entre cargas, es

decir, de la anchura de la lmina semiconductora:

K .
)

1
deleClllda
1
lIominal

donde K es un parmetro del dispositivo proporcionado por el

fabricante y expresado en voltios.

VH = Ed = vBd

En la figura 1.68 se representa grficamente la tensin Hall

en funcin de la induccin magntica (B). Se puede observar
que la tensin Hall invierte su polaridad cuando la induccin
magntica cambia de sentido.

De esta forma, conocida la intensidad de corriente nominal

que es un dato ms ofrecido por el fabricante, para una determinada intensidad de corriente (1) a detectar, se puede saber la
tensin a la salida del detector y con ello, segn el rango de
variacin de tensin necesaria, se colocar a la salida un
amplificador u otro.
La sensibilidad de estos dispositivos suele ser de unos
pocos mV/mT. Si la seal de salida es senoidal y se desea continua, basta con colocar un rectificador de precisin en la salida del dispositivo que realice las funciones de rectificacin y
amplificacin.

-B ~

Figura 1.68. Tensin Hall en funcin de la induccin magntica.

Una variacin en el campo magntico provocar otra en la

tensin Hall, razn por la que este tipo de transductores se pueden emplear en la medida de posicin, donde el objeto que se
mueve ser el encargado de perturbar la accin del campo
magntico.
Una de las aplicaciones ms usuales de este fenmeno est en
la medida de intensidad de corriente elctrica (figura 1.69).
Circuito
magntico

Corriente a
medir

1.10. El aml!!!ficador o~eracional

El amplificador operacional data de la dcada de los cuarenta y su desarrollo est relacionado con los calculadores
analgicos.
Recibe el calificativo de operacional por ser capaz de resolver determinadas "operaciones"
matemticas tales como
suma, resta, diferenciacin e integracin, todas ellas operaciones lineales.
Es un amplificador de alta ganancia, acoplado directamente,
al que se le agrega una realimentacin para controlar su caracterstica de respuesta. Normalmente se le conoce con el nombre
de Cl. lineal bsico.
El smbolo del amplificador operacional es el representado en
la figura 1.70.

a+vcc

[>

avo

a-vcc

Figura 1.69. Medida de intensidad de corriente por efecto Hall.

ITP-PARANINFO

Figura 1.70. Smbolo del A.O.

Posee, por tanto, dos entradas

l/O il/ver-

(+ y -), denominadas

sora (+) e il/versora (-), y una nica salida.

La tensin de salida es proporcional a la diferencia de las tensiones de entrada. de la forma: 1'" = Al' . (1'+ - l' ,), donde Al' es la
ganancia del amplificador.
La entrada inversora recibe este
nombre ya que la tensin de salida v" invierte su signo respecto
a la seal presente en dicha entrada. La otra entrada se denomina no inversora ya que da lugar a una tensin de salida que mantiene el signo de la seal presente en esa entrada.
Las caractersticas

bsicas

de un amplificador

En la figura 1.71 esu representada

la caracterstica
ideal de
un operacional. en el que se ha considerado nicamente la limitacin de la tensin de salida en funcin de las fuentes de alimentacin.

operacional

ideal son las siguientes:

Su ganancia

-Vcc

de tensin ha de ser infinita: Al' =

oo.

Su impedancia de entrada debe ser infinita, para cualquiera de sus dos entradas, con el fin de que el amplificador no
cargue al circuito que proporciona la tensin a amplificar:
Z/ = Z' = Z = oo.
Su impedancia de salida ha de ser nula. para que la tensin
de salida no se vea inlluenciada por la carga que el circuito soporte: Z" = O.
Su ancho de banda debe abarcar desde la tensin continua
hasta las ms altas frecuencias utilizables. con el fin de no
introducir ninguna limitacin en frecuencia, es decir, ha de
ser infinito: L'1w = oo.
Los amplificadores operaciol/ales reales estn constituidos
por un circuito complejo con acoplamiento directo de transistores y resistencias en una misma pastilla de silicio, formando un
circuito integrado. Sus caractersticas
se aproximan bastante a
las ideales. de fOlll1a que para el anlisis de circuitos basados en
Aa. se podr utilizar el modelo ideal. En la tabla 1: 11 se observan algunas de las caractersticas
de un modelo comercial frente a las ideales.
A.O.ldeal
Av
Z,

Zo
&

Si se emplea un amplificador operacional para conseguir una

etapa amplificadora
de tensin se ha de utilizar en /.Ona lineal.
siendo necesario dotario externamente
de una realimentacin
negativa. Dicha realimentacin
se puede alcanzar conectando
una red resistiva entre la salida y la entlada inversora. de forma
que la ganancia del conjunto sea finita.
Como el A.O. tiene una ganancia infinita, para que la tensin
de salida no lo sea es necesario que las tensiones en sus entradas
sean iguales (v +=\' ' ). Por otra parte, Cl)mo las impedancias de
entrada del Aa, son infinitas. por ninguno de sus terminales de
entrada del Aa, circular intensidad de ClJll'iente (1+=1 ' =()).
Un A,O. no realimentado o con rcalimentacin
positiva constituye un circuito no lineal. cuya tensin de salida solamente
puede tomar uno de los valores extremos (Yec o - Y ce)' Su
campo de aplicacin es el de la compalacin
de tensiones (con
o sin histresis),

1.11. Circuitos acondicionadores

con amplificadores
operacionales

2105
21M Q

1
I

A.O. Real (741)

Figura 1.71. Caracterstica ideal de un A.O.

2200 Q
::: 10 MHz

Tabla 1.11

1.11.1. Amplificador inversor

Es el representado

en la figura I.n..

La realimentacin
negativa del conjunto se realiza a travs de
la resistencia R l' por lo que. en lo que se refiere a las tensiones
de entrada. se cumplir:

Evidentemente.
un amplificador operacional necesita alimentacin de tensin continua (figura 1.70). Normalmente
se realiI.a con dos fuentes de tensin (Yee y - Yee) que, aunque no han
de ser simtricas respecto al terminal comn o masa que es lo
ms habitual. tienen por objeto delimitar el campo de trabajo de
las tensiones en las entradas y salida del amplificador (mximos
valores de tensin posibles).
Tal y como se ha definido el amplificador ideal. para trabajar
en /.Ona lineal ser necesario que la tensin aplicada en ambas
entradas sea la misma (v +=v '). de forma que. al ser infinita la
ganancia. exista tensin de salida. Si existe diferencia de valor
en las tensiones de entrada. la tensin de salida ser el mximo
(+00) o el mnimo (-00) que el amplificador
pueda proporcionar
(+Ycc o - Ycc en realidad, respectivamente).
Si v +>v ' . entonces
Si v +<v ' . entonces

vo= + Y ccvo= - Y cc-

1'+ = \'

- O

- \'+=

l'

l'

i2

R1

i1
o

V1

}
O

R2

c:::J

c:::J .

Vi

- -

o +Vcc

[>
O -Vcc

Figura 1.72. Circuito inversor.

V2

ITP-PARANlNFO

Si se aplica a la entrada una tensin Vi se establecern las

corrientes i/ e i2, las cuales sern de la forma:

Por otra parte, puesto que en el A. O. su impedancia de entrada es Zi=oo, no se va a derivar ninguna corriente desde el nudo
B hacia la entrada inversora, con lo cual:

Al no derivarse corriente alguna por las entradas del operacional, ya que su impedancia de entrada es Zi=oo, se obtiene:

il = i2

..

vI

1 =1

v2-v,

=-=--

Combinando las ecuaciones anteriores se obtiene:

R2

VI
v2 =~'R2+

La tensin Vi de entrada del A.O. ser nula al ser infinita la

ganancia del mismo, lo cual implica que ambos terminales de entrada del A.O. estn al mismo potencial y para
este circuito el punto B estar conectado a una tensin
nula y se comportar como si estuviese unido a masa (en
cortocircuito), pero no circular corriente. Este hecho se
conoce con el nombre de principio de la masa virtual.
La impedancia de entrada del amplificador realimentado
ser R I Y la impedancia de salida ser prcticamente nula.
Si se sustituyen RI y R2 por dos impedancias cualesquiera Z / y Z2 se puede generalizar, para seales senoidales, de la forma:

V=V'---

1.11.3. Seguidor de tensin

En el circuito de la figura 1.74, v2=v I con la particularidad de
que la impedancia de entrada del circuito es prcticamente infinita, por lo que el generador vIno entrega corriente. Sin embargo, el terminal de salida se comporta como un generador ideal
de tensin de valor v2.

o+Vcc
I

El concepto es ampliable a otro tipo de seales utilizando

el tratamiento adecuado.

~il

c:::J- -

Vl

Vl

Las intensidades de corriente valdrn:

ITP-PARANlNFO

R2

c:::J . c:::J

o Va

o-Vcc

Rl

V2'0
B

V2

1.11.4. Amplificador diferencial

Puesto que el amplificador operacional posee realimentacin

negativa se cumple:
I

o-Vcc

Figura 1.74. Seguidor de tensin.

Rl

o -Vcc

[>

.,

Es un circuito cuya tensin de salida es proporcional a la diferencia de las tensiones de entrada.

Figura 1.73. Amplificador no inversor.

v=O=v=v
I

B [>0 +Vcc

v;j ,

Vi

Vl

1.11.2. Amplificador no inversor

rl!-

R2

La ganancia del amplificador realimentado vuelve, al igual

que en el caso anterior a ser independiente del A.O. En esta ocasin, la tensin de salida estar en fase con la tensin de entrada. Su impedancia de entrada ser infinita y la de salida nula.

i2

2
(R---;+

2
v =--'V2
2
2
]

Se requiere que el amplificador operacional tenga entrada

diferencial. Su circuito est representado en la figura 1.73.

vI'

R+R2

De este resultado y del propio circuito se deducen las siguientes conclusiones:

La ganancia del amplificador realimentado depende nicamente de las resistencias y vale -R/R/, que ser muy
estable y fcilmente controlable.

vI

c:::J

R2

c:::J

J.

Figura 1.75. Amplificador diferencial

(1).

Analizando

el amplificador

diferencial

La figura 1.77 muestra un amplificador diferencial de elevada impedancia de entrada por hacer uso de las entradas no inversoras de amplificadores
operacionales.

1,75:

de la figura

R1

R1

c:::J ..i1 . c:::J ..

i1

1'1

I'/i

I'/i

RI

1'"

R2

R2

a+Vcc

"

i2

o+Vcc

[>

a-vcc

V2 o

o Va

a-vcc

\' I
(1
1)
;+I'/I' ;' R2

l'

-. c:::J

C>

V1 a

Despejando la tensin de salida en funcin de las tensiones

de entrada y de los componentes
del circuito, se obtiene:

R2

c:::J i2

Figura 1.77. Amplificador diferencial (11I).

Analizando:
\'

\'/i

Ro
R

l'

1',
l'

--(I'
I

II

La ganancia slo depende de las resistencias R Y Rz Y el factor de rechazo del modo comn del grado de apareamiento
de
las dos R y las dos Rz'
Como inconveniente
se puede citar su baja impedancia
entrada que, adems. no es la misma para ambas entradas.

de

l'

1I

I
---'\'

R1,
---'-'(v
Ro

R2

R,

I,~_I'(I~)

Por otra pU1e:

A.O. funciona

como sumador.

RI

,\

,vo)

\'

1,

\'

(/

---

R1

R3

R1

V1 o

c:::J .

C>

R2

c:::J

O-Vcc

R2

c:::J

R2
de iz:

ambas expresiones

O+Vcc
o +Vcc

C>
O

o Va

o-Vcc

DR4

V2 o

Igualando

c:::J

\'

----

R,

c:::J

RI

El primero de los dos A.O, funciona como inversor de ganancia unidad.

El segundo

\'

la tensin en el punto C:

\'c

l'

l'

RI

El circuito de la figura 1.76 es, tambin, un amplificador diferencial que utiliza dos operacionales
que no precisan ser de
entrada diferencial.

l'
A

R,

R,
l'

Despejando

\'

R5

\'
(1

anteriores

se obtiene

en la expresin

,+

Ro

la expre-

RI +R2

RI'R21

R2
'(\'1

(1

\'')"

RI'R2
RI

l'

anterior el valor de ve:

R2
'1')

Figura 1.76. Amplificador diferencial (11).

Combinando
las ecuaciones
sin de la tensin de salida:

Sustituyendo

\'0 )

RI

Por tanto, la tensin de salida es:

RI

Las impedancias
pectivamente.

de entrada

tambin

son bajas: R y Rz res-

----

R,
'(1'

\'2)
I

ITP-PARANlNFO

El factor de rechazo del modo comn (C.M.R.R.) depende

del grado de apareamiento de las resistencias iguales, con la
consiguiente dificultad para obtener ganancias variables.

o+Vcc

I
V1

VA

El circuito de la figura 1.78, recibe el nombre de amplificador de instrumentacin y prcticamente elimina los inconvenientes de los anteriores, aunque el rechazo del modo comn
sigue dependiendo del grado de apareamiento de las resistencias
del mismo valor.

R2

R1

i4
V1

R3

V2

n
~
B

0-

R2
oVB

Figura 1.80.

VI

VI

v2+ = v2-

VI

i4=is=i

V2

O-Vcc

vB- v2

1 =---

R2

Figura 1.78. Amplificador de Instrumentacin.

El amplificador operacional A3 forma parte de un amplificador diferencial (figura 1.79) cuya impedancia de entrada es baja,
el cual se analiza a continuacin:

La suma del primer y ltimo trmino ha de ser el doble del

trmino central:

B
B
--=--v
2
2

v -v
A

2 R 2 ) (v -v)
1+ __
R
I
2
I

La tensin de salida del circuito es, por tanto, de la forma:

R3

A e
i1

R3

.c::J-.-1 c::J '2 ~]

~j
R3

B e __
i3

o Ve

e -Vcc
R3

c:::J . c:::J

J.

Figura 1.79.
El resto del circuito (figura 1.80) se encarga de proporcionar
una impedancia elevada para cada uno de los terminales de
entrada.

ITP-PARANINFO

Para conseguir ganancia variable sin afectar al factor de

rechazo del modo comn la nica solucin viable es la de sustituir la resistencia R1 por otra de valor ajustable, ya que el CMRR
no depende de su valor, pero s la ganancia del circuito.

1.11.5. Circuito integrador

Es una de las aplicaciones ms clsicas del A.G. (figura 1.81)
en la que la tensin de salida es proporcional a la integral de la
tensin de entrada.
'

C
\'..1

II
c:J

IC'(

Vl

- -

I1

2 '1',1 -2 {' i .dl

o +Vcc

eI j"

e.

C>

V2

o-Vcc

Figura 1.81. Circuito integrador (l).

-- I

Re

j'

\' dl
1

En el caso de que la tensin de entrada sea constante. la de

salida ser una rampa y para su anlisis no es necesaria la utilizacin de integrab,.
Si a la entrada de un circuito integrador se aplica una onda
cuadrada. el resultado a la salida es el indicado en la figura 1.83.
Vl

En efecto:

I {" 1'(1I
C

j'

I
R'C

--

dl

l'

En la prctica es preciso establecer algLII1sistema que permita introducir las condiciones iniciales, as como poner una resistencia de elevado valor en paralelo con el condensador para evitar la saturacin del A.O .. en ausencia de seal.
El caso ms tpico es aqul en el que, en el instante inicial
1=0. la tensin de salida v1=O. lo que se consigue mediante la uti
linlcin de un intelTuptor en paralelo con el condensador que se
abre en el instante de tiempo 1=0.
Otra forma de realizar un integrador
2R

2R

c::=:J

c::=:J

2R

c::=:J

Con esta configuracin (figura 1.8..J.) se obtiene a la salida una

seal proporcional a la derivada respecto al tiempo de la tensin
de entrada.
o

c::=:J

..
V2

=C

- -

, iC

Figura 1.82. Circuito integrador

(11).

En este caso no existe inversin de signo y por ese motivo se

le denomina integrador positivo. La expresin de la tensin de
salida se obtiene de la siguiente forma:
l',

\' - l'

\'

.I

\'

---+---

2R

,1

2
\'1 + l'~

2R

2R

..

c::::J

O +Vcc

II

C>

Vl

O -Vcc

Figura 1.84. Circuito difere ciador,

V2

Este circuito tiene nicamente

intert's terico ya que en la
prctica presenta problemas de inestabilidad y ruido. En algunos
casos se utilizan versiones modificadas del mismo .

1':2

---2R
..J.R

1'/1

le

Figura 1.83. Respuesta de un integrador.\ una seal cuadrada,

o-Vcc
2R

Vl

1.11.6. Circuito diferenciador

C>

..

es la de la figura 1.82.

o +Vcc
B

V2

2 VA

dI'
C-I
dI

iR

dI'
R'C-I
dI

Pero:
l'

l'

/i

1.11.7. Circuito proporcional-integral

con lo que:
\'1 + \'2-

V2

e ~--2-'-R--

2R

Como su nombre indica, se trata de una etapa hbrida entre el

inversor y el integrador (figura 1.85). Resulta de especial inters
en sistemas de regulacin.

ITPPARANlNFO

R2

1.11.8.1. Comparador de nivel

Un amplificador operacional en lazo abierto (sin realimentacin), al ser su ganancia de tensin infinita, se comporta como
un comparador de las tensiones de entrada. Su configuracin y
funcin de transferencia estn representadas en la figura 1.87,
donde V R es la tensin de referencia del comparador, la cual se
trata de una tensin continua. En cuanto a Vi se trata de la tensin de entrada.

-Vcc

t
vcc

Figura 1.85. Circuito proporcional-integral.

VR o-

[>

~oVa

El anlisis del circuito ser el que sigue:

Vi

0-

VR
-Vcc

-+-----'

Figura 1.87. Comparador de nivel

-i-----

6_Vcc

~O~i;;'~efi'dt)

Va

+Vcc

En la figura 1.86 ~t representada la tensin de salida,

correspondiente a una entrada en forma de escalones de tensin.

Ambas tensiones (V R Y Vi)' para un correcto funcionamiento,

han de estar comprendidas en el rango de las tensiones de alimentacin (+Vcc y-V cc)'

Vi ,

1.11.8.2. Comparador de ventana

o~

Se trata de un circuito capaz de detectar si la tensin de entrada se encuentra dentro de un intervalo (ventana) de valores. Para
su implementacin (figura 1.88) se requieren dos amplificadores operacionales, un diodo y una resistencia.

Vl

o -

G>

Vol

V
o-vc~

Vi.o

orO :

"'

Vo

A
V20--

Figura 1.86. Respuesta del proporcional integral a un determinada

Vi'

-Vcc

Figura 1.88. Comparador de ventana,

1.11.8. Circuitos comparadores

de tensin
Partiendo de las caractersticas generales de un amplificador
operacional (tabla 1.11) Y de su caracterstica de transferencia
(figura 1.71), se puede decir que un amplificador operacional sin
realimentar (en lazo abierto) se comportar como un comparador de tensin, en el que:
Si v -> v

Si v < v

v () = v mx

Para un correcto funcionamiento del circuito se ha de cumplir

la relacin: + Vcc >V2 > VI > - Vcc"
Ninguno de los dos amplificadores operacionales posee realimentacin, por lo que se comportarn como comparadores de
nivel. En funcin de Vi existirn, por tanto, tres tramos de funcionamiento.

En estas circunstancias en Al ,V1+ >V1-, por lo que

Vol =+V cc . El diodo D est en estado de conduccin (ON) y la
situacin en A2 ser:

Vi = V cc -

Los valores de la tensin de alimentacin (V cc) limitan

tanto los valores de tensin de entrada como de salida.
La impedancia de cada una de las entradas es infinita ya que
por ninguna de ellas se deriva intensidad de corriente (1+=1- =0).
A continuacin se realizar un estudio de los diferentes comparadores basados en amplificadores operacionales, tanto con
histresis como sin ella.

ITP-PARANINFO

-VCC:":: Vi:":: VI

V2

V2

Vy ~

cc} V _> V
2

= Vo

= -

Vcc

VI:":: vi:":: V2

Los valores de tensin en las entradas de A I son tales que

hacen que Vol= -V cc- De esta forma el diodo D no conduce
(OFF), por lo que en A2 las tensiones sern de la forma:

v"

Para que la ten~in de ~al ida sea

V+ <V - _e~ decir: I' >Vs'
En el momento
ser v" =+V("(""

en que

$;

ViS _

= . Vcc

es necesario

que
\'

la tensin de sal ida pasar a

En la figura 1.95 se encuentra representada

la funcin de
transferencia
del comrarador.
donde ~e puede comprobar que

Para que la tensin de "dida

>V - . e~ decir:

,ea

v" =+ Vcc

es necesario

que

Vs<VfI"

.l Va

En el momento
tomar el valor v"

~"'r--'--,+ Vcc

en que v $; Vu . la tl'n~in de salida pa~ar a

=- Vcc-

---l ..

ViS

v,,= -Vcc

ViS
. Vi

El valor de la tensin en la borna no inversora

...

Vcc

Figura 1.95. Funcin de transferencia del comparador inversor asimtrico.

La tensin de histresis

es ahora:

Para que la tensin de salida sea v"

V+ <V - _es decir:

=- Vcc

es necesario

valdr:

que

V ,\

?R1

-_V

R1

R~

((

en que v ~VS . la ten~in de salida pasar a

En el momento
ser

1.11.8.6. Comparador no ;nvesor as;mtr;co

con h;stres;s
El circuito es el representado
en la figura 1.96, donde se
onserva que se trata de un comrarador
simtrico al cual se le
aplica una tensin de referencia en la borna inversora (en lugar
de conectaria a masa).

v" =+ Vcc-

En la figura 1.97 ~e encuentra representada

la funcin de
transferencia
del comrarador.
donde se ruede comprobar que
Vs>V/I'

.lVa
+Vcc

ViS

ViS
. Vi

O+Vcc
VR

C>

__ .....-'--._.J

-V cc

O Va

Figura 1.97. Funcin de transferencia del comparador

no inversor asimtrico.

O-Vcc

Rl

Vi

La tensin de histresis

R2

c:::::J

ser:

\1

IN

Figura 1.96. Comparador no inversor asimtrico con histresis.

La~ tensione~
valen:

en las bornas

del amplificador

\'

1.\

R,

operacional

1.12. Acondicionadores para

VH
l'

transductores resistivos

l'

" R2

R ,R2

1\'"

A continuacin sc ha de suponer un valor de tensin de salida (+ V cc o - Vee) y determinar el valor de la tensin de entrada
para la cual el circuito cambia de estado.

El valor de la tensin en la norna no inversora

ser:

Uno de los grupo~ ms numerosos de transductores son aqullos que proporcionan una resistencia variable en respuesta a una
magnitud fsica. A partir de las variaciones de resistencia se han
de obtener tensiones elctricas dentro de un determinado
margen til para scr tratada~ en rosteriores etapas de tratamiento de
la seal elctrica.
Cualquiera que sea el circuito de medida de resistencias nece
sitar alimentacin elctrica rara obtener una seal de salida. La
magnitud de dicha alimentacin. de la que derende directamen-

ITpPARANlNFO

te la amplitud de la seal de salida, est limada por el tipo de

transductor tratado.
Para la medida de resistencias es posible utilizar diferentes
mtodos, clasificados principalmente en:
Deflexin: Se mide la d.d.p. en bomes de la resistencia a
medir, la corriente a travs de ella o ambas cosas simultneamente.

Comparacin: Se basan en los puentes de medida.

En la medida por deflexin, una tcnica empleada para medir

resistores de elevado valor hmico consiste en la utilizacin de
un divisor de tensin (figura 1.98), donde suponiendo que la
resistencia del voltmetro es mucho mayor que Rx' se tiene:
R ~ __
x

V
0_'

La salida del puente se puede medir tanto por comparacin

como por deflexin. En el primer caso se ha de ajustar una
resistencia hasta obtener el equilibrio y en el segundo se mide
el desequilibrio.
El mtodo habitual de obtener una seal elctrica empleando un puente de Wheatstone es el de deflexin, en el que en
lugar de realizar ajustes en una de las resistencias para establecer el equilibrio en el puente se mide la diferencia de tensin entre ambas ramas o la con-iente a travs de un dispositivo colocado en el brazo central.
En la figura 1.99 se representa un puente de Wheatstone,
siendo o el desequilibrio del mismo.

_R

V - Vx

11R1./?

o.-Rp

v
~__

~2

R4~

Vs

12

'

/R3=RO{1+'1

OR' G

Figura 1.98. Divisor de tensin.

Figura 1.99. Puente de Wheatsone funcionando por deflexin.

Si se desea que para 0=0 el puente est equilibrado se ha de

cumplir que:

k~.!!.J.~ Rz
R4

Ro

La tensin de salida (Vs) es de la forma:

Esta se aplica a transd.uctores de resistencia variable cuyo
comportamiento no sea lineal.
Para medir cambios pequeos de resistencia se suele disponer de otro divisor de tensin en paralelo con el que tiene
incorporado el transductor. El circuito se disea de forma que
en reposo (equilibrio) ambos divisores proporcionen la misma
tensin, por lo que bastar medir la diferencia entre la salida
de ambos para obtener una seal que depende de la variacin
de resistencia del transductor. Esta configuracin se conoce
con el nombre de puente de Wheatstone.
Se puede incrementar la sensibilidad del puente si se disponen varios transductores en los brazos adecuados del
mismo.

ITP-PARANlNFO

En el caso de que &<k+l, la tensin de salida ser proporcional nicamente a los cambios de resistencia.
Si el puente se alimenta a corriente constante l, la tensin de
salida es entonces de la forma:
V _l.
ko
s2. (k + 1)

Si &<2(k+l), la tensin de salida ser proporcional a los cambios de resistencia.

A continuacin se determinar
ampl ificadores operacionales.

Ejemplos Resueltos

[TI

Se desea controlar la temperatura ambiente de un invernadero, la cual puede variar entre O Y 50C. Para medir dicha
temperatura se utiliza una resistencia PT I00 montada sobre un
puente de Wheatstone

tal y como se indica en la figura

la funcin de cada uno de los

El circuito formado por U2, Rl) y R 10 (figura 1.10 1) se trata de

un amplificador no inversor.

1.100.

Determinar el valor de RI, R." Y RIO de forma que la tensin de

salida Vo pueda variar lineal mente con la temperatura entre OV
(oC) y IOV (50C).
R10

<;:+Vcc

c:::J
c:::J

R~

Zl~

~4

R7

~._

'#RIPT1001

- -

VVl

G>.ovo

R9

c::J .

O-Vcc

.vee

A'c:::J

R3~

c:::J

o +Vcc

o +Vcc

R9
R5

R10

DR8

D>

V1

o Va

O -Vcc

Figura 1.101.

Figura 1.1OO.Control de temperatura de invernadero.

DATOS:
R2=R~=Rs=R7=R9=4K7
Q:
R6=Rx=220
KQ;
Vcc =12V: RPTI(X)(O C)=IOO Q; RPTI(X)(100 C)=138,5 Q;
Z, == LM336 (Vl.l=2.5V: 11.1lln=3oo J..lA; IZ01:,=IO mAJo

El circuito formado por U I Y sus resistencias asociadas (figura 1.102) es un amplificador

diferencial cuya misin es la de
amplificar la tensin de salida del puente.
VI

VI

SOLUCIN:

__

V
A_

R7 Rx

Rx

Para los posteriores clculos, tal y como se puede comprobar,

la carga a la que est sometida el puente mediante la primera
etapa amplificadora
es despreciable.
Dado que a una temperatura de O C la tensin de salida del
circuito ha de ser nula, la diferencia de tensiones entre V A Y Ve
tambin lo ha de ser. lo que indica que a dicha temperatura el
puente ha de estar equilibrado, condicin de la que se obtiene el
valor de R,.
R2

Ro = R." . R~ ~

R6

c::J
R5

ve

R.!,
donde Ro es la resistencia

Se determinarn
ahora, con el puente en equilibrio,
res lmites de la resistencia RI.

los valo-

'ZI/I/I/

+ 2 --

+ 2 ---

= 11,04 lilA

R2 + R."
de valores de RI se obtiene de la forma:

-Vcc

R8

Puesto que Rs=R7 y R=Rw el comportamiento

y de la forma:

es diferencial

R
VI

V()

~.(V\

Rs

'+6,8(V4

Ve)

La funcin global de ambos operacionales

V (1

RIO).~.(\,

"

En este caso, con el fin de evitar el calentamiento

sistemtico del zener y, puesto que el desequilibrio del puente har que la
intensidad de corriente por el mismo sea menor que la de equilibrio, se tomar un valor de resistencia prximo al lmite superior. En este caso se ha optado por RI=4,7K Q.

V1

Figura 1.102.

= 1.34 mA

Vz

de corrien-

R2 + R,
'Zm",

V~
'RII/I/I/""

'Rlmm""

El intervalo

de la intensidad

c::J

VA o

R7

de la PT I00 a O 0C.

Los valores mnimos y mximos

te por dicha resistencia son:

c::J

R2 Ro
R." = -= 100 Q

o +Vcc

es:

V)

Teniendo en cuenta que la PT I00 es prcticamente

coeficiente de temperatura se determina de la forma:
ex

RI(X)

o 0,00385

lineal, su

Q I(Q De)

100'Ro

/TP-PARANINFO

El valor de la resistencia PT I00 a la temperatura de 50C se

determina de la forma:
R=Ro(I+CH)
donde

Rso = 100(1+0,0038550)

= 119,25 Q

es la temperatura expresada en grados centgrados.

La tensin de salida del puente de Wheatstone a 50C,

teniendo en cuenta que R7 y Rg no cargan al puente, es:
R2
--( R2+ R3

VA - Ve = VZ1'

R4) = 9,778 mV
R4+ Rso

- ---

Si la tensin de salida Vo a 50C ha de ser de 10 V se conocen todos los datos para determinar el valor de Rlo'
Vo

(I+~).

R6 . (VA-Ve) ~ RIO
Rs

R9

Rs
VA-Ve R6

= (~

-1)

R9

= 97989,29Q

Debido a la precisin que requiere este tipo de montaje se

recomienda que todos los componentes sean de precisin. Los
amplificadores operacionales pueden ser del tipo OP07. La
resistencia RJO se puede realizar mediante una fija de 86 KQ en
serie con otra variable multivuelta de 20 KQ.

constante ya que, al ser la impedancia de entrada del A.O. U2A

prcticamente infinita, no se deriva corriente por la borna no
inversora del mismo.
El A.O. U I B' acta como masa flotante para proporcionar el
adecuado retorno de lo a la masa del circuito acondicionador y
aislando el sensor del resto de la masa del montaje. En cuanto a
los diodos DI y 02 se encargan de evitar las perturbaciones o ruidos elctricos que pudieran existir en el entorno.
El resto de los amplificadores operacionales se encargan de
amplificar la seal proporcionada por el sensor y proporcionarle el nivel correcto para adecuarla a la curva de respuesta de la
figura l. 104
En primer lugar se determinar el valor mximo de la resistencia RI para que el diodo Z, pueda funcionar correctamente.
Vee-Vz1

Mediante el circuito de la figura 1.103 se pretende disear

el acondicionador, para una resistencia PTloo, que cumpla las
siguientes especificaciones:
El circuito acondicionador debe responder segn la curva
indicada en la figura 1.104.
La potencia del sensor no debe sobrepasar 0,6m W.
DATOS: Sensor de temperatura PT I00: RPT I00(0C)=100 Q;
u=0,00385 QJ(oC)-I; ZI=LM336: Vz=2,5 V; Izmn=3oo /lA;
Pzmx=25 mW; Vcc=15 V; QI= BC557B; UI=U2=TL082;
01=D2=IN4148; Rs=R6=1O KQ.
R2

R7

. c::J

o+Vee

c::J

O+Vcc

+veeo-~

l:i::
~Ql

-Vcc

21 ~

11 I
lo ,. .

~',' '

C~v=l_~

,U2A

~
V2

VPT

]1

R6

.vee

V~

V-

ovo

c::J

+vec_
G-

-NM-

....02

'ZlIIlX

Pz

~l1Ill.\

= 10 mA

VZ1

-V

21

= 125 KQ
'

Zmx

Puesto que por la entrada no inversora del amplificador operacional a la que est conectada el diodo zener no se deriva
corriente alguna, se tomar un valor de resistencia prximo al
mximo, por ejemplo: R,=33 KQ.
Si la potencia disipada por el sensor no ha de sobrepasar
0,6mW, se ha de cumplir que:
'02.

RpTlOO$.

0,6 mW

Puesto que la intensidad que lo atraviesa es constante, la

mxima disipacin de potencia se obtiene cuando la resistencia
de la PT l00 es la mayor posible, lo cual ocurre a la mayor temperatura de funcionamiento, es decir, a 100C:
RpT100

U1B.

ee

PpTIOO=

'1

-7

'ZlIIlX

El valor mnimo de RI se determina de la fonna:

Ra

c::J . c::J

R4

'

A paItir de la potencia mxima admisible por el diodo zener

se obtiene su mxima intensidad de corriente:
PZllllX= VZ1

= 4166 KQ

'ZlIIn

Ro' (I+ut)

--1

RpTlOO (100C) = Ro . (1+uloo)= 138,5 Q

La intensidad de comente lo tendr por lmite superior:

PT100

Figura 1.103. Circuito acondicionador de PT100 (11).

Fijando Io=1,84mA, se obtiene:

lVO(V)

R =

- V
21 ~

CC

/0

6 8 KQ
'

La tensin en la borna no inversora de UZA'denominada V PT

ser de la forma:
. t(OC)
-15

100

Figura 1.104. Curva de respuesta.

SOLUCIN:
El amplificador operacional U lA'junto con los componentes
asociados (QI' ZI' RI y Rz) constituyen una fuente de corriente
constante que alimenta al sensor (PT I00) con una intensidad

ITP-PARANINFO

donde t es la temperatura del sensor en

0c.

La tensin de salida, en funcin de V z y V R ser de la forma:

Teniendo en cuenta que R,,=R(,= IO KQ Y llamando

mero de los trminos:

+2).

V=" (1

R7

(2+2)=~.(V,+V)
2
2
2

AJ al pri-

En cuanto a la tensin de rel"crencia. se obtendr mediante un

zener de 2.5 Y (LM336) ) una resistencia (figura 1.1(5). El
valor de dicha resistencia ha de ser talquc garantice. en el pcor
caso. que el Lener pueda mantener su 1/1ll1lly que no disipe una
potencia superior a la mxima.

Por otra parte. la relaCIn entre Y 2 Y Y PT es:

:J v,,~

v,~( 1 +

A,' V,.,~A, ',,.

o-Vcc

"o'

(1 + a 1I

Sustituyendo:
OVR

Al
(V2 + VI) = 2' ,VR

:\

V" =~.

Al

V"

=2 A2 lo'

+ A2 . lo'

(1 + ex I)

Ro'

Ro' ex

+2 . VII + A2 . lo

= 11/ . (t = - 15C

111

11"

lo)

Figura 1.105. Tensin de referencia.

)

12

11"(100 e) - 11)-15 0e

100 + 15

= 115

De las anteriores

Rol

De la figura 1.104, se obtiene:

11)

Z2

Al

11"=115'

12
(1+15) =

180

liS' 1 +115

[I]

Se desea disear un sistema (figura 1.1(6) que ponga en

marcha un ventilador (motor) cuando 1.1diferencia de temperatura entre dos puntos (t-t2) sea superiOl a II e y que se desconecte cuando dicha diferencia sea inkrior a 6.2 0e. Se util/.a
como transductor de temperatura el sensor integrado de unin
semiconductora
LM335 (E=IOmY/K).
Supngase que la dikrencia de temperatura cumple la relaci6n O Cstl-t2s.+R "e.

eX[Jresiones se obtiene:

Vt:c

DR'
~i VC(

De la primera

igualdad:

Rl

O C

R2

V2

294.6

Vl

R3

KI

01.

~1

U1A

c:::::J.

VA

220V

01 .

8> - 8>V8
o+Vcc

c:::::J.
R5
c:::::J .

o . Vcc

U1B

RlO

c:::::J

1 ..

01

R8
R9

[ll~J [~;;J R6D De la segunda.

despejando

AJ:

c:::::J

Figura 1.106. Circuito acondicionador con lM335.

DATOS: R1= R2= l.5 KQ: R1o= 10 KQ: U= OPO'+:
Ycc= 12 Y; Q= BD137: Sensores de temperatura:
LM3Yi:
K = Rel 12Y/2RO Q.
1

SOLUCIN:
20.43

La relacin entre las resistencias

A
2

13..+ I

Fijando R]=JO Kil. se obtiene R.=/34,/ KQ. Esta ltima

se puede implementar mediante una resistencia de precisin de
120 KQ Y un potencimetro
de 50 KQ.
Igualmellle.

la relacin entre las resistencias

!!i'V"(1
R

R, y R~ ser:

---=!.

El primer ampl ilicador operacional

(U A ) trabaja como
amplificador diferencial. siendo su tensin de salida de la forma:

Para el correcto
rencial:

~)'-~'VI
Nl

funcionamiento
R
-~.(\,

\'

\
Se ha de cumplir.

R"

como

R(
ampl ificador

di fc-

\',1

R,

'

por tanto. que:

R7 y Rx ser:

A partir de las caractersticas

Fijando R7=IO KQ. sc obtiene R=/94,3 Kil. Esta ltima
se puede implementar mediante una resistencia de precisin de
I RO KQ y un potencimetro
de 50 KQ.

VI

V,

t"'TI}
1:".T,

R
V \ ~.

Rl

del sensor:

(/~'. TI

1:".1',)

R
:.'~' (1',

T,)

RJ

ITP-PARANlNFO

donde TI Y T2 son las temperaturas absolutas en los puntos de

medida.

Restando ambas expresiones se obtiene la tensin de histresls:

Puesto que se desea trabajar en la escala centgrada de temperatura, al ser T = , + 273,15:

R4
R3

VA = E -'

(tI - (2)

La relacin entre Rg y R9 ser:

donde ti y ~ son las temperaturas en grados centgrados de los

puntos de medida.
Segn las especificaciones iniciales, la tensin VA ser funcin de la diferencia de temperaturas (figura 1.107) y, teniendo
en cuenta el valor de la tensin de alimentacin, estar comprendida entre O y +Vcc (O y + 12 V).

Fijando Rs= 10 KQ se obtiene R9=100 KQ.

Despejando VRde cualquiera de las expresiones:
V R
V R ~ --- iS 9 ~ 25, V

VA

12V

Rs

R9

Para fijar esta tensin (VR=VZI) se utilizar un diodo zener

del tipo LM336, teniendo en cuenta que R7 ha de ser de un valor
tal que el diodo sea capaz de mantener su IZmn(300 ~A) Y no
supere su PZmx(lzmx=IOmA).
.

tl-t2 (OC)

Vcc- VZ1

>

Iz"".",'"

____

48

Figura 1.107. VA en funcin de t1-t2

VA~II1'('I-'i>
0,25

v/De

VA ~ 0,25 . (t

1- (2)

48e

A partir de ambas expresiones de VA se obtiene:

VA~E.R4'('I-'2)
R

VA~I11'('I-'2)

R4

11I

-~-=25
3

Fijando R3= 12 KQ se obtiene R4 300 KQ. De la misma

forma, si se fija Rs= 12 KQ se obtiene R6= 300 KQ.

! VB

VA

Figura 1.108. Funcin de transferencia de la bscula (UIR).

VR(RS+R9)-

R9
/1

R9

ITP-PARANtNFO

31,66KQ

R7

950Q

Se precisa disear un control de temperatura (figura 1.109),

con un margen de trabajo entre OC y 1.000 C, que utiliza como
sensor un termopar tipo K (Cromel-Alumel). Dicho transductor
posee un coeficiente Seebeck de valor S=40,8 ~V/ 0e. Para la
compensacin de la unin fra se emplea el sensor integrado
AD590 que proporciona una intensidad de cOITentede 1 ~NK.
Determinar RI' R2, R3,R14 Y Rs para que la sensibilidad del sistema sea de 10 mV/ 0e.

VR0---c:::J
r-------.,

Vcc'Rs

~ VA" (6

R )
9 ~VA(II0C)~2,75V

2C)~ I 55V

< Cromel

----

L..........

1~IAlOK

R5

R2

la

J__
J

R4

c:::J----C:)-

AD590

Alumel

R3

c:::J

:-0--:
I

c:::J
~.
ir0rl!-:; 'f--c:::::J
V
,

tm

V (R

LI

IZm.,

7 -

Evidentemente, el ventilador ha de ser de baja potencia para

que el rel no sufra daos. Si se desease una mayor potencia
sera necesario adaptar el circuito utilizando contactores.

El segundo amplificador operacional constituye una bscula

no inversora asimtrica con histresis cuya funcin de transferencia es la indicada en la figura 1.108. Su misin consiste en la
deteccin de los lmites superior e inferior en la diferencia de
temperaturas, con el fin de activar (V B=Vcc) o no (V B=O)el
motor. Los valores de tensin de entrada (VA) para los cuales el
circuito ha de conmutar sern:
=

V
CC

+Vcc

Vn

V
>

Estando el ventilador parado y la diferencia de temperaturas

aumentando, cuando sta iguale o supere 11C (VA~2,75V), la
tensin de salida de la bscula ser VB=+Vcc' por lo que el transistor QI se saturar, el rel actuar cerrando el contacto y el
ventilador empezar a funcionar. Si la diferencia de temperaturas disminuye, el ventilador dejar de funcionar cuando
VA= l,55 V (t 1-~=6,2 C) ya que el comparador conmutar y
VB=OV,con lo que el transistor entrar en zona de corte y el contacto del rel se ablir.

De la propia grfica (figura 1.107):

111~ ~~

R7

c:::J

o Va

V1

R6

o -Vcc

Figura 1.109. Control de temperatura mediante termopar tipo l/K".

DATOS: Termopar tipo K: S=40.8 ..V / 0e: Sensor de temperalUra AD590: K= I ..A/K: R6= I00 KQ: R7= IO KQ:
1= IOOnF:
Amplificadore"
operacionales:
OP04: VI{=IOV: Vcc=12 y.

Para eliminar el de"plazamicnto

de ten"in se ha introducido
un trmino quc dcpende dc la lcnsin de rercrencia VI{' A una
tcmperatura de O e (TII=273.15 K). la tcnsin V I ha de "er nula:

SOLUCIN:
El termopar genera una ten"in proporcional
a la diferencia de temperatura
entre la unin de medida y la ambiente.
aplicndo"e
,,a a la borna no inversora del amplificador
operacional U I,\'

Si se cumplen

e"tas considcracionc".
I

, S
VI

S'(Tm

'"

7~,)

Puesto que "e desea una tensin que no dependa de la temperatura de la unin fla. la primera etapa amplificadora,
adems
de su funcin propia. ha de ser la encargada de eliminar dicha
dependencia
introduciendo,
mediante el sensor AD590, un
nuevo desequilibrio
igual y de signo contrario a la mencionada
dependencia de la temperatura ambiente.
Analizando

(figura

I,~

R-)

VI

R,
VI'

(U

N-)

S,\,

.+

\11

R"

I
1

Rl

R3

CJ

c:::J

il

-\

101/lV/

-1-0.81-1\'/

'S"

la cxpresin

e
e

2-1-5.\

,\ ,

Si R.+=IO KQ. se ohtiene

R,=2-l-0 Ki2.

Del resto de la" condicionc,s

ecuaciones con tres incgnitas:

i3

sc ohtlene

un "i"tcma

dc tres

o +Vcc

R2

AD590

[?>

CJ ..
i2
V,+ o

o Vl

'N\'(*

TO'S'['

o-Vcc

Figura 1.110. Etapa amplificadora y de compensacin de la unin fra.

[ 1 N,'
El sensor integrado AD590 proporciona
una intensidad
corrientc dc la forma: i, = K T". donde K=J J1AIK.

S'(Tm

A,'\

1m

ic

Sustituyendo

en

trahaja como ampl ificador no

Ill)

I ~
N

expresada

Fijando A ]=25. se ohtienc que A 1=9.8. Por tanto:

VR o

1'1

.+

N,

del punto de medida

d'",

i...,

AJ'S"

La sensihilidad del sistema se ohlien~ derivando

de V 2 respecto a la temperatura t",.

RI

1, ---VI

V 1 ser:

El segundo operacional
inversor. por lo quc:

---

IJ l,

~)R

donde tlll es la temperatura

grados centgrados.

1.110):

VI'

Vii

11

la primera etapa amplificadora

la tensin

I;~)]

(* ~J]

111

de
De la primera)

la ltima:

en V I el valor de ic y de VI + se obtiene:

T)'(I,RJ.R,)
"
R

R~

N"K'T'R
R

11
Ii

"J

De las dos ltima" se ohtiene:

R,-

\/Ii

---

Para que la tensin V I no dependa

unin fra se ha de cumplir:

de la temperatura

Sustituyendo
() = -.-+-

RI

R2

RJ

36.61 KQ

To'S'AI

de la

ahora cn la primcra:

S'I\I'N]

K'NI'!?,

S( R

N,)

ITP-PARANINFO

Puesto que los valores de resistencia obtenidos no son

comerciales, ser necesario introducir elementos ajustables en
el circuito.
La resistencia R6 y el condensador CI constituyen un filtro
paso bajo cuya misin es la de eliminar posibles ruidos e interferencias en los cables del termopar.

[I]

Para medir la temperatura de un horno se utiliza un termopar tipo "K" (cromel-alumel) cuyo gradiente tensin-temperatura a 25C es S=40,44.tV/K. Para la compensacin de la unin
fra se utilizar un transistor (Q) de pequea seal (BC547B)
cuya tensin base emisor se ha ajustado a VF=0,6 V por medio
de Ry El coeficiente de temperatura de la unin base emisor es
cx=-2mVre. Se trata de disear el circuito acondicionador (figura 1.111) de forma que la velocidad de cambio de la tensin de
salida (Ss) sea de J mVrc y V0(0 C)=Ov.

R3

c::J i3

R2
Vs o
i2

R4

~c::J . c::J

VA o

DATOS: Vcc=12 V; Rs=I,5 KQ; R6=1O Q; Amplificador

Operacional: TLC2652.
R6
R2

+Vee o

R5
'1
c::J'

:1'

01

R3

'

, ta

tm

<

A'"m,'

110'1' -

Cramel!

! ~:

I
I

i
i

t~

I
I

VR

R4

~I

b
-

~~c::J .

i1

r----~---e:::J---o

,4

o +Vee

R1

o VR

o Ve

O -Vee

Figura 1.112. Etapa acondicionadora.

'

-! O .-

[;>?+vee

JI

U1

Sustituyendo el valor de V A Y V B:
o Va

R6

o -Vee

Figura 1.111. Circuito de control de temperatura.

Para que la compensacin sea efectiva se ha de cumplir:

S

-+-

R2

RI

= -~

--~

R2

0,02022

SOLUCIN:
La d.d.p. generada por el termopar depender de la diferencia
de temperatura en el punto de medida y en la unin fra. Por este
motivo es necesario emplear tcnicas de compensacin para que
la tensin de salida dependa nicamente de la temperatura en el
punto de medida. Se emplea, en este caso, el transistor Q,.
Las tensiones proporcionadas por los transductores de temperatura son de la forma:

La tensin de salida, una vez compensada la unin fra, ser

de la forma:
./o4RIIlRR
(

V~V+a'l
B
F

-T)~-S'(/
a

m -/) a

donde VF es la tensin a la que se ha calibrado la unin baseemisor que, en este caso, es de 0,6Y.
Analizando ahora la etapa amplificadora formada por VI
(figura 1.112):

ITP-PARANINFO

VF - VR)

Para que la tensin de salida sea nula cuando la temperatura

en el punto de medida sea de c se ha de cumplir la relacin:

v ~-S(T
A

V~R'

F
-+

R2

VR

R2

VF

R3

R3

VR

-~o =

Con esta condicin, la tensin de salida ser:

R4
V ~ -S'I
o

11I

La sensibilidad del sistema se obtiene derivando la expresin

de Vo respecto a la temperatura tm.

III/IIIC

R)
ZI

d,,,,

La ra;:ln cntrc R)

DAIVS:Vcc =12 v: 1I,=TIHQ: U.,=OK)7: R,= R~= 120l:t

1.5 KQ: R(, = R, = 10 KQ: R,) = RIIJ = 10 Kl:2:
36(V/ =2..'i V).
1

R 1 scr:
+Vcc

+Vcc

R~

.\

NI

C?

2U2X
DR5

Fijando R,=6,8 Kfhe obtienc R.=J68,J5 K.Qque se podra

implcmcntar mcdiantc una rcsistcncia dc 150KQ cn scric con un
potcncilmctro dc 50KQ.

~r2

( Galga de
compensaclon)

R~

R~

VII

= - V, = - 0.6 V : R, = -

VI<
V
R 2 = R 2 = 336

Rl

+Vcc

[?

o Va

~1

O
VI3

R8 RlO

Rl2

c=J

c=J

Figura 1.114. Medida de deformaciones en una viga (una galga).

Haciendo que los nivelcs dc tcnsiln V F Y VI' scan igualcs cn

valor absoluto:

R6

o -Vcc

- -

336KQ
1

V2

Zl~l

Rll

c=J

Vec

El valor dc la resistcncia R, sc obtiene de la forma:

~.

R9

c=J

VA

KQ

Va

En la figura 1.113 sc mucstra d circuito acondicionador complcto. cn cl quc la tcnsin dc rclcncia sc obticnc a partir dc un
diodo /ener del tipo LM336 y cl corrcspondiclllc divisor resisti\0 con posibilidad
de ajuste. Sc incluyen. adems. condensadorcs cuya misiln cs la dc eliminar posibles ruidos e interferencias.

10V

1OOum m
.

o -Vcc

(Deformacin
unitaria)

Figura 1.115. Caracterstica tensindeformacin.

R2

R3

~
R5
t

Vr.c o

~:

;-------
,

101
,
A

1 ta
1

Alumcl:
IIll

'-.

Cromel

R4

G>

:
_

o tVcc

:~

Rl

Ul

R6

- -

SOLUCIN:

Pl

-- -

Para mayor faci Iidad dc clculo sc hlr:

o Va

',

"e. /.

l'

1"--

l'

\'

-Vee

[("

L'

I\':

~
.'..:

(l.OO.j./

Por tanto. la rcsistcneia dc las galgas ser:

Figura 1.113, Circuito completo para la medida de la temperatura.

Para un corrccto funcionamicnto.

adcms dc los valores
conocidos. R~=150 KO: R7=2.7 KQ: Rx=IO KQ: P,=IOO KO:
P2=50 KQ: C=C2=100 nF: Z;: LM336 (V/=2.5 V).

Para medir la deformacin cxpcrimentada por una viga se

utili/.a una galga extensomtrica
con un factor dc galga K=2.
coeficicntc dc tcmpcratura a=O.OO-+ (OCrl y resistencia nominal RIJ=120 Q. Para compcnsar las deformacioncs
de origen
trmico se coloca sobre cl pucntc dc Whcatstone una scgunda
galga. no expuesta a esfucrzo. de las mismas caracterstica
quc la primera. tal y como sc indica cn la figura 1.11-+.
Discar cl sistema de forma quc cuando la viga sufra su mxinl<l deformacin (\.000 )..l/m) sc obtcnga a su salida una tcnsiln V,,= 1O V Y sta sea nula cuando el esfuerzo tambin lo
sca (figura 1.115).

1',

Ro'(

1',

No' ( I

: ).

(1

[( . 'l

Ro' (1

[(. 1)

No' ( 1

'.1

l' ( 1

l' )

Puesto que ni U I \ ni U 'B cargan al puellle. ya que la intcnsidad de cOITicntc por \u\ bornas no ill\ersoras cs despreciable.
ste se podr analizar indepcndientemente del rcsto del circuito.
Teniendo en cuenta quc R,=R=R1J" la\ tensiones VI y V2 del
puente sern de la forma:
V/

V
VI

--/_I-'N~

V,

V/1
--'/"I

R,

1',

No No

R~

,.,

V/
NI' (

V/1

'No

'Ro'( 1
l' ). (

lo(

l')

La tensin de error proporcionada

V,

1 1')
R" ( 1

11/1
.\' )

(l

2,.1'

por el puentc ser:

__ .1'_.

"+'.

-'.' .1

V
/1

ITP-PARAN/NFO

Evidentemente, en ausencia de esfuerzo, el puente est equilibrado: V1-VZ=O.

Para pequeos valores de "x", (x
puede expresarse de la forma:

l), la tensin de error

Teniendo en cuenta esta consideracin, la tensin de salida

ser de la forma:
R
R

V= __ II(V-V)
u

Puesto que R9=RIO se ha de cumplir que RI/=R12.

Los tres amplificadores operacionales, junto con los componentes a ellos asociados constituyen un amplificador de instrumentacin de elevada impedancia de entrada. Del anlisis de Uz
se desprende que:

R9

R .(I+~).V
1Z

v=-~.v+
()

Ro+RI2

Rg

Para que la tensin de salida sea proporcional a la diferencia

de V A Y V B se ha de cumplir:

ITP-PARANINFO

Analizando el resto del amplificador de instrumentacin y,

teniendo en cuenta que R6=Rg, se cumple:

Esta funcin ha de cumplir la grfica de la figura 1.115, por

lo que para una deformacin de 1.000 !. un/m, V0=10 V. Puesto
que se desconoce el valor de R7 y R 11' se fijar una de ellas para
poder determinar la otra. Fijando R Jl=R 12=500 Ko., se obtiene
que R7 :- 100 .Q

-..

~
o
5
\J

>-

..

~
QJ
o
~

e
QJ

~
~

..
QJ

"'C

:.

tU

l. Clasificacin de los transductores. Caractersticas

fundamentales de los mismos.

6. Transductores de corriente. Principios de funcionamiento.

2. Tipos de transductores de temperatura. Caractersticas principales.

7. Diferencias fundamentales
operacional ideal y real.

3. El termopar: principios de funcionamiento y tcnicas de compensacin.

8. El amplificador de instrumentacin. Caractersticas

y clculo de la tensin de salida.

4. Clasificacin de los transductores de velocidad y

desplazamiento. Caractersticas principales.

9. Comparadores de tensin: Tipos y funcin de transferencia .

5. Transduclores de fuerza o deformacin: Tipos,

caractersticas y principios de funcionamiento.

entre un amplificador

10. El puente de Wheatstone. Equilibrio y desequilibrio

del mismo. Clculo de la tensin de salida.

/TP-PARANINFO

El diodo d!
el tiristol1 YJ e

lectifr'

Clasificar los diodos, tiristores y CTO:s utilizados en los equipos de potencia en funcin de sus caractersticas funcionales y reas de aplicacin.

. Describir el funcionamiento de dichos dispositivos electrnicos de potencia, sus CClractersticas elctricas y los parmetros ms importantes .
. Explicar los efectos que la frecuencia de trabajo y las condiciones de temperatura ejercen sobre estos dispositivos electrnicos de potencia y las soluciones que se adoptan en
los casos ms generales .
.

Conocer los sistemas de disparo y de corte utilizados para el control de estos elementos
electrnicos de potencia .

Clasificar por su funcin los distintos circuitos electrnicos que se emplean en aplicaciones de potencia (rectificado res, convertidores CAlCC), indicando las caractersticas
de cada uno de ellos.

. En varios casos proticos de anlisis funcional de circuitos y sistemas electrnicos de

potencia:
Identificar los componentes activos y pasivos del circuito relacionando los elementos
reales con los sm olos que aparecen en los esquemas.
Conocer el principio de funcionamiento y caractersticas fundamentales de los diodos, tiristores y CrO s.
Calcular las magnitudes bsicas del circuito, contrastndolas con los valores reales
obtenidos midiend en el circuito, explicando y justificando dicha relacin.
Identificar la variacin en los parmetros caractersticos del circuito (forma de onda,
tensiones) realizando modificaciones en los componentes del mismo, explicando la
relacin entre los efectos detectados y las causas que los producen .
. Reconocer los parmetros fundamentales y necesarios de los dispositivos bsicos de
potencia mediante la utilizacin de los manuales de caractersticas tcnicas.

2.1. Introduccin
La electrnica de potencia incorpora dispositivos capaces de
sopol1ar tensiones de trabajo del orden de KV. De esta forma se
consigue que los elementos electrnicos de potencia posean una
gran capacidad de maniobra con potencias del orden de MYA.
Tres son los dispositivos que forman la base de la electrnica
de potencia:

Al igual que sucede con el diodo de pequea seal, cuando el

potencial del nodo (A) es positivo con respecto al ctodo (K)
se dice que el diodo tiene polarizacin directa. Si dicha tensin
hace que exista un incremento apreciable de cOITiente el elemento conduce, siendo la cada de tensin entre sus extremos
(Yo) relativamente baja. Dicha tensin depender, principalmente, del proceso de control y de la temperatura de la unin.
Por el contrario. cuando el potencial del ctodo es positivo con
respecto al nodo, se dice que el diodo tiene polarizacin inversa y no conduce.

Diodo de potencia.
Tiristor.

G.T.O.

Pese a que fueron los primeros en desarrollarse y utilizarse,

todava siguen jugando un papel importante en los sistemas
electrnicos de potencia, aunque se han desarrollado otros dispositivos ms rpidos pero no por ello con mejores caractersticas en cuanto a la potencia a controlar se refiere.

2.2.2. Tensin de ruptura del diodo

Se trata de aquella tensin (BY BD) para la cual el campo elctrico producido (EBD) ocasiona la ruptura del elemento. Dicha
tensin vale, en este caso:

Entre las aplicaciones ms importantes de estos tipos de dispositivos, sin duda alguna, se encuentra la rectificacin monofsica y trifsica. tanto controlada como no controlada.
donde:

2.2. El diodo de otencia

Los diodos semiconductores de potencia son elementos que
juegan un papel importante en los circuitos electrnicos de
potencia. Entre sus funciones se puede mencionar algunas
como interruptor en los rectificadores, de marcha libre en los
reguladores' conmutados, recuperacin de energa, etc.

2.2.1. Estructura bsica. Caractersticas

Aunque su construccin es similar al diodo de pequea seal
"P-N", los diodos de potencia poseen una mayor capacidad para
el control de energa, mientras que su respuesta en frecuencia
(velocidad de conmutacin) es menor que en los primeros.
Son dispositivos de unin "P-N" de dos terminales en los
que la capa "n" est dividida a su vez en dos partes n+ (alta
concentracin de impurezas) y n- (pequea concentracin de
impurezas).

F/cm).
EBD: es el campo elctrico que produce la ruptura
(2 105 V/cm).

Los parmetros e.,q y EBD son prcticamente constantes a la

hora de disear un diodo de potencia. Por este motivo, para controlar la tensin de ruptura nicamente se puede actuar sobre el
nivel de impurezas en la regin n- ( d)' de tal forma que p,u'a
obtener tensiones de ruptura elevadas han de ser pocas las impurezas en la regin tipo n.
Sin embargo, la resistividad intrnseca es inversamente proporcional a la densidad de impurezas, de tal forma que si se
toma una concentracin de impurezas "Nd" muy baja se elevarn las prdidas. Para solucionar esta cuestin se busca una
anchura de la regin de carga espacial (Old) muy pequea que sea
capaz de alberg<u' la zona de cargas positivas, acotando as las
Impurezas.

[J........ [J []
wd

... .

p+

El espesor de la capa n- depende de la tensin de ruptura del

dispositivo (a mayor tensin de ruptura mayor es el espesor de
la capa n-). Dicha regin no existe en los diodos de pequea
seal, puesto que la tensin inversa que sopOltan es baja. En los
diodos de potencia esta capa n- es necesaria ya que dicha tensin
puede llegar a alcanzar valores elevados.
En la figura 2. l est representado el smbolo, estructura y
curva caracterstica de un diodo de potencia.
oANODO

10~lm

p+

n+

NO",10'~cmJ

o
8)

CATODO

".

'.-

.'

n-

P"-:

n+

. : : . : .n., :

..

bl

"

..-

",

D
.. .

'. " ',', .'

o, .

n.

v'

Figura 2.2. Anchura de la regin de carga espacial.

A p<utir de aqu se podrn utiliz<u'dos criterios para calcular
el valor de Old:

N... 101~cm)

Dellende delllollajfl
de ruplUla BVIII)

250pm

: : '.

(Al

'j

q: es la carga del electrn (1.6 10-19 Culombios).

Ni es la concentracin de impurezas en la zona Ir.

e: es la constante dielctrica del silicio (l ,051 0-12

(K)

b)

Figura 2.1. Smbolo, estructura y caracterstica tensin-corriente

del diodo de potencia.

2.2.2.1. Criterio 1
Cuando toda la regin de carga espacial est restringida a la
zona n' (figura 2.2.a). En este caso Old;::;Oln cuando Y=BY BD' La
anchura de dicha regin ser:

ITpPARANINFO

W"

2 BVBO

EBO

- 10-5. BVBO

Este criterio se aplica para diodos del tipo sin perforacin

"NO PUNCH-THROUGH".

Con el fin de que no se acumule carga, se ha de mantener una

neutralidad elctrica y, por tanto, 8 ::: 0n' A medida que la
con-iente directa IF crece y se acerca: la intensidad nominal del
diodo se produce el fenmeno de "doble alta inyeccin", es decir:
0P' 0n>nno(concentracin de pOltadores en equilibrio trmico).
Es entonces cuando se acumulan en dicha regin (n-) un gran
exceso de portadores, lo cual provoca un aumento notable de la
conductividad elctrica efectiva de la regin n- y, por tanto, las
prdidas disminuyen (modulacin de conductividad).

2.2.2.2. Criterio 2
La regin de carga espacial no se restringe a la capa n- sino
que pasa tambin a la zona n+ (figura 2.2.b).

El valor medio de la corriente ser:

/

En este caso, la expresin de la tensin de ruptura del diodo

es:

FI ON)

=_I'/"=f'/'f

7~

"

El cuadrado del valor eficaz de la corriente es:

l

/2

FlHMS)=T'

j'

/2
F",,=S'

/2

F'f"

En el supuesto de que la zona de carga coincida con el lmite

de n+ (criterio 1) Yteniendo en cuenta que N,,=( EBD)!( q'w,,), se
obtiene:

Las prdidas en conduccin sern:

P

donde:

Por otra palte, supuesta fija wd y considerando Nd=' para

maximizar la tensin de ruptura:
q'N,,'
BV1"1)=

"

E1"D'W(I-

w;;

- E

7.

}JD

= W

p+

ON

RONes la resistencia en conduccin.

fs es la frecuencia de la seal de control del diodo.
tp es el tiempo de conduccin directa del diodo.

En la figura 2.4 se muestran las formas de onda de tensin

y de corriente en un diodo cuando ste entra en conduccin
(transitorio OFF~ON) y cuando deja de conducir (transitorio
ON~OFF).

i(t)

RON'

I
n-

J!!L

dt

I
I
I
I

--l- -'
I

Irr

- t3 -r" t4trr. t5 _
.-

/F

Al conducir el diodo, los huecos de la regin p+ penetrarn en

la regin n- (figura 2.3), mientras que los electrones siguen el
sentido contrario (de n+ a n-). Este flujo aumenta si la corriente
directa (IF) es elevada, por lo que en la regin n- se acumula un
exceso de portadores. Se denominar 0p al exceso de huecos en
la regin n- y 0n al exceso de electrones.

F(RMS)

earact"erlst'ICasde conmu t'"aClon

224

.x.

Cuando el diodo est polarizado directamente (ON), la cada

de tensin en la regin n- (V"'d) es, junto con la cada de tensin
en la unin (V), el trmino ms importante de cada de tensin
en conduccin) (VON)'

+/2

En cuanto a las prdidas en conmutacin. si se realizan fs

con mutaciones por segundo, la potencia que se disipa es:

2.2.3. Prdidas en conduccin

V)

}JD

Finalmente, decir que tanto los casos intermedios como los

"p-i-n" se agrupan bajo la denominacin de diodos con perforacin (PUNCH-THROUGH).

V wd + Vj ~ Vj +

1-(A

=--

Este criterio se aplica para diodos '"p-i-n" (capa "p", insulator, capa "n").

=V/ON

BVBD

- E

V ON

COI/ti

-VR

- t1 -t2Figura 2.4. Caractersticas de conmutacin del diodo de potencia.

,-

n+

2.2.4.1. Transitorio OFF-f ON

Cuando el diodo entra en conduccin cabe destacar:

Figura 2.3. Flujo de portadores con el diodo polarizado en directo.

ITP-PARANINFO

Durante un intervalo de tiempo ti' crece la tensin en

extremos del mismo y la intensidad de corriente aumenta
a una velocidad cliF/ dI.

2.2.5.1. Diodos

La inductancia equivalente del diodo ser:

Inicialmente. la regin n- es muy resistiva ya que necesita

un ciel10 tiempo para acumular exceso de portadores.
TranscUlTido ti la cOITiente directa se estabiliza y la tensin entre nodo y ctodo disminuye durante el intervalo
t" hasta alcanzar el valor Y ON'

2.2.4.2.

Transitorio ON -1 Off

Dependiendo del circuito de potencia, durante el intervalo

de tiempo t3, la intensidad de corriente cae con un velocidad diR/dl.
Durante un cierto tiempo (t4), la intensidad cae a valores
negativos. debido a la existencia de exceso de portadores
de carga que no se han podido eliminar. Transcurrido este
tiempo se ha eliminado suficientemente el exceso de portadores y comienza la polarizacin inversa.
Aparece un pico de sobretensin debido a la inductancia
equivalente del diodo (en serie con l).
El tiempo de recuperacin inversa (trr) comprende el intervalo de tiempo desde que la corriente (iF) pasa por cero en
el cambio ON~OFF hasta que la corriente inversa se
reduce al 25% de su valor inverso Irr. Dicho tiempo depende de la temperatura de la unin, de la velocidad con la
que la intensidad de corriente directa cae y de la propia
intensidad de corriente directa antes de la conmutacin.
diR
~I '--~I

{
"

rr

~ _.{
2

De aqu se obtiene:

rr

I
'1 + _.{

~~
rr

dI

rr

1,.,.

'4

rr

'1

=_.{

rr

'1

{
rr

Diodos Schottky

Son aqullos en los que el problema de almacenamiento de

carga de la unin P se elimina (o minimiza) estableciendo una
baITera de potencial con un contacto hmico entre un metal y el
semiconductor (figura 2.5). Sobre una delgada capa de silicio
tipo "n" se deposita una capa metlica, de tal forma que l? blliTera de potencial simula el comportamiento de la unin PN.
Si02

oA

Aluminio (unin rectificadora)

.
rr

oK

Aluminio (contacto hmico)

Figura 2.5. Estructura interna del diodo Schottyky.

se tiene:
~ 2'Q

n+

rr

'Q

15 ~ 14 .

\2.2.5.3.

1 rr

Si se hace que

Tienen un tiempo de recuperacin bajo (en general menor de

5 /lsegundos). Se utilizan en convertidores DC-DC y DC-DA,
en los que la velocidad de recuperacin es de vital importancia.
Sus especificaciones de cOITiente van desde unos pocos hasta
cientos de amperios y las de tensin desde 50Y hasta, aproximadamente,3KY.

diR

n'

La carga de recuperacin inversa "Qrr" es la cantidad de

portadores de carga que fluyen a travs del diodo en direccin inversa debido al cambio ON~OFF. La carga de
almacenamiento ser el rea envuelta por la trayectoria de
la corriente de recuperacin y valdr, aproximadamente:
Q

de recuperacin rpida

--

dI

Los diodos de uso general poseen un tiempo inverso de recuperacin relativamente alto, tpicamente 25 /lsegundos. Se utilizan en aplicaciones de baja velocidad de conmutacin, en las
que el tiempo de recuperacin no es crtico; por ejemplo, en rectificadores y convel1idores para baja frecuencia de entrada
(hasta 1 KHz). Las especificaciones de coniente de estos diodos
van desde unos pocos hasta miles de amperios. En cuanto a las
de tensin van desde 50Y hasta 5KY aproximadamente.

2.2.5.2. Diodos

Durante el paso a corte del diodo cabe destacar:

de uso general

diR
dI

2.2.5. Tipos de diodos de potencia

Idealmente los diodos no deberan poseer tiempo de recuperacin inversa. Sin embargo, el alto coste que ello supondra
hace que, dependiendo de las caractersticas de recuperacin y
de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se puedan
clasificar en tres categoras:

La diferencia fundamental con los anteriores diodos estriba

en que la accin rectificadora slo depende de los portadores
mayoritarios, ya que, tanto en la regin '"n" como en la "n+" nicamente habr electrones, no existiendo portadores minoritarios
. en exceso para recombinar. Esto provoca que sea imposible la
existencia de la denominada "modulacin de conductividad", ya
que requerira doble alta inyeccin de huecos y de electrones.
Ser imposible, por tanto, que se acumule un gran exceso de
electrones ya que ha de mantenerse la neutralidad; motivo por el
que no es posible la existencia de modulacin, aunque implica
un aumento de las prdidas.
PaI"aevitar que dichas prdidas sean excesivas se emplea un
cristal tipo "n" y no "n-" ya que si la concentracin de impurezas aumenta, la conductividad aumenta.
La tensin de ruptura es baja, mucho menor que en los diodos convencionales, debido precisamente a esta zona "n" en
lugaI"de "n"" (50Y~BY BD ~IOOY). En lo que se refiere a la ten-

ITpPARANINFO

sin de conduccin (Y ON)' en un diodo Schottky es, prcticamente, la mitad de la de un diodo de silicio convencional.
Al no existir portadores m~noritarios, los tiempos de conmutacin son mejores, ya que no hay que elimjnar exceso de acumulacin de portadores.
En lo que se refiere a sus especificaciones de corriente, varan
entre 1 y 300A, por lo que resultan ideales para fuentes de alimentacin de alta corriente y bajo voltaje.

2.3. El tiristor
Es el elemento que ms potencia es capaz de controlar, ya que
puede trabajar con intensidades de corriente de hasta 3.000 A Y
tensiones inversas de hasta 5.000 Y, pero su capacidad de respuesta est bastante limada.
Entre sus aplicaciones se pueden destacar la de rectificacin,
interrupcin de corriente elctrica, regulacin, etc.

2.3.1. Estructura fsica

Se trata de un dispositivo semiconductor de estado slido
formado por cuatro capas "p" y "n" alternativamente, dispuestas
tal y como se observa en la figura 2.6, en la que se puede apreciar, tambin su smbolo.
Sus dos terminales principales son el nodo (A) y el ctodo
(K), entre los cuales se cebar la corriente directa (electrones
que van del ctodo al nodo). El tercer terminal se trata de la
puerta (G) o electrodo de control, encargado de controlar dicho
flujo de electrones.
Es un elemento unidirecciqnal en el que una vez aplicada la
seal de mando en la puerta, el dispositivo deja pasar una
corriente que slo puede tomar un nico sentido.
lQ19cmJ

~r
J3

CTOOO(K)

vAK

n+
1017

cm-3

J2

1013_5xl014em-3

J1

lO17em-3

T""
__

30-100

50- lOOO).lm
30-50

pm

11m

/'

cm"3

lO19

a)

NODO(AI

bl

Figura 2.6. Estructura interna y smbolo del tiristor.

Cuando la tensin v AK es nula, tambin lo es la intensidad

de corriente iA. Al aumentar dicha tensin en sentido directo,
con corriente de puerta nula, si se supera la tensin Y BO' la
transicin OFF ---7ON deja de ser controlada. Si se desea que
el paso al estado "ON" se realice para tensiones v AK inferiores a V BO ser necesario dotar al dispositivo de la corriente
de puerta adecuada para que dicha transicin se realice cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche
(lL)' Por el contrario, si el dispositivo est en conduccin, la
transicin al estado OFF se produce cuando la corriente de
nodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (IH).
Si se polariza inversamente el tiristor existir una dbil
corriente inversa de fugas, hasta que se alcance el punto de
tensin inversa mxima (-y RWM)' provocndose la destruccin del elemento.
Es, por tanto, un dispositivo conductor slo en el primer
cuadrante, en el cual el disparo se provoca por un aumento de
la tensin directa, teniendo en cuenta que a medida que
aumente la corriente de puerta, el punto de disparo Y BO se
desplaza hacia la izquierda. Se puede controlar as la tensin
necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF ---7ON,
usando la corriente de puerta adecuada. En cuanto a la transicin ON---70FF no se puede controlar, sino que es el propio
circuito de potencia el que la provoca.

2.3.3. El tiristor en estado

de bloqueo (OFF)
Por simplicidad de anlisis se supondr que el ctodo del
tiristor se encuentra conectado a potencial cero (masa) y que la
puerta no se encuentra conectada. En estas condiciones se puede
comparar el tiristor con tres diodos conectados en oposicin tal
y como se indica en la figura 2.8 (a).
De esta forma, si la tensin de nodo es positiva, el elemento est polarizado directamente, pero el diodo "p n2" bloquea la
tensin aplicada. Si por el contrario, la tensin de nodo es negativa, los diodos "P2n2" y "p n I"estn en inverso. Por ser dbil la
tensin de avalancha de "Plnl", su papel es despreciable y es
"P2n2" el que ha de limitar la corriente inversa de fugas. La tensin mxima viene limitada prcticamente por la tensin de avalancha de los diodos "P2n2" y "pn".

,"'2.3.2. Caracterstica tensin-corriente

En la figura 2.7 se muestra}a curva caracterstica tpica de un
tiristor, representndose la corriente de nodo (iA) en funcin de
la tensin aplicada entre nodo y ctodo (v AK)'
iA

Estado de conduccin

directo

IH
IBO

IL
/

Estado directo de bloqueo

Figura 2.7. Caracterstica tensin-corriente de un tiristor.

ITP-PARANlNFO

de conduccin (ON)
Para realizar este estudio se utilizar el circuito equivalente
del tiristor mediante transistores (figura 2.8.b). Estos transistores
estn conectados de forma que se obtiene una realimentacin
positiva.

iG4>iG3>iG2>iGl

,VRWM

2.3.4. El tiristor en estado

~ vAK

Suponiendo que la regin "P2" tenga aplicada una tensin

positiva con respecto a la zona "n 1", las uniones J3 y J emiten
portadores de carga, positivos y negativos respectivamente,
hacia las regiones n2 y p. Estos portadores, tras su difusin en
las bases de los transistores llegarn a la unin J2, donde la carga
espacial crea un intenso campo elctrico.

iA

p2
J3

(n-)
n2

Go

Diodo pln2

Jl

TDiodo

(n+ )
nl

I
ICl I

pl

182

Diodo p2n2

J2
iG

Ql(Bl)
plnl

al

'

Estas condiciones determinan el estado del tiristor en funcin

de la corriente, pues no se ha de olvidar que la ganancia ~ de los
transistores de silicio normalmente aumenta en funcin de la
intensidad de corriente.

.~
i~,~~
J.'.

Q2(B21

'\

IC2

~o

f:, '" "

En cuanto se produce el cebado, la realimentacin positiva de

corriente hace que los dos transistores conduzcan hasta saturarse (la corriente de colector de uno se inyecta directamente en la
base del otro). Una vez en conduccin, los transistores se mantienen en ese estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de puerta, hasta que el circuito exterior deje de mantener la
corriente de nodo (lA) por enci ma de 111,

I IEl

IK.
K

"f

El producto ~1'~l=::l,se realiza el proceso de amplificacin

y el elemento conmuta al estado conductor (ON).

IE2

b)

Figura 2.8. a) Modelo equivalente simplificado del tiristor con diodos

b)Circuito equivalente con transistores.

Siendo al la ganancia de cOITiente de Ql (fraccin de la
corriente de huecos inyectada en el emisor y que llega al colector del transistor NPN) y al la ganancia de corriente de QI (fraccin de la corriente de electrones inyectados en el emisor y que
llega al colector del transistor PNP), se obtiene:

/2.3.6. Formas de cebar un tiristor

Entre las diferentes formas de disparar un tiristor, las mas
importantes son:
. Por tensin VAK: Cuando aumenta progresivamente la
tensin aplicada entre nodo y ctodo llega un momento
en que la corriente de fugas es suficiente para provocar un
brusco aumento de la corriente de nodo.
La derivada de la tensin VAK: La unin PN presenta un
efecto de capacidad. Si la tensin VAKcrece bruscamente,
la intensidad de corriente de carga de dicha capacidad es:

Se llega a la conclusin de que la corriente de nodo (lA)

depende de la de puelta (lG)' pero tambin depende de al y al
y, en menor medida, de Icol y de Icol' por ser stas muy
pequeas.

.
l=C--

Ahora bien, en algunos transistores de silicio, la ganancia

"a"es baja para valores reducidos de corriente, pero aumenta
cuando lo hace la corriente. Para lG=O, si lcol+lc02 es reducida,
el denominador de la fraccin, para pequeas corrientes, se acerca a la unidad y la corriente lA apenas es mayor que la corriente
de fugas (tiristor en estado OFF).

dr

Cuando esta cOITiente de carga es suficientemente elevada, provocar el cebado del tiristor.
La temperatura: La corriente de fugas de un transistor de
silicio aumenta con la temperatura (aproximadamente al
doble cada 10C). Si esta corriente alcanza un valor suficiente se produce el disparo del tilistor.

Por el contrario, cuando por cualquier motivo aumenta la

corriente de fugas (lCOI+IC02)'lo hacen tambin la corriente y la
ganancia. La suma al+ al =::l implica que el denominador tiende a cero y la corriente de nodo a infinito (tiristor en estado
ON). En la realidad, la lA es elevada y su valor est limitado por
el circuito externo. Conviene recordar que este tipo de cebado
por aumento de la corriente de fugas, o lo que es lo mismo, por
aumento de tensin aplicada entre nodo y ctodo es desaconsejable en la mayora de los casos.

El efecto transistor: Se trata de la fonna clsica de gobernar un tiristor. En la puerta del tiristor (base del transistor
equivalente) se inyectan pOltadores suplementarios que
provocan el fenmeno de cebado.

2.3.5. Principio de cebado por puerta

El cebado por puelta es el mtodo ms usual de disparo de
tiristores. Una vez polarizado directamente el tiristor se aplica
un impulso positivo en la puerta (impulso de cOITiente IG). El
transistor NPN (QI) recibe una con'iente de base IG, pasando su
corriente de colector a ser IG'~i' donde ~I es la ganancia de
corriente en emisor comn de dicho transistor.

d VAK

2.3.7. Caractersticas de conmutacin

2.3.7.1. Transitorio OFF-70N
Para que se produzca el cebado, la corriente de nodo del
tiristor debe alcanzar un valor mnimo denominado corriente de
enganche (I[). El dispositivo no se cebar si el impulso de puerta "iG(t)"desaparece antes de que la corriente de nodo alcance
el valor de IL, la cual depende de la anchura y la intensidad de
corriente del impulso de mando (figura 2.9.a).

Esta corriente se inyecta, a su vez, en la base del transistor

PNP (Ql)' siendo entonces su corriente de colector lG'~I'~l'
donde ~l es la ganancia de corriente en emisor comn de dicho
transistor. A partir de aqu pueden producirse dos circunstancias
diferentes:

Este valor de IL es, obviamente, ms pequeo que el de la

corriente de mantenimiento
que, una vez desaparecido el
impulso de mando, es suficiente para mantener cebado el
tiristor.

El producto ~I'~l< 1, en cuyo caso el elemento no se ceba.

Cabe destacar el tiempo "tdCON)"

de retraso de paso al estado
ON, durante el que se produce la acumulacin de exceso de por-

'H

ITP-PARANINFO

tadores hasta que la intensidad lA supere la de enganche IL

(a1+ a2 21); el tiempo de subida de la intensidad de corriente
'\" y el tiempo que transcurre desde que la conduccin del
tiristor se debe a su zona central, prxima al contacto de puerta (la cada de tensin es ma or) hasta que la conduccin se
deba a todo el elemento "t ". En cuanto a la velocidad de crecimiento de la intensidad (d irrIdl) est limitada por la inductancia de la etapa de potencia a controlar.

rn _
E~
'ro CJ
E _lL

2,5

'x ::2: 2
1,5

<D ro
_t
e <D
Q)
::o
o:: n.

Impulso de puerta

Q)

1
0,5

0"0

~-

0,5

1,5

TenSIn directa

2,5

!
3

mXima

3,5

en puerta

4,5

VFGM(V)

.\' Figura 2.10. Caractersticas de puerta de un tiristor.

iA(t)

JiG(t)
t
A(t)

j2jJ-

diF"

o df
t~_~l~-_- __~!!:-~
o

vAK(t) :
i-tp~.
,

,,

'

Puesto que las corrientes y tensiones de puerta que provocan

el cebado varan con la temperatura y la fabricacin, es necesario definir una supelt'icie "S" en el plano con'iente-tensin de
puerta (lG' VG)' en la que quede garantizado el disparo del tiristor; parmetros que disminuyen al aumentar la temperatura,
motivo por el cual el fabricante facilita, tambin, el lmite de
potencia disipable en la puerta.

--L

a)

Figura 2.9. a) Formas de onda turn-on; b) Formas de onda turn-off.

2.3.9. Importancia de la velocidad

de crecimiento de la corriente
(di/dt) y de la tensin (dv/dt)

2.3.7.2. Transitorio ON-j OFF

La extincin o descebado del tiristor se produce cuando se
reduce la corriente de nodo pOr debajo de la corriente de mantenimiento IH, o simplemente cuando se anula la cOITiente lA"
Si se desceba el tiristor en el instante t=O (figura 2.9.b), la
corriente disminuye a una velooidad (d iR Id t) que depender del
circuito de potencia y la tensin en el tiristor (:::1V) tambin disminuye ligeramente. En el instante tI' la corriente se invierte,
hasta que llega a ~, momento en el que sta se hace mnima y la
tensin cambia de signo. Inmediatamente despus, sta vara
bruscamente producindose una sobreoscilacin que depender
de las capacidades del circuito. Se denominar "tn" al tiempo
inverso de recuperacin y "t " al tiempo de extincin, desde que
.
)
lA(t
pasa por cero hasta queq se pueda aplicar de nuevo tensin
positiva (directa).
Al aplicar de nuevo tensi? positiva aparece una pequea
intensidad debida al exceso de ~ortadores que quedan en el tiristor. Si dicho exceso an no ha disminuido lo suficiente, puede
darse el caso de que IA>IL y el dispositivo volvera, de nuevo, al
estado ON; de ah la importancia de respetar este tiempo "t ". La
velocidad de crecimiento de la tensin (d vF Idt) no debe ~uperar un cierto valor, ya que, de ~acerlo, provocara que el dispositivo pasase, de nuevo, a estado conductor (ON).

2.3.9.1. Velocidad de crecimiento

de la corriente (di/dt)
Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una
parte central, prxima a la puerta. Si el circuito exterior impone,
durante esta fase, un crecimiento rpido de la intensidad, la densidad de corriente en esta zona de cebado puede alcanzar un
valor importante. Al mismo tiempo, el descenso de la cada de
tensin en el tiristor durante la conmutacin OFF~ON no se
produce de forma instantnea. Habr, por tanto, momentos en
los que se presenten, simultneamente, valores elevados de tensin y de corriente. La potencia instantnea puede alcanzar as
valores muy altos (figura 2.II.a), de fonna que la energa disipada podra dar lugar a un calentamiento considerable que, de
alcanzar el lmite trmico crtico, dara lugar a la destruccin del
elemento por dildt.
En la prctica, se coloca en serie con el tiristor una inductancia (Ls) que tiene por misin proteger al dispositivo de dicha
excesiva velocidad de crecimiento de la corriente. Adems, en
paralelo con Ls se coloca un diodo (Os) y una resistencia (Rs)
para evitar problemas en la transicin ON~OFF (figura 2.11.b).

Tensin

>- 2.3.8.

Caractersticas de puerta

Las caractersticas tpicas de puerta conducen a la obtencin

de una familia de curvas, similares a las de la figura 2.10, donde
se representa la relacin corriente-tensin de puerta para un
determinado tiristor. Mediante estas curvas se pueden fijar las
condiciones extremas de disparo. Se debe tener en cuenta que a
medida que la temperatura de funcionamiento aumenta, decrece
la VG (para una IG dada) y viceversa.

Potencia disipada

ITP-PARANlNFO

a)

Figura 2.11. a) Variacin de la potencia instantnea;

b) Circuito de proteccin.

b)

Generalmente, en los circuitos de disparo de tiristores, se suelen utilizar dos tipos de aislamiento galvnico: mediante transformador de impulsos y mediante optoacopuJ.ores.

2.3.9.2. Velocidad de crecimiento

de la tensin (dv/dt)
Una velocidad excesiva de crecimiento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo amenaza con provocar el cebado del
tiristor bloqueado, en ausencia de seal de puerta. Este fenmeno se debe a la capacidad interna del tiristor en la que la cOITiente de carga puede ser lo suficientemente grande (si la velocidad
de crecimiento de la tensin es elevada) como para lograr el
cebado del elemento.
Por una parte, la dv/dt admisible disminuye con la temperatura, mientras que por otra la dv/dt que sopOlta un tlistor depende de la tensin final de nodo. As, por ejemplo, un tiristor que
no admita ms que 50V/.ts, para una tensin final de 500V
admitir I00 V/.ts cuando la tensin final sea de 300V (figura
2.12.a).
Para mejorar la relacin dv/dt se puede colocar una resistencia en paralelo con la puerta, o bien, poner una resistencia Rs
que limitar la intensidad de pico (figura 2.12.b):
(v)

Debido a la existencia de inductancias que haran peligrar el

circuito con las variaciones di/dt, se coloca el diodo O2 como
camino alternativo a la corriente magnetizante del transformador de impulsos cuando el MOSFET pasa a corte. As, la
energa almacenada en la bobina del primario se descarga a
travs de O] y la tensin del primario se refleja ahora como una
tensin negativa en el secundario. Por este motivo, para proteger la puerta del tiristor, es necesario el diodo O l' Despreciando
la cada de tensin en el primario, se obtiene:

Vee
!e;(ON)

~--

Re;

Por ltimo, en etapas fueltemente inductivas, el pulso de

puerta debe ser de la suficiente duracin como para asegurar
que iA>ILy que el dispositivo entra en conduccin.
Conviene recordar que tambin existen otros elementos
denominados triacs (dos tiristores en antiparalelo) capaces de
conducir corriente y soportar tensin en ambos sentidos (pueden
conducir en los cuatro cuadrantes).

Cebado

500

En la figura 2.13 se muestra un amplificador de intensidad de

puerta con aislamiento por transformador de impulsos.

300
200

2.4. Tiristores de puerta

TURN-OFF (GTO's)

100

b)

a)

Figura 2.12. a) Variacin de dv/dt con VAKi

b) Circuito de proteccin contra dv/dt.

2.3.10. Circuitos de disparo de puerta

Su misin es introducir un pulso de intensidad de puerta que
produzca la transicin del estado de bloqueo al de conduccin.
La duracin de ese impulso de corriente iG(t) ha de tener una
duracin mnima "tmn(ON)"y tambin una amplitud mnima
"IG(ON)'"proporcionadas por el fabricante. A veces, dependiendo de la aplicacin, se incrementa la amplitud del impulso al inicio de ste.
A

Transformador
de impulsos
G
,

VGG=15V

. .

D2.

~
D1

RG

Pulso de control
t

R1

c::::J

t~

t-

Figura 2.13. Circuito de disparo con transformador de impulsos.

A veces, en determinadas aplicaciones, se necesita un elemento de gran potencia en el que la transicin a estado OFF se
pueda realizar controladamente, lo cual no es posible mediante
el tiristor convencional, pero s mediante los denominados tiristores de puerta turn-off (GTO), cuyo smbolo se especifica en la
figura 2.14 (a).

2.4.1. Estructura fsica

Al igual que el tiristor posee tres terminales: dos de ellos
(nodo y ctodo) son los terminales a travs de los cuales se
cebar la corriente principal; el tercero de ellos ser el electrodo
de controlo puerta.
Entre las caractersticas fundamentales (figura 2.14) de los
GTO's se puede destacar:
Estructura puerta-ctodo fuertemente interdigitada: se
puede retirar cOITiente de manera muy efectiva desde
todos los puntos, ya que no quedan zonas distantes del
contacto de puerta.
Estructura del ctodo en mltiples islas o mesetas de reducidas dimensiones.
En muchos casos se emplean cortocircuitos de nodo para
acelerar la transicin ON~OFF. En este caso, las regiones
n+ actan como sumideros de huecos procedentes de la
zona n- en la transicin a estado OFF y con ello 10 aceleran. La unin 11 ya no va a poder bloquear tensin inversa, pudindolo hacer nicamente la unin 13; pero como
sus densidades a ambos lados no son altas, tiene el inconveniente de que la tensin de ruptura desciende.

ITP-PARANINFO

CTODO

A
lA

(K)

PUERTA (G)

-o

I l'

I
,

J3

Analizando:
/

n+
p

_ :AK

'S/='C2-'e=a2"A-'e

n+

'C2

'el ='S2=

J2

=(I-a2)"A

~2

J1
p+

al

~,=-I - a,

O K

a)
NODO

(A)

Figura 2.14. Estructura y smbolo de un CTO.

Simplificando, y llamando ~ojJ=

a,
----

a,

En la figura 2.15 se puede observar la curva caracterstica

tensin-corriente de un GTO.

a2

se obtiene que le> -,1_, donde:

~ojJ

iA

lA es la intensidad de corriente de nodo.

f3'>/Jes la ganancia de apagado.

vAK

Sin corriente
continua
de nodo
simtrico

Con corrien
te continua
de nodo
asimtrico

De aqu se deduce que interesa una ganancia de apagado

relativamente alta, lo cual implica que al tambin sea elevada y a2 baja. Para que el transistor pueda pasar a ON se debe
cumplir que al+a2~1. Ello se consigue, por una parte haciendo que al:::l, lo cual implica que la base de Q (regin "p")
debe ser de anchura reducida y, por otra, haciendo que a2 sea
muy baja, lo cual se obtiene haciendo que la base de Q?
(regin "n-") sea ancha.
-

Figura 2.15. Caracterstica tensin-corriente de un CTD.

2.4.3. Caractersticas de

conmutacin

2.4.2. Fsica del apagado

En este apartado se trata de demostrar que para poner en estado OFF el GTO es suficiente con introducir una intensidad de
corriente negativa de puerta.
iA

El estudio de este apartado se realizar sobre un posible circuito de disparo de puerta que incluye, adems, un sistema de
proteccin contra sobrecorrientes y sobretensiones del GTO,
similar al utilizado con los tiristores (figura 2.17).

-VGG-+1SV

IE2

182
-CGG+

Q2(~2)

le1

,IG2

OPTOACOPLADOR

.
oG

Q1(~1)
IG'

~T

-,OVGG

1
TCGG-

IK

-VGG=-15V

' K

Figura 2.16. Modelo equivalente del CTD con transistores.

En la figura 2.16 est representado el modelo equivalente del

GTO con dos transistores. La intensidad negativa de puerta har
que la corriente de base de Q disminuya y si sta es lo suficientemente fuerte podr hacer que dicho transistor pase a corte.
Es decir, Q, se cortar si lB I no es suficiente para mantener su
intensidad de colector:

ITpPARANINFO

Figura 2.17. Circuito de disparo para CTO.

Para limitar la velocidad de crecimiento de la tensin dv/dt en
el transitorio ON~OFF se utiliza el circuito formado por Rs' Os
y Cs' mientras que para limitar la velocidad de crecimjento de la
corriente di/dt en el mismo transitorio se utiliza el circuito formado por Ls' RLS y DLS'
En este circuito de disparo, durante un tiempo "tw'" conducen Q, y Q2 (Q3 OFF) y la intensidad que circula por la puerta
del GTO ser IGM= l2A. Una vez transcurrido dicho tiempo slo
conducir Q2, siendo la intensidad ahora IGF = 2A. Las resistencias Rs y R6 se colocan para controlar (fijar) las intensidades de

Q2 y QI' mientras que RI' R2, RJ Y R4 para conseguir que Q y

Q2 trabajen en corte y saturacin.

iG

tw1

iG

C"

IGF>IGT

IGM

Por el contrario, durante el transitorio OFF~ON ser el

MOSFET QJ (de baja tensin) el que conduzca, mientras que Q1
y Q? estarn cortados. La inductancia LG, en serie con el drenador del MOSFET, se utiliza para controlar la pendiente de decrecimiento de la intensidad negativa de puerta.

o,

~t

~~~
!'L-

o~--~---;---

iA

.L-~=::===~_ ~

~t

dV

2.4.3.1. Transitorio OFF~ ON

o
vGK

Inicialmente conducen Q y Q2. Transcurrido un tiempo "tw"

(de 10 a 20~s.) Q deja de conducir y Q2 continua en conduccin para mantener lG=IGF>IGTdurante el resto del estado ON,
siendo IGT la corriente de puerta mnima necesaria para mantener la conduccin del GTO.
Se llamar "td(ON)" al tiempo de retraso a ON o tiempo
que necesita el elemento en acumular exceso de portadores
(a+ a2 ~l).
En la figura 2.18 (a) se observa una cierta sobreintensidad
de "iA", debido a la corriente inversa de recuperacin del
diodo Dr> conectado en paralelo con el GTO.

dV

dt<(jt

~t

max
~

tw2

:'00-'

a)

Figura 2.18. a) Transitorio OFF--70N b) Transitorio ON--7OFF.

2.5. Rectificacin
Un rectificador se trata de un subsistema electrnico cuya
misin es la de convertir la tensin alterna de entrada, cuyo valor
medio es nulo, en otra tensin unidireccional, de valor medio no
nulo.
Entre los diferentes rectificadores que se tratarn en este
apartado se encuentran:

2.4.3.2. Transitorio ON ~ OFF

En este caso, el transistor Q3 va a estar en conduccin,
.mientras que Q y Q2 estarn al corte. La pendiente de decrecimiento de la intensidad de puerta originada por Q3 ser,
aproximadamente igual a - Vcc / Lc' Durante "ts" (tiempo de
almacenamiento) las variables iA, vAK y vGK permanecen
prcticamente constantes. Una vez transcurrido este tiempo
necesario para eliminar suficientemente el exceso de portadores, con el fin de que se cumpla la condicin a+a2<1 (iG<O),
comenzar realmente la transicin ON~OFF
en el GTO
(figura 2.18.b).
La polarizacin inversa de la umon puerta-ctodo (-VGG)
debe producirse cuando "iG" alcanza su valor mximo (negativo), oponindose a que sta siga aumentando y produciendo,
gracias a la inductancia LG, un decrecimiento de la intensidad
"iG" que originar la ruptura de la unin puerta-ctodo durante
el intervalo "tw2". Asimismo, "tgq" es el tiempo que tarda en producirse la polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo.
La tensin vAKcrece lentamente debido a que Cs se opone a
dicho crecimiento. Considerando el caso ms desfavorable
(corte instantneo de la intensidad lo)' la intensidad que circulara sera:
,

e . dV

Rectificador en puente monofsico.

Rectificador en puente trifsico.
Rectificador trifsico totalmente controlado.
Para todos ellos se denominar:

Vi valor medio de la tensin de salida (o de la carga).

li valor medio de la intensidad de corriente de salida.
P = Vd . 1i potencia cedida a la carga.
PF: factor de potencia.
DPF: factor de potencia de desplazamiento.
Vs: valor eficaz (rms) de la tensin vs'
Vm = Vs...ff: valor de pico o mximo.
VLL: tensin lnea a lnea.

2.5.1. Rectificacin en puente

monofsico
Sea el rectificador en puente monofsico de la figura 2.19 (a).
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada conducen
los diodos D y D2, mientras que durante el semiciclo negativo
conducirn DJ y D4. Si el rectificador est en circuito abierto o
si la carga es de tipo resistivo, la intensidad de corriente "is"
estar en fase con la tensin "vs". Si, por el contrario, la carga
es de tipo inductivo, existir un ngulo de desfase <PI entre la
corriente "is" y la tensin "vs".

s dt

id

---;:
Ser necesario, por tanto, dimensionar el condensador Cs de
forma que cumpla la condicin:

'o
dVAK
dt

is

..

V<9

Ls

carga

Ls
JYY"'.
+ vL

01 ..03
I
vd

-Cd

.04*02 _ T
a)

mx

carga

b)

Figura 2.19. a) Rectificador en puente monofsico b) Modelo equivalente.

ITP-PARANINFO

En el supuesto de carga inductiva y suponiendo que la intensidad "id" fuese fuertemente discontinua; es decir, en un semiciclo sta debe pasar por cero aotes de que finalice el mismo, el
modelo equivalente del rectificador sera el mostrado en la figura 2.19 (b), donde "Ls" representa la impedancia de la red y el
diodo indica que slo puede circular intensidad de corriente "id"
en un sentido. Dicho esto, las hiptesis de simplificacin del
modelo a estudiar son las siguientes:
Condensador Cd de gran capacidad, lo cual implica que el
rizado a la salida ser prcticamente nulo: vd (t)= Vd'
Intensidad fuertemente discontinua.
En rgimen permanente el valor medio de id ser prcticamente igual al valor medio de iL: Id=IL.
Las diferentes formas de onda en el circuito sern las representadas en la figura 2.20.

A paJtir de las consideraciones anteriores, estas ecuaciones

penniten obtener el valor de Sr'
Una vez conocido el valor de Sr Y teniendo en cuenta que
"ictCwt)"se repite cada 7tradianes, su valor medio se obtiene promediando "Lsid (M)" en el intervalo O$wt$7t.

el

Ls'ld=

Lsid(wt)

d(wt)

el>

Por lo que respecta a la corriente de entrada ''is'', sta tendr

la misma forma que '\", pero reflejada en los semiciclos negativos (figura 2.20.c).
La potencia media entregada por el rectificador ser de la
forma:

vs

donde:

al
o,

wt

CfJI es el ngulo de desfase entre "v s" e "is 1"

Vs es el valor eficaz (nns) de la tensin de entrada
"vs"
[SI es el valor eficaz (rms) de la intensidad de
corriente "iS1".

La potencia aparente ser: P = Vs' Is

1
rea

A=rea B

El factor de potencia (PF) ser: PF = ~'eos

vd" Vd

.J2Vs

lfll

15

Is PF

b)

El factor de potencia de desplazamiento es: DP F = --O

ISI

wt

8,

Se ha de tener en cuenta que el valor de "'s" es:

1s =

e)
wt

'P,
Para conseguir trabajar con factores de potencia elevados,
que es el objetivo a buscar, ser necesario trabajar con ngulos
de desfase (<PI) pequeos y, al mismo tiempo, poca distorsin de
red.

Figura 2.20. Formas de onda.

En la figura 2.20 (b) se puede observar que Sb se trata del
instante de corte de I vs I con Vd' Su clculo se realizar para
0$Sb$7tl2:
\

IVs(t)I={f'Vs'senwlj

M..

v2 Vs senwI-Vd

v s( 8 b) 1 - Vd

sen8b=

--Vs

Vd

12

Se obtiene, por tanto: '.~/

'JV

d
8 b = are sen ----,,-

V,.{i

\:j

0,;81,;-

TI

En el intervalo O$wt$7t, teniendo en cuenta que "ict"es prcticamente nula hasta Wt=Sb y a partir de M=Sr, se cumplen las
ecuaclOnes:
L

'1""

s 'sen

wl-

En aplicaciones industriales donde se necesite trabajar con

equipos de alta potencia se recurre a los rectificadores trifsicos
en puente (figura 2.21.a).

, 2

Para el diseo del circuito ser necesario conocer "Vd" en

funcin de la intensidad por la carga "Iearoa"para un detenninado valor de Vs y de Ls'
o

v =-f2V

2.5.2. Redificador en puente trifsico

;d

~_a.

ci1
Ls

bVLL

o~o

LB

3i'

vd

Ls

l.

~~_'_+_~
~

Icarg,!

r---'~

.
I
Cd-

-Vd

__
2_~

Figura 2.21. a) Rectificador en puente trifsico; b) Circuito equivalente.

Vd

En el circuito se puede observar que los diodos estn numerados en el mismo orden que van entrando en conduccin; es
decir, cada uno de ellos conduce durante 1200.De este modo, los

ITP-PARANINFO

diodos que en cada instante conducen sern aqullos que estn

conectados entre el par de lneas de alimentacin que tengan la
diferencia de potencial ms alta. Su circuito equivalente se
muestra en la figura 2.21 (b).
En el punto "P", en circuito abierto, existir siempre la tensin ms positiva de las tres fases, mientras que en el punto "N"
la ms negativa. Los pulsos positivos de la envolvente estn desfasados 60 o con respecto a los negativos (figura 2.22.a).
Considerando "Ld" la inductancia del lado de continua, la
tensin a la salida del puente "v/ ya no coincide con la tensin
en bornes del condensador "V/. Si se supone el condensador
"Cd" de capacidad elevada, el rizado ser prcticamente nulo, lo
cual implica que Vd (t)=Vd (figura 2.22.b).

Si se considera la corriente "id" continua [Ld~Ld (mn)]'el

valor medio de la tensin de salida "Vd" puede ser calculado a
partir de la figura 2.22.c. El rea encen'ada debajo de "Vd" ser:
n/6

Ad=

*VLLCOSJ/'cl(.)l)=...J2,VLL

n/6

Se obtiene entonces:
= _'

A/

f2

= _V_L.

rel3

re

~ I 35 V

LL'

LL

Por el contrario, si la intensidad es fuertemente discol}1jnua

[Ld<Ld (mn)],la tensin "Vd" es, aproximadamente: Vd:= >/2Vu.

El valor mnimo de la inductancia "Ld" requerido para que la

corriente "i/ sea continua viene dado por la expresin:
0,013' VLL

2.5.3. Rectificacin trifsica

=---

)./

d(mn)

donde:

totalmente controlada

VLL es el voltaje de lnea a lnea.

m es la pulsacin angular de lnea (radianes/segundo).

Este tipo de convertidores (figura 2.23) se utiliza en aplicaciones industriales de muy altas potencias (hasta 800KVA) en
las que se requiere de una operacin en dos cuadrantes (rectificador o inversor); por ejemplo, para el control de motores de
corriente continua en los que la tensin de alimentacin debe ser
controlable.

id
P
o

.. 1

ll

O
I

'\
I

(P O~ "-

6
vNn

I
I
I
I

I
I
I
I

: vd

I
I
I
I

vab I vae

a)

I
I
I

I
I
I
I

I
I
I
I
1600 I

:-=-=::
vbe

I
I
I
I

vba

I
I
I
I

vea

I
I
I
I

I
I
I
I

Ld

... 5

fV'Y"\

Ls
VLL
vd

fV'Y"\

Ls

0<;

5,6 ,1.6,1 .:.1,2 ,1.2,3 ,:.3,4 ,l. 4,5 ,:. 5,6.1.6,2 ,:.1,2
I
I
I
I

a
o

~3

fV'Y"\

I
I
I
I

fV'Y"\

Ls
....6

~4

.. 2

o
N

vebl vab
I
I
I

I
I
I
I

Figura 2.23. Rectificador en puente totalmente controlado.

(circuito
abierto)

vd=Vd

lt

b)

vd

Vd

lt

e)

Vd

ll

En este caso, modificando el ngulo de disparo "u" de los

tiristores se consigue variar el valor de la tensin de salida Vd'
de tal forma que para ngulos de disparo altos, la tensin media
de salida es baja y viceversa.
Existen en el mercado circuitos integrados como el TCA 780
capaces de producir seis seales de disparo de puerta (figura
2.24). Se puede observar que en cada paso por cero de la seal
de sincronismo se genera un diente de sierra, que tras ser comparado con la seal de control provoca el impulso de disparo de
puerta del tiristor correspondiente.
El ngulo de disparo, siendo O::S:V
conlrol::S:V
si (mx) vale:

Figura 2.22. a) Formas de onda en circuito abierto sin Cd (id-tOl

b) Intensidad de corriente "i/ discontinua

c) Intensidad de corriente "i/ continua.

ex =

I 80

V
(''''l/rol

V....
, (lIIx)

/TP-PARANlNFO

Entonces:

VGI1,2)
o

VGI3,4)
VGI5,G)

Aa

{l'

= [-{l'

VLLsen wt d(wt)

VLLeos wt]

al
V(sincronismo)

3 ..l V

= __
da

3.

3..[2

VGI1,2~

VG(3,4)

Vda=--VLL'COS

V{controll
-1

~n

o ___

wt)

(1- cos a)
_

TI

a~ 1,35'VLL'cos

TI

-1

Si a=0 0, se obtiene que Yda= l ,35Y LL' lo cual supone el

mismo nivel de tensin que con la rectificacin no controlada.

L____
j-

-J------

LL .

De esta expresin se deducen las siguientes conclusiones:

Jl

..l. V

LL

TI

VsI
Vst(mx)

b)

VLL(l-eos

El valor de la tensin media de salida, en funcin del ngulo

de disparo ser, por tanto:

=[2.

VG(5,Gi

-IL

En el intervalo O0<a<90 0, la tensin Yda> O y el circuito

trabaja en modo rectificador.

Figura 2.24. a) Circuito de disparo de puerta; b) Formas de onda.

2.5.3.1.

Si a=90 0, se tiene que Yda= O, lo cual implica que la

potencia intercambiada es nula (tensin nula de salida).

Considerando Ls=O

En el intervalo 90 0<a:S;1800, la tensin Yda< O Y el circuito funciona en modo inversor, es decir, la potencia
fluye desde el lado de continua alIado de alterna ya que la
tensin Yda en este caso es negativa. Para que el sistema
trabaje en este modo es necesaria una fuente de energa en
el lado de continua (por ejemplo una dnamo) para que sea
posible dicho flujo de energa.

En este supuesto las forma de onda sern las representadas

en la figura 2.25.
El principal objetivo ser determinar el valor medio de la tensin de salida Yd en funcin del ngulo de disparo: Yd=f(a).
V=V
ti

Pn

-v

V
da

Nn'

=v __ A
do

TI /

a_

2.5.3.2.
wt =o

Aa

a)

Considerando Ls=F O

El circuito a estudiar es el representado en la figura 2.26 (a).

Al tener en consideracin Ls se recorta la curva de la tensin de
fase (rea rayada Au)' tal y como se observa en la figura 2.26 (b).

wt

T1
vNn

al

bl
Vd=1,35VLL

001

eos a

wt

oot=3

Figura 2.25. Formas de onda considerando ls=O.

Vdo es el valor de la tensin media de salida suponiendo un

rectificador no controlado (a=O). Su valor, tal y como se expuso anteriormente es:

b) O

lt

JlL..~

Por otra parte, Aa (figura 2.25) ser el rea limitada por las
curvas va" y Ve" en el intervalo O:S;wt:S;a.
Se ha de tener en cuenta que:
V

all

ITP-PARANINFO

ell

= V

ae

,(2.

VLL

sen wt

el

__ ld

iC~=i1

a+u

Figura 2.26. Circuito equivalente con ls#O y formas de onda.

lt

En efecto, si se loma como ejemplo el momento en que la

rama "e" deja de conducir, la inductancia (Ls) hace que la intensidad de corriente "ic" no decaiga instantneamente. Al mismo
tiempo, la rama "a" entra en conduccin y la bobina de dicha
rama impide que la corriente '\" aumente rpidamente (figura
2,26.c). La suma de ambas cOITientes durante el intervalo de
tiempo "u" considerado, en el que T, deja de conducir y TI pasa
a O es, prcticamente, constante; es decir:
i + ic = id :: Id = constante

Se obtiene as:
2wL

El hecho de que la intensidad de corriente se mantenga

constante hace que el nivel medio de tensin de las dos fases
que estn conmutando en ese instante adquiera un valor
medio "Vpn".

\'

.:::
}Jfj

\'
(1"

i)a

a'u

VIL'

sen wl d(wt) ~

a.

di
S

=
11

2wL,{,

cos(a+u)~cosa-

. ,

.....
"2- VLL

arc cos cos a [

v,cd(WI)=L,.wdi"
4'

w L,.dia

De aqu se obtiene:

u
v LS dl~L

"
I2.
()

LS

di
vLS~L,._1IdI

'/1)

"

f ...[2.

Para calcular la tensin de salida ser necesario conocer el

rea Al! (recorte de tensin), para lo cual se considerar el intervalo o.<(Ot<CHu:
\'

11

Integrando en el intervalo o.<(Ot<o.+u:

a.

ll

s di

2w

L .{ ]
s d - a

{i. VII.

n'u

Conocido Id Y 0., el intervalo "u" puede ser calculado.

Puesto que la intensidad '\" vara de cero a Id en los lmites
para los que se calcula el rea Al!:
A

It

'fL"

wdi

(1 )-i

~wL.[i

aSada

(O)J~wL

.{

Sd

Finalmente, en la figura 2.27 se muestra el intervalo de operacin del sistema. Se observa que CULlI1do
se trabaja con valores muy pequeos de Id' la intensidad "id" puede lIeg31'a hacerse discontinua. El valor de IdB depende de la inductancia Ld y
es el lmite de intensidad por debajo del cual "i/ se hace discontinua.

()

Teniendo en cuenta que la tensin vpn se repite cada re/3:

Vd

da."

da.

fflLL

V _-'_'
da. n/3
A

3J2 V cos
n
LL

~-_.

Id 3Ls

~Oo

CJJ

1,35VLL cosa

id Discontinua

Se deduce que la inductancia Ls hace que la tensin de salida (Vd) disminuya y, por tanto, se puede asegurar que la tensin
de salida depende de la intensidad de coniente de salida (Id)'

1
id Continua

~Id

IdB

Figura 2.27. Intervalo de operacin.

A continuacin se determinar el perodo de conmutacin

"u" para el intervalo considerado.
P31tiendo de que ia ((O!)+ ic ((01) ~ Id
di

di

di

_II+_C=O

dI

= constante,
di

II

dI

dI

se obtiene:

dI

Por otra palte:

\'

(c)=L
LS

di
,_11

dI

di
L ._c=2.L
s dI

di
._a
s dI

Cuando la potencia a control31' no sobrepasa los 100 KVA

aproximadamente, y se requiere operar en un solo cuadrante, se
puede utilizar un reetifieador trifsico semicontrolado en el
que cada rama del puente est compuesta por diodo y tiristor, En
este caso, para un ngulo o. :s; re/3 y un voltaje continuo de salida, se puede demostrar que:
V,
,a.

3 .-{2. VLL
(1 +cos a)
2n
o

ITP-PARANlNFO

Resolviendo por mtodos iterativos se obtiene Sr=2,56 radianes, cumplindose la condicin rcl2<Sr<re y verificndose la
condicin inicial de una intensidad fuertemente discontinua.

Resueltos
-----Ejemplos
...._....:'

[!]

Un puente monofsico (figura 2.19.a) est alimentado con

una tensin senoidal "vs" de 120Y (60Hz), siendo la impedancia de la red Ls=lmH (Ld=O). Suponiendo la intensidad "id"
fuertemente discontinua, se pide:
a) Calcular la forma de onda, obteniendo Sb y Sr as como el
valor de pico "Id(piCO)"suponiendo Cd muy grande
(vd=Yd= 150Y).

El valor de la intensidad Id(piCO]

se produce cuando vS=Yd; es
decir, para un ngulo igual a re - !:lb:
Id (p;co) = id(n - 0b) = 33,6A

b) Valor medio de la intensidad Id'

e
1
Id=-'A=-'
n

b) Calcular el valor medio de la intensidad Id'

c) Calcular el valor aproximado de Cd para que el rizado sea
inferior al 5%.
SOLUCIN:
El modelo equivalente del rectificador y las formas de onda
son las representadas en la figura 2.28.

id

id(O)dO=8,84A
eb

La elevada diferencia entre el valor de pico y el medio de id

es una muestra de la alta distorsin existente.
e) Valor aproximado

5%.

de Cd para un rizado mximo del

El rizado es la relacin entre el valor de pico a pico y el valor

medio de la tensin en bomas del condensador.

icarga

r(%)

LlV

d
--100<5

s-V
Ll V < __

Vd

Ivsl

d =

7,5 V

100

Cd
vd

Vd

_IL=id

a)

81

82\11:

VL>O

-{2vs

211:

9,

Figura 2.29. Tensin de rizado.

Vd

rot

3n

rot

Tal y como se observa en la figura 2.29, cuando id>IL' Cd se

carga y, por el contrario, cuando id<1L,Cd se descarga.
e2

r2

b)

LlVd=~(id-ld)dt=
d
t,

Figura 2.28. a) Modelo equivalente; b) Formas de onda.

w-Ic

'[id(O)-ld]-dO
d

e,

Por otra parte:

a) Sb' 0r y el valor de pico de Id'
iiO))=id(02)=ld=8,84A

Se sabe que en el punto (1) se cumple:

-{l- Vs-sen 8b = Vd )
re
Sb ~ 2

iiO)

Sb = arc sen . r;/ = 62,11= 1,084 radianes

,,2Vs

= -

450,16 -cos O - 397,89 0+ 641 ,89

Mediante mtodos iterativos y partiendo de Sb para determinar S) y de Sr para determinar S2' se obtiene:
O) = 1,41 rad = 80,78
{ O2= 2,49 rad = 142,66 o
0

Por otra parte, para Sb~S~Sr y teniendo en cuenta que

vL=vS-Vd:
1 a
1 a
id (S) = -J vL d8 = -J (-fi.VsSen S - V) d8 =
wLs
wLs"
ab
"b
I
a
1
a
= -'[-~-Vscos S] - --[Vd' S]
wLs
ab wLs
ab
id (S) = - 450, 16cos 8 - 397,898 + 641,89

Para calcular Sr se toma como condiciones:

id (SI)=
ld

(SI):

- 450, 16'cas S - 397,89S + 641,89 )

8/>2

ITP-PARANINFO

e/=

1,613- 1,131. cas SI

Resolviendo la integral:
Ll V = 17,25 <75
d

w.C'

Cd>

17,25 = 6,1 _10-3 F

w.7,5

Un rectificador trifsico controlado ( figura 2.30.a) se

acopla a la red mediante un transformador de 460Y entre
fases (50Hz), siendo Ls=25IlH. Se sabe que la potencia que
ste cede a la carga (Pd) es de 500KW y la tensin media de
salida (Yd) de 525V. Suponiendo id(t)=Id= constante, calcular:
a) El valor de la corriente media de salida Idb) El ngulo de disparo "ex" de los tiristores.

.:.

l. Diferencias entre un diodo convencional y otro de

potencia.

.:.

6. Diferencias, tanto de estructura como de funcionamiento, entre un tiristor y un GTO.

.:.

2. En un diodo de potencia: De qu depende la tensin de ruptura BY BD? Qu se entiende por

corriente de recuperacin inversa (lIT)?

.:.

7. Cmo se consigue pasar a estado "OFF" al GTO?

Importancia del circuito de disparo de puerta.

.:.

.:.

3. Parmetros y lmites operativos del tiristor. Qu

condiciones se han de cumplir para que un tiristor
est en conduccin o en bloqueo?

8. Tensin media de salida "Vd" en un rectificador en

puente monofsico y trifsico.

.:.

9. En un rectificador trifsico totalmente controlado:

Qu importancia tiene el ngulo de disparo "u"
en su funcionamiento?

.:.

4. Posibles formas de cebar un tiristor. Por qu se le

demomina dispositivo semicontrolado?

.:.

5. Importancia de la velocidad de crecimiento de la

corriente (di/dt) y de la tensin (dv/dt) en el funcionamiento del tiristor.

.:. 10. Efecto de la inductancia de lnea "Ls" en la tensin

de fase en un rectificador totalmente controlado.

ITP-PARANINFO

.~

\' ~
(
uJJ ~rJY!JJ
.,. Clasificar los dispositivos electrnicos utilizados en los equipos de potencia en funcin de sus caractersticas funcionales y reas de aplicacin.
Describir el funcionamiento de los dispositivos electrnicos de potencia, sus caractersticas elctricas y los parmetros fundamentales que los caracterizan.
Explicar los efectos que la frecuencia de trabajo y las condiciones de temperatura
ejercen sobre los dispositivos electrnicos de potencia y las soluciones que se adoptan en los casos ms generales.
Conocer los sistemas de disparo y de corte utilizados para el funcionamiento
distintos elementos electrnicos de potencia .

de los

.,. Comparar y valorar este tipo de transistores con otros posibles elementos de potencia a utilizar en funcin de la aplicacin a realizar.
Clasificar por su funcin los distintos circuitos electrnicos que se emplean en aplicaciones de potencia, indicando el tipo de transformacin energtica que producen y
las caractersticas de cada uno de ellos.
En varios casos prcticos de anlisis funcional de circuitos y sistemas electrnicos de
potencia:
Identificar los componentes activos y pasivos del circuito relacionando los elementos reales con los mbolos que aparecen en los esquemas.
Conocer el princ pio de funcionamiento
transistores MOSF(ET, IGBT y BiT

y caractersticas fundamentales

de los

Calcular las magnitudes bsicas del circuito, contrastndolas con los valores reales obtenidos midiendo en el circuito, explicando y justificando dicha relacin.
Identificar la variacin en los parmetros caractersticos del circuito (forma de
onda, tensiones) realizando modificaciones en los componentes del mismo, explicando la relacin entre los efectos detectados y las causas que los producen.
Reconocer los parmetros fundamentales y necesarios de los transistores de potencia
mediante la utilizacin de los manuales de caractersticas tcnicas .
Describir con precisin y claridad, el funcionamiento de los circuitos convertidores e
inversores explicandp las caractersticas, tipo y formas de onda de las seales y el
tratamiento de las mismas a lo largo del circuito.

 Alta impedancia de entrada (50-100 MQ) lo cual facilita el control de cargas de gran potencia con niveles de
tensin relativamente bajos (de lOa 15V).

3.1. Introduccin
Son dispositivos capaces de accionar cargas de distinta
ndole como puede ser el control electrnico de mquinas
elctricas (motores de CA, motores de CC, motores paso a
paso), convertidores (CA-CA, CC-CC, CA-CC, CC-CA), sistemas de alimentacin inintemlmpida (S.A.I.), sistemas de
iluminacin de alta frecuencia, con'eccin del factor de potencia, etc. Las excepcionales caractersticas de estos transistores, les sitan en una posicin muy ventajosa frente a los
GTO'S y a los tirislores, lo cual hace que se utilicen en aplicaciones relacionadas con la electrnica de potencia de hasta
800 KVA.
Entre las caractersliciJ.s ms relevantes de los MOSFET e
IGBT'S con respecto a los transitores bipolares (BJT) se pueden destacar las siguientes:
Resultan ms simples de excitar que los transistores
bipolares al no requerir corrientes de entrada tan elevadas, ya que se tratan de dispositivos controlados por tensin. mientras que los bipolares se controlan por
corriente (de base), lo cual implicara utilizar corrientes
de entrada muy elevadas para controlar semejantes
potencias de carga.
Alta velocidad de respuesta, lo que supone una gran
ventaja al trabajar en conmutacin tal y como lo hacen
en la mayora de las aplicaciones. Sus tiempos de conmutaciqn permanecen constantes con la temperatura,
hecho que no ocurre as con los bipolares. De ah que en
estos ltimos los tiempos de conmutacin sean mayores.
La tabla 3.1 muestra de forma orientativa los distintos
valores (mximos) de funcionamiento de los dispositivos de
potencia ms utilizados hoy en da.

Tenei6n

Intensidad

(A)

Margen d.
Frecuencia (HzI

TRSTOR

5000

fS;200Hz

G1'O

3000

200Hzs;fs;1 KHz

8JT

1000

1KHzs;fs;10KHz

MOSFET

1000

100KHzS;fS;1 MHz

lOIn'

11 KHzS;fS;75KHz

MCT

1KHzs;fs;20KHz

Debido a que la resistencia interna en conduccin (Ros)

tiene un coeficiente positivo de temperatura (conduccin por portadores mayoritarios) permite la conexin
de stos en paralelo, lo cual quiere decir que si aumenta
la temperatura aumenta su resistencia interna (Ros) de
tal forma que al estar conectados en paralelo sta se ver
reducida a la mitad y, por tanto, aumenta la corriente a
controlar (io)' En los bipolares sucede totalmente lo
contrario, la conduccin es por minoritarios y el coeficiente de temperatura en este caso es negativo.
Buena capacidad para soportar sobrecargas (picos de
corriente aproximadamente tres veces superior al valor
nominal).

3.2. Transistores MOSFET

(Metal-xido-semicondudor)
Existen fundamentalmente dos lipos de transistores MOSFET, de enriquecimiento o acumulacin y- de empobr~cimiento o deplexin, pudiendo ser cada uno de stos a su vez
de canal N o de canal P. En este captulo se tratarn solamente los transistores MOSFET de acumulacin de canal N.
En la figura 3.1 se muestra el smbolo de los transistores
MOSFET de acumulacin canal N y canal P y las curvas
caractersticas del primero.
o

00

1:',

CANAL

o
o

iD

VALOR
OMHMICO

_
VGSVT=VOS
. VGS5
ZONA

VGS5>VGS(..

ACTIVA

etc

iD

VGS4

J I

VGS3

AlTUAl

CORTE
VGS2
VGSl

lINEAlIZAOA

VGS<VT
-VDS

BVoss

-%S
VT

Figura 3.1. Smbolo de los MOSFETy curvas caractersticas

del dispositivo de canal N.

3.2.1. Estructura interna y

funcionamiento de un
MOSFET de pequea seal
Bsicamente, este tipo de transistores, estn formados por
un sustrato tipo P en el que se ha insertado dos regiones muy
impurificadas de tipo N: Fuente (Source) y Drenador (Drain)
separados entre s de lOa 20 f.1m(micras).
Tal y como se observa en la figura 3.2, si la tensin de
puerta (V GS) es muy pequea, a pesar de que existe una tensin apli.cJlda entre drenador y~uente.-01 os), en la puerta metlica se van acumulando cada vez ms por-t.ado.reS-de-carga
positiva que ()ri~
un campo elctrico "E" perpendicular
al xido y dirigido hacia el sustrato. Sin embargo, como la
tensin VGS es muy pequea, dicho campo no es capaz de
atraer apenas cargas negativas (minoritarios) del sustrato
hacia el xido de silicio (debajo de la puerta). Es por ello por
lo que la corriente de drenador es muy pequea (figura 3.2.a).
A medida que la V GS aumenta, el campo elctrico "E"
atrae las cargas negativas del sustrato hacia los puntos cercanos a la capa del xido bajo la puerta, formndose una capa
de inversin o "canal" por enriquecimiento o acumulacin
(figura 3.2.b). A travs de este canal podr circular una
corriente que ir de fuente a drenador si se aplica una tensin
Vos positiva.

ITP-PARANINFO

El valor de VGSpara el cual existe una corriente apreciable

(iD) se denomina tensin umbral (V T o VGS(lh)y ser la tensin para la cual se crea el canal (de 2 a 5V).
Si se aplica ahora una tel)sin VDS (figura 3.2. e), existen
las condiciones necesarias para que circule una corriente "iD",
de forma que para pequeas tensiones de Vos el dispositivo se
comporta como una resistencia controlada por la tensin de
puerta VGS' Se trata de la zona lineal u hmica en la cual la
resistencia entre drenador y fuente (RDS) es constante.
Como quiera que el canal no posee una conductividad infinita, a lo largo de ste se produce una cada de tensin VDS'
lo mismo que en cualquier resistencia. Dicha cada de tensin
(con respecto a masa) es muy pequea en el extremo de la
fuente y va aumentando de forma lineal hacia el extremo del
drenador, de tal forma que sta se opone a la tensin VGSy el
canal va adquiriendo un potencial cada vez mayor con respecto a masa. De esta forma la diferencia de potencial entre la
puerta y el canal (hacia el extremo del drenador) va siendo
menor, lo cual quiere decir que la concentracin de portadores generados disminuye al acercamos al drenador y, por
tanto, la seccin del canal se reduce en esta zona. Se dice
entonces que el canal se ha estrangulado (pinch-off) y esto
ocurre cuando VDS=VGS-V r (figura 3.2.d).

al

Puerta de
metal
Aislador

G
VGS.::;.VT=4V
S
N
Souree
P

N
8+8+ 8
Drain
8+ 8+
8+ 8+ 8+ 8+

-10 A VDS=20V

Substrato
++++++;++++++++

Canal N

S
b)

--------------

iD

--8 ---G----B- -8-

Vr

3.2.2. Zonas de funcionamiento

del MOSFET de acumulacin
de canal "N"
Al igual que en los transistores bipolares existen tres zonas
de funcionamiento (figura 3.1).

3.2.2.1. Regin de corte

-<

Para que el transistor se encuentre situado en esta zona de

funcionamiento se ha de cumplir que VGS:S: VT' En estas condiciones la corriente de drenador es nula (io=O).

3.2.2.2. Regin hmica o lineal

Para que exista intensidad de corriente, el transistor ha de
estar en conduccin y, por otra parte, se ha de cumplir la adecuada relacin entre las diferentes tensiones para que se
encuentre en zona lineal.

G
VGS=12V

I vosl> I Ves

iD
10

Si la VDSsiguiera aumentando, la corriente "iD" ya no crecera ms debido a que se ha estrechado el canal y se mantendr constante. El transistor se encuentra en la zona activa
(tambin llamada de saturacin por la saturacin del dispositivo). En esta zona la intensidad de corriente "iD" es independiente de VDS(figura 3.2.e) y se debe cumplir:

DA

VDS=OV

Ves> Vr - Para que es t en cond uecin

{ Ves-Vr"'Vos"'O
- Para que est en zona lineal

En esta regin, la intensidad de drenador no es nula y vale:

G

e)

,[

++++++++++++++

VGS=12V

lO

S
N

------------==l-e=~
-- 8--

iD

5mA VDS=2V
VDS __

=2K

V~]

(Ves - Vr)' V oS--2-

-g",'(

Ves- Vr)

donde K depende de la geometra del material y g", es la transconductancia.

Tambin es posible expresar la corriente de drenador de la
forma:

VGS=12V

S
d)

D
N
20mA VDS=8V

donde RDS(ON)=f(VGS)'
En esta regin, el transistor se comporta como una resistencia dependiente de VGS' de forma que si VGS aumenta la
resistencia Ros (O ) disminuye.

G
VGS=12V
e)

D
N

N
20,5mA VDS=30V

Figura 3.2. Estructura y polarizacin de un MOSFETde

acumulacin de canal N.

ITP-PARANINFO

3.2.2.3. Regin activa (saturacin de canal)

El transistor ha de estar en conduccin y se han de cumplir
las condiciones para que est situado en esta regin de funcionamiento:

V(;s>

Vr

{ VfJs>

Veis

Para
VI?

que
O

c!-.t en Lona de conduccin

Para

que

est

en zona

de saturacin

de canJI

En cuanto a la intensidad de drenador, sta ser de la

forma: in = K (V0S - VT )2. Ecuacin vlida tanto para MOSFET de pequea seal como de potencia, donde:
K=IJ,,'Cox'W

invertida de electrones libres cuando V GS = V T' En la figura

3.4 (c) se puede comprobar que para VGS > V1" a medida que
se aumenta Vos' el canal se va estrechando debido a que la
concentracin de portadores en esta zona va siendo menor,
por lo que llega un momento en que la corriente "io" deja de
aumentar (zona lineal) de manera que cuando V os = V GS - V T
el canal adquiere una forma constante y la intensidad de
corriente iD tambin permanece constante.

2L
VGGl

siendo:

-1111-'-

/lll la movilidad de los portadores de carga.

Cox la capacidad de puerta.
O) la anchura del canal.
L la longitud del canal.

--1

al

Si02

Limite capa
de deplexin

3.2.3. Estructura bsica de un

MOSFET de potencia

VGG2

$i02

La figura 3.3 muestra la estructura de un MOSFET de

potencia de canal N con una estructura interna orientada vertical mente de cuatro capas (n+ -p - n- - n+).
Fuente
(Souree)

Puerta conductora
(Gate)

VGG3

e)

Body-source
short

Si02

~o_~_e_~_~_l
__~_~_~ __~_~ __~_~ __~:-p(bodyl

~ 1

Parsito
BJT

l' J

iD

n
(regin driftl

-~---Capa

de inversin
con electrones libres

p(bodyl
Canal(Gatel

VGG3>VGG2>VGG1

Diodo
Integral

Figura 3.4. a,b) Formacin de la capa de deplexin. c) La capa de inversin

interfiere con el SiOz cuando la tensin puerta fuente aumenta.
Drenador
(Orain)

Figura 3.3. Estructura interna de un MOSFETde potencia.

Al igual que en los MOSFET de pequea seal, al aplicar
una tensin positiva entre puerta y fuente, la superficie de silicio situada debajo de la puerta se convierte en un "canal" o
capa (se acumulan e-). Ello se debe a la accin del campo
elctrico perpendicular al xido que se produce en esta zona,
llegndose a conectar por medio del canal el drenador con la
fuente.
Adems, se puede comprobar la existencia de un transistor bipolar parsito (NPN) entre los contactos del surtidor y
del drenador. De conducir este transistor, aparecer una intensidad de drenador en momentos en que el MOSFET debera
estar en OFF. Dicha conduccin se produce cuando:
el

VDS>

dI

V LJEjwrtbi/o

(ON)

3.2.4. Caractersticas de conmutacin

Tal y como se observa en la figura 3.5, entre cada uno de
los terminales de un MOSFET de potencia existe una cierta
capacidad. Si bien la capacidad Cgs puede considerarse prcticamente constante, no sucede lo mismo con el resto de capacidades C"d y Cds . Por tanto, los tiempos de retardo son proporcionales a dichas capacidades.
La capacidad C d vara en funcin del estado de conduccin del transistor aebido a la capa de inversin, siendo tanto
mayor cuanto ms lo sea "io". Dicha figura muestra tambin
el circuito a tener en cuenta para el estudio de las formas de
onda, as como la variacin de Cgd en funcin de VDS'

R(;'C~s

Cgd

De ah la imp0l1ancia de limitar la pendiente ajustando la RG.

Para minimizar la posibilidad de que este transistor entre
en conduccin, la capa tipo "P" suele ser ms ancha del lado
del drenador que en el surtidor, formndose as un diodo parsito del lado del drenador llamado diodo inverso de recuperacin que se aprovecha a veces en configuraciones tipo
puente como ms adelante se tratar.
La figura 3.4 (a y b) muestra como se ensancha el canal a
medida que aumentamos la V GS llegndose a formar una capa

Cgd
G

Cg'

- cP

r
Cgd
,D-I(VGSI

Cg,

RDS(ool

Cgdl
VGS=VOS

al

b)

vos

200V

e)

Figura 3.5. Modelo de un MOSFETpara anlisis transitorio: a) Circuito

equivalente para la regin de corte yactiva b) Circuito equivalente en la
regin hmica c) Variacin de la capacidad puerta.drenador en funcin
de la tensin drenador-surtidor.

ITP-PARANlNFO

3.2.4.1. Formas de onda de activacin

(turn-on)

t2=RG(Cgd2+Cgs)

t2=RG(Cgdl

+Cgs)
VGS(th)

VGS(t)
VGS(lo)

La figura 3.6 muestra las distintas formas de onda tanto

para el circuito de puerta como para el drenador. Se observa
cmo la tensin de disparo de puerta Y GG vara exponencialmente debido a Cod y Cgs' Tal y como se acaba de ver, la capacidad Cod vara con la tensin Yos' por lo que en el momento
en que el dispositivo entra en conduccin la YGS se ve afectada por la capacidad Cgd2. Una vez que Yos ha cado hasta el
mnimo de su valor para el cual: Yos = ioRosJoN)' la Y GS
contina su crecimiento exponencial hasta YGG(Cgd2),

- t

iG(t)
Ltd(Off)

Existe un tiempo de retardo llamado td (ONl que es el tiempo

invertido en alcanzar la tensin umbral Yr El paso de corte a
saturacin del transistor tiene lugar en dos intervalos, de forma
que el transistor se encuentra trabajando durante un tiempo
tfvl(Cgdl) en la zona activa y durante otro intervalo de tiempo
tfv2(Cgd2)en la zona hmica. Se denominar tri al tiempo requerido para que el transistor entre de lleno en conduccin y alcance el valor nominal de intensidad de drenador (io)' Por otra
parte, el ritmo de cada de la tensin Yos es igual a:

!---------_--V'OS(t)

--J7~~

l ,
~

trvl

__

trv2

te

tfi

,Vd
- t

----~--

Figura 3.7. Formas de onda tensin-corriente de un MOSFETcuando

entra en corte (suponiendo el diodo inverso ideal).

3.2.5. Lmites
de funcionamiento.
,
Area de operacin segura
En un transistor MOSFET existen tensiones que nunca deben
superarse:

VGG

VGimx): Mxima tensin de puel1a admisible (25-30Y).

Debido a su elevada resistencia equivalente de puerta
(MQ) se pueden acumular cargas estticas fcilmente, por
lo que los MOSFET modernos suelen llevar un zener de
proteccin.

tl =RG(Cgdl +C9S)

t2=RG(Cgd2+Cgs)

VGS(lo)

VGS(th)

:
: Carga de Cgs+Cgd

,
I

;-~~

I
-:

-+VDS(tl

,,
,
:

tfv2

+Vd

:
:

, VOS(on)

lo

OV
td(on)

"Carga de Cgd
:

f--

tfvl
tc---~

Figura 3.6. Formas de onda tensin-corriente de un MOSFETcuando

entra en conduccin y conectado a una carga inductiva (suponiendo

el diodo inverso ideal).

El hecho de que durante un intervalo de tiempo igual a

tfv,+tfv2' la tensin YGS permanezca constante, permite poder
controlar con RG la pendiente de cada de Yos'

BV DSS: Mxima tensin permitida entre drenador y fuente. Este valor depende del grado de dopado de la regin
(n-), sin olvidar que un aumento de BY oss produce otro
aumento de resistencia Ros y, por tanto, una disminucin
de la corriente de drenador mxima permitida. Cuando el
transistor trabaja en conmutacin se debe tener sumo cuidado en no sobrepasar este valor debido a los picos de tensin que se producen, sobre todo si se trabaja con cargas
inductivas.
Tal y como se observa en la figura 3.8, el rea de operacin
segura (S.OA.R.) est limitada por tres factores:
iD (mx) (a 150C).
BV DSS : Tensin de ruptura Yos'

~mx:
Mxima temperatura de la unin.
En dicha regin se pueden apreciar los elevados valores de
corriente de pico as como los tiempos para los que la potencia
generada por un impulso puede ser tolerada de forma segura por
el dispositivo, sin peligro de destruccin .
log(iO)
iO(max)

3.2.4.2. Formas de onda de desactivacin

(turn-off)
En la figura 3.7 se muestran las seales para el caso de desactivacin del MOSFET. En ellas se aprecia tambin la influencia
de las diferentes capacidades tanto para las intensidades de
corrientes como para las tensiones.

ITP-PARANINFO

10.5 seg
10.4 seg
10-3 seg

OC
BVoss

10g(Vosl

Figura 3.8. rea mxima de funcionamiento seguro.

3.2.6. Estabilidad de temperatura

donde:

Una de las ventajas de estos dispositivos est en sus tiempos

de conmutacin, los cuales son muy estables, sobre todo si se
comparan con los de los bipolares. Los tiempos de conmutacin
son esencialmente independientes de la temperatura de operacin, no as con los bipolares que incrementan sus tiempos de
conmutacin cuando trabajan a las mximas temperaturas permitidas.

10

10-'

Se puede decir, por tanto, que la estabilidad de los MOSFET

se debe a que sus tiempos de conmutacin dependen fundamentalmente de la capacidad de entrada Cgs y sta es independiente
de la temperatura.
La resistencia Ros

(ON)

POM es la mxima potencia de drenador.

D es la relacin de servicio (Duty Factor).
Tmax es la mxima temperatura de la unin.
c es la temperatura de la capsula.
ZthIJC) es la resistencia trmica de la unin cpsula.

10-2
o.L,

103

posee un coeficiente de temperatura

(a) positivo, dependiendo de los valores de tensin mxima del

elemento (BY oss y YGs(mx)). Se cumple, por tanto, que:

RDS(ON)

__(1

(T)

----~RDS(Tc=25C)

+~)~

10-4
10-6

25"C

100

10-5

10-4

10-3

10-2

10-'

100

lO'

1, Uuracin del pulso de la onda cuadrada (segundos)

; siendo 0,6 ~ a ~ 0,9

Figura 3.9. Variacin de la impedancia trmica en funcin de la duracin

del impulso de disparo del MOSFET.

3.2.7. Prdidas de potencia.

Consideraciones trmicas

En la figura 3.10 se muestra el circuito trmico equivalente y

la disposicin de los elementos en el disipador de calor.

Las prdidas de potencia se pueden expresar de la forma:

P T ~ PON

donde:

PON

+ P OFF + P

sw

son las prdidas de potencia en la conduccin.

P OFF son las prdidas en bloqueo.

Psw son las prdidas en conmutacin.

La mayor parte de ellas se producen en conduccin, ya que
en bloqueo y en conmutacin son prcticamente despreciables.
Las prdidas en conduccin son: PON = iD2 Rf)S(ON)' donde
ROS{ON) depende principalmente de la temperatura y, en menor
medida, del valor instantneo de la intensidad de corriente de
drenador, de la tensin YGSy de BY oss.

Temperatura

ambiente

(Ta)

La causa de que Rd aumente se debe a que en la regin tipo

n- no se puede producir modulacin de conductividad (se necesita aporte de electrones y de huecos en la misma proporcin,
pero en un MOSFET tipo N los portadores mayoritarios son los
electrones).
De forma aproximada, Rd '" K (BVossP. Esta es la razn por
la que no existen MOSFET que trabajen simultneamente con
altas tensiones e intensidades. Ser necesario, por tanto, elegir
entre una u otra.

Potencia
perdida

Ta

Figura 3.10. Circuito trmico equivalente de un MOSFETy situacin

de los elementos en el disipador de calor.

De manera aproximada, las prdidas en bloqueo y en conmutacin se pueden estimar entre un 15 y un 20 % de las prdidas en conduccin, sobre todo cuando se trabaje en conmutacin
no as en choppeado.
Para una seal de disparo YGSde frecuencia "j" (vase figura 3.9), se tiene:

PON

= P DM'

PDM

"0l1lX

i,5'
T

D=
~DS

C -

i.

(Tj:")

P DM

RDs

Z{/(JC)

(ON)
iD'

VDS(ON)

(Tjlll,)

donde Rth son las resistencias trmicas, expresadas en C/W, las

cuales son:
Rthc es la resistencia trmica unin-cpsula y depende ~el tipo de encapsulado.

ITP-PARANlNFO

es la resistencia trmica cpsula-disipador

depende del tipo de aislante (mica, silicona, etc.).

RlIcs

RlIsa

es la resistencia trmica disipador-ambiente.

El fabricante, generalmente, suele dar informacin acerca de:

~(",axr"

mxima temperatura de la unin permitida.

iDM: mxima corriente de drenador en forma de pico.

RlIjc

RlIcs

iD (Tc=25C)
Grfica de la impedancia trmica en funcin del impulso
de disparo.
Variacin en tanto por ciento de iDI
(Ver figura 3.11).
RDS(ON)

3~

Por Unidad

21_

IMOSFET
100V
VGS=10V
I

con respecto a RDS

~_.

-+

iDM

La figura 3.12 muestra el circuito equivalente de un IGBT,

vlido en condiciones normales (a) y aqul que tiene en cuenta
el efecto del transistor parsito (b). En ella se puede observar
que un IGBT mezcla caractersticas de transistor BIPOLAR y
MOSFET simultneamente.
Drenador

Resistencia

~~

..

r.e:::w

"0';0"

.--+-

"----

""'t.-

1
1-'
]'.

M;'SFj VGS-lOVI
100V

_......L

20

40

Corriente

60

nominal

_ ..

80

iD @ Te = 25C

100
%iDM

Figura 3.11. Variacin en tanto por ciento de iD / iOM con RDS(ON)

con 1(=25

Orenador

Puerta o

. I

iD (Rcanal)

Puerta

O
Resistencia
regin OriW

L __
1

. l

v'.,

MOSFET
1400V
VGS=20V

I
O

Tal y como se indica en la tabla 3.1, actualmente existen en

el mercado IGBT'S capaces de soportar hasta 2.000V(500A).
Resulta, por tanto, un elemento idneo para el control de grandes potencias, tal y como puede ser el control de motores, tanto
de c.a. como de c.c. y para aplicaciones de suministro de potencia, equipos de soldadura, etc. Combina la alta velocidad de respuesta con una ancha rea de operacin segura y con una baja
tensin de saturacin.

--

I
r-----

simultneamente, consiguiendo as el control de grandes potencias (IMVA) con tensiones de puerta relativamente bajas (de 12
a 15V) y grandes frecuencias de conmutacin (hasta 75 Khz).

Surtidor

a)

O
(Fuente)

Surtidor

(Fuente)

b)

Figura 3.12. Circuitos equivalentes de un IGBT.

Una importante ventaja de estos dispositivos se debe a que
llevan incorporados unos diodos de recuperacin muy rpidos,
lo cual permite disminuir los tiempos de conmutacin.

3.2.8. Funcionamiento en paralelo

de los MOSFET

Tiene menores prdidas de conmutacin y de conduccin que

los MOSFET, ya que mejora muchas de sus caractersticas, tales
como la facilidad de excitacin, la mxima corriente de pico, la
capacidad de puerta y la resistencia drenador-surtidor. Un IGBT
es ms rpido que un BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del primero es inferior a la de un MOSFET.

Existen varias razones por las cuajes se pueden utilizar estos

dispositivos en paralelo, tanto integrados en un mismo encapsulado como conectados externamente:

Resumiendo, se puede decir que, al igual que un transistor

MOSFET se trata de un elemento bidireccional en corriente y
unipolar en tensin, es decir, capaz de soportar la circulacin de
corriente en ambos sentidos y tensin de una nica polaridad.

0(,

Se reduce la RDS(ON)'Por una parte al aumentar la temperatura la resistencia tambin aumenta y, por tanto, la
corriente dismjnuye y se restablece el equilibrio; por otra,
al estar conectados en paralelo, la resistencia se queda
reducida a la mitad y la corriente a controlar aumenta.
Se reduce la inductancia LDS (del orden de nH).
Aumenta la iD'
Mejora el comportamiento trmico.
Debido al encapsulado que presenta el drenador y la fuente,
se origina una "inductancia parsita" que, en ocasiones, genera sobrepicos de tensin que pueden limitar la velocidad de
conmutacin.

3.3. Transistores IGBT'S

Se puede decir que este tipo de dispositivos renen las caractersticas de los transistores BIPOLARES y de los MOSFET

ITpPARANINFO

3.3.1. Estructura de un IGOT de

canal N. Funcionamiento
Tal y como se observa en la figura 3.13, su estructura difiere
muy poco de la de un MOSFET, radicando su principal diferencia en la capa (p+) que forma el drenador (coLector) del IGBT;
es decir, se le aade una capa (p+) que suministra los huecos
necesarios a la regin (n').
Este elemento posee internamente un tiristor que, debido a su
estructura minimiza el peligro de que entre por s solo en conduccin. La capa (n+) situada entre la (p+) (drenador) y la (n')
no es estrictamente necesaria para el funcionamiento del dispositivo. En el supuesto de que carezca de dicha capa se dir que
se trata de un IGBT simtrico; en caso contrario ser asimtrico.
El dopado de dicha capa (n+) mejora el funcionamiento del
dispositivo, pues disminuye la cada de tensin en conduccin y
el tiempo tOFF'

Su funcionamiento es muy similar al del MOSFET de forma

que cuando la tensin VGS>V Th (tensin umbral) se forma una
capa de inversin debajo de la puerta (G) que une la regin
drain drift (n-) con las zonas source (n+). Circula entonces una
corriente de electrones a travs de esta capa de inversin que origina una importante inyeccin de huecos desde la regin drain
(p+) hasta drain drift (n"). En este caso, desde drain (drenador)
hasta source (surtidor) se tiene solamente na uni:pon.
La unin formada por (n")-(p)-(n+) que constituye la capa de
inversin, recoge los huecos inyectados desde el drenador (p+) y
funciona, por tanto, como si se tratase del colector en un transistor bipolar. Los huecos inyectados o repelidos desde (p+) se
recombinan en la regin drain drift (n") y en la capa inversa con
los electrones. Aqullos que no se recombinen alcanzarn la
regin de fuente (source), existiendo, por tanto, una corriente
desde el drenador a la fuente. Es esta inyeccin de portadores la
que baja la resistencia de la regin (n-), lo cual hace que disminuya la cada de tensin en conduccin y, por tanto, se podr
hacer circular grandes intensidades de corriente, cosa que no
poda alcanzarse con un MOSFET.

nos por los que circulan los huecos en la regin drain drift. Ello
se debe a que algunos huecos procedentes de la capa p+(drenadar) no se recombinan y van hacia la fuente, originndose as la
IBIPOLAR.
Si esta corriente es suficientemente grande, el tiristor
parsito puede dispararse y entrar en conduccin (cortocircuito
entre fuente y drenador). Existe, por tanto, una componente de
corriente que circula lateralmente a travs de la regin body que
origina una tensin lateral y que cae en la resistencia hmica de
esta capa. El valor de dicha corriente es aproximadamente igual
a: IBIPOLAR
= K- iD'
Si esta tensin es suficiente, se origina una inyeccin de electrones desde source a body que puede ser capaz de activar los
transistores parsitos npn y el pnp; se dice entonces que el transistor ha entrado en IATCHUP. Una vez que el transistor entra
en IATCHUP ya no se puede controlar la intensidad con el circuito de puerta y la nica forma de salir de esta situacin es cortando la corriente. Una forma de evitar este problema es haciendo lento el Turn-OFF, para lo cual ser necesario colocar la
adecuada resistencia de descarga en el circuito de puerta. La
condicin para evitar que el tiristor parsito entre en conduccin
consiste en cumplir la condicin:

Puerta
Si02
Regin

Body

l D

< VBE (QparsilO)

ON .

------,

Donde

RLATERAL

Body regin resistence

RLATERAL

J2

Regin Drain drift

n-

Jl

n+

Capa Buffer

p+

Capa de inyeccin

..J~!

VGS4
iD.

VGS3

Drenador
VGS2

Puerta

II~

VGSl

VGS4>VGS3>

VGS2>

VGS 1
- VDS

VGS

VGS(lh)

BVDSS

Figura 3.14. Smbolos de un IGBl de canal N, caracterstica tensin

corriente y curva de transferencia.
n+

El El El El

p+
Drenador

Puerta

La caracterstica tensin-corriente para un IGBT de canal N

se muestra en la figura 3.14. La tensin inversa VRMpuede llegar a ser tan alta como la tensin que se pueda aplicar directamente si el dispositivo fuese construido sin la capa (n+). La tensin aplicada entre drenador y surtidor cae en J2 por lo que
solamente circular una pequea intensidad de fugas.

3.3.2. Caractersticas de conmutacin

p+

Orenador

Figura 3.13. Estructura interna de un IGBl de canal N.

La cada de tensin en el IGBT (debida a RDS) vara muy
poco con la temperatura, pues si por una parte el MOSFET tiene
un coeficiente de temperatura positivo, ese efecto se compensa
con el coeficiente negativo de temperatura de la cada de tensin
en la regin (n"), por lo que la variacin es mnima.
La activacin no deseada del tiristor parsito que forman los
dos transistores pnp y npn, tiene mucho que ver con los cami-

En la figura 3.15 se observan las caractersticas de conmutacin, tanto para el Turn-ON como para el Turn-OFF. Quiz
una de las diferencias fundamentales es que para asegurar el
Turn-OFF se aplica un nivel de tensin negativo en la puerta y
que por lo que respecta a la corriente "iD" sta tiene durante el
Turn-OFF dos intervalos distintos:
El intervalo til que corresponde
MOSFET.

al Turn-OFF

de un

El intervalo.~2 que es debido a las cargas acumuladas en

la regin drift (n-) [BJT].
Aunque las caractersticas son muy similares a las de los
MOSFET, se puede destacar que en el transitorio OFF~ON la

ITP-PARANINFO

variacin de tensin (L1VDS)es mayor en ellGBT que en el MOSFET. Por lo que respecta al transitorio ON40FF existe un tramo
de iD (tfi2)que en el MOSFET no existe. En este tramo tenemos
una tensin elevada, por lo que a pesar de que iD ya no es muy
alta, las prdidas son considerables. El tramo de cada rpida de la
intensidad iD(tr,1) corresponde a IMOSFET
que decae rpidamente,
mientras que el otro tramo (tr,;>corresponde a IBIPOLAR' Este es el
motivo por el cual el tiempo de conmutacin del IGBT es casi tan
alto como el de un BIPOLAR(ON-OFF)

El circuito de disparo es la etapa existente entre el circuito

generador de la seal de disparo y la puerta del elemento de
potencia en cuestin. Un posible circuito de disparo se muestra
en la figura 3.16, el cual utiliza un amplificador operacional
(OP07) y dos transistores en simetra complementaria. El amplificador operacional trabaja como comparador de nivel, de tal
forma que cuando la seal presente en la entrada no inversora
(+) supere la existente en la entrada inversora (-), la salida de
ste pasar a nivel alto (+12V), el transistorQI se saturar y, por
tanto, el MOSFET conducir. En el caso opuesto, Q1 se pondr
al corte y el MOSFET no conducir.

TURNO "ON"
VGS(t)

O+Vd

Rl

iDlt)
Entrada

R2

BDX53)
10K

R3

nlK

lf

10K

OP07

01

~m

I'!

RG

BDX54

~N4~~8
11
1

1 8>1'-' .

,-------

VGG+

lo

+Vcc=+12V

~'

RL

f
MOSFET

Cl TloonF

.J.'

VDS(t)

Figura 3.16. Circuito de disparo basado en A.O. OP07.

+Vd

VDS(on)

El circuito de la figura 3.17 utiliza un Cl. 555 trabajando

como disparador Schmitt (asimtrico: 1/3 y 2/3 de Vcc).
Dicho circuito funciona en los flancos de bajada de la seal de
entrada y la corriente de entrada al transistor (iG) estar limitada por las caractersticas del propio circuito integrado y de
la resistencia RG.

TURNO "OFF"
VGS(t)

La utilizacin de ambos circuitos nicamente tiene sentido en

aplicaciones de baja velocidad de conmutacin y sta depender
de la velocidad de subida y de bajada de ambos integrados, si
bien se ha de tener en cuenta que el primero de ellos genera
mayores corrientes de puerta (iG) que el segundo.

o
VGG-

iDlt)
I
I
I

tdloff)

I
I
I

Corriente

-f.--i-I
I

Corriente

I
I

',

VDSlt)

I
I

trv

I
I

.,

Itfi1

o +Vcc=+12V

MOSFET

BJT

I
I

.,

I
8

t--

I
I
I

+Vd

Entrada
O

RG

Ul

555

-c::J

lO

I~
I

+Vd

RL

MOSFET

Figura 3.15. Caractersticas de conmutacin de un IGOl

.L
Cl

3.4. Tcnicas de excitacin

de los MOSFET e IGBT'S
Los MOSFET Y los IGBT'S se utilizan, en muchas ocasiones, en aplicaciones de potencia a elevadas frecuencias (PWM),
las cuales exigen corrientes de puerta no demasiado altas (alta
impedancia de entrada) para poder conseguir rpidas velocidades de conmutacin y, por tanto, menos prdidas.

ITP-PARANlNFO

10nF

C2
100nF

Figura 3.17. Circuito de disparo basado en CI. 555.

Cuando el surtidor del transistor a controlar no va conectado
directamente al punto negativo de la tensin de alimentacin de
la carga RL o se desea controlar el transistor superior de una
rama de un puente inversor (monofsico o trifsico), lo que se
hace es introducir una alimentacin flotante (+V1) y colocar un
optoacoplador para aislar la seal de disparo con el objeto de no
producir un cortocircuito (figura 3.18).

o+Vd

o+Vl=+12V

2 ~_~~~:6
o
Entrada

~~

1,"".

3 ,
o
1
,

~..I..

1,40106
Al ,

R2

330n
RG'.

.~

..

~
I

I MOSFET

I :5

OV

iT

Entrada

Figura 3.18. Circuito de disparo con optoacoplador.

~....

Al

Dl0K

R2

OSK
.

R4

r..

02400

A5

BC337
~

O:G

03
BC327

IGBI~-

c::J

_...:

01
BC547

12

BDXS3

1. 02

R3 024ll.

L--------------15~j

-Vl=-15V

En la figura 3.19 se utiliza el optoacoplador 6N 137, mucho

ms inmune que el 6N136 y para incrementar la corriente de
puerta "iG" se utilizan puertas lgicas capaces de suministrar la
adecuada intensidad de corriente. Al aplicar un impulso positivo en la entrada, a la salida de la puerta AND se obtiene un "uno
lgico" y el transistor del optoacoplador conducir, con lo que a
la salida de la puerta inversora habr otro "uno lgico", el transistor QI conducir y, por tanto, el MOSFET tambin lo har.

f-----------------l

o +Vd

6N136

OV,

+Vl=+15V

el
-100nF

OI

1 ~I

1,6--L~J'

1O;__ ~1_1

principio de funcionamiento del circuito no difiere demasiado

de los anteriores, en el sentido de que un impulso positivo de la
seal de entrada coincide con la activacin del elemento de
potencia y viceversa.

1212

t~
av

O-

os..:l.-BDX54 7"

RL

Figura 3.20. Driver para el control de IG8l o GlO.

En la figura 3.21 se muestra un semipuente con circuito
excitador incorporado, diseado para tensiones del bus de
continua (Yd) menores de SOY. Utiliza dos MOSFET IRFS40
(IOOY, 27 A).

Suponiendo que Y(QA +) est a nivel bajo, el transistor QI no

conduce mientras que Q2 si lo har, por lo que QA + entrar en
OFF. Por su paIte, la tensin Y(QA')=YC(QA') estaI- a nivel alto
y, por tanto, el MOSFET (QA') se pondr en ON. La conduccin
de QA' provoca que el condensador CI se cargue a travs de R;
y DI con una constante de tiempo:
(R3+R4)'Rs

,- ( -----

R3+R4+Rs

El valor mximo de la tensin de carga de dicho condensador

ser:

VI
VCI(mx)~

R3+R4+Rs

'(R3+R)~14V
.

Tanto D2 como ZI no conducirn ya que las tensiones en la

puerta de QA + y en el drenador de QA' son prcticamente nulas.
"',
I

--- ------- ~,

,,
,,
,,
,,
,,
,,
,

o
+Vd=24V
R2

~33K

RS ~2011
DI
lN400~

Rl
VIOA+I

c::J

KOl

Be547

VlOA+1 !

LJ~
V(OA-I~

o
OV

..
1

13V

Cl
I
D2 ..A...lOpF
lN4007

- ,.

VGlOA)

..A...DA+D~oOll

OA~

.
I

22nF

OA+
lK2

c::J

02
~Zl
Al BDSS3

33K

.Lc

R4
R3 loan

SALIDA

CARGA

.Lc
-

22nF

"DA~

~OOll

Figura 3.21. Rama de un inversor con circuito de excitacin.

Figura 3.19. Circuito de disparo con optoacoplador
y alta inmunidad al ruido.
Por su parte, el circuito de la figura 3.20 muestra el "driver"
idneo para el control de un IGBT o de un GTO, los cuales se
suelen poner en OFF con una tensin negativa. En este caso el

Por el contrario, si Y(QA +) est a Illvel alto y Y(QA') est a

nivel bajo, el transistor QI se satura y Q2 entra en corte. Como
consecuencia, QA + entrar en conduccin (ON) y QA' en corte
(OFF). La carga anterior de CI hace que la tensin puelta surtidor de QA + sea alta, pues la corriente que circula ahora por R4 es
pequea al estar Q2 cortado y D2 bloqueado. El diodo D2 blo-

ITP-PARANlNFO

quea la tensin (positiva) VGSIya que sino ZI entrara en conduccin. DI impide que CI se descargue por RsEn el supuesto de que la carga fuese de tipo inductivo, pueden aparecer picos de tensin negativos en la puerta debido a la
conmutacin de los transistores MOSFET. En este caso ZI se
encargar de limitar dichos picos negativos para no sobrepasar
la mxima tensin negativa de puerta.
Una de las ventajas de este circuito es que no necesita aislamiento de la seal de puerta. Las redes "snubber" que se
colocan en paralelo con el elemento de potencia (C=22nF y
R= I00 Q) tienen el objetivo de evitar problemas de sobretensiones (dV/dt) debidas a las inductancias parsitas y a los
bajos tiempos de conmutacin.
Tambin se puede emplear, en lugar de un elemento ptico
(optoacoplador), un transformador de impulsos como aislamiento elctrico para los circuitos de excitacin (driver). En este
caso no es necesario utilizar una fuente de tensin aislada tal y
como suceda en los casos anteriores.
Los transformadores de impulsos poseen un bobinado primario y uno o dos secundarios. Cuando poseen dos secundarios
permiten obtener seales de disparo para excitar transistores
conectados en serie o paralelo. Estos transformadores, generalmente, deben tener una inductancia de fugas muy pequea y el
tiempo de subida del pulso de salida debe ser tambin pequeo.
Con un pulso relativamente largo y una baja frecuencia de conmutacin, el transformador se saturar y la seal de salida aparecer distorsionada.
Para aquellas aplicaciones de suministro de potencia DC,
donde la relacin de servicio "D" (duty cycle) est comprendida entre O y 0,5 se puede emplear el circuito de la figura 3.22.

El condensador C hace que a la salida del buffer se mantenga un nivel medio de tensin continua Ve que evite la saturacin
del transformador. Cuando la relacin de servicio supere el 50%,
el voltaje en la puerta no es suficiente para disparar el elemento
de potencia, tal y como se observa en la figura 3.23.
Un circuito, ms completo, con transformador de impulsos
que puede ser empleado es el representado en la figura 3.24,
cuyas formas de onda ms representativas se indican en la figura 3.25.

I- ~I-~

Zl

1"-

o,

I c>-I"J

I~

tvsec
LO

e
Vcontrol

VC2

Vcontrol

VA

VD

VB

1
t
1

e
,,

,,

~
I
I

r=

~ t

RG

.~(=

--r-----

1'

Figura 3.24. Driver completo mediante transformador de impulsos.

Vc
1 :a

I~ o

RG

c::J _I,j

.~

VA-VB
o +Vcc

C2

Vsec

-t

Figura 3.25. Formas de onda representativas del circuito de la figura 3.24.

Figura 3.22. Driver con transformador de impulsos para O ., D ., 0,5.

Voltaje de
salida Buffer

Vsec

_1r---I-

3.5. Reduccin del pico

__l+=eeD
-

de corriente inverso

~t

Duty

cyele

Voltaje de
salida Buffer

la' Vee . (,-DI

---+

I-i--~

__ ---c=-~_-_---~~

I
~

Duty
( eyele
D
0.3

Figura 3.23. Formas de onda en el circuito de la figura 3.22.

ITP-PARANINFO

0.5

~ t,

~I_~

vc_

Vsec

Tal y como se observa en la figura 3.26, variando la resistencia de puerta RG(ON)se modifica la pendiente de la intensidad de
corriente que circula por el diodo ya que de alguna manera se
hace que el transistor entre a conducir antes o despus, con lo
cual ambas pendientes sern iguales pero de signo contrario.
Cuando el transistor se pone al corte tambin es posible hacer
que la descarga del pico de corriente inversa dure lo menos posible colocando una resistencia RG(OFF)'
Si el diodo inverso de libre circulacin del elemento de
potencia es suficientemente rpido har que el transistor entre en
conduccin antes pero originar un pico de corriente mayor. Si

lo que se desea es prolongar la entrada en conduccin del transistor ser necesario aumentar la resistencia de carga RON' con
lo cual se disminuye tambin la pendiente del diodo ya que a
medida que uno entra en conduccin el otro lo va dejando (pendientes iguales pero opuestas).

./2

L-/1IL

V ti - V

11

(J

La corriente "iL" decrece lineal mente desde 12 hasta 1I en el

intervalo de tiempo t2, por lo que:

~t

diDf (R

11

donde ~IL = 12-11 es la cOITiente de la componente ondulatoria

(perturbacin) pico a pico de la bobina L. Igualando el valor de
"~IL" en las ecuaciones anteriores, se o tiene:

trr

--

1, =L /1IL

Vd V,,= L

~/L=

(V[ V,)
----./
L

Vo

=-'/~

'L-

dir (RGOFF)

dt

GON

iL

dt

12

L'.IL

11

Figura 3.26. Reduccin del pico de corriente inverso.

Vcantrol

IL

12

11

D1(ON)

O(aN)
I

I
I
I

I
I

Ts

3.6. Aplicaciones
A continuacin se tratarn algunas de las aplicaciones ms
representativas
de los transistores POWER-MOSFET
e
IGBT'S.

I
I
I
I

I
I

va=vc
12-10
11-10

3.6.1. Regulador 'reductor

DC-DC (BUCK)

vL
El regulador reductor es un circuito en el que el voltaje
medio de salida "Vo" es menor que el voltaje de entrada "Vd'"
de ah el nombre de '~.L~ductor".En la figura 3.27 aparece el circuito a estudiar, el cual utiliza un transistor TGBT.
id

iL

"lIII

Vd T

I Co~trol I

+
L
~rv-YY"\
L

VdVa

io
,+

c~T e

io

[------------------

------------------------

v.J..

D,

iO

IVoO

Figura 3.27. Convertidor reductor (Buck).

Figura 3.28. Forma de onda de il en un convertidor reductor.

Teniendo en cuenta el concepto de relacin de servicio (D):

/1 =

El funcionamiento del circuito se divide en dos partes; la primera tiene lugar cuando se conecta (conduce) el transistor Q,
donde la corriente de entrada circula a travs de la bobina, del
condensador y de la carga. La segunda tiene lugar cuando se
desactiva el transistor y se pone a conducir el diodo. En este caso
la cOITiente "iL" no puede cambiar instantneamente su sentido
de circulacin; ello hace que dicha corriente circule ahora a
travs de la propia bobina, del condensador y de la carga. Las
formas de onda correspondientes a los voltajes y a las corrientes
en regimen permanente aparecen en la figura 3.28.
Suponiendo que la corriente que circula por la bobina "iL"
aumenta linealmente desde 1, hasta 12 en el tiempo ti y recordando que la cada de tensin en una bobina vale vL=L(di/dt):

D'Ts;

/2=

(I-D)'T5

r1

V = V ti --D
Vd
T
(J

En el supuesto de que las prdidas sean nulas: Vdld=

V o' 10= D Vd' lo; la corriente promedio de entrada "Id" ser
igual a: Id= D [o' El perodo de conmutacin T s se puede
expresar como:

V,,'( l-D)

fs'L

ITP,PARANINFO

Suponiendo que la corriente de la componente ondulatoria de

la carga "~io" es despreciable frente ~iL=~ie' la corriente promedio del condensador "Ie"que circula para tll2+tz12=Ts/2, es
igual a: le=~I/4.

iL,id
+
____ rY"'V"""Y\

A
UL

TS'~/L

S'C

~ Vc=vc-vc(!=O)=cJ-4-dt=

~ V =
e

Vd

-'-

iL,id
~

f/-S'L'C

Vd

_1_

Vd

l~~ajll-+
I
I
---Control

Figura 3.29. Convertidor elevador (800st).

El funcionamiento del circuito se puede dividir en dos

modos. El primero de ellos comienza cuando se activa (conduce) el transistor Q. La corriente de entrada "iL" aumenta linealmente circulando a travs de bobina L y del transistor Q de
modo que Yd=YL. El segundo modo comienza cuando se desconecta el transistor, momento en el cual como "iL" no puede
cambiar de sentido instantneamente, se produce una f.c.e.m.
entre extemos de la misma que hace que la corriente circule
ahora a travs de L, C, la carga R y el diodo DI' La corriente en
este caso decrece lineal mente hasta que se vuelve a activar en el
siguiente ciclo el transistor; de esta forma la energa almacenada en la bobina es transferida a la carga. Los circuitos equivalentes para estos modos de funcionamiento se muestran en la
figura 3.30 y las formas de onda correspondientes a los voltajes
y corrientes en la figura 3.31.

ITP-PARANINFO

.L

Q(OFF)

Modo 2

Figura 3.30. Modos de funcionamiento del convertidor elevador (800st).

Suponiendo que la corriente que circula por la bobina (iL)

aumenta linealmente de II hasta 12 en un tiempo ti y decrece
linealmente desde 12 hasta II en un tiempo tz, se tiene que:
12-/1
Vd=L'--=L'--=
ti
= o

~/L

~/L

tl=L'-ti

~/L
L -t

Vd
t2

~/L
L -V-V
()

donde ML = 12-11 es la corriente de la componente ondulatoria

(perturbacin) pico a pico de la bobina L. De las ecuaciones
anteriores se deduce que:
~I

Vdtl
L

(Vo

=--=----=
L

Vd)-t2
L

V =V

(t.1

)+-

Teniendo en cuenta el concepto de relacin de servicio (O),

el voltaje medio de salida (Yo) vale:
t) =

Vo

Q-----{)

D1

vDS

Como su propio nombre indica, se trata de un regulador elevador (figura 3.29) en el cual el voltaje de salida es mayor que
el de entrada y que utiliza como elemento de potencia un transistor MOSFET.

;Lt~~
l. -

D1(ON)

rY"'V"""Y\

DC-DC (80051)

'd.

Modo 1

- SC-!.

!'3.6.2. Convertidor elevador

vL

io

iC

~/L

V - V

1_

= _V_o_'
(_l-_D_)_

S ec Vd'f/

Q(ON)

Vo' (Vd- V)

Este regulador tiene una alta eficiencia y adems el di/dt de

la corriente de carga est limitado por la corriente de la bobina
L. Como regla prtica a fin de maximizar la eficiencia, el perodo mnimo de la seal de control, debe ser aproximadamente del
orden de 100 veces mayor que el tiempo de conmutacin del
transistor; por ejemplo, si el transistor tiene un tiempo de conmutacin de 0,5 Ils, el perodo de la seal de control debe ser de
50 Ils (fs=20KHz). Esta limitacin se debe a las prdidas por
conmutacin en el transistor, las cuales se incrementan con la
frecuencia de conmutacin y como consecuencia de ello la eficiencia se reduce. El voltaje de control a aplicar en el circuito de
puerta, se obtiene al comparar el voltaje de salida con su valor
deseado.

.o

El voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del condensador "~Y e" valdr en este caso:

Ti2

D1(OFF)

D Ts;
Ts

=V '-=
d

t2

t2= (1- D)' Ts

Vo - Vd

Vd
--

1- D

=---

Vo

En el supuesto de que las prdidas sean nulas:

Ydld=Yolo=YdIJ(I-O), la corriente promedio de entrada "Id"
ser igual a: Id=loO/(l-O). El perodo de conmutacin Ts se
puede determinar a partir de:
l

=_= ti +

fs

L'~I
t =--_L
2
Vo-Vd

= ~

1 =
L

L'~1

L=

Vd

V'(V-V)
d
o

fsevo

L~/V

L ()
(Vo-V).Vd

V'D
d =_d_
fS'L

Cuando el transistor est activo, el condensador suministra la

corriente de carga para t=tl. La corriente media del condensador
durante el tiempo ti es le=O y el voltaje de la componente ondulatoria de pico a pico "~Y e" es:
1

~ Vc=vc-vc(t=O)=cJ

t
I

Icdt=CJ

o
ti =

Ts-

lo' ti
lodt=---c-=

O
Vo - Vd

t2= ---

fs'

Vo

Vconlrol

t_ ~==~
=====.F'
11

12

Vo-Vd

'
F'~

vLl
Vd
I

modo 1, el transistor Q est activo y el diodo DI est polarizado

inversamente. La cOITiente de entrada, que aumenta linealmente, circula a travs de la bobina y del transistor. Durante el modo
2, el transistor se pone en OFF y la corriente que circulaba a
travs de la bobina sigue su sentido de giro pero ahora a travs
de L, C, DI Y la carga. La energa almacenada en la bobina se
transfiere a la carga y la corriente que circula por la bobina va
descendiendo hasta que se vuelve a activar Q. Los circuitos
equivalentes para los dos modos de trabajo se muestran en la
figura 3.33. Las formas de onda se indican en la figura 3.34.

~----

iL

D1(ON)

iL,id

0----0

12
11

'::

Q(OFF)

.-

+
Vd

-=-

C.,..

----~--_~

iC

io

Modo 1
iC
12-10 ,

Q(OFF)

o
lo

Vd

D1(ON)
0--0

iD

'L

VQ=VC

iL

iC

io

Modo 2

io

l=-=-=-=-=-=-=-=-=-===-=--=-=-=_IO

Figura 3.33. Modos de funcionamiento del regulador reductorelevador.

~

Figura 3.31. Formas de onda del convertidor elevador (Boost).

Al igual que el anterior regulador tiene una eficiencia alta (un
solo transistor). El voltaje de salida resulta muy sensible a los
cambios durante un ciclo de trabajo (O) y puede resultar difcil
de estabilizar el regulador. La corriente media de salida ser
menor que la de entrada en un factor de (1-0).

3.6.3. Regulador reductor-elevador

(BUCK-BOOST)

Suponiendo que la corriente que circula por la bobina (iL)

aumenta lineal mente de 11 hasta 12 en un tiempo ti y decrece
linealmente desde 12 hasta Ilen un tiempo Lz, se tiene que:

donde ~IL = 12-11 es la corriente de la componente ondulatoria

(penurbacin) pico a pico de la bobina L. Teniendo en cuenta la
relacin de servicio (O):

Este regulador (figura 3.32) suministra un voltaje de salida

que puede ser menor o mayor que el de entrada, de ah el nombre de "reductor-elevador"; adems la polaridad del voltaje de
salida es opuesta a la de entrada.

Vd

...

id...

-----.

D= __

d__

1- D

0_

Elevador
Reductor

Si D<O,5

.....iD

Vo- Vd

Si D>O,5

D1
Q

V D

V = __

Suponiendo las prdidas nulas: Vdld= -Volo=Vdlo 0/1-0, la

corriente promedio de entrada "Id" ser igual a: Id=lo,O/l-O. El
perodo de conmutacin Ts se puede determinar a panir de:

o
Vconlrol

T
iC

S
io .

j'

1
S

= 1 + 1 =
1

L-!1/

Al igual que en los dos reguladores anteriores, el funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos. Durante el

=
L

L(V-V)'!1/
o

V
V 'V
d

.('L'(V-V)
s
()

V 'V

ti

!1 /

Figura 3.32. Regulador reductorelevador (BuckBoost).

L'!1/

L
d

Vd'D

o
d

J."s'L

Cuando el transistor est activo, el condensador sumjnistra la

corriente de carga para t = ti' La corriente media de descarga del

ITP-PARANlNFO

condensador es Ic=lo y el volt~e de la componente ondulatoria

de pico a pico ",-1Vc" es:

1'1

'1
'1
I led1=I
10'11
Vc=lodl=-

eo

o
D

La segunda empieza cuando se desconecta Q, el condensador

CI se carga a partir de Vd Y la energa almacenada en Lz se transfiere a la carga. El condensador CI es el medio para la transferencia de energa de la fuente a la carga. Los circuitos equivalentes para ambas configuraciones se muestran en la figura 3.36.

Is

1=..tl=.bd.

v,,"''"'

I
I

vL

directamente y el condensador CI se carga a travs de LI. De

esta forma, el funcionamiento del circuito se puede dividir en
dos configuraciones o modos. La primera comienza cuando se
activa el transistor Q (t=O). La corriente aumenta a travs de LI
y simultneamente el voltaje del condensador CI' que polariza
inversamente al diodo DI' se descarga a travs de Cz y L2.

Suponiendo que la corriente" iu" aumenta linealmente de

IUI hasta luz en un tiempo ti y debido al condensador CI decrece linealmente desde luz hasta IU1 en un tiempo Iz, se tiene que:

T'~'

I
I

I
I

I
I

+Vd

/1/LI
-LI'- -=
t

/Ll2- LII

Vd=LI'

t
lid

. t

v-v
d

-Vd

=-L

CI

/11L1

/1/LI
L '--I V _ V

~~-----

-------

IZ=

'--=

/1/

ILI
-v-

=LI

ti

CI

Igualando:

iL
12

V/

/11

11

Vd

d_1

= __

VCI=~-

LI

I-D

iD
12

11

iL 1

L1

iC

rv-v-Y"\
+

VLl

...

Cl

11

iL2

L2

rv-v-Y"\
VL2

Vd-

12-10

1voD

C2-

iC,ro.l+

-lo

Vo=VC

Modo 1

;01

1+
~

_
_

lo

Figura 3.34. Formas de onda del regulador reductor-elevador.

iL1.,.

Ll

VLl

~I-

Vd -

L2

VL2

01

--

C2=

00 ~

io ...

iC2

ITP-PARANlNFO

Figura 3.36. Modos de funcionamiento del regulador Cck.

Si se repite el mismo proceso ahora para la corriente iL2, se

obtiene:

= __
CI

Cuando se conecta el voltaje de entrada Vd' en ausencia de la

seal de control del transistor Q, el diodo DI queda polarizado

,+

Modo 2

V
Figura 3.35. Regulador Cck.

,1

3.6.4. Regulador CUCK

Al igual que el regulador "buck-boost", el regulador Cck
(figura 3.35) proporciona un voltaje de salida que puede ser
menor o mayor que el de entrada y la polaridad del voltaje de
salida es opuesta a la de entrada.

.. rv-v-Y"\~
iL2

Cl

Igualando ambas expresiones de VCI se obtiene:

V

=
o

D'V
I-D

v
0

Si se supone
un circuito
sin prdidas:
V dId=
-VoIo=V d1oD/(I-D), la corriente promedio de entrada "Id"
ser igual a: ]d=]OD/( I-D). El perodo de conmutacin Ts se
puede expresar por una parte como:
1
Ts -

'S ~

LI VCI . ~
ti + /2~ - -----=
Vd'(Vd-

I LI

Vi ( Vd - V C I
~I LI

Al circuito convertidor se le encomendar la tarea de producir tensiones alternas (monofsicas o trifsicas) de frecuencia
fija o variable, as como tensiones continuas en el supuesto que
as se desee.

~ - -----

Vc/)

fs'LI'VCI

Cuando el transistor Q est desactivado, CI est cargado por

la corriente de entrada durante un tiempo t = ~. La corriente promedio de la carga para CI es ICl= Id Y el voltaje de la componente ondulatoria ser:
1,

l
~ VC

~ I

CI

~ V

JI

~
CI

-J
C

dt~

c,

20

~ Vel

V)

fs'CI

QC+

"DA+

V" .( I - D)

L2

as

iB ..

I
... DC+
iC

oc-

I~ :;;:DS.

I~

---v

I
\

DC

rOO

Motor

.1.

3-

/
./

OV

Figura 3.38. Puente trifsico con transistores MOSFET.

En la figura 3.39 se muestran las diferentes formas de onda

cuando las seales de control en las puertas de los transistores
son las especificadas.
Si se realiza el anlisis durante el intervalo de tiempo to ~ t ~ tI'
conducirn los transistores QA +, Qc + y QB', siendo el circuito a
estudiar el de la figura 3.40.a.

-----

.F

Vd . D

= - -----

l'

2Js

20

l'

o----J~

QA - :;;:DA-

~I
J Ic, d/=-C1 ~n~1
J --dt=--4
8 C

8 e2'f2'L
s

+Vd

~ I," (1 - D)

Id' Vd

L2

,.-

id_

~,j

~Q

=-I

___

QA+:..J

d'/2

Finalmente, suponiendo que la componente ondulatoria de la

corriente de carga .!lioes despreciable, ML2 =iC2;la corriente promedio de carga del condensador C2, que circula durante el tiempo T/2 es IC2=Ll]L214 Y el voltaje de la componente ondulatoria del condensador C2 ser:
~ V

En la figura 3.38 se muestra un puente trifsico construido a

partir de transistores MOSFET de potencia, al que se le ha acoplado una carga resistiva conectada en estrella. Dicho puente se
podra construir igualmente a partir de IGBT'S u otro elemento
de potencia de similares caractersticas.

Id dt~-CI

lo

C,Is'(Vd-

1,

3.6.5. Convertidor lrifsico

con MOSFET

8'C'f 2 s 2'L 2

Las formas de onda del regulador Cck son las que se muestran en la figura 3.37.

to

t1

t2

t3

t4

t5

t6

VGA+

vL 1
VGS+

+Vd

VGC+
-Va=Vd=VCl

12

11

Is

VGA-

vL2
VGS-

+VC1-Vo

1
VGC-

Ve

,
I

D1(ON)

VAn

iL1
,,ILl

iL2

VSn
2J3Vd

iL22

1/3Vd

iL21

-1/3Vd
-2j3Vd

iCl

,,
,,
,

VAS

+Vd

/o

iC2

",

Vd

Figura 3.37. Formas de onda del regulador Cck.

Figura 3.39. Formas de onda del puente trifsico con MOSFET.

ITP,PARAN/NFO

Conviene recordar:
.Pfi=3Py
Potencia aparente: S
Potencia activa: P

= f3. V . I

= f3. V I . cos <p

= f3. V I . sen <p

Potencia reactiva: Q

donde Ve 1 son los valores eficaces de las tensiones y corrientes de lnea y qJ es el desfase existente entre ambas.
Las formas de onda en el supuesto de una carga inductiva,
como puede ser un motor de c.a. conectado en estrella, son ahora
las mostradas en la figura 3.41. Si la carga fuese resistiva, los
diodos de recuperacin no conduciran, no siendo as en el caso
de una carga inductiva.
VAn
VAnl

El resto de los intervalos de tiempo se analizaran de forma

similar. Si la carga estuviese conectada en tringulo, el circuito
sera el representado en la figura 3.40.b para el mismo intervalo
de tiempo (to:::; t :::;t/) y las tensiones compuestas, en estas condiciones seran:

(fundamental)

VAN A
+Vd
iA

El diagrama de fases del circuito est representado en la figura 3.40.c.

iA 1 (fundamental)

~ t

Dispositivos
conduciendo:

DA+

+Vd

+Vd

<

--~j'.----
iC

Figura 3.41. Formas de onda de tensin y corriente en una rama

del puente inversor con carga inductiva.

RDS(OC+)

!C

3.6.6. Convertidor (Puente en "H")

con carga indudiva
al

b)

VCA

A continuacin se realizar el estudio de un convertidor

(puente en H) para una carga inductiva (figura 3.42). En el caso
de un motor de corriente continua, el cos qJ no ser la unidad,
sino en torno a 0,6-0,8.

+Vd

VCn(iC)
VAB

o----:r ~
I~
o-JB
QA+

DA+

VBn(iB)

QA
VBC

e)

Figura 3.40. Circuitos equivalentes para anlisis (Ig~t;tl)

Y diagrama de fases.

Cuando la carga es de carcter resistivo iA' iB e ic estarn en

fase con VAn' V Bn y V Cn' respectivamente. Si por el contrario, la
carga es de carcter inductivo existir un desfase entre las tensiones de fase (simples) y las corrientes de fase (cos <p),el cual
variar en funcin de las caractersticas de la carga.

ITP-PARANlNFO

OV o

TI

o r
as+ ;

t':'~

~D"

J,

~DS

Figura 3.42. Puente en "H"con carga inducliva.

Si se controla la corriente que circula por la carga (io) en un
sentido haciendo que, cada cierto tiempo, conduzcan los transistores QA + y QB' (choppeado) y soltando durante otro tiempo,
suceder lo siguiente:
Supongamos que QA + y QB' se encuentran conduciendo. Si
en un instante determinado se sueltan (se ponen al corte), la
corriente '\" no se hace cero instantneamente, sino que entre
extremos de la carga se produce una fuerza contraelectromotriz
que hace que la energa almacenada entre extremos de la bobi-

na se descargue a travs de OA-Y Os + (se pondrn a conducir) y

que dicha corriente no cambie de signo. Si se tardase un cierto
tiempo en poner de nuevo en conduccin a QA+ y Qs-' la energa
de la bobina se descargara totalmente, empleando un tiempo
que depende de la impedancia de sta.
Si durante un tiempo relativamente corto ponemos de nuevo
en conduccin a QA+ y Qs-' la intensidad de corriente directa
(iDF)que circula por los diodos OA-Y Os + disminuir, a la vez
que la corriente que circula por QA+ y Qs- aumentar de tal
forma que, en la rama "A", la pendiente de bajada de A-es la
misma que la de subida de QA+ ya que el hecho de que QA+ entre
en conduccin hace que la con'iente '\" que circula por la carga
se deba, en su mayor parte, a este ltimo y, por tanto, la otra disminuya al mismo ritmo.

momento en el cual el diodo A-entra en su zona inversa '\/' y

la corriente que circula por la carga ser ahora la suma de la
corriente del propio transistor (QA-) y de la corriente inversa de
recuperacin del diodo DA-. Finalmente, pasado este tiempo, la
corriente por la carga se estabiliza (tvI1)'

3.7. El transistor bipolar

de otencia (8J1)
Este tipo de transistor bipolar se utiliza en aquellas aplicaciones de media y baja potencia, si bien en baja potencia compmte
mercado con los transistores MOSFET tratados anteriormente.

De esta forma sucede que, por una parte, el diodo DA-ha

entrado en conduccin en su zona inversa y, por otra, QA+ en
ON, con lo cual se producir un pico de tensin debido a que se
est produciendo un pequeo cortocircuito.

Un transistor de potencia posee baja ganancia de con'iente y

necesita que la intensidad de base se mantenga continuamente
durante el estado de conduccin, pero no requiere de circuitos
que le fuercen a la conmutacin de estado.

A veces es necesario que los transistores tengan un '\/' muy

pequeo con el fin de que ese pico de con'iente producido por el
diodo de recuperacin que deja de conducir dure lo mnimo
posible, al igual que, en otras ocasiones, conviene prolongar la
entrada en conduccin del transistor de la rama correspondiente
que entra en conduccin para disminuir el pico de corriente por
la carga, aunque esto sea a costa de aumentar el tiempo de conmutacin. No olvidemos que estos transistores admiten picos de
cOITientede hasta tres veces su valor nominal.

Pueden trabajar con frecuencias de conmutacin de hasta 10

KHz, tensiones de 1.000 Y e intensidades de corriente de 700 A.
Por el contrario, no soportan tensiones inversas. por lo que los
diodos de proteccin inversa se hacen necesaJ;os.

Generalmente, se suele procurar que los transistores trabajen

en conmutacin, tal y como se estudiar en el siguiente captulo. En la figura 3.43 se indican las formas de onda de un MOSFET en una rama (A) del puente modificadas por el efecto del
diodo inverso.
iDF(DA-I'

Los transistores bipolaJ'es de potencia presentan durante la

conmutacin un fenmeno complejo conocido como efecto de
segunda ruptura (second breakdown effect). Si la ruptura por
avalancha se denomina primera ruptura (first breakdown), la
segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unin
debido a efectos trmicos (calentamientos) localizados.

- I

io ,

iD(t)
lo

Irr

_ I

tri

VGS(QA+I'

VGS(I)

Debido a la diferencia de portadores que atraviesan la unin

base-colector, se cumple que: BY sus<BY CEO<BYCBO'

,...tvfl~

,,

tvf2

o .

BY CEO:Tensin de ruptura directa colector-emisor (base

abierta).
BYCBO:Tensin de ruptura directa colector-base (emisor
abierto).
BYsus: Tensin de ruptura por un aumento excesivo (sustained) de la corriente de colector y de la tensin colectoremisor.

VGS(th)

VDS(QA+)

En la figura 3.44 se muestra la estructura interna de un transistor bipolar NPN as como sus smbolos.

La primera ruptura puede deberse a un aumento excesivo de

uno de los tres parmetros siguientes:

VGS(lo)

3.7.1. Estructura y caractersticas

,,
,,

o SASE (S)

+Vd

le

- I

Figura 3.43. Formas de onda ITurnON" de un MOSFETen una rama

del puente, modificadas por el efecto del diodo inverso de recuperacin
y con carga inductiva.
Suponiendo que QA+ y QB- dejan de conducir, en ese momento DA' Y Os + entran en conduccin. Si a continuacin se pone en
conduccin la otra rama (QA- y QB+) y se estudia el comportamiento de QA-' tal y como se observa en la figura 3.43, al principio de '\;", la corriente iDP=JO decrece con la misma pendiente y al mismo tiempo que la intensidad de drenador iD(t) del
transistor que va a entrar en conduccin aumenta. Llega un

10,um

oC

SJT

5-20 /1m,

1016 cm-3

50-200/lm

n-

10'4 cm-3

250/lm

n+

1019 em-J

pnp SJT

lc

al

10'9 cm-3

OE

S o

nt

S o
~:pn

EMISOR(E)

b)

COLECTOR(C)

Figura 3.44. Transistor bipolar de potencia: a) Smbolos;

b) Estructura interna BJTNPN.

ITP-PARANlNFO

Sin embargo, la ruptura secundaria se produce cuando la tensin colector-emisor y la corriente de colector aumentan excesivamente, de tal forma que esta ltima se concentra en una
pequea rea de la unin de colector polarizada inversamente.
La concentracin de corriente forma un punto caliente (falta de
uniformidad en el reparto de corriente) y el dispositivo se destruye trmicamente. Este tipo de ruptura podr presentarse tanto
en el turn-on como en el turn-off.

p y VCE(sal)en

En la figura 3.46 se representa la variacin de

funcin de la corriente (dc) de colector.

3.7.2. Caractersticas de conmutacin

En la figura 3.47 se muestran las formas de onda, tanto para
la activacin como para la desactivacin, del dispositivo.

En la figura 3.45 se representa la caracterstica tensincorriente de un transistor NPN bipolar de potencia.

,B(t)

Al igual que en el transistor bipolar de pequea seal existen

tres regiones de operacin: saturacin, corte y activa.
En la regin de corte el transistor est desactivado o la
corriente de base no es suficiente para activarlo. Sus dos uniones (colector-base y base-emisor) estn polarizadas inversamente.

vBE(t)

O
VBE(off)1

Ruptura
/

Saturacin
profunda

vCE(t)'
IIB5>IB4.

FVJ~----~:-IO--I

:tM..

+Vd

etc.

VCE(sat)
-t

O
IB4
IB3

-t

I
I
I

secundaria

--_

VBE(on)

Cuasi saturacin

IB(on)

--l.--

I
I
I
I

iC(t)

iC

ot~

al

---

Ruptura

REGiN ACTIVA

primaria
iB(t)

IB2
IB(on)

IBl

IB=O
O

BV

/~
sus

vBE(t)

BV CEO BV cso

Figura 3.45. Caracterstica tensincorriente de un transistor NPN

bipolar de potencia.

~-

VBE(off)

tf,

En la regin activa, el transistor acta como amplificador, de

tal forma que la corriente de colector es la de base, amplificada
en funcin de la ganancia del dispositivo y la tensin colectoremisor disminuye al aumentar la corriente de base. En estas condiciones la unin colector-base posee polarizacin inversa y la
base-emisor polarizacin directa.
La regin de saturacin se caracteriza por que la corriente
de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colectoremisor sea bajo y el transistor acte como un interruptor. Ambas
uniones tendrn polarizacin directa.
Lgicamente, las ecuaciones por las que se rige este tipo de
transistores son las mismas que para el transistor bipolar de
pequea seaL
lag ((3)

f3mx

log(IC)
= ICmx

ICmx

10

Figura 3.46. Variacin de ~ y V(E(Solt) en funcin de la corriente (de)

de colector.

-vCE

ITP-PARANINFO

:~

iCtt_'_O __ --~_-~~_
,

,...-

trv2";

vCElsat)

+Vd

I
j

b)

I
I

-t

Figura 3.47. a) Transitorio OFF-ON b) Transitorio ONOFF.

3.7.2.1. Transitorio OFF~ ON

Debido a las capacidades internas (CCBy CSE)' el transistor
no se activa de forma instantnea. Conforme el voltaje VSE
aumenta, la intensidad de corriente de base lb hace lo propio,
mientras que la corriente de colector Ic no responde de inmediato. Existe un retraso conocido como tiempo de retraso
"td(ON)"antes de que fluya cualquier intensidad de corriente del
colector. Este retraso es el tiempo necesario para cargar la capacidad de la unin B-E a la tensin de polarizacin directa
V SEtO ) (aproximadamente O,7V). Una vez transcurrido este
fiempo, la corriente del colector se eleva al valor de rgimen permanente (lo). El tiempo de elevacin ''t,;'' depende de la constante de tiempo determinada por la capacidad de la unin B-E
(deben acumularse portadores de carga en la regin no).
Por ltimo, ser necesario un tiempo '\v1" para eliminar la
regin de carga espacial de la unin B-C que estaba fuertemen-

o E

te polarizada en inversa (descarga de CCB)' Asimismo se denominar ''t-v2''altiempo necesario para acumular exceso de portadores en la regin n' para pasar de cuasi saturacin a saturacin
profunda (iB aumenta y ~ disminuye). En la tigura 3.48 (b) se
puede observar que, una vez que la unin B-C quede polarizada
directamente existe exceso de portadores en la regin n- y la tensin VCEcae fuertemente.

n+

Re

VBE(sat)

+
VBC(sat)

IC

n-

Vd
+

VCE

VBE

n+

08

__

I=::J ~

n+

'REGiN

Re

oC

Figura 3.49. Seccin vertical de un BJI

ACTIVA"

Oistribucin

al exceso de
Carga almacenada

electrones

"CUASI
b)

Oistribucin
exceso de
electrones

~~,

"
Distribucin

3.7.4. Area de operacin segura

Base virtual

'''SATURACINPROFUN

el exceso de

...__

SATURACIN"

En un transistor bipolar conviene mantener la ganancia de

corriente "~"e1evada (del orden de 15 a 20), de ah que no se
puedan mantener intensidades muy elevadas.

..OA

/'

02

....!.......'\\\\'\,\'~
-~"\ .

electrones

01

- . ,..""
~

';r

'
,p,ofunda

Limite

saturacin

Base virtual

Figura 3.48. Distribucin de cargas.

Se trata de la regin (figura 3.50) que encierra todos los puntos de trabajo (ic' vCE)del transistor en los que ste no COlTepeligro de destruccin. Dicha rea est limitada por los siguientes
parmetros:
CM: Intensidad mxima de colector.

T: Temperatura en el silicio: 7j

Por su parte, "trv1" es el tiempo necesario para elimjnar el

exceso de portadores desde el lmite de la saturacin profunda
hasta el lmite de la regin activa; '\v2" es el tiempo necesario
para formar la regin de carga espacial en la unin B-C y "tfl"
es el tiempo necesario para eliminar el exceso de portadores en
la regin de base.

3.7.3. Prdidas en conduccin

Partiendo de la figura 3.49 en la que se representa la seccin
vertical de un transistor bipolar de potencia (BIT) se obtiene:
p
{

ON

=/V

VCE(wr)=

. RTH + Tamb, siendo:

P" = vCE' ic
RTH:Resistencia trmica entre el silicio y el entorno .
Tamb:Temperatura ambiente.
T .. - T b
T
- P
R +T ~P
. - Imax
{1m

3.7.2.2. Transitorio ON~ Off

Suponiendo que el transistor, inicialmente, est conduciendo
en saturacin profunda (iB' ic' vBEpositivas), en el momento en
que la corriente de base iB comienza a caer, la tensin vBEtambin lo hace levemente, pero es la tensin vCEla 'que-comienza
a aumentar pasado un tiempo "ts" (storage) o tiempo de almacenamiento necesario para eliminar el exceso de portadores
hasta el lmite de la saturacin profunda.

= P"

jmx

"mx

TH

(1mb

"max -

TH

Ruptura secundaria.
BVCEO: Voltaje mximo de mantenimiento.

ICM

Ruptura secundaria

log(vCE)

Figura 3.50. rea de operacin segura.

CE(wr)
VBE(,l'lIr)- VBC(SlU)+ Vd+/C'(Re+Rc)

La diferencia VBE)sat)-V BC(sat)suele ser del orden de O, l a

0,2 V. En cuanto al termino hmico Ic(RE+Rc)' tambin toma
valores bajos. El trmino Vd es el de mayor contribucin y
depende del grado de saturacin.

Cuando el transistor trabaje en modo pulsado (pulsos muy

breves y espaciados), cuanto ms breve sea el pulso, el rea de
operacin segura aumentar. Al igual que sucede con el MOSFET y el IGBT, el fabricante facilita en la misma grfica el rea
de operacin segura en funcin de la anchura del impulso que
controla el transistor.

ITP-PARANINFO

3.7.5. Circuitos de disparo

3.7.5.1.2. Estado "OFF" (Vcontro/<Vref)

En este caso Qc estar cortado y, por tanto, QB tambin e
1,=0. El hecho de que la tensin V BE(O >O hace que se genere
una intensidad de base negativa a travs de R2, cuyo valor es:

3.7.5.1. Control con una sola fuente de

alimentacin (+VBB)
Consta bsicamente de un comparador (figura 3.SI) que no
es ms que un transistor en colector abierto, de tal forma que
cuando la seal de control (Vcontrol)supere a la tensin de referencia (Vref:::I,5V), dicho transistor (Qc) se satura y, por tanto,
los transistores QB y Q tambin conducirn (ON). Por el contrario, cuando Vcontrol<V
ref ninguno de los transistores entrar en
conduccin (OFF).

3.7.5.2. Control con dos fuentes de

alimentacin (+ VBB ; -VBB)
Para asegurar, tanto la puesta en "ON" del transistor de
potencia "Q", como la puesta en "OFF" a travs de dos circuitos independientes, se suele utilizar el circuito de la figura 3.S2.
Cabe la posibilidad de insertar un condensador "Con" que permita introducir un pico de intensidad al inicio del transitorio
para acelerar el paso OFF-tON. Generalmente el valor de +V BB
suele estar comprendido entre 8 y ISV; -V BB entre -s y -7V y
Vref::: I,SV

lo

DI
OB
Rl

o +VBB

Vcontrol

lB

11
R2

A3

Rl

Vref

a)
R4

Vcontrol
VBE~

,
~
,

,,
,,
,

-------.
Oe(en)

AB

css+

DI.

Vref

UC3707

~-

_con
_

Cd

~o

~oo
o

./

OB+

+Vd

= .--
10('';

CBB-

-VBS

Figura 3.52. Control con dos fuentes de alimentacin.

ts

'"~
o

i/"

Cuando Vcontro,>Vref'el transistor Qc entra en corte (OFF),

mientras que QB + se satura (QB- en OFF) y, por tanto, el
transistor Q estar saturado (ON). La corriente de base de este
ltimo transistor en estado de conduccin, considerando
1B(ON)::: 1Csal (QB+)' ser de la forma:

b)

Figura 3.51. a) Circuito de disparo con una sola fuente;

b) Formas de onda "turn off".

+v ss -v CEsal

S(ON)

.-v

(Q.)

SE (ON)

En el caso contrario (Vcontro'<Vref), el transistor Q estar cortado ya que QB- est ahora conduciendo.

3.7.5.1.1. Estado "ON"(Vcontro/>Vref)

La saturacin del transistor Qc implica, tal y como se ha descrito, que QB tambin conduzca, lo cual hace que la corriente 1,
se reparta entre 12 e lB' hecho que produce la saturacin de Q.
Partiendo de esto:

><

..

.,

3.7.6. Circuitos de protecClo~

(SNUBBERS)

3.7.6.1. Snubber "TVRN-OFF"

Por tanto:

ITP-PARANINFO

Mediante este circuito se pretende conseguir que, a medida

que la tensin en Q crece, disminuya la intensidad de colector
para evitar as que el producto sea elevado, limitando de esta
forma la disipacin de potencia del transistor. Para ello se coloca un elemento pasivo (condensador) en paralelo con el transistor en cuestin (figura 333), el cual debe absorber ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer. En el intervalo de
tiempo O < t < tfi:

lo
lo = ies + ie ; les = --o

densador no se haya descargado suficientemente y al comenzar

el siguiente transitorio ON~OFF el condensador no pueda ejercer su funcin. Se suele tomar como criterio que Cs pueda descargarse, al menos, hasta el 10% de Vd'

01

Ili

I 012

Por su parte:

Vcs ~ VCE

_1_
csodI ~ _o __
s o
2 . s . Ifi

V es ()I

V cs(to)<O,

lo 'I
V ~ V ~ __ r0_'
d
CS
2. e
s

Cuando ic=O (t=t~l)' se cumple que

"

El valor del condensador ha de ser, por tanto:

lo'

es ~ --

I;

2 Vd

+Vd

,1

R,C,

~V d'e

lo Vd

3.7.6.2. Snubber "TURN-ON"

Aunque las prdidas en el transitorio TURN-O
son menores que en el tratado en el apartado anterior, este tipo de circuitos (figura 3.54) se emplean para reducirlas cuando el transistor
trabaja a frecuencias elevadas. Su objetivo es hacer que la tensin V CE disminuya mientras crece la intensidad de corriente.

+Vd

Rs

-r-c:::J

L ~

iC.+1

OV

---t:::

Ds

...

DI

1
~

Cd

Cs

ies

rt

lo

oc

e,

RLs

~iiC

a)

~Q
I

ov

a)

1=0
iC

lo

DI

Cd

In 10<-'-"'- ~ Rs<
O"
Rses
es'ln 10

EG

iCS=~O-iC:

.t

'lo

VCE=VCs

'I
,

i~~
i

'

___:_tfi_Jo:=

b)
Figura 3.54. a) Snubber "TURNON" b) Transitorio OFF-)ON.

b)
Figura 3.53. a) Snubber "TURNOFF" b) Transitorio ON-)OFF.

Cuando el transistor pasa a conduccin, ste se comporta

como un cortocircuito. El condensador Cs se descargar a travs
del propio transistor provocando una sobreintensidad por el
mismo y, por tanto, una disipacin de energa en el transistor.
Para evitar este problema se coloca una resistencia en serie Rs y
un diodo Os en paralelo con ellao Su objetivo es que durante el
transitorio ON~OFF el condensador pueda cargarse a travs
del diodo, mientras que el otro transitorio (OFF~ON) se descargue a travs de la resistencia (Os no conduce).
La resistencia Rs ha de ser tal que el valor inicial de la
corriente de descarga est por debajo de lrr (coniente inversa de
recuperacin de Os),
E d .
s

eCIf. ldesca,.;{/ (inicial) -

Vd

-R

< 1,.,.~ RS > --

Se coloca una inductancia (Ls) en serie con el diodo Df para

permitir el mencionado rec0I1e en la tensin V CEo Dicha reduccin viene dada por la expresin:

t:,.

die

VCE= Ls ._-~
dI

Ls

lo
Iri

Durante el estado "ON" del transistor Q, la corriente lo circula por Ls' Cuando el transistor entra en corte (OFF), la energa
almacenada en la inductancia I(Lsl02)12] se disipar en la resistencia RLS a travs de DLS con una constante de tiempo igual a
LSIRLS'

Para determinar el valor de RLS se ha de tener en cuenta, por

una parte, que sta debe ser lo suficientemente alta como para
que durante toff la intensidad iLS decrezca al menos hasta el 10%
de lo'

Vd

1,.,.

Por otra paJ1e, si Rs es suficientemente elevada, puede ocun-ir que durante el tiempo en el que Q est conduciendo, el con-

Ls'ln la
RLS>---Ioff

ITP-PARANlNFO

Por otra parte, RLS es perjudicial para el transitorio

ON~OFF ya que origina un incremento de tensin en bomas
del transistor ). VCE(ojJ) = /0' RLS Generalmente se especifica un
lmite mximo de esta sobretensin y a partir de ah se determina el lmite mximo de RLS' Es decir:

K Vd' tfj/ o_K'

COy --.------

--~--

V", tfj!
2

fj. V~E"'<iX

0,1

0=

100 K'lo'lf,

----~~

V}

Vd

Lo

< fj. VCE(oD)mx

L5

lo

Dov,

Conviene recordar que estos criterios de proteccin apenas

interfieren entre s, de modo que se pueden usar simultneamente en el mismo circuito.

Aov
Lo

Vd;

vCE
1=0

a)

3.7.6.3. Snubber contra sobretensiones

"Con

En este circuito de proteccin (figura 3.55), mientras el transistor Q est conduciendo, el voltaje en bornas del condensador
COy ser aproximadamente igual a Vd' mientras que la cOITiente a travs de la inductancia La ser igual a lo' En el momento
en que el transistor pase a OFF (t=O) ste se comportar como
un circuito abierto y la energa almacenada en la bobina disminuir a la vez que se carga el condensador COy ya que
VCE>Vcov (Dov "ON") hasta hacerse nula.

Cov"

iLo)\!/t
Carga

{LoCov}

Descarga{RovCov)

O,lVd

vCE

b)

1=0

Figura 3.56. a) Circuito equivalente; b) Formas de onda

con y sin condensador.

Lo
+Vd

lo
DI

Cd

lo

En cuanto a la resistencia Rov ha de tener un valor elevado y

tendr por misin descargar el condensador COy hasta que su
tensin sea igual a Vd'

3.7.6.4. Aislamientos galvnicos

OV

Figura 3.55. Snubber contra sobretensiones.

Por conservaclOn de energa y teniendo en cuenta que

= ). VCE' se obtiene:

). VCOy

La sobretensin observada en la figura 3.56 (b) ser de la

forma:
L ./

K .V

= -!!.......Q.
d

En ocasiones la referencia de tensin del circuito de control

no debe coincidir con la del circuito de control de base del propio transistor de potencia. El nivel de referencia del circuito
lgico de control es la tierra de seguridad, mientras que el nivel
de referencia del circuito de control de base es el emisor del transistor de potencia (NPN) a controlar. Adems, a veces, es necesario controlar a diferentes transistores simultneamente con
tensiones distintas que pueden ser de cientos de voltios; de ah
la necesidad del aislamiento galvnico.
Por otra parte, mediante este aislamiento, se evita que cualquier ruido que se produzca en el circuito de potencia pueda
pasar al circuito lgico de control, pudiendo alterar el modo de
funcionamiento.
Al igual que suceda con los transistores MOSFET e IGBT,
las tcnicas de aislamiento galvnico son, principalmente, tres:

l/i

Considerando una sobretensin aceptable, por ejemplo de

).V CEmax=O,
l Vd' se obtiene:

!TP-PARANINFO

Mediante optoacoplador.
Mediante fibra ptica.
Mediante transformador.

Se sabe que:

Ejem~los Resueltos
[!] En el

MOSFET del circuito de la figura 3.57 (a), donde

y d = 100 Y, se sabe que la capacidad entre puerta y drenador

toma valores entre 100pF Y InF (figura 3.57.b) dependiendo

de la tensin de drenador; que en la zona lineal (ON) la tensin
de puerta debe ser de 5Y para una ID=lOA, Y que durante el
primer tramo de cada de la tensin de drenador en la transicin OFF~ON se desea una velocidad de variacin de la tensin de 10.000 YII-ls.Se pide:
a) Calcular el valor de la resistencia de puerta RG y representar grficamente vGS' VDSe iD'
b) Cunto durar el primer tramo de cada de YDS(tlvI)?
c) Cunto valdr dV/dt en el segundo tramo de cada de YDS
(tlv2)? Cunto durar, sabiendo que YDS(ON)=
I Y'I
d) Qu valor de pico tiene la intensidad de puerta?

Dl

*~

1 ~:'G
lOV
OV

Vee-VesC10)
R =
e
C .dVosl
gdl
dI

IOV-5V

=--------=50
0,]]03I-lF]0.000V/lls

Se desprende de aqu la importancia de limitar la pendiente

de VDSmediante el ajuste del valor hmico de la resistencia RG.
b) Cunto durar el primer tramo de cada de Vos (trv1)?
Tal y como se observa en la figura 3.58, el cambio de tlvl a
tlv2se produce cuando YDS=YGs(l0)=5Y. La pendiente de la tensin en el intervalo tlvl ser:

Ql

J I

Sustituyendo y teniendo en cuenta que durante el intervalo de

tiempo tlvl' la capacidad entre puerta y drenador es CgdI=0, InF,
se obtiene:

lOA

Vd = 100 V RG

Como durante este perodo la tensin entre puerta y fuente es

constante, se cumple que:

VGG

dVnsl

m I=

Vd-Ves(lo)

------

= -------------

.
Vd-VCS(lo)
tfd -

tr, I

dt

d~

a)
Cgd
Cgd2=1nF

;s

9,5 ns

c) Cunto valdr dV/dt en el segundo tramo de cada de

Vns (tfv2)? Cunto durar, sabiendo que VOS(ON)=lV?

r--------

Durante el intervalo tlv2' la capacidad que influye en la conduccin es ahora Cgd2=l nF. Sustituyendo en la ecuacin del circuito de puerta:
Cgdl =0,1 nF
~ VDS

dVns
dt

VGS=VDS(lo)

b)

11,2

Ves(lo)

1.000 V/lls

Re,Cgd2

La pendiente de la tensin en el intervalo trv2ser:

Figura 3.57.
SOLUCIN:

1112

La representacin de las diferentes tensiones es la que se indica en la figura 3.58.

VGGIONI

~,

01 d Vos

l.

Ves (lo) - Vos(ON)

d,

a) Calcular el valor de la resistencia de puerta RG y representar grficamente vGS' vos e iO"

VGS

Vec-

'N

Ves(lo) - Vos(ON)
-

',,-

Id::'1

04n/

d) Qu valor de pico tiene la intensidad de puerta?

Al caer la tensin de drenador, se deriva corriente de puerta a
drenador. Al mantenerse constante VGs(lo) se limita el crecimiento de la coniente de puerta, siendo:

ov

VGS(lol~5V

Ves(lJ

VGSlthl

Vee(ON)
.

- Reicgd=

Vee(ON)

- Re ie(mx)

Vee(ON)-Vcs(lO)

1 c (max) = ---------------------

1A

Re
VDSltI
+Vd=100V

1[!;jJ El regulador
VDS~VGSllol

Conduce

con Cgd2

VDS(ON}

------------------~------OV

rtv2

In
td(on)

tfvl

Figura 3.58.

lo=10A

reductor-elevador de la figura 3.32 tiene aplicado un voltaje de entrada Yd= 15Y. El ciclo de trabajo 0=0,4 y
la frecuencia de conmutacin es de 20 KHz. La inductancia
L= 150 I-lHY la capacidad C=220 I-lELa corriente promedio de
carga es 10=I,2 A. Determinar:

ITpPARANlNFO

a) El voltaje promedio de salida Vo'

b) La componente ondulatoria del voltaje de salida pico a
pico ~VC"
c) La corriente ondulatoria pico a pico del inductor ~I.
d) La corriente de pico del transistor Ip'

c) Corriente de la componente ondulatoria

inductor L\, MI'

d) Voltaje de la componente
condensador Cl' L\VCI'

SOLUCIN:
a) El voltaje promedio de salida Vo-

tJ. Vel

VD

V = -

_,_1

I (1-

d
= ----

= - IOV

ondulatoria
D)
=

I,el

pico a pico del

pico a pico del

82,5 mV

1- D
e) Corriente de la componente ondulatoria

b) La componente ondulatoria
pico ~V C"

del voltaje de salida pico a

pico a pico del inductor M.

c) La corriente ondulatoria

VI

pico a pico de

Lz,Mz'

Voltaje de la componente
condensador Cz, L\V cz'

ondulatoria

pico a pico del

tJ./=--=2A

.f. L

d) La corriente de pico del transistor

Ip'

10D

1 =--=08A
d
1- D
'
Puesto que Id es el promedio de duracin DT s' la corriente
pico a pico del transistor ser:
1 =~+~=3A
" D 2

El voltaje de entrada de un convertidor Cck mostrado en

la figura 3.35 es Vd=12 Y. Su ciclo de trabajo vale D=0,25 y la
frecuencia de conmutacin de 20 KHz. La inductancia del filtro
es Lz=150 J.lHY Cz=220 J.lF.El condensador de transferencia de
energa CI=150 ..tFy la inductancia LI=200 J.lH. La corriente
promedio de carga es 10= l A. Detenninar:
a) Voltaje promedio de salida, Vo'
b) Corriente promedio de entrada, Id'
c) Corriente de la componente ondulatoria pico a pico del
inductor LI, MI'
d) Voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del condensador CI, ~V CI'
e) Corriente de la componente ondulatoria pico a pico de Lz,
~Iz'
f) Voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del condensador Cz, ~ V CZ.
g) La corriente de pico del transistor Ip.

g) La corriente de pico del transistor

El voltaje promedio a travs del diodo se puede determinar de

la forma:
VOl

= - D

VCI

= - VoD D=1

Por tanto, la corriente de pico del transistor Q es:

MI

Mz

11' = Id + -2-+

ILZ +-2-

a) La corriente
en la carga.
b) La corriente
c) La corriente
d) La corriente

de la componente ondulatoria pico a pico (M)

promedio de la carga, (lo)'
eficaz en la carga (Iorms)'
promedio de la fuente (Id)'

a) Voltaje promedio de salida, VoDV

- __

= -4V

1 -D
b) Corriente promedio de entrada, Id'
1
d

ITP-PARANINFO

D1
= __

1- D

Vd

..

01

033A
'

= 2,205 A

En la figura 3.59 se muestra un regulador reductor con una

carga R-L controlada mediante un transistor de potencia QI. Se
trata de determinar:

01

o=

VA

En el supuesto de que no existan prdidas en el circuito

1LZ . VDI = Vo . lo y el valor promediado de la corriente en la
bobina Lz es:

SOLUCIN:

Ip

Figura 3.59.

DATOS: R=5 Q; L=IO mH; fs=2 KHz; 0=0,5; Vd=IOO V;

ViOI)=O.

Este modo de funcionamiento ser vlido en el intervalo

O ~ l ~ t2 = (1 - D) . Ts y al final del mismo, la corriente valdr:
i (t=t2)

SOLUCIN:

'3 = 'l

Particularizando ambas exponenciales para el instante final

de cada uno de los modos se obtiene:

El funcionamiento de este circuito se puede dividir en dos

modos (figura 3.60). Durante el modo 1, la corriente i I fluye
de la alimentacin a la carga (QN). Por el contrario, durante el modo 2, dado que la corriente que circula por la bobina
no puede variar instantneamente, sta fluye ahora a travs
del diodo DI (QI OFF). Las formas de onda estn representadas en la figura 3.61.

RDT s
__

l.

+---l!..

R
R( \- D)Ts
L

i2

11

b) La corriente promedio de la carga, (lo) ser:

Vd

-=-

l
+"'

'

'o '1 2 '2

=--

va

DR

.
Vd

DT5

.. -

12

(/2-'1)-(

11='1+----

0.T5

9,99 A

Suponiendo que la corriente en la carga aumente de forma

lineal desde 11 hasta 12, su valor instantneo se puede expresar,
durante el intervalo de tiempo tI' de la forma:

Modo2
Figura 3.60.

Va

c) La corriente eficaz en la carga (IOrms)'

DR

Modo1

El valor eficaz ser, por tanto:

(1-01.T5

Onm -

1(t)

11

21t)
1

11

....

12

d) La corriente promedio de la fuente (Id) ser:

13

--

---+-

'd = D'o = 4,995 A

15

Figura 3.61.

a) La corriente de la componente
(al) en la carga.

ondulatoria

pico a pico

La corriente de carga para el modo 1 se puede determinar a

partir de:
di
V =Ri +Ld
1
dt

Suponiendo una corriente inicial il(O)=11'su solucin ser:

Para el circuito de la figura 3.62 se desea que durante la

transicin ON---70FF del transistor Q aparezca una intensidad
de base negativa IB(Ofl)de 0,5A. Calcular los valores lmite de
R, R2 Y R4

DATOS: Transistores con ~2l O,VBE(ON)=,7

V; VCE(sal)=,4
V;
VBE(Slorage)=0,5
V; 10= lOA; R3= 100 Q; V BB=10 V.

RI

Vd ( J
R

+-.

+Vd

Este modo de funcionamiento ser vlido en el intervalo

O ~ t ~ ti = D . Ts y al final del mismo, la corriente valdr:
i (t=ll)

R3 0,13

'2.

lo

La corriente por la carga para el modo 2 se puede determinar

partiendo de:
Q

di2

Vcontrol

O =Ri2 +L-

o
11

lB

dt

Volviendo a definir el origen de tiempo (t=O) al principio del

modo 2, para una corriente inicial i2(0)=12 se obtiene:

R2

Vref

RI
L

Figura 3.62.

O+

12

ITP-PARANlNFO

SOLUCIN:

Cuando el transistor "QB" se encuentra en estado OFF, tambin lo est "Q" y la intensidad de corriente 11=0. El valor de la
resistencia Rz ser:
R

BE(uOr<lXe)

1
IB(ON)~_c-~ 1 A

La intensidad de corriente I1 ser:

ITP-PARANlNFO

B(ON)

fJE(ON)

Rz

Del circuito se obtiene:

1B(OFF)

lB (ON)

IQ

Por el contrario, cuando QB est en saturacin, conducir Q.

Se cumple entonces que:

P ~_c_;

<
1-

Pmn

El valor de R4 se obtiene de la forma:

1 7A
,

.:.
.:.
.:.
.:.

.:.

l. Clasificar los dispositivos totalmente controlados

(GTO, BJT, MOSFET e IGBT' S) en funcin de:
potencia mxima controlable, frecuencia mxima de
trabajo y sencillez del circuito de control.

.:.

.:.

2. Diferencias estructurales entre un MOSFET y un

IGBT. Ventajas e inconvenientes de dichas diferenClas.

.:.
.:.

3. Regiones de funcionamiento de un MOSFET. Condiciones que se deben cumplir para que el transistor
est trabajando en cada una de ellas.

.:.

4. rea de operacin segura de un MOSFET. Lmites

de funcionamiento .

6. Tcnicas de excitacin de los MOSFET e IGBT'S.

7. Clculo de la tensin media de salida Vo en los regu-

ladores buck, boost, buck-boost y cck.

8. Formas de onda en un convertidor trifsico con la

carga conectada en estrella o en tringulo.
9. rea de operacin segura de un transistor bipolar
BJT. Indicar sus lmites y la justificacin de los mismos.
10. Tipos de proteccin (SNUBBER) a utilizar para los
transistores BJT. Cul es su objetivo y cundo es
necesario su uso?

5. Explicar el fenmeno "Iatchup" en un IGBT. Formas de evitarlo.

ITP-PARANlNFO

Conocer las caractersticas fundamentales del motor de corriente continua as como el

principio de funcionamiento de los mismos.

~ Describir con precisin y claridad el funcionamiento de los diferentes tipos de circuitos

de regulacin y control y el tratamiento de las seales elctricas que procesan.
Diferenciar las ventajas e inconvenientes del control de velocidad en lazo cerrado y en
lazo abierto.
Explicar el diagrama de bloques de un sistema electrnico de variacin de velocidad de
un motor de CC, indicando los elementos funcionales que lo constituyen, la funcin que
desempea cada uno de ellos y las caractersticas espec(ficas del mismo.
~

Enumerar los parmetros fundamentales que se deben tener en cuenta en el estudio y

seleccin de un sistema electrnico de variacin para motores de CC, indicando la relacin que existe entre cada una de las variables que se controlan y las prestaciones (precisin, velocidad) del sistema.
Identificar los circuitos bsicos de la aplicacin con la funcin que realizan.

Conocer con precisin y claridad, el funcionamiento del regulador de velocidad de un

motor de CC, as como sus caractersticas, tipo y formas de onda de las seales y el tratamiento de las mismas a lo largo del circuito.

~ Enumerar y describir el tipo de sensores que se utilizan en la regulacin de mquinas de Cc.

~

En varios casos prcticos de anlisis funcional de sistemas electrnicos de variacin de

velocidad de motores elctricos de CC:
Enumerar las distintas secciones que componen la estructura del sistema de regulacin (entradas, salidas, mando, regulacin, fuerza, proteccin), indicando la funcin,
relacin y caractersticas de cada una de ellas.
Describir las caractersticas de funcionamiento del sistema, diferenciando los distintos modos de funciQnamiento y sus caractersticas especficas.
Calcular las magnitudes y parmetros bsicos del sistema, contrastndolos con los
valores reales medidos en dicho sistema, explicando y justificando las variaciones o
desviaciones que se encuentren.
Efectuar la sintona de los parmetros de regulacin del equipo, realizando las pruebas y medidas necesarias en los puntos notables del sistema, utilizando los instrumentos adecuados.

4.1. Introduccin
Los motores de corriente continua (c.c.), adems de ser ms
caros que los motores asncronos de corriente alterna (c.a.), presentan el inconveniente de que slo pueden ser alimentados con
tensin continua, por lo cual habr que convertir previamente la
corriente alterna de la red en corriente continua. En contrapartida, su simplicidad, su elevado par de arranque y su facilidad
para controlar la velocidad entre mrgenes muy amplios les
coloca en una posicin competitiva para su uso en una gran
variedad de aplicaciones industriales. Los mtodos de control de
velocidad, por lo general son ms simples y menos costosos que
los utilizados en c.a.
Tanto los motores de c.c. excitados en serie como los de excitacin independiente se utilizan normalmente con reguladores
de velocidad variable, aunque tradicionalmente los motores en
serie se han utilizado para aplicaciones de traccin. Debido a los
elementos de potencia a utilizar (TlRISTOR, MOSFET, IGBT,
etc.), los motores de c.c. no son adecuados para aplicaciones de
muy alta velocidad y requieren ms mantenimiento que los
motores de c.a., aunque la tendencia futura mira hacia los reguladores de c.a., a los de reluctancia magntica y a los de imn
permanente (sin escobillas), los reguladores de c.c. todava se
utilizan en infinidad de aplicaciones.
Los rectificado res controlados proporcionan un voltaje de
salida de c.c. variable a partir de un voltaje fijo de c.a., en tanto
que los convertidores pueden entregar un voltaje de c.c. variable a partir de un voltaje fijo de c.c. Debido a su capacidad para
suministrar voltaje variable, tanto unos como otros causaron una
gran revolucin en los sofisticados equipos de control industrial
y en los reguladores de velocidad variable, con niveles de potencia que van hasta miles de voltio-amperios.

4.2. Principio de funcionamiento

del motor de C.C.
Como todos los motores elctricos, su funcionamiento se
basa en las fuerzas que aparecen en los conductores sometidos a
la accin de un campo magntico, cuando por stos circula una
corriente elctrica.
Segn la ley de Laplace "cuando un conductor est inmerso
en el seno de un campo magntico y por l circula una corriente elctrica, aparecen sobre l unas fuerzas de carcter electromagntico que tienden a desplazar/o".
F=[.LxB
donde:

F = Fuerza

[N]

B = In duccin
L=Longitud

[T]
[m]

F= In tensid

ad [A]

En la figura 4. l se ha representado el circuito elemental de un

motor de corriente continua. Los polos situados siempre en el
estator, s~ los encargados de producir el campo magntico
inductor (B ). La espi!f que se ha situado en el rotor, es recorrida por una corriente I que se suministra a travs de un anillo de
cobre cortado por la mitad (colector de delgas). Las dos mitades
se aslan elctricamente y se colocan sobre ellas unos contactos

deslizantes de carbn (escobillas) de tal forma que la corriente

aplicada a travs de la fuente (V) puede llegar a los conductores
del rotor.

_I
N
I
-L-------J

Estator

a \_
Rotar

--7

Figura 4.1. Principios de funcionamiento del motor de e.e.

Como las corrientes que circulan por ambos lados de la espira son contrarias, al aplicar la "regla de la mano izquierda" se
puede comprobar que aparecen fuerzas tambin contrarias en
cada lado activo de la espira, lo que determjna un par de giro.
Para que el sentido de giro sea siempre el mismo, el par de fuerzas siempre debe actuar en el mismo sentido. Con el colector de
delgas se resuelve este problema, haciendo que la corriente
siempre gire en el mismo sentido respecto al campo magntico.
Si se pretende cambiar el sentido de giro, bastar con invertir el
sentido de giro de la corriente por el rotor, manteniendo el
campo inductor fijo.
La mquina de c.c. es reversible y por tanto puede actuar
tanto como motor (M) como generador (G). Tal y como se ha
podido comprobar consta de tres partes fundamentales: un circuito que sea capaz de producir un campo magntico (circuito inductor), otro circuito que al ser recorrido por una
corriente elctrica desarrolle pares de fuerzas que pongan en
movimiento el rotor (circuito inducido) y un colector de delgas con escobillas.

4.2.1. Fuerza contraelectromotriz.

Corriente de inducido.
Par motor
Si el motor gira impulsado gracias al par de giro desarrollado por los conductores del inducido cuando son recorridos por
una corriente, dichos conductores cortan en su movimiento a las
lneas de campo magntico del inductor, lo que hace que se origine en ellos una fuerza contraelectromotriz (f.c.e.m). El sentido de dicha fuerza es tal, que segn la ley de Lenz tiende a oponerse a la causa que lo produjo; es decir a la corriente del
inducido y a la tensin aplicada al motor, de ah que generalmente se conozca con el nombre de fuerza contraelectromotriz.
La expresin que relaciona la fuerza contraelectromotriz (E)
de un motor de c.c. es la siguiente:
P

60

E = <p'n N_-

ITP-PARANlNFO

donde:

E =Fuerza contraelectromotriz (V).

t/J = Flujo por polo (Wb).
n = Velocidad de giro (r.p.m.).
N = N de conductores del inducido.
a = Pares de circuitos del inducido.
P = N de pares de polos.

c) Excitacin serie.
d) Excitacin compuesta o Compound.

li

Como quiera que N, P Ya son constantes para un determinado motor, la ecuacin anterior se puede expresar de la forma:
Vb

E=K'w<l>

donde K es una constante.

o

Cuando el motor trabaja en vaco, el par motor originado por

los conductores del inducido, provoca un aumento de la velocidad del rotar debido a la poca resistencia que encuentra en el eje.
Dicho aumento produce a su vez, una mayor fC.e.m. que limita
la corriente del rotar a valores de corriente de vaco. Sin embargo cuando el motor trabaja en carga, la velocidad tiende a disminuir, con lo cual tambin lo har la fC.e.m. y la corriente del
inducido (1) aumenta elevndose con ella el par de fuerzas. Por
tanto, se puede decir que la corriente que el motor absorbe
depende de la carga que tiene que mover; es decir:
f.=

a)

V-E-2'V

Figura 4.2. Formas de conexin de un motor de c.c.

donde:

l
Vb
E
2Ve
R

=
=
=
=
=

Corriente d~1inducido (A).

Tensin en bomes del motor (V).
Fuerza contraelectromotriz (V).
Cada de tensin en las escobillas (V).
Resistencia del inducido (Q).

Por otra parte, el par motor que desarrollan los conductores del inducido al ser recorridos por una corriente elctrica
(par electromagntico),
depender segn la ley de Laplace
del valor de dicha corriente y del flujo desarrollado por el
campo inductor. La expresin que relaciona el par electromagntico (M) con estas variables teniendo en cuenta que N,
P Y a son constantes, es:
M = _N__P_. <1>. f= K2' <1>. f ; donde
2'n'a

E
= --

K'<I>

K2 = cte.

V, - 2 Ve - R ' f
= ------

4.2.2. Conexin de los motores

de C.C.
Existe una gran variedad de motores de c.c. dependiendo de
cmo se conectan y se excitan sus devanados. Una de las forma
ms comunes de conexionado es la de excitacin independiente que ser la que principalmente se utilice a lo largo del desarrollo de este captulo.
La figura 4.2 muestra los distintos tipos de motores de c.c. en
funcin de la conexin de sus devanados, las cuales son:
a) Excitacin independiente.
b) Excitacin en derivacin o Shunt.

ITP-PARANINFO

del motor de C.C.

En la figura 4.3 se muestran las polaridades de voltaje de
alimentacin V b' de la fuerza contraelectromotriz E, de la
corriente de excitacin lex y de la corriente de inducido I para
un motor de c.c. con excitacin independiente.
PRIMER CUADRANTE: Como motor hacia delante,
V b' E, e I son todos positivos. Tambin son positivos, en
este caso, el par motor y la velocidad. La fC.e.m. (E) es
menor que el voltaje de alimentacin V b' El motor desarrolla un par para cumplir la demanda de la carga.

K'<I>

Por tanto, resumiendo, se puede decir que el par motor es proporcional a la corriente del inducido y al flujo del campo magntico inductor y que la velocidad de giro depende adems de las
dos variables anteriores de la tensin en bomes del motor.

4.2.3. Modos de operacin

SEGUNDO CUADRANTE: Durante el frenado hacia

delante o directo, el motor opera en direccin directa y
la f.c.e.m. inducida (E) seguir siendo positiva. Para que
el par motor sea negativo y se invierta la direccin del
flujo de energa, la corriente por el inducido I debe ser
negativa. El voltaje de alimentacin V b debe conservarse inferior a E.

TERCER CUADRANTE:
Como motor hacia atrs,
V b' E, e I son todos negativos. En este cuadrante tambin el par motor y la velocidad son negativos. Para conservar negativo el par y el flujo de energa de la fuente
al motor, la fuerza contraelectromotriz E debe satisfacer
la condicin: Vb > E

I I l.

CUARTO CUADRANTE:
Durante el frenado hacia
atrs o indirecto, el motor gira en direccin inversa, V b
Y E permanecen negativos. Para que el par motor sea
positivo y la energa fluya del motor a la fuente, la
corriente del inducido debe ser positiva. La fC.e.m.
inducida debe satisfacer la condicin: Vb < E

I I l.

M (Par motor)

n (Velocidad)

Vb

r $: Av"' r $': 8v"'

---------------..

Vb

Motor
IVbl > E

Generador (Frenado)
IVbl < IEI

Figura 4.5. Caracterstica par-corriente de inducido

Figura 4.3. Modos de operacin en un motor de c.c. con excitacin

independiente.

li (Corr. inducido)

(excitacin en derivacin).

4.2.5. Variacin de la velocidad a par

constante y a potencia constante
La explicacin de este apartado est basada en un motor de
excitacin independiente, para el cual como se vio anteriormente el valor del par motor viene dado por la siguiente expresin:

4.2.4. Caractersticas de velocidad

y de par motor
En la figura 4.4 se muestra la caracterstica velocidad (n) corriente de inducido (1) para un motor de c.c. con excitacin
en derivacin. En este caso, si se supone despreciable la reaccin de inducido (curva 1), el valor del flujo (<1 slo depende de
la corriente de excitacin para un determinado valor de la tensin de entrada (Vb)' lo cual hace que la curva caracterstica sea
prcticamente recta.
Por el contrario si la reaccin de inducido es apreciable, el
valor del flujo disminuir al aumentar la corriente del inducido
haciendo que la curva sea ms horizontal o incluso que llegue a
tener una inclinacin opuesta (curvas 2 y 3). Los valores de "no"
e "liO" corresponden a la velocidad y a la corriente de inducido
del motor trabajando en vaCo.

El par cedido por el motor ser siempre igual al que exija la

carga exterior. Por tanto si se trabaja con una carga fija y un flujo
de excitacin constante, la corriente absorbida por el motor (I)
tambin ser constante para cualquier valor de la tensin de alimentacin (Vb)' No ocurre lo mismo con la potencia absorbida por el motor (Pab)' la cual vara segn la expresin:

Por otra parte, la potencia elctrica (Pe) y la potencia mecnica (Pm) desarrollado en el eje sern:
Pe=E'I=K]'n'<jJ'I
P",=Mw=K2<jJIw,

siendo

w=[rad]
seg

A esta forma de trabajo se le conoce como "a par constante" (potencia variable) y con ella se puede variar la velocidad
desde cero hasta la velocidad nominal del motor .

n (Velocidad)

00

M, Pab
Pab

------,

LL_

----------

. li (Corr. inducido)

lio

Figura 4.4. Caracterstica velocidad-corriente de inducido

(excitacin en derivacin).

I
-~-------

Finalmente, se muestra tambin la curva caracterstica parcorriente de inducido de un motor con excitacin en derivacin
(figura 4.5). En ella se puede comprobar como, considerando
despreciable la reaccin de inducido y <1> el flujo constante
(Vb=cte.), el par es proporcional a la corriente de inducido
(curva 1). Por el contrario, si la reaccin de inducido tiene un
valor apreciable, el flujo disminuir al aumentar la corriente de
inducido (curva 2).

. r

Vb=cte.

------------------------~--

I
I

lex

I
I
I
I
I

M=cte.

. n

Pab=cte. (<\> variable)

Figura 4.6. Caracterstica de los motores con excitacin independiente.

ITP-PARANINFO

Sin embargo, se puede aumentar la velocidad por encima de

la nominal si una vez aplicada la tensin nominal, se disminuye
el flujo de excitacin. Ahora bien, si se mantiene el par de la
carga exterior constante, como consecuencia de haber disminuido el flujo, la intensidad absorbida (1) habr aumentado y la
potencia absorbida por el motor sobrepasar su valor nominal.
En este tipo de variacin, un aumento de la velocidad debe ir
acompaado de una disminucin del par aplicado, con el fin de
no sobrepasar la potencia nominal del motor. A este tipo de
regulacin se le conoce como "a potencia constante" (par
variable).
Estos dos tipos de variacin de velocidad se muestran grficamente en la figura 4.6.

De acuerdo con su accin de control, los sistemas de regulacin industriales pueden ser de diferentes tipos:

Control
Control
Control
Control
Control
Control

de dos posiciones (Conectado/Desconectado).

proporcional (P).
integral (1).
proporcional-integral (PI).
proporcional y derivada (PO).
proporcional, integrador y derivador (PID).

4.3.1. Control de dos posiciones

(Conectado/Desconectado)

4.3..Control analgico. de sistemas

nn

..

nn

Un control analgico compara el valor efectivo de salida de

un sistema (e) con el valor deseado (Vref), determina la desviacin y produce al mismo tiempo una seal de control que reduce la desviacin a cero o a un valor pequeo. La forma en que el
control automtico produce la seal de control, se llama accin
de control. Posteriormente se presentan las acciones de control
o reguladores comnmente utilizados en los sistemas de regulacin industriales de lazo cerrado mediante tcnicas analgicas
(control lineal de baja frecuencia).

En este control, el elemento accionador tiene solamente dos

posiciones fijas, que en muchos casos son simplemente conectado y desconectado (no lineal). Se trata, por tanto, de un tipo de
control muy simple y econmico, por lo que es ampliamente utilizado.
El regulador puede consistir en un simple comparador, o en
un comparador con histresis. Este ltimo tiene la ventaja de que
evita el entrar en un ciclo de conexiones y desconexiones rpidas del accionador, cuando la salida est en torno al valor deseado. En el tema 1 se trataron en profundidad los diferentes tipos
de comparadores con amplificadores operacionales.

Vis)

Figura 4.7. Sistema de control de un motor de c.c.

Supngase un sistema como el de la figura 4.7, el cual corresponde al control de un motor de c.c. alimentado por un convertidor en lazo cerrado en el que R(s) es el bloque controlador de
velocidad, A(s) el bloque accionador (convertidor DC-DC en
este caso), 8(s) el acondicionador de velocidad y C(s) el motor
y su carga.

4.3.2. Control proporcional (P)

Dentro de los controles lineales es el ms sencillo (figura
4.8). Consiste en un amplificador de ganancia ~, de manera
que la funcin de transferencia del regulador sera de la forma
R(s)=Kp (cte. proporcional). Tiene el inconveniente de que
siempre tiene que existir un error (E) para que el regulador acte.

Observando el diagrama de bloques se cumple que:

E =X(s)

- ev =X(s)

- 8(s)'

Rl

Llamando: G(s) = R(s) . A(s) . C(s), se obtiene:

Y(s)

= E'

G(s)

(X(s) - 8(s)'

Y(s)] G(s)

= X(s)

G(s) - 8(s) . Y(s) G(s)

Rl

-evo

c:::J
oU

Operando:

G(s)
F(s) = Y(s) =
1 + G(s) . 8(s)
X(s)

Esta ecuacin representa la funcin de transferencia del sistema expresada en el dominio de Laplace.
En nuestro caso el regulador R(s) recibe como entrada la
seal de error (E) entre la tensin de consigna X(s) y la salida
real (eJ mediante un comparador-restador y genera la "accin
de control" (U) como entrada al "actuador", que en este caso
ser el circuito generador de impulsos de disparo (Cl. SP 60 1)
Yel puente inversor, para as atacar al sistema a controlar (motor
de c.c.). La velocidad real de giro del motor se convierte,
mediante una dnamo taco~trica y un "acondicionador", en
una seal (e) proporcional a la velocidad de giro del motor.

ITP-PARANINFO

R2

o~c:::J. c:::J

Y(S)

Figura 4.8. Control proporcional

(P).

Del propio circuito se deduce:

U = - -

R2
R1

. (e - e ) = --'
v

R2

E = R(s)'

R,
RI

R(s) = - -=,= K

donde Kp es una constante de proporcionalidad.

En la figura 4.9 se representa la respuesta del circuito a una
seal de error (E) en forma de escaln.

"-------'l

r----..

----

__

-----

to

to

Kp.E

Vcc

Figura 4.9. Respuesta del control proporcional a un escaln.

Figura 4.11. Respuesta del control integral a una seal escaln.

4.3.4. Control proporcional-integral

(PI)

4.3.3. Control integral (1)

En este tipo de control (figura 4.10) la seal de accin (U) se
calcula como la integral de la seal de error (E), de tal forma que
cuando el error es nulo, la accin se mantiene constante, mientras que cuando el error es distinto de cero la seal de accin
aumentar o disminuir lineal mente segn sea el signo del error.

Se trata de una combinacin de los dos anteriores (figura

4.12) y permite ajustar, tanto el rgimen permanente (accin
integral), como el rgimen transitorio (accin proporcional).

..
c:::J--- ..
c:::J

E o

II

i1

ev

0-

i . ]

+Vcc

R2

II

-0-

i2

~o+vcc

R1

-oU

Figura 4.12. Control proporcional integral (PI).

-Vcc

Figura 4.10. Control integral (1).

Analizando el circuito se obtiene:

...

Se han de cumplir las relaciones:

i~e-

dU.

i=-.!-

d!'

j
.

j
En el dominio de Laplace:

e
R

-ev
R

U=-i'R--ZJi'd!

I(S)

e(s)

e,.(s)

R,

R2

=-----

U(s) = -R i(s) - -1-. i(s)

es

Por tanto:

i(s) =C- s U(s) ; U(s) =-1_. i(s) = __ 1:_

C-s
R'C-s

i (s) = -

u (s)
1

La ganancia del amplificador ser de la forma:

1:

Tomando transformadas de Laplace:

Por tanto:

U(s)
R(s)=--=

[=[+[=-+--

---=

Res

---

R+- -

C-s
---U(s)=---I+Res

e(s)

e)s)

R,

R2

es

Haciendo R=R2, se obtiene:

1" ,'S
III

donde 'fai=R'C es la constante de accin integral.

En la figura 4.11 se puede observar la respuesta del circuito a
una seal escaln.

C-s
i(s) = - ----.
I+Res

e(s)
e (s)
I
U(s) =-- -'-' - =-'
[e(s) - e (s)]
R,
R,
R,
v

La funcin de transferencia del circuito proporcional-integral, en el dominio de Laplace ser, por tanto:

ITpPARANINFO

R(s)

=.
e(s)

1 + '.s

U(s)
- ev(s)

R1

donde 'ra=R"C es la constante de tiempo de accin integral

o tiempo de integracin y 'r=R'C es la constante de tiempo
integral.

-ev

Denominando ahora factor de proporcionalidad a Kp=RJR :

R(s)=-- 1

(I+R.e.s)
---es

R (I+R'C-S)
---Res

=_

R(s) = - K, (
I

(I+,;'
--- S)

=-K

R1

''s

1 _1_)
+

'.' 1

Figura 4.15. Circuito de ajuste independiente

Se deduce, por tanto, que el control proporcional-integral es

una combinacin de los dos anteriores. En la figura 4.13 se indica grficamente la evolucin de la seal de salida cuando la
seal de error se trata de un escaln

Mientras la tensin de salida del amplificador operacional sea

inferior a +V 10 superior a - V2, los diodos DI y O2 estarn polarizados inversamente y, por tanto, no circular intensidad de
corriente a travs de la resistencia R3. En estas condiciones la
tensin de salida ser la misma que la proporcionada por el
amplificador operacional.
Cuando la tensin de salida del amplificador operacional
supere a +V 1 o sea inferior a - V2' conducir uno de los dos diodos, provocando as una cada de tensin en la resistencia R3 y
limitando, por tanto, la tensin de salida (U) del regulador .

..
: to
,i

I
I

,ai

4.3.5. Control proporcional

-Kp(e-e)

y derivada (PD)
La accin derivada es proporcional a la derivada del error
actuante, por lo que, en cierto modo, se anticipa a los errores. Se
utiliza cuando se desea mejorar el rgimen transitorio (hacer
ms rpido el sistema).

Figura 4.13. Respuesta del control proporcional-integral a un escaln.

Mediante circuitos similares al de la figura 4.14 es posible

ajustar independientemente, tanto la ganancia Kp como el tiempo de integracin 'rai.

R1

(11).

La accin derivada tiene la desventaja de ser muy sensible

ante las seales de ruido, pudiendo provocar la saturacin del
accionador.
Puesto que este tipo de control (figura 4.16) slo acta en los
transitorios, no se puede tener nicamente una accin derivada
ya que, en este caso, el sistema no es capaz de definir el valor
del rgimen permanente.
R

~
R2

R1

-c::::J

C>r

Asimismo, en los circuitos de regulacin de lazo mltiple

ms usuales, es necesario limitar la seal de salida. El circuito de la figura 4.15 utiliza dos potencimetros para ajustar
independientemente las ten iones de limitacin de salida del
regulador.

ITP-PARANlNFO

+v"

-11
I

Figura 4.14. Circuito de ajuste independiente (l).

6 -Vcc

Figura 4.16. Control proporcional y derivada (PD).

Analizando el circuito:

e=-i'Ri-ffi'dl

U =iR

o U

Tomando transformadas de Laplace:

I
e(s)=-R'i(s)---'i(s)=C-s
Ves)

Se puede demostrar que su funcin de transferencia es de la

forma:

I+R'C-s

(1 + t, . s) . (1
-------

'i(s)

C-s

R(s)-

R . ;(s)

"

La funcin de transferencia del circuito proporcional y derivada, en el dominio de Laplace ser, por tanto:

al

+ ',,'

s)

donde 1:d es la constante de correlacin derivada o tiempo de

derivacin, y vale:

'.' s
----

R(s) = U(s) = _

e (s)

1+ , .'
al

Este regulador presenta el inconveniente de que su ajuste

resulta difcil ya que puede oscilar por tres causas:

donde 1:a=R/'C Y 'T:=RC.

Se puede deducir, por tanto, que el derivador no responde a
las tensiones constantes o estables, hacindolo nicamente ante
tensiones variables y siendo la respuesta tanto ms fuerte cuanto ms brusca es la variacin de la tensin de entrada. En la figura 4.17 se muestra la respuesta del circuito ante una determinada seal de entrada.

Ganancia.
Tiempo de integracin.
Tiempo de derivacin.
Por esta razn se suele emplear en procesos lentos, por ejemplo en regulacin de temperatura.
En la figura 4.19 se observa la respuesta a una seal escaln.

"1

e-e.
,i

+ ,d
,ai

de
-RC-dt

Figura 4.17. Respuesta del control proporcional y derivada.

4.3.6. Control proporcional, integrador

y derivador (PID)
Tal y como se ha expuesto anteriormente, el regulador derivador como tal no tiene sentido y slo se utiliza como complemento del proporcional-integral (P/).
Por otra parte, el regulador PI puede hacer nulo el error de
regulacin, pero una vez transcurrido un cierto tiempo. Tambin
se sabe que el regulador proporcional tiene un tiempo de respuesta nulo, pero el error de regulacin no lo es.

.. ..

,ai

Figura 4.19. Respuesta a un escaln.

4.4. Funcin de transferencia

del motor para modelo
en pequea seal

---------

En la figura 4.20 se representa el circuito equivalente de un

motor de C.C. al cual se le ha conectado en su eje una carga.
Ri

o--c::::J-

Combinando los tres reguladores se obtiene el regulador PIO

que posee una respuesta inicial casi instantnea y presenta un
error esttico nulo (figura 4.18).
Rl
e o

Cl

Vb

-c::::J--.-C:J--1 ----c:::J,
?+Vcc

~---~-OU

.L~-

EO~~

C2

-o

Figura 4.20. Circuito equivalente de un motor de e.e.

Se ha de recordar que:
di.
V =E+R'i+L'-'

Figura 4.18. Regulador PID.

dI

ITP-PARAN/NFO

M,.es=Bw

dw
M=}'-+M
dI

donde:

+M

,.es

E = K e . w (Para

<1> = cte.)

M = K,'i

<1> =cte.)

(Para

Mres es el par resistente.

M es el par motor (electromagntico).
J es el momento de inercia.
Br es el coeficiente de rozamiento.
ID es la velocidad angular.
ML es el par equivalente de trabajo en la carga.

Sustituyendo la segunda y la quinta de las ecuaciones en la

tercera se obtiene:
K . i .= } . d w

"

dI

B . w + ML

,.

(s) = O

Por otra parte, la respuesta a un cambio en el par motor de la

carga ML(s) se obtiene al hacer Vb(s)=O:
R.+s
, L

Una vez conocido el modelo del motor a utilizar se procede

a aadir las trayectorias de realimentacin necesarias para conseguir el control en lazo cerrado, obteniendo as la respuesta de
salida deseada (figura 4.22).

Aplicando transformadas de Laplace, donde el operador de

Laplace representa el incremento de la correspondiente variable
con respecto al tiempo, se obtiene:

M(s)

= (B,. +s'})'w(s)+M

ML(s)

L(S)

--~

E(s) = K . w(s)

Figura 4.22. Diagrama de bloques en lazo cerrado del sistema

motor+carga.

M(s)=K,'/(s)
K,'/(s)

=},s'

w(s)+ B,. w(s) + M L(S)

w(s) = S' 8(s)

Estas ecuaciones del motor+carga se pueden representar

grficamente mediante el diagrama de bloques de la figura
4.21. En l se puede observar que como entradas del sistema
se encuentra la tensin en bornes del motor V b(S) y el par de
la carga ML(s).

La respuesta en lazo cerrado a un escaln en el voltaje de

referencia (ML=O) tiene como funcin de transferencia:
R(s)' A(s)' Ke

R_ _B_R

w(s) =
X(s)
s2.,

"
a

ML(s)
o

+s(,
m

K~ +B(s) 'R(s)'A(s)
+, )+I +-------1I
ni
R.'B

,.

,.

Asimismo, la respuesta debido a un cambio en el par motor

de la carga (ML), si VreFO, tiene como funcin de transferencia:
s',

Figura 4.21. Diagrama de bloques en lazo abierto del sistema

motor + carga.

w(s)

S2.,.,

K '/(s)-ML(s)
w(s) = -'-'
---}s+B,.
= _K_/_

K/'/(s)

ML(s)

-----

}s+B,.

_V_(_s_)
b _-_E_(s_) M L (s)

+ B(s)' R(s)'

A(s)

R.'B

, ,.

donde 'ra=L!R es la constante de tiempo del circuito de la armadura del motor y 'rm=J/Br es la constante de tiempo mecnica del
motor.

4.5. Regulador de velocidad

K,

Vb(s)+ K/'Ke

4.5.1. Diagrama de bloques

R.+sL.

/
(R+sL)(Js+B,.)+

.M L (s)
K,'Ke

La respuesta a una seal escaln en el voltaje de referencia se

obtiene haciendo ML=0:

ITP-PARANlNFO

de C.C.

w(s) = ----------.
(R+s'L)'(J's+B)

(1

}s+B,.

Operando:

_
2

+, )+I+_

+s(,
a

Aplicando el principio de superposicin; es decir, una entrada est activa mientras que la otra se mantiene a cero:

+ I

B_,.

M L(S)

Hoy en da, en la mayor parte de las aplicaciones industriales, se trabaja con sistemas de regulacin en lazo cerrado. Un
sistema de control en lazo cerrado tiene las ventajas de una precisin mejorada, una respuesta dinmica rpida, as como una

atenuacin de los efectos producidos por los disturbios en la

carga y no linealidad en el sistema.

La tensin continua (Vd) necesaria para alimentar el circuito

inversor se obtiene en este caso a partir de la tensin de red
(220V -) una vez rectificada y filtrada convenientemente. En
vista de que estos bloques (rectificador, filtro y crowbar) se
repiten tanto para la regulacin de c.c. como de c.a., ser en el
prximo captulo cuando se estudien con ms detalle.

Un servosistema de regulacin de una magnitud fsica determinada (velocidad de giro en este caso) consta siempre de:

Seal de referencia o consigna (V ref)'

Cadena directa de regulacin (R(s.
Cadena de realimentacin (eJ.
Etapa de potencia (A(s.

En esta ocasin como transductor de velocidad se ha utilizado por comodidad una dnamo tacomtrica, la cual proporciona
en su salida una tensin aproximada de 40 mV/vuelta. Ser
necesario por tanto colocar a su salida un circuito acondicionador B(s) que traduzca la velocidad de giro del motor en una tensin de velocidad (e) dentro del mismo rango de variacin que
la tensin de consigna y de signo contrario.

En la figura 4.23 se muestra el diagrama de bloques del sistema regulador de velocidad de c.c. que posteriormente se proceder a estudiar, detallando cada uno de sus bloques.
La tensin de referencia consignada por el potencimetro
p se introduce en una etapa de temporizacin lineal que
tiene por objeto la eliminacin de los cambios bruscos. Dicha
tensin (V N)' conjuntamente con la seal de velocidad (eJ se
aplica a un regulador proporcional-integral (regulador de
velocidad) para posteriormente pasar a hacer lo mismo con la
realimentacin de intensidad (e ) y finalmente comparar la
seal de control (Vcol1trol) con una seal triangular (Vtr). Como
consecuencia de dicha comparacin se genera la seal modulada PWM que a su vez atacar al circuito generador de
impulsos de disparo; de esta forma cuando la tensin de consigna toma valores positivos el motor girar en un sentido y
para valores negativos el motor girar en sentido contrario.

Para la alimentacin de los diferentes bloques del sistema

se utilizar una fuente de ISY. Debido a que este bloque no
es objetivo primordial del tema a tratar, no se estudiar posteriormente.

4.5.2. Circuito de temporizacin

lineal
Este circuito (figura 4.24) tiene como objetivo evitar que la
tensin de consigna (Vref) seleccionada, acte bruscamente
sobre el regulador, lo cual se traducira en un cambio brusco en
la velocidad del motor, ya no slo en el momento del arranque
y/o del paro, sino tambin cuando se desea aumentar o disminuir
la velocidad, con el consiguiente riesgo que ello supone.

Si la velocidad del motor disminuye debido a la aplicacin de

un par motor adicional en la carga, aumentar el error de velocidad "f.". El regulador de velocidad contestar con una seal
incrementada del control (V cOl1trol) modificando as el ciclo de
trabajo del conveltidor e incrementando el voltaje en bornes del
motor. Un aumento de dicha tensin (V b)' desarrolla ms par
motor a fin de recuperar la velocidad al valor original fijado por
la tensin de referencia (V rcf)' La propulsin por lo general pasa
a travs de un perodo transitorio, hasta que el par motor desaITollado iguala al par motor de la carga.

KAl

.o o

220 V
o

KA2

o o

o o
KB
KA3

RECTlFICADOR

:b

El funcionamiento del circuito es el siguiente: la seal de

consigna se aplica a la entrada inversora del primer operacional
(U IA) el cual acta como comparador, siendo la tensin a su salida: VI =A,,' (VN-Vre/

+Vd

O
CROWBAR

l.

A
CONVERTIDOR

~
~

DC-DC

OV

+V cc

---- O
M/P

FUENTE DE
ALIMENTACiN

+Vcc=+15V

oOV
o -Vcc=-15V

+Vre!
o
P1

[r

ETAPA DE
TEMP LINEAL

REGULADOR DE
VELOCIDAD

PI.

.lo.

GENERADOR DE
IMPULSOS
(SP 601)
J.

FAULT

REGULADOR DE
INTENSIDAD
PI.

..
Vhall

PWM

COMPARADOR

e,

o
-Vre!

Vcontrol

GENERADOR
DE ONDA
TRIANGULAR

Vtri

ACONDICIONADOR
DE VELOCIDAD

ACONDICIONADOR
DE INTENSIDAD

Figura 4.23. Diagrama de bloques de un regulador de velocidad de e.e.

ITP-PARANlNFO

Cl

C3

10nF

lOnF

C4

1 LF

1-

R2 lK

Tl082

-15V

Rl1
R10

22K

5K6

Figura 4.24. Circuito de temporizacin lineal.

Cuando la seal de consigna sea nula, la salida V N tambin
lo ser. Si a continuacin se fija una tensin de consigna positiva (por ejemplo de 3 V), la salida V I se ir a saturacin negativa (-15 V) Y en ese momento se pondr a conducir DI' circulando una intensidad a travs de P2 y de Rs (divisor de tensin)
y produciendo una cada de tensin (VRS)que puede variar en
funcin del ajuste del potenci metro P2 (aceleracin).

pasar a conducir. A travs del potenci metro de deceleracin

P3, se ajusta la corriente que circula por Rs' fijando una tensin
VC2que en este caso ser positiva. En ese momentoV que hasta
ahora se mantena en el valor preseleccionado anteriormente
(5V) comenzar a descender, con la pendiente de bajada determinada en esta ocasin por P3 y la constante1:ai, hasta igualarse
con el nuevo valor (V =VreF-2V).

El segundo operacional (UIS) acta como seguidor de tensin, con lo cual la seal de entrada del tercer operacional (U2)
valdr:

4.5.3. Generador de onda triangular

El tercer operacional est configurado como integrador. Se

denominar "tiempo de accin integral" ('ta;) al tiempo
necesario para que V N se haga igual a Ve2. Dicho tiempo
depende, bsicamente, de los valores de C3, C4 y R7; es decir:
1:ai =: R7 (C4+CS) =: 0,44 s. De esta forma la tensin de salida
V evolucionar hasta que V =Vcon=3 V, momento en el cual
VA=OAd=OV, lo cual implica que VRS=OV y la salida V se
mantendr en el valor deseado (3 V).
Si se sigue incrementando el valor de la tensin de referencia
(VreF5 V), volver a producirse la saturacin de U lA' repitindose todo el proceso descrito anteriormente hasta que de nuevo
V N alcance el valor de Vref'una vez transcurrido un tiempo que
depende de PI y de 1:ai (vase figura 4.25).
Vref

5V

C1=1nF

I
R1

-2V

.L

~~OV'If"
P2

6
100K

100K

R3

[:=J
100K

Figura 4.26. Generador de onda cuadrada y triangular.

El funcionamiento de la bscula inversora es el siguiente:

cuando la tensin de salida (VA) es positiva (+Vec=+ 15V) y la
tensin de entrada a la misma (Vs) disminuye, conmutar cuando Vs=Vss Y , por tanto, VA= -V ee= -15Y. Si, por el contrario,
la tensin de salida (VA) es negativa (-Vcc= -15V) y la tensin
aplicada a la entrada de la bscula (Vs) aumenta, cuando
Vs=V ss conmutar y su tensin de salida pasar a ser
VA=Vee= 15Y. En la figura 4.27 est representada su funcin de
transferencia.

V1
+1SV
OV
-15V

VC2
_1

5V
3V

VA

OV

-2V

-jl---.

Est compuesto por una bscula de Schmitt (no inversorasimtrica) y por un integrador Miller.

3V

VN

Para generar una seal de semiperodos iguales se emplear

un generador de onda cuadrada y triangular construido a partir
de amplificadores operacionales, tal y como se muestra en la
figura 4.26.

.:

+ 15V

Figura 4.25. Formas de onda del circuito de temporizacin lineal.

VsB

r-------r-~
Vss
-

Si, por el contrario, la tensin de consigna toma valores negativos (VreF-2V), la salida del primer operacional (VI) se saturar al valor positivo (+ l5V), por lo que ser ahora D2 el que

ITP-PARANINFO

Figura 4.27. Funcin de transferen

cia de la bscula no inversora.

15V

Vs

Teniendo en cuenta que los puntos de conmutacin se

obtendrn cuando la tensin en ambas bomas del amplificador
operacional sean iguales (V1A+=V1A') y que no se deriva
con'iente por las mismas:
VsV:

V>VA

R3

donde

Se consigue, de este modo, que la frecuencia de la seal de

salida (fs) pueda variar entre 4,5 y 50KHz, aproximadamente.
Dicha frecuencia coincidir con la de conmutacin del inversor.

R2+a2'P2

4.5.4. Circuito comparador (PWM)

a2'P2 es la porcin til del potencimetro.

Para VA=+ Vcc=+ 15V, se obtiene V S8:

Es el representado en la figura 4.29 y tiene por misin generar una seal cuadrada de frecuencia constante y cuya duracin
de pulso sea proporcional a una tensin de control, es decir,
modulada en anchura de pulsos (PWM).

De la misma forma, para VA= -Vcc= -] 5V, se obtiene Vss:

Para eliminar la posible componente continua de la seal

obtenida en la etapa anterior (generador de onda triangular) se
incluye una etapa sumadora (U1A) con el fin de que la seal
triangular sea totalmente simtrica.

Vss

=_

R3

V CC

R2+a2'P2

En el integrador Miller, la tensin de salida depende linealmente del tiempo:

R2

R'
VsO

~I

lOOK

R7

lc::::J~

VA

donde aP es la porcin til del potencimetro.

La pendiente de la rampa ser negativa si VA=+] 5V y positiva si VA=-15V, tal y como se puede observar en la figura 4.28,
en la que se representan las diferentes formas de onda.
El valor de cada uno de los semi perodos se obtiene de la
forma:

10K
R5

Vcontrol

c::J

GY

U'B

+15V

lK

L-oPWM
R6

10K

01

'--c::J~BC547B

VB

--

'N4'48"'0'

'OK

Figura 4.29. Circuito comparador (PWM).

Por otra parte, la seal procedente del regulador de intensidad

(V control) ser la empleada para comparar la seal triangular y
generar as la seal modulada en anchura de pulsos (PWM). El
semiciclo negativo de dicha seal ser eliminado mediante la
etapa de salida (QI)' obtenindose as las seales representadas
en la figura 4.30. Cuando la seal de salida del amplificador
operacional U l 8 (V 8) est a nivel alto, el transistor Q1 se saturar y la salida PWM estar a nivel bajo.

Vs
.

Vss

Vtri(mx)

La frecuencia de la onda de salida ser, por tanto:

o

R2 + a2' P 2
4'R3'(RI

+a'P)

el
VsB

VA
+1SV

VB
_1

+1SV

-lSV
r"
Vs

Tl

T2

.,

-1SV

Vlri(mx)

Vss

.W]
I

+lSV

Vs8

Ts

Figura 4.28. Generador de onda triangular y cuadrada (formas de onda).

I
I

U Le

Figura 4.30. Formas de onda del modulador PWM.

ITP,PARANINFO

Dicha situacin se da siempre que conduzca uno de los transistores inferiores de cada rama, y en el caso de que la carga
sea de carcter inductivo (motor) cuando el transistor superior
es bloqueado ya que a continuacin pasa a conducir el diodo
de inversa (antiparalelo) del transistor inferior de dicha rama.
Por tal motivo estos diodos (DI y D2) debern ser diodos rpidos, capaces de soportar tensiones inversas superiores a la
tensin de alimentacin del inversor (+Vd).

4.5.5. Generador de impulsos

(C.I. SP 601)
Globalmente este circuito dispone de dos entradas de control
("PWM" y "ENABLE") Y una salida" FAULT" (activa a nivel
bajo), tal y como se observa en la figura 4.31. La primera se utiliza para aplicar la seal modulada de entrada. En cuanto a la
segunda, debe estar a nivel alto para su funcionamiento normal
ya que cuando se pone a nivel bajo corta todos los transistores
de potencia del inversor, bloqueando a su vez la accin de la
seal PWM (motor parado). Pa~a reiniciar el modo de funcionamiento normal (marcha) deber permanecer la seal ENABLE
a nivel bajo durante al menos un tiempo aproximado de 4,5 Ils.
Finalmente, la salida FA ULT suele estar a nivel alto pasando a
nivel bajo cuando ha ocurrido alguna anomala por sobrecorriente, sobretensin, etc.

Asimismo, se ha de recordar que cuando uno de los transistores superiores de una rama est activado ms de 400 Ils, aproximadamente, se genera automticamente un pulso de refresco
de la tensin bootstrap (durante unos 2 Ils) que activa el transistor inferior a la vez que bloquea el superior. Ello hace que no
haya limitacin en cuanto al ciclo de trabajo se refiere.

ENABLE

Cuando acta la seal PWM, si est a nivel bajo y debido

a la existencia de la puerta inversora U lA' las seales de disparo de cada rama de inversor sern iguales pero invertidas, lo
cual hace que slo conduzcan en ese intervalo los transistores
de una diagonal del puente, mientras que durante el intervalo
siguiente lo harn los transistores de la otra diagonal.

0,

r--------------_

I~---

o,.
REFRESH

o
VG(OA+,OB-)

Con este modo de funcionamiento, un ciclo de trabajo del

50 % de una seal PWM hace que el motor est parado y
pasar a girar en uno u otro sentido segn si el ciclo de trabajo est por encima o por debajo de ese valor. Adems tal y
como se aprecia en la figura 4.32 se observa la existencia de
un perodo de retraso intercalado que evita la conduccin
simultnea de los transistores de una rama del puente.

t
I

VAN

La alimentacin flotante (bootstrap) para la excitacin de

la parte alta del puente (QA + y QB+) se consigue con los condensadores CI y C2 Y los diodos DI Y D2 . Cada vez que la
tensin del nodo Voul cae, el condensador correspondiente se
carga a la tensin de alimentacin del integrado (+15V).

Figura 4.32. Formas de onda (CI. SP601).

Con la entrada "TRIP SELECT" se pueden seleccionar dos
lmites de potencia contra sobrecolTientes; aunque en este

VHall

Va=Vb
15
VDO

Vbias

ves

VD'

Phose

TRIPU
DIU

21
22

[HABLE

GIU

UPjOOWN

G2U

U2

rmu

,.
,.
17

12

Rl0

12

Rt 1 12

R12 12

DIl
GIL

SELECT

G2L
Vout

VSS

Figura 4.31. Generador de impulsos + inversor.

ITP-PARANINFO

CU

TRIPl

"

MOTOR
(Carga)

io=i1

R9

10

SP 601
TRIP

__.t

PWM

C.C.

caso se ha puesto un lmite fijo en determinadas aplicaciones

puede ser variable. As si esta seal est a nivel bajo, la referencia interna est comprendida entre 90 y 125 m V (105 m V
nominales), mientras que si est a nivel alto dicha referencia
se incrementa aproximadamente en un 30%. En cualquier
caso si el lector desea ms informacin sobre este integrado
deber recurrir a las caractersticas dadas por el fabricante
(HARRIS Semiconductor).

e c.

MOTOR
(Carga)

Finalmente, resumiendo y recordando al mismo tiempo las

caractersticas ms importantes de este integrado, se puede destacar:
Figura 4.34. Puente en "H",

Utilizable en puentes con tensiones de hasta 500 Y.

Tiene capacidad para atacar tanto a transistores MOSFET
como lGBT.
No necesita alimentaciones auxiliares (flotantes) para disparar a los transistores superiores de cada rama.
Evita la conduccin simultnea de los dos transistores a
los que ataca.

Incorpora la posibilidad de proteccin contra sobrecon;entes.

Es compatible con CM OS para seales de control.

4.5.6. Convertidor DC-DC (bipolar)

En la figura 4.33 se muestran las distintas formas de onda
tomadas entre extremos de un motor de C.C., el cual se alimenta a partir de un puente en "H" como el mostrado en la
figura 4.34 y controlado a partir de una seal modulada
(PWM). El nombre de bipolar se debe a que la seal de salida del convertidor puede tomar valores comprendidos entre
-Vd Y +Vd

En ella se puede observar como los transistores del puente

trabajan en conmutacin: QA+ y QB- por una parte y QB+ y QApor otra. Se observa tambin que cuando un transistor de una
rama deja de conducir, la corriente "io" no cambia instantneamente (carga inductiva) como lo hace la tensin y pasa a conducir el diodo de inversa correspondiente al otro transistor de la
misma rama. De esta forma existir, como es lgico, un desfase
entre la corriente y la tensin que circula por el motor (cp) que
depender de la carga conectada al propio motor. Conviene
recordar que ''i'' corresponde al valor instantneo de la corriente, mientras que "1;" se refiere al valor promediado de dicha
comente y lo mismo ocurre con la tensin en bornes (vo y Vo)'
Considerando '\n"
estn en ON (q=I):

como el tiempo en el cual qA+ Y qB-

= 2'1

I
011

5
+----'--

Se ha de tener en cuenta que:

T
VI _ O<I<_s
4

En el instante de tiempo t=tl, siendo Vtri=Vcontrol:

V/T.

Vs

ll=~'~
V,ri(m.:c)

OV

La relacin de servicio "O", ser:

T
2'1

D =~

Ts
2'V
OV
io(lo>O)

conrro/

+~

_2__..2._1_, +...!.-

Ts

Ts

T S

D =_4_'_V_trI_\In_X_l_ +-21 = 21. ( 1+ Vcolltrol);

Ts
Vtri(lnx)

Cuando

Q: y Q (ON)

Por el contrario, llamando '\rt al tiempo en el cual qA- Y qB+

estn en ON (q=O) y siendo 0'= 1-0:

ioilo<O)

La tensin media entre extremos de la carga ser de la forma:

Figura 4.33, Formas de onda en extremos de un motor de e.e.

ITP-PARANlNFO

vo =V " '[2.L2 (I+

)-I]=V'[

V(,()/ltrol

tri(mx)

VCO/ltro/]=K'V
V
co/ltrol

"

Este modo de trabajo (q=l) es vlido para O ::; t ::;D . Ts y al

final del mismo la corriente de carga se convierte en: i2(D'Ts )=12,

tri(mx)

donde K es una constante, cuyo valor es: K =

De forma similar, en modo de trabajo q=O, se obtiene:

V1ri(tt1(U)
El signo de la tensin de salida depende de la relacin de servicio de la forma:
Si D < 0,5

Vo < O

Si D>0,5

Vo>O

Por otra parte, el voltaje en bomes del motor y la corriente

por el inducido se pueden expresar tambin como la suma de su
valor medio (valor promediado) ms la perturbacin correspondiente con respecto al punto de equilibrio:

d i2
V =L--+Ri
dt
"

-E

La corriente por la carga, en este caso, ser:

Este modo de trabajo (q=O) es vlido para O::;t ::;(l-D)'Ts

y al final del mismo la corriente de carga se convierte en:
i2[(l-D)'TsJ
= 1]. Por tanto:

vo(t) = v,,(t) = V" + v/t)

io(t) = i(t)

D-T s -R),

= ' + i/t)

donde v/t) e i/t) son las perturbaciones de "vo" e ''i'' respectivamente. De esta forma, se puede expresar:

v (t)
r

'3

d iL(t)

V (t)=i(l)'R+L--+E
"
,
"dt
V

= '[ =

'2' e

v (1)

=_,,_=
v -E

,
"

R .I
"

K V co/l"ol-E)
R

= j(O)

i (t)
I

=/

+
I

-'I'R
L

---'

q=1

Vd-=-

Li

A'1~1'1B

l__
'i'

r-

6
Ri

Q~

__

. ~

~.

tf(O)

q=o
i2

QA+

qB+

(VI-E)
'
L

QB+

=,.

11

(Ri)

1- -'

VI-E

+ -'

-'

RD-Ts

D'Ts

-E)'--

L,

"

L,

Asumiendo que las perturbaciones de la corriente de inducido i/t) dependen principalmente de la inductancia L y en menor
medida de la resistencia del inducido R (R roL), se puede
decir que:

QA-

_____

QB-

---.3

QB-

Y suponiendo E=O, se obtiene que:

Las variaciones de corriente pico a pico, para q=l, pueden ser

calculadas de la forma:
di,

V =L-+Ri

+E
,1

La solucin de esta ecuacin diferencial con una corriente

inicial il(O)=II' da como resultado una corriente de carga:

ITpPARANlNFO

.t

'---+(V
I

tJ./ =

t .P"(O)

di (t)
v (t) ~L-'dt

Vd

'dt

Figura 4.35. Modos de funcionamiento del inversor.

"

El incremento que experimenta la intensidad de corriente il'

durante un tiempo igual a D-Ts (~ii=I2-II) ser, por tanto, de la
forma:

tJ.I.=
-,

qA+

En la figura 4.35 se muestran los dos modos de funcionamiento del puente as como la forma de onda de la intensidad de
corriente por la carga.

1_ e

n'
Linealizando la expresin exponencial de i(t) (se toman slo
los dos primeros trminos del desarrollo):

di (t)
(t) + L . -''dt

D-T'R)

Jet)

"

V,,+ E.

donde:
V =E+R.'

L,

Segn el desarrollo de Taylor:

di (t)
R [1 + i (t) ] + L -'r
di

(I'D)'TS'R,

VTD
" s
L.,

4.5.7. Regulador de velocidad (PI)

Para realizar la regulacin de velocidad en lazo cerrado, se
utilizar como regulador un amplificador operacional (U lB) trabajando en configuracin de control proporcional-integral.
El
primer operacional (UIA) se comporta como un inversor y se

coloca para invertir la tensin V N procedente de la etapa de

"temporizacin lineal" con el fin de adecuar los signos de "e" y
"-e," (figura 4.36).
R2

'<o

100K

leY
R5

0-15'1
R3

~ev
47K

R7

~S?-Q'

V~;

Ii..082

-1

SI

cJ S?vl
100K

-_1

..

Pl

100K

ICI-

1
.

0---11
c=

:-Ve,'

u
ai

100nF"

11
11

-1

C=47nr

~ou

.8~"K IO~~If~~K

;': I

--.

1 -Kp(e-e

Figura 4.36. Regulador de velocidad (circuito PI).

Las seales de entrada a dicha etapa sern, por una parte,
e=- V N o seal procedente del circuito de aceleracin o deceleracin de la seal de consigna (Vref) y por otro lado la seal "-ey"
o seal de realimentacin de velocidad que es proporcional a la
velocidad de giro del motor (dnamo tacomnica).
Tal y como se demostr en el apartado 4.3.4, la funcin de
transferencia del regulador vale:
R(s) =

Ves)

1+1:'

e(s) - e ,(s)

1:'

S
1

1II

donde:
1:;=(R7+0:,'P,)'C
1:=R"C
(11
)

Se puede comprobar que variando el valor de C y/o a'P1 se

consiguen modificar las constantes de tiempo del regulador (Li y
La)' mientras que cortocircuitando dicho condensador (S, cerrado) el regulador trabajar como control proporcional simplemente. R7 y C I se colocan para estabilizar la seal de salida (U)
y evitar as los cambios bruscos.
Conviene recordar que el ajuste del regulador para su funcionamiento como control proporcional o integral se har de forma
independiente en cada uno de los casos.
Tal y como se observa en la figura 4.37, la seal de error
"E=e-e," puede ser tanto positiva como negativa segn sea el
valor de la tensin de consigna, pues ambas seales han de tener
siempre signos contrarios. En efecto, suponiendo que inicialmente el motor se encuentra parado (ey=O), si la tensin de referencia "V rcf" es positiva "V N" tambin lo ser, mientras que "e"
tendr signo contraJio. Al estar parado el motor, inicialmente
"(e-e)<O", lo cual implica que el regulador evolucionar hacia
valores positivos (V cOlllrol >0) Yel motor ir aumentando progresivamente su velocidad. La tensin de la dnamo "V dnamo", que
tiene signo contrario a la de consigna, tambin aumentaJ' al
igual que "e," que en este caso ser positiva.
A medida que "ey" aumenta, "e-e y" se va reduciendo hasta
llegar a ser nula, momento en el cual la tensin de control se
estabi liza al valor de referencia (V rcf)'
En el supuesto de que la velocidad del motor disminuya debido a un aumento de la caJ'ga (par resistente), la tensin generada
por la dnamo tambin disminuir y con ella la "ey" con lo cual
la diferencia (e-ey ) aumentar y el regulador actuar hasta que
el error sea nulo.
La evolucin de la seal de control del regulador "U" ante
una vaJ'iacin del error, es la que se muestra tambin en la figura 4.37.

,)

Figura 4.37. Formas de onda del regulador de velocidad.

4.5.8. Regulador de intensidad (PI)

En un motor de c,c. la cOITientede inducido (1)depende del
flujo magntico y del par motor (M). Si por cualquier motivo
cambiase el par motor como consecuencia de una variacin del
par resistente de la caJ'ga, la corriente tambin variara con lo
cual se producir un elTor (U-e) y el regulador de intensidad tender a restablecer el nivel de corriente (par motor deseado).
Suponiendo el flujo de excitacin constante,
detectar el valor de la intensidad consumida en
por el motor (1j), introduciendo la compensacin
te al valor Rl para obtener as la regulacin de
I/(velocidad

de giro)

V-R/.
h

ser necesario
cada momento
correspondienvelocidad:

K,'cI>
La regulacin de intensidad (figura 4.38) adopta bsicamente la misma configuracin que el de velocidad, teniendo como
seal de referencia la salida "U" del anterior. y como seal de
comparacin la tomada del valor real de la intensidad que suministra la etapa de potencia "ej'.

u a

Rl

R3

IOK

1r

Pl

25K

c:::J . c:::J Q .

11
1

-e o

cd- .''""'~ ~
R4

R6

c:::J
100K

"r

~V
R5

~c

4K7

R7

Yconl'ol

'7K

Figura 4.38. Regulador de intensidad (PI).

Las consideraciones a efectuar son las mismas que en el regulador de velocidad, y solamente cabe resear que en la cadena
de realimentacin del regulador, la suma de (R3+a,P) debe ser
del orden de diez veces infelior al caso anterior. De esta forma
se obtiene que:
1:=(R
1

+0:

.p )'C:
I

R)
1:-RC:
tll

= ----

0:, . P,
R
I

La construccin grfica de la respuesta temporal, ante un

escaln de error introducido, es la mostrada en la figura 4,39. En
este caso la rampa de subida ser mucho ms rpida que en el
regulador de velocidad, mientras que el factor de proporcionalidad ser aproximadamente diez veces menor.

ITP-PARANINFO

U-ej

~I

~~~~--~~~-,

. t
P2 100K

R3 10K

80-

~
eo

R2
10K

-Kp(U-e)

I~~mo

_~6K ~6K
Figura 4.40. Circuito acondicionador de velocidad.
---~~~~~~--~-

. t

Figura 4.39. Formas de onda del regulador de intensidad.

La seal "-e/' (realimentacin de intensidad) se obtiene a

partir del circuito de proteccin contra sobrecorrientes, que
est formado por un sensor de efecto Hall y el cual entrega
una seal de tensin proporcional a la corriente que circula
por el motor.
Conviene recordar que si aumenta el consumo de intensidad del motor (por aumentar el par resistente) aumentar la
cada interna "Ril/' (cada de tensin en el inducido) del
motor, tendiendo a disminuir su velocidad; hecho que no ocurrir si dicha seal "-e;" se introduce tambin como realimentacin positi va (previo acondicionamiento)
como tercera
entrada del regulador de velocidad. En este caso, al disminuir
la velocidad, la referencia se ve fortalecida aumentando el
error, y por consiguiente, aumentar tambin la tensin de
control "Y conlrol" en la proporcin justa de dicha cada de tensin. En el caso de eliminar el regulador de intensidad,
U=YCOnlro)'

4.5.9. Circuito acondicionador

de velocidad

Por otra parte, la tensin que proporciona la dnamo

tacomtrica cambiar de signo al cambiar el sentido de giro
del motor (cambio de signo de la tensin en bornes) y su valor
vendr dado por:
Vdllama

mV

Kdllama .

Para ajustar la tensin de salida, se coloca el divisor de tensin formado por P1 y R) de tal forma que:
- el' =

Ka'

VdlOl1IO

donde Ka es la constante del acondicionador.

Se recuerda al lector que para el ajuste del regulador como
proporcional siempre debe existir un error (E) entre "e" y "ev".

4.5.10. Circuito de proteccin

contra sobrecorrientes
En ocasiones, y como consecuencia de un aumento del par
resistente (Mres)' la corriente absorbida por el motor (1) puede
verse incrementada hasta valores tales que puedan llegar a
daar los elementos de potencia.
y se ocupa de proteger el sistema contra sobrecorrientes.

En efecto, se sabe que el elemento Hall (utilizado en este

caso) genera a su salida una tensin proporcional a la intensidad absorbida por el motor y que, en este caso, viene dada por
la siguiente expresin:

Idet=li

Figura 4.41. Circuito de proteccin contra sobrecorrientes.

ITP-PARANINFO

= 40 ~~~
Vuelta

El circuito de la figura 4.41 est basado en una clula Hall

Este bloque (figura 4.40) ser el encargado de generar una

tensin "-ev" proporcional a la velocidad de giro del motor y del
mismo rango que la tensin de consigna ( lOY); es decir, si
"Y re/' vara entre IOY la tensin "-ev" tambin lo debe hacer
entre esos mrgenes.

(n. r.p.m.)

V
11

=4V~=4V_i1

1/011/

110111

Si en lugar de cortar el campo una sola vez, lo cortamos dos

o tres veces (dos o tres vueltas al entrehierro), la tensin de salida se ver reducida por dos o por tres sean el caso. Dicha tensin "Y H" es amplificada en la etapa no fnversora (U ) siendo
su tensin a la salida:
lB'

v I = V H . (1

R3)

Si, por cualquier motivo. la corriente absorbida por el motor

aumenta, la tensin y) tambin lo har, por lo que en el momento en que y Y R la salida del comparador (U2) conmutar
(Yhall=OY) Y en la entrada ENABLE del CI. SP60I habr tambin un "cero lgico" que har que el motor se pare. Modificando el valor de Y R se consigue variar la corriente mxima absorbida por el motor. Para poner de nuevo en marcha al motor
bastar con accionar de nuevo el pulsador de marcha "M".
Finalmente, la seal de realimentacin de corriente "e." se
toma a la salida del segundo operacional (Y)), si bien ant~s se
Introduce un divisor de tensin (Rs y P2) al objeto de conseauir
el margen de seal deseado.
b

ITP-PARANINFO

.:.

.:.
.:.
.:.
.:.

.:.

l. El motor de corriente continua: principio de funcionamiento y parmetros ms importantes (fuerza contraelectromotriz, par motor, etc.).

.:.

7. Diagrama de bloques de un regulador de velocidad

para motores de corriente continua. Indicar sus partes ms importantes .

2. Modos de operacin de un motor de corriente continua.

.:.

8. Cul es el objetivo fundamental del circuito de temporizacin lineal a utilizar en un regulador de velocidad para motores de corriente continua?

.:.

9. Influencia de las constantes de tiempo de accin

integral ('ta) y tiempo de integracin ('t) de un
control proporcional-integral en la respuesta del
sistema .

3. Variacin de la velocidad de un motor de corriente

continua a par constante y a potencia constante.
4. Control analgico de sistemas: diagrama de bloques,
funcin de transferencia.
5. Tipos de control ms empleados en los sistemas de
regulacin industriales.
6. Funcin de transferencia de un motor de corriente
continua para modelo en pequea seal.

ITpPARANlNFO

.:. 10. Clculo de la tensin media de salida (Vo) y de las

variaciones de corriente de carga (L~I)para un convertidor DC-DC (bipolar).

 Conocer las caractersticasfitndamentales del motor asncrono de corriente alterna as

como el principio de funcionamiento de los mismos.

Conocer y valorar los d(f"erentes mtodos de variacin de velocidad del motor trifasico
de jaula de ardilla.

Describir con precisin y claridad el funcionamiento de los diferentes tipos de circuitos

de regulacin y control y el tratamiento de las seales elctricas que procesan.

Explicar el diagrama de bloques de un sistema electrnico de variacin de velocidad de

un motor de CA, indicando los elementos funcionales que lo constituyen, lafuncin que
desempea cada uno de ellos y las caractersticas especficas del mismo.

Aplicar estructuralmente y conjiabilidad todos los procesos necesarios en el diseo de

pequeos circuitos de regulacin y control.

Identificar los circuitos bsicos de la aplicacin con la jitncin que realizan.

Conocer con precisin y claridad, el jitncionamiento del regulador de velocidad de un

motor de induccin, as como sus caractersticas, tipo yformas de onda de las seales y
el tratamiento de las mismas a lo largo de un determinado circuito.

Enumerar y describir el tipo de sensores que se utilizan en la regulacin de mquinas de

CA.

En varios casos prcticos de anlisisjitncional

velocidad de motores elctricos de CA:

de sistemas electrnicos de variacin de

Enumerar las distintas secciones que componen la estructura del sistema de regulacin (entradas, salidas, mando, regulacin, fuerza, proteccin), indicando la jitncin,
relacin y caractersticas de cada una de ellas.
Describir las caractersticas de jitncionamiento del sistema, diferenciando los distintos modos de jitncionamiento y sus caractersticas especficas.
Calcular las magnitudes y parmetros bsicos del sistema, contrastndolos con los
valores reales medidos en dicho sistema, explicando y justificando las variaciones o
desviaciones que se encuentren.
Efectuar la sintona de los parmetros de regulacin del equipo, realizando las pruebas y medidas necesarias en los puntos notables del sistema, utilizando los instrumentos adecuados.

5.1. Introduccin

contrasta con la complejidad de los sistemas de control que funcionan en condiciones variables de velocidad y de carga.

Poder variar la velocidad de un proceso o de un sistema, es

una necesidad que se plantea obligatoriamente en la mayora de
los sectores de la industria.

La mquina asncrona, al igual que todas las dems mquinas

elctricas, es reversible, lo cual quiere decir que puede trabajar
como generador y como motor. Generalmente funciona como
motor, ya que como generador debe trabajar en paralelo con
otras mquinas que le suministren la corriente de magnetizacin
necesaria y tienen peor rendimiento que los generadores asncronos.

La aparicin del control electrnico de los motores elctricos,

para variar y regular su velocidad, ha aportado a los procesos
industriales grandes ventajas, aumentando sus propias posibilidades y prestaciones y reduciendo su mantenimiento de energa
y consumo entre otras.
Tradicionalmente, la mayor parte de los problemas de regulacin de mquinas elctricas han sido resueltos mediante el
motor de corriente continua que, por su naturaleza, posee excelentes cualidades para ello. Sin embargo hoy en da se estn utilizando en la industria nuevos tipos de motores (de pequea
potencia) tales como los motores de "reluctancia magntica" y
los motores de "imanes permanentes (Brushless)" en los que la
regulacin no resulta tan compleja como sucede con los motores de induccin.
Comparando el motor de corriente continua con el de corriente alterna, el primero presenta las desventajas de mayor tamao,
precio y complejidad constructiva del colector que presenta ciertos problemas de explotacin y de mantenimiento, imponiendo
adems ciertos lmites de velocidad y de potencia. El motor de
induccin de corriente alterna, tiene como principal inconveniente la complejidad del convertidor electrnico necesario para
variar su velocidad. Aunque el motor de corriente continua es
ms caro que el de coniente alterna, el conjunto reguladormotor de comente altema supera en precio al de corriente continua.
La aparicin, en un principio, del Tiristor (SCR) y, ms
recientemente, del transistor IGBT creado para trabajar en
conmutacin de potencia a altas tensiones, intensidades y frecuencias, han facilitado la regulacin de todo tipo de motores en
general y de stos en particular, mediante la alimentacin de frecuencia y tensin variables; consiguiendo as un control de velocidad y de par aceptable. Basta decir que hoy en da existen en
el mercado convertidores de frecuencia para motores asncronos
con una gama de potencias que van desde unos pocos KW hasta
varios cientos. Generalmente en la mayora de los fabricantes el
semiconductor empleado en el ondulador de salida suele ser el
IGBT, aunque para potencias superiores a la indicada se suele
utilizar tambin el TIRISTOR y el GTO.
Respecto al margen de velocidad a controlar, se puede decir
que los modernos variadores de velocidad que existen actualmente en el mercado son capaces de proporcionar una frecuencia de salida de hasta 500Hz (o incluso superior), lo cual permite controlar la velocidad del motor entre cero y diez veces su
velocidad nominal, aproximadamente. Entre los fabricantes ms
importantes que se dedican a comerciar con este tipo de variadores estn: SIEMENS, GRUPO SCHNErDER,
ABB,
KLOCKNER MOELLER, POWER CONTROLS, etc.

5.2. Principios de funcionamiento

del motor de induccin
Los motores trifsicos de comente alterna son notables por
su simplicidad de constitucin; sin embargo, esta simplicidad

Los motores asncronos pueden ser monofsicos o trifsicos

y dentro de estos ltimos, pueden ser a su vez:
De anillos rozantes
De jaula de ardilla
Los dos tipos se basan en los mismos principios de funcionamiento, existiendo diferencias en la construccin del elemento secundario o rotor. En el presente captulo se va a tratar slo y exclusivamente el control de motores de "jaula de
ardilla" por lo que todas las referencias irn encaminadas a
este tipo de motores.
El motor de c.a. trifsico consta de un estator bobinado,
conectado a una alimentacin de coniente alterna trifsica
[U(A), V(B), W(C), el cual est formado por un ncleo de
chapa magntica, disponiendo un devanado trifsico distribuido
en las ranuras de la superficie cilndrica interior del estator.
Posee tambin un rotor en forma de "jaula de ardilla", sin
conexiones exteriores, el cual est formado por un conjunto de
chapas apiladas formando un cilindro. Los conductores estn
igualmente repartidos y colocados en la periferia de la estructura magntica dentro de las ranuras. Dichos conductores no van
aislados y constan de unas barras de cobre o aluminio que tienen
sus terminales puestos en cortocircuito por medio de un anillo
en cada extremo. El nmero de polos del rotor de "jaula de ardilla" debe ser siempre igual al nmero de polos del estator con el
que trabaja.
Bsicamente, el principio de funcionamiento de un motor
asncrono es el siguiente: al aplicar un sistema trifsico de tensiones de frecuencia (fl) al devanado estatrico, se produce una
fuerza magnetomotriz mvil distribuida senoidalmente en el
entrehielTo, que da origen a un campo magntico giratorio cuya
velocidad viene dada por la siguiente expresin:
6011
nl=-p
2n1
p

donde:

es la velocidad de sincronismo en r.p.m.

la frecuencia de alimentacin del estator en Hz.
p es el nmero de pares de polos del motor.
0), es la velocidad angular de sincronismo en radianes/segundo.
11,

1, es

En los conductores del devanado del rotor, este campo giratorio inducir unas fuerzas electromotrices que, al estar en cortocircuito, darn origen a unas corrientes que circularn por los
conductores del rotor. Dichas corrientes, en presencia del campo
magntico, harn que sobre los conductores acten unas fuerzas
el! xl V) que producen un par que de acuerdo con la ley de Lenz
hace que el rotor tienda a seguir el campo del estator. En la figura 5.1 (a) se muestra, en un instante dado, el sentido de la induccin (lf> en el entrehierro producida por el devanado del estator.

ITP-PARANlNFO

Las zonas donde se observa mayores concentraciones de lneas

de induccin indican valores ms elevados de esta magnitud,
observndose una distribucin de tipo senoidal. La f.e.m. inducida (71) en un conductor de longitud (1) que se mueve con una
velocidad (v) dentro de un campo magntico de induccin (11)
es de la forma:

En la figura 5.2 se muestra la variacin del par til (M1il) en

funcin del deslizamiento relativo en un motor de '~aula de ardilla" tpico. La curva se ha extendido al modo de funcionamiento como generador, en el que la velocidad del motor es ms
elevada que la de sincronismo. En esta regin en la que la carga
excita al motor a velocidades supeliores a la de sincronismo, el
motor convierte la energa mecnica en energa elctrica que es
absorbida parcialmente por el sistema convertidor o retornada a
la alimentacin. Esto slo puede ocurrir en un sistema de frecuencia variable, cuando se reduce rpidaI11ente la frecuencia de
alimentacin (fl).
Mtil

(Par)

GENERADOR

MOTOR

-:- Motor estndar

Velocidad

~~

0.8

al

b)

n1 (Veloe. siner.)

2n.-!--_
0,6

-,

0,-4

S (Deslizamiento)
-~

Deslizamiento

Figura 5.1. Motor de corriente alterna: a) Entrehierro

b) Sentido de la fuerza en el motor.
Figura 5.2. Curva par-velocidad.
El sentido de dicha f.e.m. se obtiene aplicando la regla de la
"mano derecha", resultando en los conductores del rotor unas
corrientes cuyo sentido se indica en la misma figura. El sentido
de la fuerza que aparecer en los conductores de rotor se indica
en la figura 5.I(b) donde se muestra con detalle la fornla en que
valan las lneas de B alrededor de un conductor; el sentido se
obtiene, en este caso, aplicando la regla de la "mano izquierda".
Como se ve el sentido de la fuerza es el mismo que el del campo
giratorio, de tal forma que si el par resultante de estas fuerzas es
mayor que el par de la carga, el rotor tender a acelerarse,
siguiendo el Call1pOdel estator. Cuando este "par interno" del
motor se hace igual al par de la carga, cesa la aceleracin y la
mquina se mueve a velocidad constante "n" (r.p.m.).
Esta velocidad de giro (n) del motor, nunca puede igualarse a
la de sincronismo (ni) ya que entonces no se producira corte de
flujo en el devanado del rotor. Se denomina deslizamiento (S) a
la velocidad que lleva el campo giratorio del estator con respecto al rotor. Expresada en tanto por uno viene dada por:
11

- 11

S~-]11]

Denominando "00" a la velocidad angular del rotar, expresada en radianes/segundo:

2 'TI'11
w~--60

Debido a esta velocidad relativa, la velocidad angular con la

que el campo del estator corta a los conductores del rotar valdr:
2TI
W2~W]-W~--;

Bajo condiciones de arranque directo, el deslizamiento relativo es la unidad, de forma que tanto la frecuencia en el rotar
como la reactancia son elevadas, lo cual implica una elevada
corriente en el motor con un factor de potencia (cos <p)bajo, de
modo que el par de arranque tambin ser bajo.

5.3. Placa de bornes de

un motor asncrono
La placa de bornes de un motor asncrono lleva generalmente seis terminales directamente unidos a los dos extremos de
cada ulla de las dos fases del estator; stas reciben denominaciones normalizadas de tal forma que los principios de las fases
se suelen representar con la letras UI(A), VI(B), W1(C) y los
finales con U2, V2 Y W 2'
Tal y como se observa en la figura 5.3, los terminales de fase
U2, V2 y W2 no estn alineados con los principios de fase Ui'
VI' W l' Esto se hace para logral' una fcil conexin en tringulo, uniendo (mediante pletinas de cobre) los terminales que se
enfrentan.

U1 (A)

V1 (B]

W1 (C)

r--\:--X--

l--A---~~\..J
W2

U2

V2

"12
A

donde "f2 " es la frecuencia de las corrientes que circulan por los
conductores del rotar.
Como la impedancia del motor es baja, un pequeo aumento
del deslizamiento, provoca un gran aumento de la corriente del
rotor. Generalmente el deslizamiento a plena carga suele estar
comprendido entre un 2 y un 8%, aproximadamente.

ITP-PARANlNFO

[-i-------!- ----- -~-1

Ul

: W2

l_~
CONEXION

Vl

Wl

U2

V2:

5:~

~~j

EXTRELLA

Figura 5.3. Placa de bornes de un motor de c.a.

R1

Cuando se conecta el devanado en estrella, ser cuando al

motor se le pueda aplicar la tensin ms elevada indicada en la
placa de caractersticas; sin embargo, cuando se conecta en
tringulo, se le aplica la tensin ms baja.

~ 11

Para invertir el sentido de giro del motor bastar con intercambiar dos fases de la red entre s, con lo cual se invielte tambin el sentido del campo giratorio.

X1
rYYY'\

R'2
r----I

X'2
~ ~YY-Y'

l--.J1'2

IFe,
V1

Por ejemplo, para un motor en cuya placa de caractersticas

figura: 220/380 Y; 6,2/3,6 A; 2 CY; 1410 r.p.m.; cos<p=0,81,
quiere decir que se trata de un motor de 2 CY( 1,47 KW) de
potencia, que girando a una velocidad de 1.410 r.p.m. y
conectado en tringulo a una red de 220 Y absorbe una
corriente de 6,2 A, mientras que conectado en estrella a 380 Y
consume 3,6 A.

c:=J

RFe

R'2 1~S [)

Figura 5.4. Circuito equivalente aproximado para un motor de c.a.

5.5. Balance de potencias

en el motor asncrono

5.4. Circuito equivalente

de un motor de C.A

El objetivo de un motor asncrono es la transformacin de

la energa elctrica absorbida de la red, en energa mecnica
disponible en el eje. La energa se transfiere del estator al
rotar a travs del entrehierro, donde estn relacionadas las
fuerzas de origen electromagntico que se desarrollan en el
motor, fuerzas que crean un momento de rotacin que es el
par electromagntico de la mquina.

Un motor asncrono en reposo puede compararse con un

transformador, en el que el primario es el estator y el secundario
el rotar. La diferencia fsica estriba en que el motor dispone de
un alTollamiento en el primario y su secundario (rotar) puede
aproximarse a un nuevo devanado.

Si el devanado del estator est conectado en estrella, tal y

como sucede en la figura 5.5, la potencia que el motor absorbe de la red ser:

Cuando el motor gira a una velocidad "n", la frecuencia de

las corrientes rotricas "f2 " dan origen a su vez a un campo
magntico de velocidad "n2", de tal forma que la velocidad
total del campo magntico giratorio en el estator ser:
nl=n+n2, por lo que el campo del rotar girar en sincronismo
con el del estator.
Las frecuencias de los circuitos primario y secundario son
idnticas e iguales a "fl" y, al igual que ocurre con los transformadores, podr reducirse el secundario al primario teniendo en
cuenta las relaciones de transformacin de tensiones y con-ienteso Adems, para realizar dicha aproximacin se supone tambin que las corrientes primaJia y secundaJia son muy similares
en magnitud.

donde:

P, es la potencia activa absorbida por el motor en W.

Q, es la potencia reactiva absorbida por el motor en
YAR.

S, es la potencia aparente absorbida por el motor en

YA.
V, es la tensin simple o de fase.
1, es la corriente de fase en A.
qJ, es el ngulo de desfase entre Y 1 e 11,

A(U) o

Se demuestra que el circuito equivalente aproximado de un

motor de c.a. reducido al primario es el mostrado en la figura 5.4, donde se aprecia que las magnitudes presentes lo son
de fase. Para conocer algunos de los parmetros del motor
(RI, R'2' Xcc) ser necesario realizar previamente un ensayo
en vaCo y en cortocircuito con el motor en cuestin, donde:

Oz

VLL

B (V)

Vs

Vl

C(W)O

R Fe es la resistencia de prdidas en el hierro.

Figura 5.5. Conexin en estrella del estator.

XJl es la reactancia magnetizante (rama de vaco).

Xcc = X,+X'z

11

IL

es la reactancia de cOI1ocircuito.

X'z es la reactancia del secundario reducido al primario.

X, es la reactancia del primario.

Puesto que '1 =

de la forma:

'L Y

VI =~,VI'

a potencia se po d ra' expresar

{3

R'z es la resistencia del secundario reducida al primario.

R, es la resistencia del primario.
R'z [(l-S)/S]
mano.

es la resistencia de carga reducida al pri-

ITP,PARANINFO

donde:

ESTATOR

VI =Vs es la tensin simple o de fase.

VAB =VLL es la tensin compuesta o de lnea.
1L es la corriente de lnea.
11 es la corriente de fase.

I ENTREHIERRO

ROTOR

Ptil

Si por el contrario, el devanado est conectado en tringulo

(figura 5.6), la potencia en este caso ser:

PC1

PFe1

PCu2

Pmec

Figura 5.7. Balance de potencias en el motor asncrono.

P1 = -V3. VLL IL cos <J'I )

Q

= -V3 .

SI =

-V3.

VL . I . sen <J'I

La potencia mecnica interna que desarrolla el motor ser

pues:

V I

Js
1

donde se ha tenido en cuenta que 11 =

= VLL"

y VI

= P . Pc
a

1/11

P
A (U) 0-

IL

..

B (V)

C(W)

. --

. l'

I-S

2
2

---.~11

~z~VS=V'

o~~~----------C:::J-~
I

_____

0-

.R' 2

I-S

z(/>

VLL

3 . R'

1/1;

. R'? . --

3 . l' l

P CII2

I-S

= 3 . 1',2

L/2

La potencia til en el eje ser menor debido a las prdidas

mecnicas (Pmec) por rozamiento y ventilacin.

En cuanto al rendimiento
cien, ser:

del motor, expresado en tanto por

Figura 5.6. Conexin en tringulo del estator.

Por otra parte:

Una parte de esta potencia se transforma en calor por
"efecto Joule" en los devanados del estator, constituyendo as
las prdidas en el cobre del estator (P CU1)' de valor:
P CII = 3 . R 1 112

Puesto que el estator est construido con material ferromagntico, existirn tambin prdidas en el hierro. Al ser las
frecuencias de las corrientes en el rotor muy pequeas debido
a que los deslizamientos suelen ser tambin pequeos, se considera que el estator es el nico causante de las prdidas en el
hierro, las cuales son:
PFe",

PFel

'"

VI

mi

= 3 R'

. l'

En lo que se refiere a las prdidas en el hierro del rotor, se

consideran despreciables debido a la baja frecuencia de la
variacin del campo en el mismo.
En la figura 5.7 se representa el balance de potencias en un
motor de c.a. asncrono.

/TPPARANlNFO

2R,

1 5
5

'~--+3'1'

2R,

=3/'

R'?
P CII,
._0 =--'
5
5

El par til en el eje (M1il)' en funcin de la potencia til y de

la velocidad angular ser:
2

'TI'

> = ~~-

11

= P,/ll

P,lil

til

:::::l>

60

60 P lil

---

>

2 . TI

11

2 . TI

11

60

Debido a las prdidas mecnicas, el par til es inferior al par

interno (M) cuyo valor es:
P
= 111 (1 - 5)

P=P
mi

M=----2'TI

.1-5
C"2

._1_-_5

cu,

>
11

CL/2

donde se relaciona las prdidas en el cobre del rotor con la

potencia que llega al campo giratorio. Esta expresin resulta de
gran importancia prctica, pues muestra como al aumentar el
deslizamiento "S" (por ejemplo, variando la velocidad) las prdidas en el cobre del rotor aumentan proporcionalmente.

-PFe

Si no existen prdidas en el rotor, esta potencia se transformara directamente en potencia mecnica. En la realidad, al
fluir la corriente por el devanado del rotor, aparecen en l unas
prdidas por "efecto Joule"que son las prdidas en el cobre
del rotor:
P

=3'/'

CII,

IFe

La potencia electromagntica transmitida al rotor a travs

del entrehierro, que constituye la potencia del campo giratorio (Pa)' tendr por valor:
Pa=PI-PCLq

P =P+P

P cu,

'11

--'(1-5)

60

P Cu

60

Puesto que P u = --'

se obtIene:

5
M.

Pa

P {/

60

Tomando como referencia el circuito equivalente aproximado (figura 5.4) se puede obtener la variacin del par interno en
funcin de los parmetros del motor:

11

=
I

60fP)
11 -11

11

11=60'-'(1-5)

5=-11

de donde se deduce que variando el deslizamiento (S), la frecuencia (fl) o el nmero de pares de polos (p) se consigue variar
la velocidad del motor.
R' 2
3_V-

M,=

[
2 .n .

2 (R
60

Este ltimo mtodo, que a pesar de ser muy simple apenas se

utiliza, consiste simplemente en modificar las conexiones de los
devanados del estator utilizando para ello un conmutador, con lo
cual se vara el nmero de polos de la mquina. Los mtodos
ms utilizados son los siguientes:

o
I

+~) +
2

Tambin se puede obtener la expresin del par en funcin del

flujo mximo, expresin que puede dar una visin ms fsica del
problema.

Si se tiene en cuenta

= E2

_2_ _2_

S
se puede expresar de la forma:

. COS qJ2'

3
M,=-E2/2cos

5.6.1. Control por variacin

de la tensin estatrica
Cuando un motor asncrono trabaja en carga, la velocidad se
estabiliza a un cierto valor en el que el par motor (Mti) y el par
resistente (Mrcs) son iguales. El ajuste del par se realiza mediante el incremento del deslizamiento por encima del resultante en
vaco.

el par interno

<jJ2

wl

Por otra parte, el valor instantneo de la f.e.m. inducida en el

rotor y su valor eficaz, teniendo en cuenta que (02 = 2 . 1t . 12son:
,

En el apartado anterior se comprob que el par es funcin

proporcional del cuadrado de la tensin estatrica (Y 1)' por lo
que reduciendo sta, se obtiene tambin una reduccin del par
tal y como muestra la figura 5.8. De esta forma se consigue
regular la velocidad a costa de aumentar el deslizamiento.

Mtil

eo=-No'--=-N
- d<p
dI
E ( rms )

N2

'wo"<P
/. cosw
max

.
<Pmax

.f2.

2nN
12

.
<Pmax

{2

12 j'

-n'v"-'

.
2

A..
''1'
2

MN

(Par normalizado)
Vl N (Tensin

estatrica

nomInal)

mx

Sustituyendo:

. s (Deshzamiento)

M=~n-{ifNA..2
wl
I

./ 2 'COSIn
'+'mx

=KA..mx ./ 2 'COSIn
"""'2
\fJ

"t'2

Figura 5.8. Variacin del par normalizado en funcin del deslizamiento.

donde K es una constante y N2 es el nmero de espiras por fase

del secundario.
Despreciando el valor de la resistencia del estator (R), el
valor eficaz de la tensin estatrica ser similar a la f.e.m. inducida en el estator, con lo cual:
VI ~ El

= n'y!2'

NI

11 . <Pmx

Por tanto, para que el flujo se mantenga constante:

<P . =cte.
max

VI
-=cte

fl

5.6. Variacin de la velocidad

en el motor asncrono
Se sabe que la velocidad del rotor de un motor de induccin,
en revoluciones por minuto (r.p.m.), viene expresado por la
ecuacin:

Se trata ms de un control de deslizamiento que de un control

de velocidad, puesto que la velocidad asncrona (ni) no cambia.
De hecho, mediante este sistema, en vaco la velocidad apenas
puede variarse. Este mtodo de control es de bajo rendimiento,
ya que al funcionar con deslizamiento elevado hace que las prdidas en el rotor aumenten.

5.6.2. Control por variacin

de la frecuencia
Como su propio nombre indica, se basa en el control de la
velocidad a travs de la variacin de la frecuencia de la tensin
de alimentacin. Bsicamente consiste en el empleo de determinados circuitos estticos que partiendo de la frecuencia de la red
trifsica generan una tensin tambin trifsica de frecuencia distinta (fija o variable) a la de la red.
Conviene recordar que hoy en da, para regular la velocidad de estas mquinas, tambin se utilizan circuitos integra-

ITP-PARANlNFO

dos de alta escala de integracin tales como los "microcontroladores". En este caso se ha optado por la primera opcin,
la cual se adapta mejor a los objetivos que se pretenden con
esta obra. En cualquier caso, una gran parte del regulador
sera anloga tanto si se utiliza un circuito integrado especfico como un microcontroJador.

cuencia. En estas condiciones ya no es posible aceptar como

buena relacin (V 1'" El)' necesaria para que el flujo mximo se
mantenga constante. Para compensar este efecto se suele incrementar la tensin de alimentacin (V 1)' como ms adelante se
detallar, aproximadamente un 15 % sobre su valor nominal
para frecuencias bajas.

Este mtodo permite una regulacin de velocidad con un

buen rendimiento en una amplia gama de frecuencias de trabajo, que abarca desde valores muy superiores a la velocidad
nominal del motor (n N) hasta velocidad nula y en ambos sentidos, todo ello manteniendo un elevado par motor.

En la figura 5.10 se muestran los cuatro modos de funcionamiento del motor asncrono.
V1 = cte

Por lo que respecta a los modernos equipos de regulacin que

existen actualmente en el mercado, las tcnicas de control que
utilizan principalmente se pueden resumir en:

Control V/f: Tensin/frecuencia. Es el ms utilizado.

ControlI/f: Intensidad/frecuencia.
Control vectorial del flujo magntico: Par constante.
En el caso concreto de motores de jaula de ardilla, si disminuye la frecuencia (fl) sin disminuir, en el mismo instante de
tiempo, la tensin de alimentacin (V 1)' aparecen consumos
inadmisibles, tanto mayores cuanto menores sean las frecuencias. En estas condiciones, la transformacin de energa elctrica en mecnica se efecta en psimas condiciones de rendimiento, por efectuarla con altas densidades de flujo en el
entrehierro.
Las condiciones ptimas de funcionamiento de un motor de
induccin se consiguen manteniendo constante el flujo eficaz en
el entrehierro, sea cual sea la frecuencia y a cualquier par transmitido. Es necesario recordar que la tensin de fase en el estator
(VI) vale:

por lo que si se mantiene constante el flujo (<pmax=cte.),el par

motor tambin lo ser. Este echo se consigue manteniendo constante la relacin: V /fl' de tal forma que:
VI

11

-=

= cte.

= <1>

max

Potencia cte. (V1 =cte)

Figura 5.10. Modos de funcionamiento de un motor asncrono.

Si a partir de la velocidad nominal "n N" (frecuencia nominal)
se incrementa la frecuencia, manteniendo constante la tensin
VI' se obtiene la caracterstica del motor funcionando a potencia constante, sufriendo el par una debilitacin en funcin
hiperblica. Se obtiene as un control sobre el motor asncrono
en los cuatro cuadrantes, al igual que suceda con el motor de
corriente ontinua. Si por el contrario, por debajo de la velocidad nominal, se mantiene constante el flujo y se vara igualmente la frecuencia, se obtiene la caracterstica del motor a par
constante. Cuando el motor gire en sentido contrario se vuelven
a repetir las dos situaciones anteriores.

5.7. Circuito integrado

"HEF 4752VP" para el control
de motores asncronos.
Caractersticas

=cte.

En estas condiciones, se cumple que VI=KI

As, en la parte til de la curva, se obtiene una familia de

rectas sensiblemente paralelas, lo que corresponde desde el
punto de vista tcnico a una buena regulacin de velocidad
(figura 5.9).

El control de motores de c.a. mediante la tcnica de conmutacin por modulacin de anchura de impulsos proporciona la
ventaja de un par suave a baja velocidad y, adems, poder controlar la velocidad de cero al doble de su velocidad nominal con
solamente unas pequeas prdidas de su rendimiento.
En la figura 5.11 se muestra una portadora de 15 impulsos
(a), las tres seales de tensin entre fase y N(OV) que coincidirn
con las tres seales de disparo (V GA+, VG, VGC+) de los transistores superiores del puente trifsico (b, c, d), as como la tensin entre dos fases Vu v=V A-S (e).

Mtil (Par til)

Portadora

al
n (Velocidad)

VA(QA+I

VBIQB+I

VCIQC+I

Se observa que para frecuencias bajas (velocidades bajas) se

hace muy significativo el efecto de las resistencias frente a las
inductancias. As, la cada de tensin (RII 1) en la resistencia del
estator ya no es despreciable frente a la tensin de alimentacin
(V 1)' que tambin ha disminuido proporcionalmente a la fre-

ITpPARANINFO

d)

O O DOD O O O O O

n n

'''0

el

O O O O O O O O O O O O O D.l.-

'''h

bl

Figura 5.9. Variacin del par til en funcin de la velocidad.

n (11)

O O O O O O DOD O O O O O

,
+Vd

VAB=VA-VB

el

'"IlILDJlJlJill.llJLlllU::l!n1JlrUUUlfUuUlflJ.L100t/"

Figura 5.11. Formas de onda PWM senoidales de 15 impulsos por ciclo.

Asimismo, en la figura 5.12 se muestra con ms detalle la

modulacin de una onda portadora en ambos frentes. En ella se
observa que los dos flancos de cada impulso son modulados
para dar una diferencia media de tensin que vara senoidalmente entre dos fases cualesquiera de salida. Cada frente de la
portadora es modulada por un tiempo variable "o" que es proporcional al "sen u", siendo "u" el desplazamiento angular del
frente no modulado. La modulacin de una portadora de 15
impulsos exige por tanto 30 valores de "o".
f5 =-.!.-(frec.
T5

Portadora

de conmutacin)

Portadora
con los dos

5.7.1. Funciones de entrada/salida

del Col. HEF 4752
La figura 5.13 muestra la disposicin de patillas de este circuito integrado, las cuales, sin incluir las de alimentacin, se
pueden agrupar en cuatro apartados segn su funcin.
Seales de excitacin del inver oro
Entradas de datos.
Entradas de reloj.
Salidas de control.
OCS1

OCM2

OCM1

VDD

frentes
modulados

RCT
8=0

81

82

83

84

85

86

Figura 5.12. Detalle de la modulacin de doble frente.

La modulacin senoidal de las formas de onda de salida se
consigue abriendo y cerrando los elementos de potencia del
puente (MOSFET, IGBT, etc.) superior e inferior de cada fase
del inversor. La funcin del CJ. HEF 4752 es proporcionar tres
pares de seales moduladas que al ser aplicadas al circuito de
puerta de los seis elementos del puente generen tres seales de
salida trifsicas desfasadas entre s 120 0.

j
4a 6,4

675 a 1070

5,7 a 8,9

675 a 1070

8,1 a 17,9

675 a 1070

11,2a 17,9

675 a 1070

16,3 a 25,5

42

675 a 1070

22,3 a 35,7

30

675 a 1070

32,5 a 51

21

675 a 1070

44,6 a 70

15

675 a 1070

>70

15

Vese figura 5.16

HEF4752
OAM1

OAM2.

OAS1

10

OAS2

11

Dentro de estos valores el circuito integrado proporciona el

control completo de la frecuencia de conmutacin del inversor
para un margen de frecuencias comprendido entre 4 y 70 Hz
aproximadamente. Para frecuencias superiores ser necesario
aumentar la frecuencia de conmutacin como ms adelante se
tratar.

OBM2

Figura 5.13. Disposicin de

patillas del circuito integrado
HEF 4752.

En la tabla 5.2 se indica cada uno de los mencionados terminales del circuito integrado, indicando el nmero de pin, denominacin y funcin.

Seales de
excitacin del
inversor

Tabla L1. VIIaIes tfpicoI dellII6IIipIo de la portidora

, de la fnlcueIIda de salida.
El CJ. HEF 4752 es completamente digital, de forma que la
frecuencia de repeticin de las seales de disparo o frecuencia
de conmutacin del inversor (f5) es siempre un mltiplo entero
(mf) de la frecuencia de salida del inversor (fou1); es decir:
fs= mffout' lo cual da como resultado un equilibrio entre fases y
bajas prdidas. Cuando se trabaja en estas regiones se incluye
una histresis entre los puntos de conmutacin para evitar la
oscilacin. En la tabla 5.1 se muestran los valores tpicos del
mltiplo de la portadora y de la frecuencia de salida (fou1)'

21

Entradas
de datos

Entradas
de reloj

Salidas
de control

8
9
10
11
22
21
20
19
3
2
1
27
24
25
7
5
13
15
16
12
17
4
6
23
26
18

OAMl
OAM2
OASl
OAS2
OBMl
OBM2
OBSl
OBS2
OCMl
OCM2
OCSl
OCS2
L

I
K

CW
X
y
Z

FCT
VCT
RCT
OCT
ASYN
VAV
CSP

T 5.2. TenainaIes del

CL

Fase principalA
Fase principalA
Conmutacin fase A
Conmutacin fase A
Fase principal B
Fase principal B
Conmutacin fase B
Conmutacin fase B
Fase principal C
Fase principalC
Conmutacin fase C
Conmutacin fase C
Dato
Dato
Dato
Dato
Dato
Dato
Dato
Relojfrecuencia
Relojtensin
Relojreferencia
Relojretardo salida
Sincronizacinfase A
Tensin media
Impulsos muestra
de corriente

HEF4

ITP-PARANlNFO

5.7.1.1.

Seales excitadoras del inversor

Existen seis salidas excitadoras principales que estn dispuestas por pares complementarios. Las salidas estn codificadas como sigue:
Primera letra: O (salida).
Segunda letra: A, B o C (indicacin de fase).
Tercera letra: M (principal).
Nmero: 1para la salida del elemento superior del puente.
2 para la salida del elemento inferior del puente.
Por ejemplo, OAM2 es la forma de onda excitadora para el
elemento inferior de la fase A.
A cada salida principal est asociada una salida auxiliar utilizada para disparar puentes inversores con 12 tiristores. Estas
salidas se identifican con S como tercera letra del cdigo de patillas, de forma que OAS2 ser la salida de disparo para la conmutacin asociada a la OAM2.

durante el funcionamiento
conectadas a OY.

normal, y por tanto debern ser

Entradas de reloj

5.7.1.3.

5.7.1.3.1. Reloj de control de frecuencia de salida

La entrada de reloj "FCT" controla la frecuencia de salida del

inversor "fou/' y, por tanto, la velocidad del motor. La frecuencia a ella aplicada "fFer" est relacionada con "fou/' segn la
expresin: fFCT = 3360 .f01l1"

Entrada de datos

5.7.1.2.1. Entrada de datos 1, K YL

La entrada ''{'' determina si las seales de excitacin del
inversor son para transistores o para tiristores. Un nivel bajo
en dicha entrada corresponde a transistores, y un nivel alto a
tiristores.
La entrada de datos "K", en combinacin con la entrada de
reloj "OCT", se utiliza para ajustar la duracin del perodo de
retraso intercalado. Los detalles de este ajuste se describen en el
apartado dedicado al reloj "OCT'.
La entrada "L" proporciona la posibilidad de arranque/paro.
Con salida para transistores, "L" en estado bajo, todas las seales principales y de conmutacin estn inhibidas y con "L" en
estado alto continua entregndose el conjunto de impulsos
modulados. La accin de "L" inhibe solamente los circuitos de
salida reales, de tal manera que mientras "L" est a nivel bajo,
los circuitos internos que generan los impulsos de salida continan funcionando.

ver

5.7.1.3.2. Reloj de control de tensin

Anteriormente se indic que los motores de induccin se

rigen por la expresin general:
Ez=rt..fiNzf2et>mx;

5.7.1.2.

Fer

ez=

N2 ~~

donde Nz es el nmero de espiras por fase del rotor, <jJ es el flujo

magntico en el entrehierro y Ez es el valor eficaz de la f.e.m.
por fase del rotor. Para mantener el flujo constante se debe mantener constante el producto e2dt. El Cl. a utilizar satisface
automticamente este requisito haciendo que la tensin de salida (Vout)sea directamente proporcional a la frecuencia de salida
(fout)o lo que es lo mismo Vout/ fout=constante. El nivel de tensin media de salida, a una determinada frecuencia de salida, es
controlado por la entrada de reloj "VCT". Un aumento de "fver"
reduce la profundidad de la modulacin y por tanto la tensin
(rms) de salida, mientras que una disminucin de "fver" produce el efecto contrario.
El reloj "VCT" determina pues la relacin d=tensinlfrecuencia en el estator que deber mantenerse constante. Dicha
relacin recobra especial importancia cuando se trabaja a bajas
frecuencias debido a que las prdidas ''!-R'' en el devanado del
estator a mentan, por lo que para compensarlas y aumentar el
par motor habr que hacer que dicha relacin sea d > 0,5 o lo
que es lo mismo habr que disminuir fver; aunque todo ello sea
a costa de que la componente fundamental de la tensin de salida deje de ser ms o menos senoidal. Generalmente se suele
incrementar un 15 % de la tensin nominal. En la figura 5.14 se
muestra la interrelacin frecuencia-tensin.

5.7.1.2.2. Entrada de datos CW

La entrada de secuencia de fases "CW" se utiliza para controlar el sentido de giro del motor, variando la secuencia de
fases. En la tabla 5.3 se indica dicha secuencia segn la entrada
"CW" est a nivel alto o bajo.

V1,f1
100Hz

50Hz

,
,
,
,
-----------,,'
.....

O,15V'N

BAJA

A.B,C

ALTA

A,C,B

, ...
'

....

.-.l

------------~

Tensin
Frecuencia
Tensin

I
I
I
I

I
I
I
I

mxima

V
1N

.~
0),

Figura 5.14. Interrelacin frecuencia tensin.

TaIIIa 5.3. Variacin de ~

de fases segn el estado de ov.

5.7.1.2.3. Entrada de datos X, Y YZ

Las tres entradas X, Y Y Z se utilizan durante las pruebas
de fabricacin del integrado, por lo que no se van a utilizar

ITP-PARANINFO

La frecuencia de salida "fout"con el 100 % de modulacin, la

cual se corresponde con una tensin mxima de salida sin distorsin viene dada por:

f out

j~'O,624'

Vd
_

donde f N es la frecuencia nominal del motor, Vd la tensin del

puente y V Nom la tensin nominal del motor.

hecuenciade
conmulac'on
del Inversor
1,IKHl)
1,25

El valor de fver que corresponde a dicha frecuencia vale:

fVCT

(N);

120

6720 I"U{ (1M; 1)

'slmax)

La relacin fFdfver es importante en el diseo del sistema.

As para una modulacin del 100 % (ndice de modulacin
IM= 1) tendr un valor que viene determinado por:
d=--=

j~er

3.360 . !liT (Im)

fver

6.720 . J;!IIT (Im)

0.75
Islmm}
0.5

Is'"' ,,,llout
0.25

-0,5

frecuenCia

Tal y como se observa en la figura 5.15, para d< 0,5 la modulacin resulta senoidal, mientras que por encima de 0,5 (d>0,5)
la forma de onda de la tensin de salida se aproxima a una onda
cuadrada. Se recomienda no sobrepasar un ndice de 2.

10

30

20

40

al MARGEN

50

50

DE VARIACION

050

80

70

de salid
90

lOullHzl

HZ

frecuencia de
conmutacin

del

f,lKHZ)

...Y.l
Vd

(Tensin media
normalizada

l.

2,5

1,5

No lineal

0,5

Is = mi fout

.Is = SO.30

= 1,5 KHz

frecuenClil
desahdd

10

20

30

bl MARGEN

O.S

1M

Figura 5.15. Tensin media de salida en funcin de fFo/fvo'

La seal "RCT" es una seal de reloj fija que se utiliza para

determinar la frecuencia mxima de conmutacin del inversor
"fsCmax)". Las frecuencias "fRCT"y "f,(max)" estn relacionadas por la siguiente expresin:
280 'f; (mx)
!,(rnn( 0,625 Idrnx)

DE VARIACION

110

0-100

90

100

loullHll

'-lZ

Figura 5.16. Frecuencia de conmutacin del inversor en funcin de la fre

cuencia de salida con el nmero de impulsos como parmetro.
Ni que decir tiene que para la misma frecuencia de salida
(fout) y una relacin fFcJfvcrconstante,
la componente fundamental de la tensin de salida sera mucho ms senoidal en el
segundo caso (fRCT= 560 KHz) ya que se trabaja con el doble
de impulsos por ciclo.

5.7.1.3.3. Reloj de referencia RO

j~CT;

40506010

dB
Quasi cuadrada

-20
}

1,
m!;-

-40
()u/

donde mf es el nmero de impulsos por ciclo.

60

nO de armnico
1

3" 5

1113

1719

23 25

al

Estas ecuaciones son vlidas siempre que:

0,043fRer < fFer < 0,8fRer y que fFdfRer < 0,5.
En la figura 5.16(a) se observa que para fRCT=280 KHz, la
frecuencia
mxima de conmutacin
del inversor es:
f (mx)=280 KHz1280= 1KHz. En este caso, con una frec~encia en el reloj de referencia fRCT= 280 KHz, si se desea
obtener a la salida una frecuencia de valor foUl=50 Hz
[fFCT=336050=168 KHz], se trabaja con una frecuencia de
conmutacin aproximada de valor f,=750 Hz que corresponde a 15 impulsos por ciclo de trabajo. Con esta opcin
(fRCT= 280 KHz) se est en condiciones de variar la velocidad desde 4 Hz hasta 68 Hz, aproximadamente.

dB
PWM de 15 impulsos

O
-20

-40
-60

nO de armnico
1357111315171921-2325
b)

dB
PWM de 21 impulsos
O

-20
040

Si, por el contrario, lo que se quiere es variar la velocidad de

3,55 Hz a 96 Hz, aproximadamente (el doble de su velocidad
nominal) habr que duplicar la frecuencia fRCT=560KHz (figura 5.16(b)) por lo que ahora a una fOlll=50 Hz le corresponde otra
fs= 1,5 KHz. y 30 impulsos por ciclo de trabajo.

-60

nO de armnico
1357

1113
el

171921~2325
; Portadora suprimida

Figura 5.17. Espectro de la tensin de fase del motor (armnicos).

ITP-PARANINFO

esta seal coincide con la de conmutacin del inversor "fs" Y

una modulacin igual a 6foul'

En la figura 5.17 se compara el espectro de frecuencias de

una forma de onda cuasi rectangular con el de una forma de
onda PWM con mf = 15 Y 21 impulsos respectivamente. Dicho
espectro de modulacin, junto con la variacin del nmero de
impulsos, produce pocas prdidas en el motor y un arranque
suave. La relacin entre la tensin de salida aplicada al motor y
la frecuencia de salida es inherentemente lineal; pero si es necesario tambin es posible el control de la frecuencia y de la tensin por separado. La modulacin en doble frente tiene la ventaja de entregar el doble de impulsos por fase para una
determinada frecuencia de conmutacin, lo que da como resultado unos bajos valores de rizado de la corriente por el motor.

5.7.1.3.4. Reloj de retraso intercalado

Dicha seal es til para el control en bucle cerrado de fvCT'

sobre todo para conseguir una mejora en la linealidad entre tensin y frecuencia cuando la relacin d=fFc-rlfvcT >0,5.

5.7.1.4.3. Salida de conmutacin del inversor CSP

La salida "CSP" es un tren de impulsos con frecuencia doble
a la frecuencia de conmutacin del inversor (f). El frente de
bajada de cada impulso coincide con el punto de modulacin
cero de las salidas principales. Cuando fFc-rlfvCT> 0,5, "CSP"
representa la frecuencia terica del inversor; sin embargo, debido a la desaparicin de impulsos por la sobremodulacin, la frecuencia real de conmutacin ser inferior. Esta salida no est
afectada por el estado de la entrada "L".

Da

La entrada "OCT" en combinacin con la entrada de datos

"K", se utiliza para determinar el perodo de retraso intercalado
que es necesario cuando se produce el cambio entre las salidas
complementarias de cada fase.

5.8. Diagrama de bloques

del accionamiento

En la tabla 5.4 se indica el funcionamiento de "OCT" y "K".

Mientras sea posible, la entrada "K" deber estar a nivel alto ya
que ello reduce la inestabilidad producida por la falta de sincronismo entre "FCT' y "OCT'. Por economa de diseo, en la
prctica, se utiliza el mjsmo reloj para "RCT" que para "OCT".

Entrada

"KM

Frecuencia.
conmutacin
"f." (KHz)

Todo sistema electrnico de potencia se puede dividir en dos

grandes bloques o circuitos constitutivos bien diferenciados: circuitos de potencia y circuitos de mando o control. El primero de
ellos gobierna, generalmente, unos niveles de tensin y de
corriente considerablemente elevados, mientras que el segundo
se encarga de realizar el control del primero para lograr en l los
efectos eseados, con'igindolos en el caso de que no se ajusten
a las caractersticas deseadas. Por el contrario en los circuitos de
mando, se manejan niveles de tensin y de corriente reducidas,
lo que propicia un manejo de los mismos en gran manera exento de peligros.

Anchura del
Impulso.
dIIparo (ma)

BAJA

2IfOCT

ALTA

4/foCT

La figura 5.18 muestra un esquema general del sistema a

nivel de sus bloques constitutivos. Tal y como suceda con el
regulador de continua, la seal de referencia (V rcf) procedente de
la etapa de temporizacin lineal, se suma con la seal de realimentacin de velocidad (-e) obtenida del circuito acondicionador de velocidad; en este caso como transductor de velocidad, se
ha optado por un encoder.

5.7.1.4. Salidas de control

5.7.1.4.1. Sincronismo para osciloscopio
Esta salida entrega un impulso de frecuencia igual a "fout"
y de anchura idntica al impulso del reloj "VCT". Est temporizada para que aparezca justo
antes del cruce por cero en el paso
RECTIFICADOR
a positivo de la tensin de fase
"R". Proporciona, por tanto, una
referencia estable para disparar un
osci loscopio.

Ser la seal de control (V control) obtenida a la salida del regulador de velocidad proporcional-integral la que controle la fre.Vd

KAI

220V

KA2

KB
KA3

CROWBAR

+Vcc=

5.7.1.4.2. Simulacin de
la tensin media
de salida VAV
La seal "VAV" es una tensin
digital cuya forma de onda simula
el valor medio esperado de la tensin entre fases en la salida del
inversor. Sin embargo, excluye el
efecto del retraso intercalado fijado
por las entradas "OCT" y "K" Y
adems no depende del estado de
la entrada "L". La frecuencia de

ITP-PARANINFO

FILTRO
~

+ 12V

+Vl=+12V

FUENTE DE
ALIMENTACiN

+V2=+12V
+V3=+12V
+V4=+12V
+VS:;;+5V

P1

Figura 5.18. Diagrama de bloques del sistema.

cuencia de reloj "FCT" y, por tanto, la velocidad de giro del

motor. Asimismo se ha dotado al sistema de un circuito de marcha y paro, de un circuito de proteccin de sobrecolTientes y de
un circuito de compensacin ''f.R'' que permita aumentar la tensin de alimentacin del motor a bajas frecuencias. El regulador
lleva incorporado tambin un tacmetro digital que permite
visualizar en cada momento la velocidad de giro del motor. En
este caso no se ha incluido el bloque regulador de intensidad, por
lo que en el supuesto de que el lector desee realizar una regulacin de velocidad y de intensidad simultneamente, deber
incorporar dicho bloque (PI) as como su acondicionador correspondiente (vase figura 5.37).
Por lo que respecta a los circuitos de potencia, adems del
puente rectificador (monofsico) y del filtro, se ha colocado una
resistencia de carga para los condensadores del filtro (contacto
Ks) y otra de descarga (contacto KA3). El circuito "crowbar" con
su resistencia de frenado, se encargar de mantener constante la
tensin del inversor (Vd) en los procesos regenerativos del
motor, cuando la carga se ve arrastrada por el motor.
La fuente de alimentacin proporciona seis tipos de tensiones
diferentes que van desde una alimentacin simtrica de l2V
para los circuitos de mando y control, pasando por las cuatro alimentaciones flotantes del inversor (V l' V 2' V 3 Y V4) Y finalizando con la alimentacin V5 (Tacmetro-TIL). El lector debe
saber que este bloque no es objetivo fundamental del tema,
motivo por el cual no ha sido desarrollado en detalle.

mxima de la carga (motor) de 2,SCV (1840W), se elegir un

contactor de entrada KA de las siguientes caractersticas:
Contactor TELEMECANl QUE:
- Tipo: LC I D 120.A6S
- Ith=2SA; Ui=660 V.
- Vbobina=220V.
La rectificacin de la tensin alterna monofsica a un nivel de
continua se consigue mediante un puente rectificador cuyos diodos deben cumplir las siguientes caractersticas:
Tensin inversa de pico mxima: VRWM > 220-{2 =311 V.
Suponiendo una intensidad mxima prevista, para una carga
de 2,SCV, de SA (en condiciones normales de funcionamiento)
y teniendo en cuenta el aumento de la corriente durante el arranque del motor, as como la posibilidad de conectar otras cargas
mayores, se optar por un puente rectificador de caractersticas
sobredimensionadas: FAGOR (IOlax=2SA).
Para reducir el rizado de la tensin continua y eliminar el
mayor nmero de armnicos posibles, se coloca a la salida del
puente rectificador un filtro L-C, tal y como se muestra en la
figura 5.19.
El hecho de que la carga a conectar pueda variar, hace que los
clculos para obtener las caractersticas del filtro sean aproximados. Por tanto, suponiendo un motor de 2,SCV (1840W) y un
porcentaje de rizado r=3% con respecto a la tensin mxima, se
obtiene:
ti Vd

~ 5.9. Diseo y clculo de los

r ~ 100 --

V Olx

bloques constituyentes del

circuito de potencia _

2'r'

ti V

=
d

V .

Olax- 18 6 V
100
'

La resistencia y el condensador vistos por el filtro sern:

R

5.9.1. Redificador + filtro

V2

p)

1840

Olax=-.l!..L

= 52 56 Q
'

V.nx

C=--2IRti Vd

311

=3.100J..lF

2'50'52,56'18,6

Generalmente, en los modernos equipos de regulacin utilizados hoy en da en la industria, la tensin de alimentacin del
rectificador (previo al inversor) se toma a partir de una red
monofsica de 220V, o bien trifsica de 220, 380 o 460V.

En la prctica se colocarn tres condensadores en paralelo, de

tal forma que C=C1+C2+C3. El valor de la capacidad de dichos
condensadores podra ser de 1.000 J..lF(500 V).

En el supuesto de que el sistema se alimente desde una red

monofsica de 220V de tensin de lnea y para una potencia

En la figura 5.20 se muestra la forma de onda de la tensin de

salida.

"bo:=[}J
FUSIBLE

KA1

PUENTE RECTIFICADOR

25 A

r----------------~

R1 150 Q (70W)

I
I
I

L 1,5 mH

I
I

,,

.tF
+Vd

o_:-~

I
I

'KA2

C1=C2=C3=1.000

220 V

,220 V

_______________

eI

1M

KA3

Vsus

I
I

C1

C2

C3

R5

I
I

I
I
I

R4

I
I

---------------~----------------------~

15K
R2
270Q
(35W)

VI
01
BTV58

P1
1K
OV

Figura 5.19. Rectificador y filtro.

ITP-PARANINFO

=
descarga

5 . 't = 5 . R . e
2

descarga =

5 .e

266 Q

La potencia a disipar por dicha resistencia ser mxima

durante la descarga y valdr:

Figura 5.20. Forma de onda de la tensin de salida del circuito

rectificador + filtro.
En la prctica se podr R2=270
El valor medio de la tensin de salida Vd se obtiene de la
forma:

n (35W).

5.9.2. Resistencia de frenado

(crowbar)

Por su parte, el valor de la autoinduccin para una corriente

media Idc=5A, ser:
L=

306
110-4.5.2.50

Vd

IIOA'/dc'2j

'" 1,4 mH

Este tipo de filtro posee la ventaja adicional de que los diodos del puente conducen continuamente, lo cual reduce sus
necesidades de corriente directa de pico. En la prctica se
pondr L= 1,5mH, con lo cual se asegura dicha conduccin.
Con el fin de que los condensadores C" C2 y C) no se carguen instantneamente en el momento de activarse el contactor
KA (se activa a travs del circuito de marcha-paro), se coloca en
serie una resistencia R1 encargada de limitar la corriente que circula por los diodos en los instantes iniciales.

La accin del crowbar consiste en el consumo de energa

sobrante. En este caso, la energa a consumir es la posible
energa cintica del motor en los ciclos regenerativos de frenado
(generador), la cual se transforma en un incremento de potencial
en el BUS de continua que puede poner en peligro los dispositivos semiconductores que forman parte activa del convertidor de
frecuencia (inversor).
Esta energa devuelta por el motor se consume, por efecto
Joule, mediante un circuito formado por una resistencia R) de
elevada potencia y un semiconductor Q1 trabajando en conmutacin. Este ltimo est gobernado por un circuito de control que vigila en todo momento la tensin del bus de continua
(figura 5.21). Adems, al circuito de control se le proporciona
una histresis para que el cambio de un estado a otro
(ON-OFF) del transistor se produzca en el momento adecuado.
+Vd

Cuando la tensin de carga sobrepasa, aproximadamente, el

80 % de su valor nominal, una seal de control proveniente del
circuito de marcha-paro, a travs de Kb, activar el contactor
Ks' cortocircuitando la resistencia R1
Si se tiene en cuenta que el circuito generador de impulsos
PWM (HEF 4752) tiene un tiempo de iniciacin de tres segundos aproximadamente, el tiempo que los condensadores necesitan para alcanzar el 80 % de la tensin nominal debe ser inferior
al primero. Dicho esto, el valor de R1, suponiendo un tiempo de
carga (al 80 %) de dos segundos, ser:
t

carga (80%)

=4't=4Re

=
I

R -

t
carga (80%)

4. e

166Q

Por otra parte, la potencia que debe disipar dicha resistencia

durante la carga de los condensadores es:
P

= __
I

wrga(80%)

I
2
-e,v
d

_ 2

~ 70 W

t car'~1(80%)

Puesto que la potencia que disipa la resistencia en el momento de la carga (puesta en marcha) es considerable, en la prctica
se colocar una resistencia de 150 n y 70W.
Por el contrario, cuando se desconecta el sistema de la red
(KA desactivado), los condensadores del filtro comienzan a descargarse. Para facilitar dicha descarga se coloca, al igual que
suceda en la carga, una resistencia R2 que entre en funcionamiento una vez que se pare el sistema (figura 5.19).
Suponiendo ahora un tiempo de descarga de cuatro segundos:

ITP-PARANlNFO

OV
Figura 5.21. Resistencia de frenado (crowbar).

Dich de otra forma, si se fija el valor mximo de la tensin

Vd en 360V aproximadamente, al sobrepasar dicho valor el circuito de control debe actuar y Q, se pondr en ON. Por el contrario, cuando la tensin del bus de continua caiga por debajo de
su valor nominal (306V), el transistor estar cortado (OFF).
Para tomar la referencia de la tensin del bus se coloca un
divisor resistivo (R4 y Rs) de forma que si los valores de cambio
del comparador con histresis se fijan, por ejemplo, en Vs=5,5V
(Cuando Vd=360V) y Vs=4,5V (Cuando Vd=306V), el valor de
Rs se obtiene de la forma:
VdBUS

V
= ---'

R4+ Rs

Rs

RS

4~15Kr.
Vd- VBUS
BUS

En la prctica se colocar tambin, en serie, un potencimetro Pide ajuste.

En la figura 5.22 se muestra el circuito de control. Consta de
un comparador con histresis que ataca a una etapa en simetra
complementaria. sta, a su vez, lo har con el transistor Q,.

BUS DE CONTINUA

+Vd

+V4=+12 V

R4
1M
R3
lK5

VBUS

(90W)

C2

C3

R5
15K

Cl

Pl
lK
OV

Figura 5.22. Circuito de control.

A continuacin se realizar el anlisis del circuito comparador fijando una tensin de referencia "U1"de 2,5Y (LM335). Su
caracteJstica de transferencia ser la indicada en la figura 5.23.

Suponiendo una intensidad media por el transistor de 0,25 A,

el valor de la resistencia ser:
P3~ Icc' Vdlllx= 0,25 360= 90W
P,
90
R3=-'
--=
1.440 Q

/z.c

0,25

En la prctica R,= 1.500 (90W).

L..- ...

Vs

---'--+ ...._ .. V BUS

VB

Figura 5.23. Caracterstica de transferencia del comparador regenerativo.

Cuando Y 1=+Y.=12Y Y la tensin YBUSaumente. el circuito

conmutar cuando Y 1+=Y 1-=YBUS=y B=5,5Y.

Cuando Y I=OY Y la tensin Y BUSdisminuye, el circuito conmutar cuando YI+=YI-=YBus=Ys=4,5Y.

De cualquiera de las ecuaciones, fijando R7= lO KQ, se obtiene R8=110 KQ.

En cuanto a lo que se refiere a la resistencia de frenado R3,

sta debe disipar durante cortos perodos de tiempo (rgimen
transitorio) una cierta potencia. Debido a que el sistema est
ideado para diferentes tipos de cargas (motores), el clculo de
dicha resistencia se har en las condiciones ms desfavorables.
El transistor Q1 encargado de cortocircuitar (ON) el puente
ser el BTY58 (par darlington) cuyas caracteJsticas ms importantes son:YCElllx=I.OOOY; Iclllx=7A.

5.10. Convertidor puente trifsico

Parece obvio pensar que el inversor trifsico estar alimentado por el bus de continua obtenido mediante el rectificador y el
filtro a partir de la red. A este circuito se le encomendar la tarea
de obtener un juego de tensiones trif icas de frecuencia variable, segn el requelimiento del control.
Los MOSFET y los IGBT presentan grandes ventajas sobre
los tiristores o los transistores bipolares de potencia a la hora de
construir un inversor, pues permiten controlar grandes potencias, con una baja distorsin de salida, gran capacidad de sobrecarga y una respuesta rpida.
En la figura 5.24 se muestra un inversor trifsico en el que el
elemento de potencia (MOSFET o IGBT) se ha sustituido por
un "switch" (interruptor) que representa un elemento capaz de
conducir corriente en ambos sentidos y bloquear tensin slo en
uno. A l se le ha conectado un motor trifsico en jaula de ardilla y sobre el cual se van a basar las explicaciones posteriores.
Para facilitar tales explicaciones, se considerarn como corrientes positivas aqullas que entran hacia el motor y negativas las
que salen (flechas de trazos).

-=:)1

OB+/"l

OC~+
DB+

DA+

J ~

+Vd
DC+

, iC
O

OA~) ~

OB~/

:.;I;: DA

~----

:~

t~

QO )

DB

DC

(rt
... "
\(j:VW
M~Q"

3-

L-OV

Figura 5.24. Convertidor puente trifsico.

ITP-PARANlNFO

Dada la complejidad de funcionamiento de este circuito, se

supondr que las seales de disparo de los seis elementos del
puente son las mostradas en la figura 5.25. Con el motor como
carga esencialmente inductiva, la corriente por la fase A (iA)est
formada por curvas exponenciales crecientes y decrecientes. As
en el instante "to", el transistor QA- se bloquea mientras que el
transistor QA+ se pone a conducir. En el instante "S", este ltimo transistor (QA+) se pone al corte y aunque al transistor QAse le ha dado la orden de conducir, como la corriente que en ese
momento circula por la carga no puede cambiar instantneamente (positiva), ser ahora el diodo DA-el que pase a conducir
y no el transistor. Una vez que la corriente pasa a ser negativa se
pondr a conducir el transistor en cuestin (QA-) hasta el instante ''ts'' en que se pone al corte, momento en el cual pasar a conducir el diodo DA+ ya que la corriente es ahora negativa.
De la misma forma que se ha analizado una rama del puente
(rama A) durante un ciclo completo de la corriente de fase (iA),
se pueden analizar las otras dos restantes.
Las ecuaciones que rigen el comportamiento del convertidor,
llamando R y L a la resistencia y autoinduccin de cada uno de
los bobinados del motor son:

Si estas tensiones se expresan en funcin de otras, existentes

en el circuito, se obtiene:
2

I/="3'

VA

VAN-

3' (V8A

V8N-

3' (VAN-

- VCN)

1/="3'

V8

VCN)

"3 . VeN - 3' (VAN -

Vc" =

V8N)

El voltaje instantneo de lnea a lnea (VAB)de la figura 5.25

se puede expresar en serie de Fourier, admitiendo que VABest
desplazada en 1[/6 y los armnicos pares son cero.
~
L

VAlJ==

(j'TI)
-6- 'sen [(j'

4'V
~.cos

} 1,3,5... }

"6TI)]

tl

Los voltajes VBCy VCApueden determinarse a partir de la

ecuacin anterior mediante el desplazamiento de fase de VABen
120 o y 240 o, respectivamente.
VBC=j)1j.

:.~d.COS

VAc=j_Hs

~.~d,COS(

(j~T[)

.sen[j.(

j~T[) 'sen[j.(

w t- ;)]

7_~TI_)]

w.t __

De las tres ecuaciones anteriores se deduce que, en los voltajes lnea a lnea, los armnicos mltiplos de tres (j=3,9,15 ...) son
cero. El voltaje (rms) lnea a lnea "V LL" se puede determinar a
partir de:
tO.

12

tl

13

14

.5

2r3

2.
J
2
T[

2 d(wt)
d

De la primera ecuacin, la jotasima componente "mls" del

voltaje de lnea es:
V

LLj

(_jT[_)

=_4_._V_d_.COS

j'T['-f2

Para j= I se obtiene:

VBn
2/3Vd

Finalmente, el valor "rms" de los voltajes de lnea a neutro,

se pueden calcular a partir del voltaje de lnea:

1/3Vd
-1/3Vd
-2/3Vd

VAB

=V
A"

=V
8"

c"

VI L'2
=_-_=_v_"V
v
3

,
\
,

~0471'V
d'

+Vd

Para el caso que nos ocupa (carga conectada en estrella), la

corriente de lnea "iA" para una carga R-L viene dada por:

Vd

donde:
<Pj=tag

Figura 5.25. Formas de onda en el convertidor puente trifsico.

ITP-PARANINFO

-1

w,
( j. -R-

L)

VAN

VBN

VAB=VAN-VBN

Figura 5.26. Formas de onda (PWM)en diferentes puntos del puente inversor.

5.11. Formas de onda en bornes

de un motor de induccin
por RW.M.
Las seales de disparo son seales moduladas en anchura de
impulso de manera que las tensiones VAN'VBNYVCNcoinciden
con las seales de disparo de los transistores QA+, QB + y Qc +. En
la figura 5.26 se representan las seales VAN'VBNY VAB donde
se aprecia cmo esta ltima tensin (VAB)' se conforma como
consecuencia de restar las dos anteriores (VAB=VAN-V BN)'

El valor de la componente fundamental de una de las seales

del inversor ser:
Vd

VAN

(mx)=

1M'

Por tanto, el voltaje eficaz (rms) de la componente fundamental, con un desfase de 120 o entre fases, para IM< 1, ser de
la forma:
VLLI (rms)

{J .[VAN(mx)1
{I

=~'I

M'

Vd~ O,612'IM'

Vd

2'{I

5.12. Prdidas durante

VAN

la recuperacin del
diodo inverso

VCN

-+------..

Conducen:

QA-,OB-,OC-

'--';~;-------------+------.l.t
Condu~n:

uA-(B+.OC+

Figura 5.27. Formas de onda de tensin y corriente en las ramas

de un motor trifsico.

En lo referente a las seales de corriente por las tres fases de

la carga, se puede comprobar segn la figura 5.27 cules son los
elementos de potencia que estn conduciendo en un instante
determinado, as como el ngulo de desfase (factor de potencia)
entre la tensin y la corriente por cada rama. Por ejemplo, si se
analiza el intervalo en el que QA', QB' y Dc' estn conduciendo,
sucede que:
iA < O(VAN= O)=>QA'(ON)
iB < O(VBN= O)=>QB' (ON)
ic> O(VCN= O)=>Dc' (ON)

Al inicio de cada ciclo de conmutacin (impulso de disparo),

la corriente de la carga circula a travs del diodo inverso del elemento de potencia en cuestin (MOSFET, IGBT, etc.) que inicia
la conduccin. Antes de que el diodo pueda soportar una tensin
inversa, cierta cantidad de carga debe ser extrada. A medida que
la carga es extrada, la tensin en el punto medio del puente (A,
B o C) bascula desde +V d a Vos (sat), con una cierta pendiente
que va a depender principalmente de las caractersticas del circuito de puerta (RG y CGo) del elemento de potencia. La carga
total asociada a la recuperacin del diodo inverso, circula hacia
el bus de continua sin hacer trabajo til. La corriente de recuperacin del diodo (Irr) supone por tanto una prdida de energa
que ha de disiparse en el radiador del elemento en cuestin y en
el propio diodo inverso.
En la figura 5.28 se muestra la variacin de la corriente de
recuperacin con la corriente de carga por una rama del inversor. En ella se pueden observar las fomlas de onda de tensin
(Vos) y de corriente (iD) durante el paso a conduccin de uno de
los dos MOSFET de una rama.
Tomando como referencia la rama A, suponiendo que el transistor QA' deja de conducir, ello implica que la corriente que circula por la carga (iA) ser negativa. Si QA' deja de conducir,
como quiera que la corriente iA no puede variar instantneamente (carga inductiva) se pondr a conducir el diodo inverso
DA+ (hasta que dicha corriente pase por cero) como consecuencia de haber disparado el elemento superior de la rama.

ITpPARANlNFO

~
QI
-c:I
+Vd
VDS

+Vd

VDS

I
E

OA+
DA+

~t
iD

O" = 4 C
1" = 25A

:aj

iA

A
~

a)

~
QI
-c:I

DA-

av

VDS

VDS

VDSsat

VDSsat
:

av

Perodo "t1"

Perodo "tO"

iD

i.

DA+

iD

iD

~
+Vd

+Vd

IRG=1211
OA+

OA+
DA+

DA+

DA-

DA-

di

Figura 5.28. Variacin de la corriente de recuperacin con

la corriente de carga.

av

Una vez que la corriente pasa por cero, sta cambiar de

sentido ya que es ahora QA + el que conduce. A la corriente
que circula por el transistor QA + se le debe sumar, durante este
intervalo de tiempo, la corriente inversa de recuperacin del
diodo DA-, que al dejar de conducir entra en su zona inversa.
Pasado este tiempo de recuperacin (t,,), la corriente se estabiliza de nuevo puesto que sta se debe nicamente a la conduccin de QA +.
En la figura 5.28 (c) y (d) se puede comprobar tambin el
efecto de la velocidad de conmutacin del MOSFET y de la
corriente inversa del diodo. Se observa como, a medida que la
velocidad de conmutacin del elemento es ms lenta, la
corriente de recuperacin del diodo (lrr) disminuye tambin.
Para variar la pendiente de la corriente de recuperacin y con
ello la velocidad de conmutacin, se deber colocar una resistencia de puerta (RG) adecuada a las caractersticas de puerta
del elemento de potencia. Un valor inadecuado de tal resistencia puede afectar gravemente al funcionamiento del sistema, provocando grandes consumos de corriente incluso con el
motor en vaco.

av

Perodo "t2"

Perodo "t3"

Figura 5.29. Diferentes situaciones en los transistores de una rama

durante el proceso de conmutacin.

Asimismo, en la figura 5.30 se indican las distintas formas de

onda de tensin y de corriente, considerando el efecto de la
inductancia del circuito (motor). En ella se pueden diferenciar
cuatro perodos:
Perodo to: la corriente es negativa y el transistor QA- est
en conduccin, mientras que la tensin VDS (QA-) ser la
de saturacin del propio transistor.
Perodo tI: el transistor QA + se pone en ON (QA- en OFF),
la corriente "iA" sigue siendo negativa aunque va decreciendo y el diodo DA + est en conduccin.
+Vd

VDS (QA+)

"t

Por ltimo, decir que la carga de recuperacin del diodo

(QRR)' disminuye a medida que se incrementa el tiempo de
recuperacin, debido al incremento de la recombinacin de
portadores minoritarios. Adems, QRR tambin aumenta con
la temperatura, pero no de forma significativa.

5.13. Anlisis del proceso

de conmutacin de los
elementos de potencia
en una rama del inversor
En la figura 5.29 se representan las cuatro situaciones que
tienen lugar durante el proceso de conmutacin de los transistores de una rama del puente (QA + y QA-) as como el sentido de
la corriente "iA" que circula por dicha rama.

ITP-PARANlNFO

+Vd

VDS (QA-)

iA

lit

to
OA+

I,{

"1"
~

DA+

VGS (QA+)

1 ~

t2

"1"
OA+ ,OA+ I

t3
OA+

I
I

Vth

Figura 5.30. Formas de onda de tensin y corriente

(con la induclancia del circuito).

~ t

el

c:
:52

 Perodo t2: la cOITiente ahora se hace positiva por lo que

el transistor QA + se pone a conducir, mientras que el diodo
DA+ entra en su zona inversa. La corriente que circula
ahora por la rama ser la suma de la que circula por el transistor ms la corriente inversa de recuperacin del diodo.
Perodo t3: el diodo DA + ha dejado de conducir y la nica
corriente que circula por el transistor se debe a QA +. La
tensin Y DS (QA +) ha cado hasta su valor de saturacin y
la corriente iA se estabiliza.

Lgicamente, si lo que se pretende es aumentar el valor eficaz

de la salida a costa de aumentar el contenido en armnicos, habr
que aumentar la tensin del bus de continua (Y d) o el ndice de
modulacin (1M > 1). Por su pane la corriente mxima por fase del
motor, vendr determinada por la cOITientemxima requerida por
ste. El inversor debe estar dimensionado para esta corriente y no
para la nominal del motor, por lo que el valor mximo y medio
de esta corriente, concediendo un 20% por armnicos, ser:
.

{2'P'/I/

{21840.1.2
187{3

/ \(lllX)------1.2

VLU(rm.,)-{3

5.14. Diseo y clculo del inversor

trifsico con MOSFET
El mtodo de diseo que se describe a continuacin se
adapta a una amplia gama de motores trifsicos, aunque los
clculos se han hecho con alTeglo a un motor de 2,5 CY
(1480 W) y 220 Y. La tensin de salida no debe suponer
ningn problema ya que la mayora de los motores estn preparados para aceptar 220 Y eficaces de tensin de lnea con
los devanados en tringulo.
La mxima tensin que el inversor puede proporcionar al
motor est determinada por la tensin de la red que lo alimenta,
que en este caso ser (por comodidad) de 311 Y.
Puesto que el equipo se va a alimentar a panir de una red
monofsica, la tensin continua media ser:
,Vlllx

3311

100

V,F Vlllx
- --2-=

100
311 -

-2--=

306 V

Esto permite una tensin eficaz de salida, para un ndice de

modulacin 1M< I, de valor:
V

. ~I

V
2

.~d

ANlllax, M

-J3

VLLI(.)~~VAN
/111_\

-vL

{3
'IM'V/~0,612'IM'V/~
2 --f2
(

.' ~ __
nldX!

CIRCUITO

~.p
1,\

187V

11/11

9,64A

1.2 - 3.06 A

(11I('(/io)

El MOSFET a utilizar se elige tomando como base sus caractersticas ms imponantes tanto de tensin como de corriente.
En este caso se ha optado por ellRF 350, pero podra haber sido
perfectamente otro elemento de caractersticas superiores.

5.15. Aislamiento de la seal

de control. Circuito excitador
Las seis seales de disparo de los transistores del puente procedentes del generador de impulsos PWM (HEF 4752) debern
ir aisladas elctricamente pues, de lo contrario, se estara produciendo un cortocircuito entre cada una de las salidas (A. B y C)
y el terminal negativo del bus (OY). Para aislar la seal de disparo se han utilizado seis optoacopladores de elevada inmunidad
a transitorios de elevado dY/dt en modo comn (CMRR) entre
el circuito generador de impulsos y el circuito excitador de puerta. Tal y como se muestra en la figura 5.31, para la alimentacin
del circuito de excitacin, ser necesario la utilizacin de cuatro alimentaciones flotantes. Las tres primeras (Y l' Y2 Y Y 3) alimentarn a los circuitos de disparo de los tres transistores superiores de cada rama (QA +, QB+ Y Qc+), mientras que la
alimentacin de los tres transistores inferiores (QA-' QB- y Qc-)
correr a cargo de la tensin Y4' ya que los tres circuitos de disparo tienen un mismo punto en comn (OY).

EXCITADOR

IRr3S0

OB'

1
OV,

0'2

(U)

-l.

'DOO

ll~n50

-K:
(,)

(w)

IRFl50

oc-

OB-

..
Figura 5.31. Aislamiento de la seal de control. Circuito excitador.

ITP-PARANlNFO

Durante el estado alto de la seal de entrada (PWM OAM 1)

el transistor Q1 se satura, lo cual hace que el transistor interno
del "optoacoplador" tambin se sature y Q~ se ponga al calle.
Como consecuencia de ello, Q3 estar saturado al igual que Qs
y el impulso positivo pasar a la puella del transistor de potencia. Por el contrario, durante el estado bajo de la seal de entrada, Q2 se saturar al igual que Q4 y Q6, y el transistor de potencia, por tanto, se pondr al corte.

de tal forma que una vez que se ha actuado sobre el pulsador de

marcha (M), en la base del transistor QI habr un "uno lgico",
el transistor se saturar y el LEO DI se encender (sistema en
funcionamiento). En estado de reposo (motor parado) ser el
diodo O2 el que permanezca encendido, al igual que cuando se
para el motor como consecuencia de haber actuado sobre el pulsador de paro (P).
En el momento en que se pulsa M (QI saturado), a u'avs de
la red diferenciadora formada por R11 y C4 se tija la "puesta a
cero" del generador de impulsos (HEF 4752) por su entrada
"X". De igual forma, la saturacin de QI hace que CI se cargue
y, por tanto, alimente al bloque "U~", con lo cual el "uno lgico" existente en la base de QI aparecer en la salida de este bloque transculTido un tiempo que viene determinado por R6 y C2.
Como consecuencia de este nivel a la salida de U2 ' Q2 se satura y por tanto el rel "Ka" se activa. Recurdese que el rel (K)
ser el encargado de activar a su vez al contactar "KA" para
entregar la tensin de la red al bus de continua.

Los niveles de tensin de puerta para el transistor elegido,

son los siguientes:
Tensin que garantiza la conduccin plena (8V).
Tensin mxima en la puerta (20V).
Tensin umbral (4V).
Por tanto, el circuito de disparo debe garantizar los siguientes
niveles de tensin puerta-surtidor:
-20V <v Gs(OFF)<4 V
8V<V Gs(ON)<20V

La red integradora formada por R7 y C3 se encarga de producir un nuevo retardo en el encendido del LEO OJ, o lo que es lo
mismo un "uno lgico" en la entrada "L" (E ABLE) del Cl.
HEF 4752. Una vez que est el motor en marcha, si se pulsa de
nuevo el pulsador M, debido a que Q2 se encuenU'a saturado, a
la salida de UJA habr un "cero lgico" y el biestable R-S no
sufrir variacin alguna.

donde VGs(OFF) es la tensin de puerta SUl1idorque garantiza

el bloqueo del canal y VGs(ON) la que garantiza la plena conduccin. La etapa en simetra complementaria fonnada por Q2 y
Q3 o Qs y Q6 asegura la corriente y tensin necesarias para provocar la excitacin y el bloqueo de los transistores de potencia.
Una vez conocidas las caractersticas principales del motor a
controlar, la tensin del bus de continua (Vct) y los elementos de
potencia a utilizar, parece obvio pensar que estos ltimos
debern ir provistos de sendos radiadores que permitan disipar
las prdidas de potencia que tendrn lugar, sobre todo en conduccin.

El bloque "U6" funciona como un monoestable con salida

normalmente baja. Por tanto, al pulsar M, la entrada del monoestable (pin 2) se pone a cero, con lo cual la salida del mismo
(pin 3) durante un tiempo "tea" se pondr a nivel alto.
El clculo de tea y la tensin de emisor del transistor Q3 ser
de la forma:

5.16. Circuito de marcha-paro

Este circuito ser el que se encargue de fijar las condiciones
iniciales de puesta en marcha del sistema, as como de parar el
mismo en el momento deseado y dejarlo en condiciones de ser
puesto de nuevo en funcionamiento (figura 5.32).

donde <:X.:zP
es2 la parte til del potencimetro P2.

El bloque "U 1" est formado por dos biestables R-S (cambio
por nivel) construidos a partir de puel1as NAND con histresis,

El hecho de que la salida de este circuito se encuentre a nivel

alto durante unos pocos segundos (te) hace que el transistor Q4

h !)
~

12V
280l!

Kal

01
{BC547B)

l .u :
liD
-~

R4;

R3
33K

-8
__ J_U14093

U~~~_3.
~~U3A

U3B

----1.o

D
-..... U1A

--r

RI
6K8

L_

-----

R9

UIC"::J~'O'

1; _

~_tt!~

01

1~~O+0=(J

A13

--,

CI

47"'

e7

100nF

4K7

6K8

R15
lOOK

R2o-~+12V

ITP-PARANlNFO

Kb

- o-

04

(se

5478)

100 nF
U2 40106

Rwt1

06

R17
10K

-X (HEF 4752)

--------,

Figura 5.32. Circuito de marcha-paro.

+12V

280n \

RI6

_J

150 nF

12V

c=J-

6K8

C4

e2

:6.

05,

6K8

02

lN4007
15K

.. ----------------------

se sature durante ese perodo, con lo cual se activar tambin el

rel "Kb". Dicho rel es el encargado de accionar el contactor
"KB" situado en el bus de continua al objeto de que los condensadores (filtro) se carguen a travs de una resistencia limitadora
de la corriente de carga [RI=150 Q (70W)).
Por ltimo, el bloque "Us" es un comparador que se coloca
con el fin de que el motor no funcione para aquellos valores de
la tensin de referencia [VFcr=f(Y ref)]prximos a cero. De esta
forma se evita que el motor se ponga en marcha para valores
muy pequeos de la tensin de referencia intercalando as una
zona muerta, tanto en un sentido de giro como en otro.
La seal "Y Hall" procede del circuito de proteccin contra
sobrecorrientes y es activa a nivel bajo. Las puertas U4C y U2E
forman una puerta AND, con el fin de que el motor se pare
(L=O), bien porque se ha dado una orden de paro (P activado), o
bien porque se ha sobrepasado ellme de corriente de fase establecido.

Por su parte, la seal de velocidad "V N" se obtiene a partir

de Yref' a travs de un comparador "U2A" y un circuito integrador"U3", de forma que: YN= -KII yrefl. Una variacin en
escaln de Yref dar como resultado un aumento o disminucin lineal de la seal de salida V N' la cual tomar siempre
valores negativos. La rapidez de la variacin de YN puede ser
ajustada mediante P2 y P3.
El funcionamiento del circuito es el siguiente (figura 5.34):
En el instante "to" la seal de marcha "L" (ENABLE) se encuentra a nivel bajo, Vrefes negativa y Cw est a nivel alto. Los interruptores SI y S2 (activos con entrada a nivel bajo) estarn, por
tanto, abiertos y no suministrarn seal de referencia al comparador U2A"Por su parte, el interruptor S3 (L a nivel bajo) se
encontrar cerrado y, por tanto, el condensador C4 cortocircuitado (VN=OY).
Vref

5.17. Circuito de temporizacin

~ 1

lineal: referenCia de
velocidad

L(ENABLE)
I
I
-----l-

La rapidez con la que se puede variar la velocidad de un

motor viene limitada por la inercia del propio motor y su carga,
as como por el par motor disponible. Como la frecuencia del
motor es alterada, existe un retraso inevitable en la respuesta del
motor, que da como resultado un aumento del deslizamiento.
Si no existe limitacin alguna en la rapidez bajo la cual la
frecuencia del estator puede variar, un aumento del deslizamiento puede hacer que se exceda del par mximo y se bloquee el motor. El circuito de referencia de velocidad proporciona, adems de la variacin de la velocidad en ambos
sentidos, el control en la rapidez de respuesta ante un posible
aumento (aceleracin) o disminucin (deceleracin) de la frecuencia del estatoL
La velocidad del motor es determinada por la posicin del
potencimetro PI' mediante el cual se selecciona una tensin de
el

referencia "Y re/' que puede variar entre IOY, segn el motor
gire en un sentido u otro (figura 5.33).

I
I
I

-------+--

~ 1

I
I

VN
~ 1

Vx
-1
cw

10

11

13 14

12

Figura 5.34. Funcionamiento del circuito de temporizacin lineal.

En el instante "t" la seal de marcha L pasa a nivel alto
(1 lgico), Cw continua a nivel alto, por lo que el interruptor SI

10nf

121/

VN
-121/

-121/

CW

(H[C4752)

I
I

U6 4093 I
I
I

L
I

15

L (H[C4752)

Figura 5.33. Circuito de temporizacin lineal. Referencia de la velocidad.

ITP-PARANlNFO

permanecer abierto, S2 se cerrar y S3 se abrir. De esta forma

la tensin de referencia (negativa) se transfiere a la entrada no
inversora del comparador U2A. La salida V2 ser positiva (02
conduce) y el circuito integrador U3 evolucionar hacia valores
negativos hasta que VN=Vref, momento en el cual la salida de
U2Avaldr cero, pues V2=K2(VN-Vref)'donde "~" depende del
valor de R6 y R7. La pendiente de la tensin de salida del integrador vendr determinada por la tensin Vx' las resistencias Rg
y RIO y el condensador C4, de forma que:
d VN

5.18. Regulador de velocidad

proporcional-integral
Debido a que este bloque (figura 5.35.a) es similar al utilizado en la regulacin de C.C., se obviar el estudio del mismo puesto que ya se realiz en el tema 4. Ni que decir tiene que variando el valor de C y de P J se varan las constantes de tiempo del
regulador.

VX

Pl

R1

100K

E=VN

dt

C4'(Rg+

RJO)

10K
R2

siendo: V X

V2- Vy
Cl.3P3+Rg

'Rg y

CJ.3P3

-ev '

la porcin til de P3.

741

En este momento tanto V4 como V s estn a nivel bajo

(- VCC) lo cual implica que la salida Cw no va a cambiar de
estado (nivel alto). En el instante "S" la Vref aumenta y VN
avanza hacia valores ms negativos, mientras que Cw permanece inalterable.
Durante el intervalo "t3" la seal de referencia toma valores positivos, la salida del comparador U2A pasa a la saturacin negativa (-Vcc), la tensin Vx tambin ser negativa y el
integrador U3 evolucionar ahora hacia valores positivos lo
cual implica una deceleracin del motor. El cambio de signo
de Vref supone que la salida del comparador formado por U4A
se ponga a nivel bajo (V4=OV), al igual que la salida del otro
comparador U4B (Vs=OV). Como consecuencia de ello, la
seal de cambio de giro del motor (Cw) pasar a nivel bajo y
el motor comenzar a girar en sentido contrario.

a)
R2

R1
V'CT[Vcontrol)

Figura 5.35. Regulador de

velocidad proporcional.integral
(PI).

b)

En el supuesto de que se pretenda realizar una regulacin en

lazo abierto (sin realimentacin -ey), y dado que la tensin de
entrada del convertidor tensin-frecuencia (FCT) debe ser siempre positiva y que VN<O, ser necesario intercalar una etapa
inversora con amplificador operacional (figura 5.35.b).

REGULADOR

v,
0-

PI

O
O

REGULADOR

DE

DE

INTENSIDAD

VELOCIDAD
'v

V'CT[Vcontrol)

10K

.-.

Vcontrol

PI

';

ACONDICIONADOR
DE INTENSIDAD

CIRCUITO DE PROTECCiN
DE SOBRECORRIENTES rol

ACONDICIONADOR

DE VELOCIDAD

ENCODER

(1,1

Figura 5.36. Regulador de intensidad.

O

Por otra parte, si se desea realizar una regulacin de velocidad y de intensidad simultneamente, ser necesario incorporar
un bloque acondicionador de seal as como el regulador de
intensidad (PI), tal y como se muestra en la figura 5.36.

Una vez que Cw cambia de estado, ser ahora el interruptor

SJ el que permanezca cerrado (SJ= lgico) y S2 abierto (vase
tabla 5.5). A partir de aqu se repite el mismo proceso descrito
anteriormente ya que la seal de referencia pasar invertida (U 1)
a travs de S I al comparador U2A' motivo por el cual VN siempre toma valores negativos.
En "ts", V,era' la salida de U2A pasa a ser negativa y VN
asciende en rampa hasta cero, llegando a parar el motor.

ITP-PARANlNFO

5.19. Circuito de compensacin

de "IR"
En los sistemas de accionamiento por variacin de frecuencia, el motor arranca con una frecuencia baja y es llevado a la
velocidad de funcionamiento deseada con un progresivo aumento de la frecuencia y una tensin proporcional a ella. De esta

forma pueden evitarse las elevadas corrientes y el bajo factor de

potencia asociados al arranque con frecuencia fija; sin embargo,
la baja frecuencia inicial viene asociada con una tensin tambin
baja.
A frecuencias bajas, la cada de tensin en la resistencia del
estator es, por tanto, relativamente elevada, comparada con la
tensin aplicada. Estas elevadas prdidas por "1 R" darn como
resultado un flujo en el entrehien'o bajo y como consecuencia de
ello un par de alTanque tambin bajo. Para aumentar dicho par
de arranque habr que elevar la tensin aplicada a velocidades
bajas.

El valor de la tensin aplicada para una determinada frecuencia de entrada (fl) vendr determinada por la frecuencia de reloj
VCT, de tal forma que, si se reduce la frecuencia de ste, aumentar la tensin aplicada, mientras que un aumento de la misma
tendr el efecto contrario.

f;;(B

P4

~UK

c--C:? .
R6

2='\-,,,F

Figura 5.37. Circuito de compensacin de "IR",

La figura 5.37 muestra el circuito utilizado para conseguir
dicha compensacin. En este caso, la seal de velocidad VN'
obtenida del circuito de referencia de velocidad, ser la seal de
entrada al circuito. Teniendo en cuenta que dicha seal es siempre negativa, el valor de la tensin de salida del primer operacional "U 1 A"ser:
R2
-R'(
I

VN+ VP)= VN- Vp

jv >
P

V <
P

Iv) = VA <O =
IvN 1= VA >0 =

DI Conduce
O No conduce
I

Por tanto, la ecuacin anterior define la regin en la que

opera la compensacin "IR" de modo que, si se desea ampliar
dicha regin, ser necesario modificar la tensin Vpl' Dentro
de la regin de compensacin, la influencia de V N en VVCTse
puede ajustar por medio de los potencimetros P2 y p)' con lo
que se est variando la tensin nominal que le llega al motor
(figura 5.38).
VN
.

Pendiente

controlada

Pendiente controlada

Vl

la

En este caso, la tensin nominal entregada al motor depender de V P), mientras que si DI conduce depender de la suma
de ambas (V P)+VA)' De aqu se deduce que para pequeos
valores de V (pequeas velocidades de giro), VVCT=f(VN);
mientras que para valores superiores a V PI la salida depende
solamente de VP).
Por ltimo, se debe evitar que VPI> VP3' pues ello supondra que para determinados valores de V'N la salida (V VCT)
fuese negativa, con lo cual el sistema no funcionara.

de impulsos PWM

---~~~~~~---

R7
33"

VA

Iv NI,

5.20. Circuito generador

;"

c:::J

'"'lO

~ I\"

Conviene recordar que en el supuesto de que VPI >

tensin de salida V B evolucionar de la forma:

fout

Una variacin de la frecuencia del estatal' da lugar a un

cambio de la velocidad sncrona del motor. En condiciones
normales de funcionamiento, la velocidad del rotar es solamente un pequeo porcentaje inferior a la velocidad sncrona, lo cual proporciona un mtodo para poder variar gradualmente la velocidad. Para que se mantenga el par a plena
carga, el flujo en el entrehierro debe ser constante, lo cual
exige que la tensin aplicada vare linealmente con la frecuencia de entrada.
Tal y como se ha podido comprobar en apartados anteriores, las salidas de las tres fases del inversor (A, B Y C) consisten en impulsos de anchura variable equivalentes a la
amplitud de una senoide segn la frecuencia portadora determinada, lo cual produce en el motor unas corrientes seno idales con bajo contenido armnico. La forma de onda de salida
del inversor viene determinada por la posicin de los impulsos de disparo generados por el el. HEF 4752 que es el
corazn del sistema, mientras que la seccin analgica de
control efecta los cambios en el funcionamiento del motor,
variando nicamente las entradas del circuito integrado.
El funcionamiento del integrado viene principalmente
determinado por las seales digitales "L" y "Cw" que controlan la puesta en marcha del motor y el sentido de giro respectivamente y las cuatro entradas de reloj: FCT, VCT, RCT y
OCT (figura 5.39).
Las entradas FCT y VCT estn determinadas por sendos
osciladores controlados por tensin (VCO) de amplio margen
de frecuencia, mientras que las otras dos entradas (RCT y
OCT) son fijas.

por P1

por P2

fout

5.20.1. Seal de reloj "FCT"

Pendiente controlada

por P3

Figura 5.38. Compensacin de "IR",

fout

Este reloj determina la frecuencia del estatal' (fl), controlando, por tanto, la velocidad del motor. Para la obtencin de dicha
frecuencia (fFCT)se ha optado por un oscilador controlado por
tensin "U)" cuya frecuencia de oscilacin viene dada por la
siguiente expresin:

/TPPARANINFO

+12V

'6

U2
Rl

OCM2

2B

+VCc

OCMl

26

VAV

fRCT

RCT

"

4046

Cl

CW

24

220pF

Pl

OCT

10K

Ul

22

OBMl

21

OBM2

+Vcc

HEF

OAMl

4752VP
+12V
CSP
'B

OAM2
16

FCT

vFCT

"
"
"

fFCT
U3
330pF

"

4046

16

VCT

17

fVCT
16
C3
15

VVCT

Figura 5.39. Circuito generador PWM.

.f~-CT(mn)
[VFCT= O] = R2'(Cz+32pF)
fFCT(mx) [VFCT=

Vcd

= a;.'P2.(+32PF)

+frC1(1111n)

0,624 Vd
0,624 310 V
fm, (1M= 1)=fjy . --= 50 Hz ---VN
200 V
El valor nominal de la frecuencia fvCT(N) ser:
.f~crCN) = 6720J;"aC1M=I)

donde 10 KfkR<1 MQ; 10 KQ<R2<1 MQ; lOOpF<C2<0,01/lF.

En este caso se ha elegido R2=820 KQ, P2=10K y C2=330pF,
con lo que la frecuencia mnima de oscilacin, para VFCT=OV,
ser: fFCT(mn)"'"3.368Hz.
Adems, se sabe que fFCT=3.360fout=3.360f; de donde se
deduce que la frecuencia de alimentacin del estator (f) para la
mnima frecuencia de oscilacin de fFCT'vale:

f -f 0111-

I -

.f~CT

-f

- .f~CT(l11n) l Hz

3.360 ~. olll(mn)
- (mn)-

3.360

::::

En la prctica ser necesario ajustar el valor del potencimetro P2 con el fin de que cuando la seal VFCTsea mxima, la frecuencia de salida mxima del inversor fout(mx)"'" 100 Hz; es
decir el doble de la frecuencia nominal del motor.

5.20.2. Seal de reloj "VCT"

En apartados anteriores se ha visto que en un motor asncrono, para mantener constante el par, es necesario mantener tambin constante e! flujo en el entrehierro o, lo que es lo mismo, la
relacin V lf=constante.
El reloj "VCT" determina la relacin tensin/frecuencia en el
estator. Como consecuencia de ello, un aumento de la frecuencia fVCTreduce la profundidad de la modulacin y, por tanto, la
tensin de salida, mientras que una disminucin de fVCTproduce el efecto contrario. Para la obtencin de dicha seal de reloj
se utilizar el mismo oscilador que en el apartado anterior "U/,
por lo que el diseo de dicho circuito se har en base a las expresiones anteriores.
Segn las caractersticas del CI. HEF 4752, la frecuencia de
salida para el 100 % de modulacin de la portadora (lM=1) vale:

ITP-PARANINFO

= 44 Hz

= 295.680 Hz

La relacin de frecuencias d=fFcJfvcT es importante en el

diseo del sistema. Si lo que se pretende es una modulacin del
100 %, se cumplir:
.f~cr (N) ~ 3360".l;"/l fVC7(N)
6720fo/l'

~ 0,5 'fvcr(N)

~ 147.840 Hz

Para valores de IM<0,5 la modulacin resulta ser senoidal,

mientras que por encima de este valor la componente fundamental de la tensin de salida se aproxima a una onda cuasi rectangular.

5.20.3. Seales de reloj "RCT y OCT"

La seal de reloj "RCT" determina la frecuencia mxima de
conmutacin de! inversor "fJmx)", mientras que la seal de
reloj "OCT" determina la anchura mnima de los impulsos de
disparo. La frecuencia de reloj fRCTest relacionada con la frecuencia mxima de conmutacin del inversor, por la siguiente
expresin:

fRcr
!s(mx)~ 280
En el caso de que fRCT=280KHz, se obtiene fs(mx)=
1KHz.
Suponiendo que se trabaja a la frecuencia de salida con el
100 % de modulacin (fout =44 Hz):
mf='

f,(mx) - 21' lmpu lsos /' CIC lo

j~llf

Si, por el contrario, se duplica la frecuencia de reloj RCT

(fRCT=560 KHz), la frecuencia mxima de conmutacin del
inversor tambin se doblar [fJmax)=2KHzl, al igual que el
nmero de impulsos por ciclo (mr = 42), con lo cual aumenta el

margen de frecuencias de salida (fout) y la componente fundamental de salida ser ms senoidal (V 1)' Sin embargo, el valor
eficaz (rms) de la tensin de salida disminuir.
Por su parte la frecuencia de oscilacin"fRcT(U2) vale en este
caso:

debe principalmente a dos causas: por una parte se consigue

mejorar los tiempos de subida y de bajada de la seales de disparo (Slew-rate) y por otra parte se amplifican dichas seales de
disparo en cuanto a corriente se refiere.

5.22. Encoder de velocidad.

La entrada de reloj "OCT", conjuntamente con la entrada de
datos "K" (alta), se utiliza, como ya se ha expuesto, para determinar el perodo de retraso intercalado. Dicho tiempo es de
vital importancia cuando se produce un cambio entre las dos
salidas complementarias de cada fase, a fin de evitar posibles
cortocircuitos en el inversor. En la prctica se ha utilizado la
misma seal de reloj para OCT y para RCT (figura 5.40).

Principio de funcionamiento
Para detectar el nmero de vueltas a las que est girando el
motor se utilizar un sistema de deteccin opto-electrnico y de
transmisin por "fibra ptica" mediante el cual no existe ningn
tipo de conexin entre el fotodetector y el eje del motor (figura
5.42). La deteccin del nmero de vueltas, se produce mediante
un "haz fotnico" que al ser cortado o refractado (franja blanca
en el eje), llega al receptor que la capta y la transforma para que
pueda ser interpretada y traducida a revoluciones por minuto.
MARCA

I1

VQA-

Tretraso

11

I
I

D_i

------,

~~
11

1D_i__ ~..

V2 (fgiro)

Figura 5.40. Tiempo de retraso.

Perodo de retraso intercalado: Trclraso=l6/foCT=57, I..seg.

Frecuencia del impulso de disparo=focI16=17,5KHz.
Anchura del impulso de disparo=4/foCT= 14,28..seg.

5.21. Amplificador de impulsos

El circuito integrado "U " es un disparador hexadecimal tipo
"f1ip-tlop" con seis entradas (do, ... ,ds)' una entrada de reloj
"CP", una entrada "RESET" de extralimitacin asncrona de la
red principal (MR) y seis buffers de salida (01, ...,06)' La informacin es introducida en las entradas y se transfiere a la salida
cada vez que se produce un cambio del estado bajo (Low) al
estado alto (High) de reloj, si MR est a nivel alto. Cuando
MR est a nivel bajo, se ponen a cero todas las salidas, independientemente del estado en que se encuentren las entradas
(figura 5.41).
-+ 12V

9 -+ 12V

Partiendo de la tabla 5.4 se calcularn cada uno de estos tiempos, para valores de fRCT=foCT=280KHz,de tal forma que:

cp

+5V

. t

Figura 5.42.
En el supuesto de un motor que gira a una velocidad n=I.2oo
r.p.m.(20 r.p.s.), el lector de fibra ptica leer una frecuencia de
giro (fgiro) de 20 Hz, puesto que en un segundo ha ledo 20
impulsos. Ni que decir tiene que si la velocidad aumenta la frecuencia de giro tambin aumentar. En este caso para una frecuencia de giro de 20Hz le corresponder una frecuencia de alimentacin del motor (fl), suponiendo un deslizamiento del 2%
con dos pares de polos (p=2), de valor:
ni

n
=--=

1224 rp.m.

1- S

n 'p

1=_1
1

-=

40,SHz.

60

De la figura 5.42 se deduce:

T A = Tiempo de lectura de la marca.
T B = Tiempo de lectura de la zona sin marca.
T = Tiempo que tarda el lector en leer una vuelta
completa.

:,rRi

Figura 5.41. Amplificador de impulsos.

Como ya se ha dicho, los pulsos se producen al incidir el "haz

de luz" emitido por el diodo del optoacoplador sobre la superficie (blanca) marcada en el eje del motor. De esta forma el transistor del optoacoplador se satura cuando recibe un haz de luz
refractado y se pondr al corte cuando se interrumpe dicho haz.
Estos pulsos generados en el optoacoplador, controlan el transistor Q1 que estar en saturacin cuando el anterior est al corte
y viceversa. A su vez el transistor Q I ser el encargado de controlar el EMISOR fotnico.

El motivo de intercalar esta etapa entre el generador de

impulsos (HEF 4752) y el circuito de excitacin del puente, se

En el otro extremo del cable de fibra ptica se encuentra el

RECEPTOR, el cual se encarga de recibir los pulsos que le
enva el EMISOR para posteriormente ser tratados (salida TTL).

"

U2
4047

"

OAMl

13

OBM 1

o-----~L-

11

Ul

1o

40174

OBM2

OCM2
9

02

OAM2

"

d5

14

00.0410--

OA1

7
15

--o

OA2

--~~___-o 081

082

04
-.?~OCl
06

- -

-o

oe2

12

ITP-PARANINFO

En la figura 5.43 est representado el circuito adaptador de la

seal del encoder.

ENCOGER

U24040

U14046

fgiro

J'~

14

f2

= 50 m

fglro
I

TA = _.

Te = T - TA = 42 m

T=8m

R4

T C2 O R21-J..
C3T
-

_.L_

C4

En efecto, si f iro=20Hz, la frecuencia a la salida del VCO

ser de 2.560Hz dOx 128) y el nmero de vueltas del motor ser
de 1.200 r.p.m. El siguiente paso ser contar en el tiempo deseado 1.200 impulsos en lugar de 2.560, condicin que hubiera
resultado prcticamente imposible de no haber multiplicado la
frecuencia de giro.

601
ni = -- 1 = 3000 r.p.m.

Visualizador

Con el fin de que el visualizador refleje la velocidad real de

giro del motor y suponiendo, al igual que en el apartado anterior,
una frecuencia de giro de 20Hz (1.200 r.p.m.), ser necesario
aumentar de forma artificial la frecuencia de giro (fgiro)para que
as el "frecuencmetro" en cuestin pueda contar en un segundo
1.200 impulsos y no 20 que son los que realmente lee la etapa
anterior (ENCODER).
Puesto que la frecuencia de giro variar entre O y 50Hz aproximadamente, a la salida del oscilador (VCO) la frecuencia ser
128 mayor que la de entrada, de tal forma que gracias al divisor
de frecuencia "U2", en la entrada de la puerta OR-EXCLUSIVA
se obtiene una frecuencia similar a la de giro (figura 5.44).

= ni . (l-S) = 2940

f..

= -60 = 49 Hz

Como consecuencia de ello, en el visualizador (figura 5.45)

deber aparecer el nmero "2940", de lo cual se va a encargar el
Cl. "U3", que en este caso trabaja como aestable.
Considerando la capacidad CT como la suma de CID' CI! y
C12, la frecuencia de oscilacin a la salida de este integrado ser:
I

/, = --------CTR22,u2P2(R21+1)-ln

390

U5
74C926

.5

fgiro

u,

U2
R3

33K

4046

~O~O
RA.

lOK

e .

CJ
IOnF"~

f2 = 128 . f.~im = 6272 Hz

I:p.m.

. g/m

R13 220

~1.uF"

Figura 5.45. Visualizador.

ITP-PARANINFO

EJco

En nuestro supuesto, la mxima velocidad de giro del motor,

para un deslizamiento del 2% y una frecuencia de alimentacin
fl=IOOHz, ser:

5.23. Tacmetro digital.

R3

Figura 5.44. Tacmetro digital.

En el supuesto anteriomlente citado, para un motor con un eje

de 2 cm de dimetro y I cm de longitud de marca, se tiene:

T = --

11

Figura 5.43. Tratamiento de la seal del encoder.

t..r = 6,28 cm

-J

POR 128

l___
I

L = 2 .

=}

1,92 Hz ~.f~-:;.10,97 Hz
.

Si
n = 1.200 /p.m. =;f.'m = 20 H~ =; 12= 2.560 H~ =;11= j~ = 2, 13 H~
"
n

5.24. Circuito acondicionador

de velocidad

Si n = 2.940 r.p./n. =;Ium = 49 Hz =;12 = 6.272 Hz =;11= ~~= 2,13 Hz

Ue aqui se deduce que este CIrcuito l U3) se encargara de

generar un impulso cada 0,469 segundos [l/(2,13Hz)] aproximadamente, que corresponde al tiempo que necesita el frecuencmetro "Us" para contar los impulsos que se corresponden con la velocidad de giro del motor.
Una vez determinada la frecuencia f3, ser necesario generar, a partir de esta seal, un impulso de RESET y otro de
LATCH para que el frecuencmetro sea capaz de contar
durante un cierto tiempo los impulsos que le llegan. As, la
seal f3 llega a travs de Cs a la entrada del inversor "U4E"
para generar un impulso de LATCH. Con un retraso de unos
pocos milisegundos ocasionado por C7, dicho impulso llegar
a la entrada del inversor "U40", cuya salida se encargar de
producir la seal de RESET para reajustar los contadores del
frecuenc metro (U s),
Por otra parte, la seal de RESET, que en realidad es un
impulso de nivel lgico "uno", alcanzar a travs de D3 la
entrada del inversor "U4C'" invirtiendo el nivel lgico en su
salida y mantenindose en dicho estado gracias al retraso
introducido por Cs y a la retroaccin obtenida con el inversor
U4C' De esta forma D2 cortocircuitar a masa la entrada
LATCH del frecuencmetro (Us) y, por tanto, los impulsos
correspondientes a dicha orden procedentes del inversor U4E
no podrn llegar a ste, y el nmero que en ese momento aparece en el visualizador queda bloqueado. En el momento en
que Cs se ha cargado totalmente, la salida de U4C se pondr a
nivel alto (uno lgico) y D2 quedar polarizado inversamente,
la entrada de LATCH ya no queda forzada a masa y los impulsos de velocidad si llegan al visualizador. Modificando el cursar de Pise consigue variar la velocidad de lectura del frecuencmetro.
Finalmente, la frecuencia f2 se aplica a travs de Rs al frecuencmetro Us' el cual se encargar de realizar todas las operaciones de conteo, memorizacin y visualizacin multiplexada sobre los cuatro displays, de manera que para poder
funcionar como tal debern llegar a ste, adems de la frecuencia f2, los impulsos LATCH y RESET.

C5
+12V

Al igual que suceda en la regulacin de C.C.,para poder realizar la regulacin en lazo cerrado se necesita disponer de una
tensin de referencia "-ev" proporcional a la velocidad de giro
del motor. Dado que el margen de variacin de la velocidad del
motor est comprendido entre cero y el doble de su velocidad
nominal, el margen de la tensin de velocidad deber estar comprendida entre cero y Iay aproximadamente, coincidiendo con
el margen de variacin del circuito de referencia de velocidad
(Y N)' Adems, dicha tensin (-ev) ha de tener signo contrario a
Y N (negativa), que en este caso siempre ser positiva.
Se trata pues, de convertir la frecuencia "f2", que es proporcional a la frecuencia de giro (f2=128fgiro), mediante un convertidor frecuencia tensin (U 1) , en la tensin de referencia deseada. De esta forma se obtiene a la salida una tensin (-ev)'
proporcional a la velocidad del motor (figura 5.46).
Para disminuir el nivel de ruido, as como para conseguir la
polaridad adecuada y facilitar el ajuste de la seal, se colocar
un filtro activo (U2) y un amplificador de ganancia variable
(U3S)' El valor de la constante "Kv" del convertidor se puede
obtener a partir de la expresin:
=
V 1-

12
Kv

En el caso de que fgiro=49 Hz, se obtendr f2=6272 Hz, y el

valor de la constante del convertidor "Kv" ser:
K = 12
v V
1

6272 = 627 HzJV

10

5.25. Proteccin contra

sobrecorrientes
En este caso, de nuevo, se vuelve hacer uso de un sensor por
efecto Hall para proteger al sistema ante cualquier aumento
excesivo de la cOlTienteabsorbida por el motor. El elemento sensor se encargar por tanto de generar una tensin (Y H) proporcional a la variacin del campo magntico producido por la
corriente de una fase del motor y de la misma ndole (senoidal).

10nF

R8220K

R12

P2

C2

U1

Ji'

LM 331

Cl

12

o---J

-12V

1/2 TL 082

470pF

Figura 5.46. Circuito acondicionador de velocidad.

ITP-PARANlNFO

El sensor utilizado es el mismo que para la regulacin de

c.c.[HA 030S2 (ELECTRO-P lP)] y cuya tensin de salida (eficaz) es aproximadamente igual a:
V "'"4.
H

de salida V Hallslo podr estar a nivel bajo (si la intensidad

detectada no supera un determinado lmite) o a nivel alto (si
supera dicho lmite).

deleclllda

lnomin,,1

Por ejemplo, para ldclcclada=

l5A, con una vuelta en el
entrehierro, se obtendr una tensin V H=2Y.
Puesto que dicha seal de salida ser de la misma naturaleza
que la corriente a medir (senoidal), resulta necesaria la presencia de un rectificador de precisin a la salida del transductor, de
tal forma que convierta la seal senoidal (V H) en una tensin
continua (V 2) proporcional a la corriente absorbida por el motor
(figura 5.47).
Recordando que el sistema se para cuando la entrada
"L"(HEF 4752) se pone a nivel bajo. En el momento en que
el valor de la corriente detectada supera el valor fijado con P 2'
la salida del comparador "U?" se pondr a nivel bajo
(V Hall=OV)y, por tanto, la entrada "L" tambin estar a nivel
bajo (motor parado).
El bloque "U 1" constituye el rectificador de precisin. La
ganancia del mismo est determinada por el valor de R1, R2 Y la
posicin del cursor de P1
En cuanto a "U2" constituye un comparador, ya que el
amplificador operacional trabaja en lazo abierto. La tensin

5.26. Perfil armnico de la

modulacin senoidal
del anchode pulso
Un inversor trifsico puede considerarse como tres inversores monofsicos con la salida de cada inversor monofsico
desplazada 120 0. En este caso las seales de excitacin se
generan al comparar una seal senoidal de referencia de amplitud "A/' con una onda portadora (triangular) de amplitud "Ac"
y frecuencia "fs". La frecuencia de la seal de referencia
"f/'determina la frecuencia de salida del inversor :'fou/' (f,=fout)
y su amplitud de pico (A,) controla el ndice de modulacin
"1M" y, por tanto, el voltaje eficaz (rms) de salida (Vout)' El
nmero de pulsos por cada medio ciclo (q) depende de la frecuencia portadora (fs)' Dentro de la restriccin de que dos transistores de la misma rama (p.e. QA + y QA') no pueden conducir simultneamente,
el voltaje instantneo de salida se
muestra en la figura 5.48.
C2

10nF
R2 10K

P1 500 K

HA 03052

R1
+12V
10K
VHall

-12V

R3

Figura 5.47. Circuito de proteccin contra sobrecorrientes.

Seal

Vcont,ol

Seal de

-'
1/1$

VAN(QA+)

wl

VBN(QB+)

wl

VAB=VAN-VBN

Figura 5.48. Formacin de seales P.W.M.

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l\e t\u\oe~a\uat\ot\

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1. El motor asncrono de induccin: principio de funcionamiento, balance de potencias, caracterstica

par-velocidad.

.:.

2. Posibles formas de variar la velocidad en un motor

asncrono de induccin.
3. En qu consiste la variacin de velocidad por
modulacin de anchura de impulsos (PWM)?

.:.

4. Diagrama de bloques de un regulador de velocidad

para motores de corriente alterna trifsico. Indicar
sus partes ms importantes.

.:.

5. Misin de la resistencia de frenado en el convertidor

AC-DC (rectificador + filtro) de un sistema de regulacin para motores de induccin.

6. Formas de onda (de tensin y de corriente) en bornas de un motor de induccin con control por PWM.

.:.

Justificar el tiempo de conduccin de cada uno de

los elementos.
7. Anlisis del proceso de conmutacin de los elementos de potencia en una rama del inversor trifsico.
Indicar los diferentes intervalos de tiempo que se
producen en dicho proceso .
8. Misin del circuito de referencia de la velocidad y el
circuito de compensacin de IR en un sistema de
accionamiento por variacin de frecuencia.
9. Deteccin de la velocidad de giro en un motor asncrono (r.p.m.) mediante un sistema de deteccin
opto-electrnico.
10. Qu inconvenientes conlleva la presencia de armnicos en la tensin de alimentacin de un motor de
induccin cuando ste est alimentado con un convertidor esttico de frecuencia?

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Mayo 1992.
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Diciembre 1993.
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lectroniques de curant "effet HALL" "NOUVELLE GNRATION".
Octubre 1993.
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