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Universidad Tecnolgica Nacional - Facultad Regional Crdoba

Departamento Ingeniera Electrnica


Ctedra: Dispositivos Electrnicos - Ao Lectivo: 2013

INDICE

Ref.

Denominacin

I.

Conformacin de la Ctedra

II.

Organizacin de la Ctedra

III.

Reglamento de la Ctedra

IV.

Correlatividades

V.

Objetivo de la materia

VI.

Metodologa de Enseanza Aprendizaje

VII.

Programa Analtico

VIII.

Bibliografa Bsica y de Consulta

IX.

Planificacin Anual

X.

Datos Personales

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I. CONFORMACIN DE LA CTEDRA

Titular:
Ing. LADISLAO MATHE

Cursos: 3R4

Adjunto:
Ing. CARLOS CELDRN

Cursos:

3R1 3R2 3R3

J.T.P. :
Ing. CARLOS CHAER

Cursos:

3R1 3R2
3R3 3R4

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II. ORGANIZACIN DE LA CTEDRA


Curso : 3R1

Turno: Noche

Hora

Horario

18:15 a 19:00

19:00 a 19:45

19:55 a 20:40

20:40 a 21:25

21:35 a 22:20

Prctico

Terico

22:20 a 23:05

Prctico

Terico

Curso : 3R2

Lunes

Edificio: CENTRAL Aula: 209


Martes

Mircoles

Viernes

Terico

Turno: Noche
Lunes

Edificio: SORO

Aula: 607

Martes

Jueves

Hora

Horario

18:15 a 19:00

Terico

19:00 a 19:45

Terico

19:55 a 20:40

Prctico

20:40 a 21:25

Prctico

21:35 a 22:20

22:20 a 23:05

Curso : 3R3

Jueves

Turno: Noche
Lunes

Mircoles

Viernes

Terico

Edificio: SORO

Aula: 706

Martes

Jueves

Hora

Horario

Mircoles

Viernes

18:15 a 19:00

Terico

19:00 a 19:45

Terico

19:55 a 20:40

Prctico

20:40 a 21:25

Prctico

21:35 a 22:20

22:20 a 23:05

Terico

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Curso : 3R4

Turno: Tarde
Lunes

Edificio: CENTRAL Aula: 205

Hora

Horario

Martes

Mircoles

13:15 a 14:00

14:00 a 14:45

Terico

14:55 a 15:40

Terico

15:40 a 16:25

Terico

16:35 a 17:20

Prctico

17:20 a 18:0

Prctico

Jueves

Viernes

Referencias
Ing. Mathe

Ing. Celdrn

Ing. Chaer

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III. REGLAMENTO DE LA CTEDRA

a) Objetivo:

El presente Reglamento tiene por objeto establecer una norma de trabajo que
regule el funcionamiento de la ctedra.

b) Grupos de trabajo:

Para realizar las actividades correspondientes a la parte prctica de la asignatura


(prcticos de aula y de laboratorio) se permite que los alumnos realicen dichas
actividades de manera grupal con un mximo de cinco (5) alumnos por grupo . La
nmina de los integrantes de los distintos grupos deber presentarse durante la
segunda semana de actividad acadmica.

c) Requisitos para poder regularizar la Asignatura:

Para regularizar la asignatura, el alumno/a deber cumplimentar los siguientes


requisitos:

o Estar inscripto como alumno/a y haber cumplimentado el 80% de asistencia


con el Departamento Bedela.

o Tener aprobados los parciales.

o Tener aprobado TODOS los trabajos prcticos de laboratorio.

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o Tener la carpeta de Trabajos Prcticos completa y aprobada por el J.T.P. a
cargo de la asignatura.

o La Libreta Universitaria del alumno/a deber estar firmada por el J.T.P. y por
el profesor titular de la asignatura.

d) Parciales

o Se tomarn tres exmenes parciales durante el desarrollo del perodo


lectivo.
Si el alumno/a aprueba dos exmenes parciales con seis o ms de seis se
exime de rendir el tercer examen parcial.

o En el caso de no aprobar algunos de los dos


alumno/a debern rendir el tercer examen

primeros parciales el
parcial el cual definir la

regularizacin.

o La modalidad del tercer examen parcial ser de caracterstica integradora.


Las fechas de los exmenes parciales sern determinadas por la ctedra.

e) Carpetas de trabajos Prcticos

o El alumno/a deber presentar una carpeta de trabajos prcticos, la cual


contendr dos partes:

Trabajos prcticos de aula.

Trabajos prcticos de laboratorio.

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o La carpeta de trabajos prcticos que debe presentar el alumno/a deber
ser inicializada por el J.T.P. en fecha a determinar por la ctedra.

o La carpeta de trabajos prcticos que debe presentar el alumno/a deber


reunir las siguientes caractersticas:

o El formato de la carpeta de trabajos prcticos que debe presentar el


alumno/a ser A4 marginada.

o La carpeta de trabajos prcticos que debe presentar el alumno/a deber


ser ORIGINAL y de carcter individual.

o La carpeta de trabajos prcticos que debe presentar el alumno/a deber


contener la siguiente informacin:

Programa Analtico de la Ctedra de Dispositivos Electrnicos.

Reglamento de la Ctedra

Cronograma de trabajo anual.

Una hoja en blanco, con formato A4 conteniendo los siguientes datos:

Ctedra: Dispositivos Electrnicos


Apellido/s y Nombre/s del alumno/a.
N de Legajo.
Curso.
Fecha
N de Hoja

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f) Requisitos para poder rendir la Asignatura:

o El alumno/a deber tener la asignatura regularizada por el J.T.P. y por el


Departamento Bedela de la Facultad.

o La Libreta Universitaria del alumno/a deber estar firmada por el J.T.P. y


por el profesor titular de la asignatura.

o El alumno/a deber estar inscripto para el Examen .

o El alumno/a deber traer al Examen la carpeta completa y aprobada por el


J.T.P. a cargo de la Asignatura.

g) Modalidad del Examen Final

o El Examen Final consiste en resolver tres temas extractados del programa


de la asignatura.

o El Examen Final se realizar en forma escrita como si el mismo fuese


desarrollado por el alumno/a en un pizarrn realizando la defensa de su
trabajo en forma oral.

o En el examen escrito se pretende que el alumno/a se concentre en todo lo


referente a :

Principio de funcionamiento de algn dispositivo.

Configuracin fsica.

Ecuaciones principales.

Representacin grfica.

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Circuito/s equivalente/s.

Funcin de transferencia.

Especificaciones tcnicas del fabricante.

Aplicaciones principales.

Parmetros.

Conclusiones principales

Etc.

o Una vez que el alumno/a ha desarrollado los tres temas, expondr su


examen frente al Tribunal Examinador.

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IV. CORRELATIVIDADES

Para poder cursar la asignatura Dispositivos Electrnicos, , el alumno/a


deber tener cursadas las siguientes asignaturas:

Informtica I.

Anlisis Matemtico I.

Qumica General.

Para poder rendir la Asignatura Dispositivos Electrnicos, el alumno/a


deber tener aprobadas las siguientes asignaturas:

Informtica I.

Anlisis Matemtico I.

Qumica General.

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V. OBJETIVOS DE LA ASIGNATURA

Objetivos Generales:

Al concluir el curso, se espera que el alumno/a sea capaz de:

Describir en forma completa el principio de funcionamiento de los distintos


dispositivos Electrnicos que son objeto de estudio en la asignatura, as
como los circuitos y aplicaciones principales.

Aplicar los principios generales como enlaces muy importantes y


necesarios entre la teora y el mundo real.

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VI. ESTRATEGIA METODOLGICA GENERAL

Clases Tericas:

Exposicin del Tema por parte del Docente.

Clases Prcticas de Aula:

El Docente explica el funcionamiento desde el punto de vista de aplicacin del


dispositivo, describe y analiza circuitos simples. Luego, guia a los alumnos en la
resolucin de los problemas que se plantean en clase. Tambin expone las
tcnicas a aplicar en los ejercicios que se realizarn en el Laboratorio donde se
hace hincapi en la medicin de las caractersticas paramtricas de los
dispositivos.

Clases Prcticas de Laboratorio:

El Docente gua a los alumnos en la implementacin de los circuitos analizados


en el aula y en la medicin e interpretacin de los resultados por medio del
instrumental que el Laboratorio de Electrnica de la Facultad posee para tal fin.
.

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VII. PROGRAMA ANALTICO

UNIDAD TEMTICA 1: FSICA DE LAS JUNTURAS PN GRADUALES

Modelo de ligaduras de valencia de un semiconductor. Electrones de conduccin


y de valencia. Lagunas. Impurezas en el slido cristalino, donores y aceptores.
Movilidad y su variacin en funcin de la temperatura. Generacin y
recombinacion, portadores mayoritarios y minoritarios. Efecto Hall. Inyeccin de
portadores minoritarios.
Modelo de bandas de energa en un semiconductor. Introduccin. Bandas de
energa, ancho de banda en funcin de la separacin de los tomos, bandas
permitidas y prohibidas. Bandas de energa en el carbono, germanio y silicio,
bandas de valencia, de conduccin y prohibidas. Estructuras de bandas en un
semiconductor extrnseco tipo N y tipo P. Distribucin de los electrones en las
bandas. Flujo de portadores en desequilibrio, generalidades.
Fsicas de las junturas PN. Diodos. Junturas abruptas graduales, las junturas P-N
en equilibrio, diagrama de concentracin de portadores, de impurezas, de carga,
de campo elctrico, de potencial y de bandas de energa, la juntura en
desequilibrio exceso de portadores en los limites de carga espacial, potencial de
juntura, corriente en la juntura P-N con polarizacin directa e inversa, ecuacin
del diodo; curva caracterstica.
Duracin: 3 Semanas

UNIDAD TEMTICA 2: DIODOS DE JUNTURA

Principio de funcionamiento. Dinmica de los diodos de juntura. Aplicaciones del


diodo. Dinmica de los excesos de portadores, transitorios de conexin y
desconexion, tiempo de conexin y desconexion, dinmica de las cargas

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almacenadas en la zona de carga espacial, capacidad de la juntura o de
transicin.

Curvas Caractersticas. Propiedades no lineales. Especificaciones tpicas.


Circuito equivalente.
Duracin: 5 Semanas

UNIDAD TEMTICA 3: TRANSISTOR BIPOLAR

Principio de funcionamiento. Fsica del transistor bipolar. Comportamiento como


elemento de circuito: composicin de las corrientes terminales. Tipos PNP y NPN.
Polarizacin; circuitos tpicos. Configuraciones circuitales: emisor comn, base
comn, colector comn. Caractersticas de cada configuracin.
Modelo del transistor bipolar para seales dbiles. El transistor como
amplificador, modelo simple para modo activo, modelo de circuito dinmico para
seales dbiles, modulacin del ancho de la base, efecto sobre la concentracin
de portadores, representacin mediante modelo de circuito, resistencia de la
base, su efecto a frecuencias altas y bajas, frecuencia de transicin. El transistor
como cuadripolo lineal activo, parmetros impedancia, admitancia e hbridos.
Calculo de impedancia de entrada y salida. Ganancia de tensin y de corriente
para el modelo de parmetros hbridos. Variacin de los parmetros en funcin
de la corriente y de la tensin de salida y de la temperatura.
Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuito equivalente. Anlisis
para seal dbil. Anlisis para seal fuerte.
Funcionamiento para seales fuertes. Dependencia de las corrientes terminales
con las tensiones. El modelo idealizado de dos diodos, caractersticas estticas
en emisor comn. Modos de funcionamiento normal, inverso, de saturacin, de
corte.

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Limites de operacin. Limites de seguridad de funcionamiento. Caractersticas
tecnolgicas de los transistores de potencia. Transferencia de calor: resistencia
trmica. Disipadores. Transistores Darlington. Anlisis en conmutacin.
Definicin de los parmetros de control de cargas, condiciones diferenciales de
las corrientes en funcin de dichos parmetros. Respuesta del transistor a un
escaln de corriente en base de la zona activa, tiempo de crecimiento y

decrecimiento, (mtodos para disminuirlos), idem de saturacin, carga de


saturacin, tiempo de almacenamiento.
Duracin: 5 Semanas

UNIDAD TEMTICA 4: FET, MOSFET

Principio de funcionamiento. Fsica del transistor de efecto de campo (JFET).


Fsica del transistor de efecto de campo de compuerta aislada (MOS). El
transistor de efecto de campo como componente de circuito. Polarizacin.
Parmetros tpicos. Configuraciones especiales. MOS de doble compuerta. Mos
complementarios (CMOS). Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas.
Circuitos equivalentes. Anlisis para seal dbil. Anlisis para seal fuerte.
Anlisis en conmutacin. Simetra complementaria.
Duracin: 3 Semanas

UNIDAD TEMTICA 5.: DISPOSITIVOS MULTIJUNTURA


(SCR, TRIAC, DIAC etc.)

Tiristor: configuracin fsica. El tiristor como elemento de circuito. Caractersticas


de disparo y bloqueo. Limites de operacin.
Triac: configuracin fsica. El triac como elemento de circuito. Caractersticas
bidireccionales de disparo y bloqueo. Limites de operacin.
Diac: configuracin fsica. El diac como parte de circuitos de disparo.

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Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas. Circuito equivalente. Ejemplos
bsicos de aplicacin.
Duracin: 4 Semanas

UNIDAD TEMTICA 6: OPTOELECTRONICA

Estructura de bandas del As. de Ga. Movilidad de portadores. Temperaturas


limites de operacin. Comparacin con los dispositivos basados en el silicio.
Sistemas optoelectronicos. Caractersticas elctricas y tecnolgicas.
Diodos emisores de luz. (LED). Fotodiodos y fototransistores. Principio fsico del
funcionamiento de los dispositivos LCD (Liquid Cristal Devices).
Duracin: 4 Semanas

UNIDAD TEMTICA 7: DIODOS ZENER, TNEL, PIN, SCHOTTKY


Duracin: 3 Semanas

UNIDAD TEMTICA 8: TRANSISTOR SCHOTTKY


Principio de funcionamiento. Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas.
Circuito equivalente.
Duracin: 1 Semanas

UNIDAD TEMTICA 9: SEMICONDUCTORES TERNARIOS,CUATERNARIOS


Principio de funcionamiento. Curvas caractersticas. Especificaciones tpicas.
Circuito equivalente.
Duracin: 2 Semanas

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UNIDAD TEMTICA 10: DISPOSITIVOS POR EFECTO CUNTICO.

Transistores metlicos. Diodos Laser, etc.


Duracin: 2 Semanas

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VIII.

BIBLIOGRAFA BSICA Y DE CONSULTA


1.-

ELECTRONICA ( Ing. Adolfo Di-Marco)

2.-

ANALISIS DE CIRCUITOS CON SEMICONDUCTORES


(Phillip Cutler).

3.-

DIODOS REGULADORES DE VOLTAJE (ZENER). FAPESA

4.-

ELECTRONICA INTEGRADA (Jacob Millman y Christos C.


Halkias).

5.-

CIRCUITOS ELECTRONICOS (Donald I. Schilling y Charles


Belove).

6.-

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ( Floyd).

7.-

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (Paul Richmond).

8.-

TIRISTORES Y TRIACS ( Henri Lilen).

9.-

CIRCUITOS DE POTENCIA DE ESTADO SOLIDO


(Manual para proyectistas SP-52/ RCA).

10.- OPTOELECTRONICA ( J. Watson).

11.- OPTOELECTRONICA Y COMPONENTES (Biblioteca Bsica Electrnica)


(Nueva Lente).

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12.- OPTOELECTRONICS DEVICE DATA (Motorola).

13.- INTRODUCCION A LA INGENIERIA DE LA FIBRA OPTICA.


(BALTAZAR RUBIO MARTINEZ)

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IX. PLANIFICACIN
Ao:2013
Cursos
3R4
3R1 /3R2 / 3R3
UNIDAD
1
2
3
4

UNIDAD
5
6
7
8
9
10

Asignatura: Dispositivos Electrnicos


Profesor:
J.T.P
Titular: Mathe Ladislao
Chaer Carlos
Adjunto: Celdran Carlos

TEMA
Fsica de las junturas.
Diodos de juntura.
Transistor bipolar.
FET, MOSFET.
Semana de clases (Segn calendario acadmico)
TEMA
Dispositivos multijuntura. (scr, triac, diac etc.).
Optoelectronica.
Diodos Zener, Tnel, PIN, Schottky.
Transistor schottky.
Semiconductores ternarios, cuaternarios
Dispositivos por efecto cuntico.
Semana de clases (Segn calendario acadmico)

1
X

2
X

3
X

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5
X

6
X

Clase Nro.
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9 10
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Reuniones de ctedra / area Ao 2013:


Reunin Nro:
1
2
3

Caracterstica de la reunin
Coordinacin inicio de actividades
Evaluacin Cronograma de avance
Evaluacin formulario Informe Fin de Ciclo Acadmico

Fecha prevista
11/02/2013
24/06/2013
09/12/2013

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X. DATOS PERSONALES
APELLIDO:

CELDRN

NOMBRES:

CARLOS ALBERTO

FECHA DE NACIMIENTO:

22 DE MARZO DE 1953

NACIONALIDAD:

ARGENTINO

D.N.I. N :

10.682.126

MATRCULA PROFESIONAL:

10315

ESTADO CIVIL:

CASADO

DOMICILIO:

RAL CASARIEGO 4355

BARRIO:

POETA LUGONES

LOCALIDAD:

CRDOBA - CAPITAL

CODIGO POSTAL ARGENTINO:

X5008BZI

TELFONO PARTICULAR

(0351) 476-2719

CELULAR:

(0351) 155-57-6979

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cceldran@electronica.frc.utn.edu.ar
E-Mail

car_celdran@hotmail.com

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