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APUNTES
TRIAC Y DIAC
ContenidoTemtico
DiodoBidireccional
Caractersticas,Constitucinyfuncionamiento
DavidRoqueB.
david@roque.mx
Ing.DavidRoqueB.
SDTM
A1
A1
p
n
p
G
n
A2
A2
Figura1.Estructuraysmboloesquemtico.
Este dispositivo es capaz de conducir corriente en ambos sentidos entre sus terminales A1
y A2, al igual que el DIAC; con la diferencia que este dispositivo cuenta con tres terminales
y el DIAC solamente con dos.
CARACTERSTICAS V-I
En la figura siguiente se muestra la curva caracterstica tensin-corriente correspondiente
a un TRIAC tpico. Esta curva muestra la relacin entre la corriente que pasa por sus
terminales principales en cada direccin y la tensin aplicada entre sus terminales
principalmente es en cada tensin. Esta curva ha sido trazada sin circular corriente de
disparo por el TRIAC y si us la terminal principal 1 como punto de referencia para todas
las tensiones e intensidades.
Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues
las caractersticas del cuadrante I, de la curva caracterstica que se muestra a continuacin,
es igual a la del cuadrante III.
IF
IH
VR
VBR(R)
- IH
VBR(F)
VF
IR
Figura2.CurvacaractersticadelTRIAC
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SDTM
Circuito equivalente.
El TRIAC se puede considerar como dos SCR conectados en anti-paralelo, con conexin
de compuerta en comn, as como tambin, se puede representar por medio de
transistores; ambos circuitos se muestran en la siguiente figura.
A1
A1
Q1
Q3
SCR1
G
SCR2
Q2
A2
Q4
A2
Figura3.Circuitosequivalentes:conSCRyTransistores
Pulso en compuerta
Exceso de voltaje
Trmico
Pulso en compuerta.
Para poder activar el dispositivo debe cumplirse las siguientes condiciones
Para una polarizacin en directo, es decir, la terminal A1 debe ser positiva y la terminal A2
negativa, el pulso de compuerta debe ser positivo. Con esto se asegura la conduccin de
la corriente que fluir desde la terminal A1 hacia la terminal A2
Para la polarizacin en inversa, esto es, la terminal A2 es positiva con respecto a A1, al
dispositivo debe aplicarse un pulso negativo en la compuerta, de esta manera la corriente
fluir de la terminal A2 hacia A1.
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SDTM
Mientras menor sea el voltaje entre las terminales del dispositivo A1 y A2, en directo o en
inverso, se requerir de aplicar una corriente mayor de compuerta para que el dispositivo
comience a conducir. Esto se muestra en la siguiente figura.
IF
IH
VBR(R)
VR
I G2
I G1
-V1
-V2
V2
V1
-I G1
-I G2
VF
VBR(F)
-I H
Figura4.Curvasdeacuerdoalacorrientedecompuerta.
Exceso de voltaje.
Cuando la terminal A1 es positiva con respecto a A2, y el voltaje en directo sobrepasa de
cierto voltaje de ruptura en directo VBR(F), (ver curva caracterstica), el dispositivo conduce
en la parte izquierda de sus circuitos equivalentes, es decir, el SCR1 en el caso del circuito
equivalente por SCR. Y en el caso del circuito equivalente por transistores son el transistor
Q1 y Q2; y la corriente fluye del nodo 1 hacia el nodo 2.
Para el caso donde el A2 es ms positivo que el A1, y el voltaje es mayor al voltaje de ruptura
en inversa VBR(R), el SCR2, de su circuito equivalente correspondiente, comenzar a circular
corriente por l; en el caso de los transistores Q3 y Q4, son los que conducirn la corriente,
que fluir desde el A2 al A1.
Trmica.
Ya se dijo que la temperatura crea pares de electrn-hueco, lo que aumenta las corrientes
de fuga, y esto puede llegar a activar el tiristor (TRIAC), siempre y cuando sus terminales
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SDTM
estn polarizadas en uno u otro sentido. Tambin sea dicho que, este tipo de encendido es
incierto y que debe evitarse, no obstante es una opcin para el disparo del dispositivo.
Apagado del TRIAC.
Se mencion que el TRIAC es un dispositivo similar al SCR, por lo que las formas del
apagado son similares para este dispositivo y son las siguientes:
Interrupcin de corriente.
Serie
Paralelo.
Refirase al tema de apagado del SCR y utilice los mismos circuitos para estos Mtodos.
Aplicaciones del TRIAC.
Puesto que el TRIAC conduce el uno y otro sentido se presta idealmente a aplicaciones en
las que se requiera controlar potencia de CA El dispositivo puede usarse como un microinterruptor del CA o puede emplearse para regular efectivamente la cantidad de potencia
aplicada a una carga. Un circuito aplica toda la tensin de la red a la resistencia de carga o
la desconecta por completo cuando se cierra o se abre respectivamente el interruptor S.
Cuando el interruptor S se encuentra abierto el TRIAC puede conducir en ninguna de las
alternancias positiva o negativa de cada periodo de la tensin de la red, pues dicha tensin
no excede el valor de la tensin de disparo del TRIAC en ninguna direccin. Sin embargo,
cuando se cierra el interruptor S la resistencia 1 deja pasar suficiente corriente de cebado
por el TRIAC en cada alternancia que asegura que conduzca. El TRIAC por tensin aplica
a la carga toda la potencia disponible de la red, mientras que el circuito SCR comparable
solo es capaz de aplicar en la carga la mitad de potencia de la red.
La ventaja de este circuito es que la corriente de cebado de pequea intensidad puede
controlar una corriente una carga intensa.
El circuito siguiente muestra esta aplicacin.
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SDTM
R1
IL
RL
Disparo
A1
R2
TRIAC
A2
G
DIAC
Figura5.Circuitodecontroldepotenciadeondacompleta.
El funcionamiento de este circuito debe ser entendido de acuerdo a lo visto anterior, como
es que los dispositivos tiristores trabajan, tanto el TRIAC como el DIAC. Tambin se debe
conocer la naturaleza de las seales alternas.
Cuando el semiciclo positivo se presenta en la entrada del circuito, la corriente se divide,
siendo una parte para la rama resistiva que se encargar del disparo del DIAC, que a su
vez proporcionar la corriente de compuerta necesaria para el disparo del TRIAC
Si la resistencia variable R2, se encuentra en su mnimo valor, la corriente no encontrar
oposicin por lo que la conduccin del DIAC ser rpida al paso del semiciclo positivo, de
esta manera la corriente en la compuerta del TRIAC se encontrar rpido, disparndose,
con lo cual se obtiene una seal en la carga; como la mostrada en la figura siguiente
Disparo
Figura6.Sealenlacarga,disparoinmediato
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SDTM
Disparo a 90
Disparo a 45
Figura7.DisparodelTRIACen45y90
DIAC
Diodo bidireccional de disparo, llamado tambin comnmente un DIAC o diodo bidireccional
para corriente alterna.
CONSTRUCCIN BSICA Y FUNCIONAMIENTO
El diodo bidireccional de disparo se construye de manera muy semejante a un transistor
bipolar, tiene tres capas de material semiconductor dopadas alternadamente como se
muestra en la figura 1. Sin embargo difiere de transistor bipolar en que las concentraciones
de impurezas que rodean ambas uniones son iguales y solo se ponen terminales en las
capas exteriores. No se hace ninguna conexin elctrica en su regin del medio. Como el
diodo bidireccional solo tiene dos terminales a menudo se encapsula en una cajita de metal
o plstico que tiene patillas axiales. Por tanto el dispositivo se asemeja algunas veces a un
diodo de unin PN corriente. Sin embargo el dispositivo algunas veces se encapsula como
un transistor bipolar convencional pero con solo dos patillas.
Puesto que sus dos uniones estn adoptadas igualmente este diodo tiene el mismo efecto
en las corrientes que circulen en uno u otro sentido por sus terminales. En cualquier sentido,
una unin siempre estar polarizada en sentido inverso. En cada caso, la unin polarizada
a la inversa controla principalmente la corriente que fluye por el diodo y este se comporta
como si estuviera dos diodos de unin PN que estuvieran en serie pero conectados en antiparalelo.
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SDTM
El diodo permanece en el estado de reposo en uno u otro sentido hasta que la tensin
aplicada en cualquier sentido sea lo bastante alta para hacer que su unin respectiva
polarizada en sentido inverso cambie al estado de conduccin. Al ocurrir esto, el dispositivo
enciende y la corriente aumenta sbitamente a un valor que en esencia solo queda limitado
por la resistencia en serie con el dispositivo, por tanto, el diodo se comporta como un
interruptor bidireccional que se cierra y conduce siempre que se excede su tensin crtica
de disparo.
Un smbolo que se emplea comnmente en los esquemas para representar este diodo es
el que se muestra en la figura 1.
El DIAC es un dispositivo semiconductor de cinco capas p-n y cuatro uniones, de dos
terminales llamadas nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2); en ocasiones se nombran como MT1 y
MT2. Este dispositivo puede conducir en ambas direcciones, es decir, son bilaterales o
bidireccionales. La siguiente figura muestra la estructura interna de un DIAC y sus smbolos
esquemticos.
A1
A1
A1
p
n
p
n
A2
A2
A2
Figura8. EstructuraInternaySmbolosEsquemticos
Caractersticas V-I
La curva caractersticas de tensin corriente perteneciente a un diodo bidireccional tpico
se muestra en la figura siguiente. Esta curva muestra la relacin entre la corriente que
circula por el dispositivo en uno u otro sentido y la correspondiente tensin entre sus
extremos en cada direccin.
La conduccin del DIAC comienza cuando alcanza un voltaje de ruptura VBR, con cualquier
polaridad, a travs de sus terminales, la corriente fluye dependiendo la polaridad que este
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SDTM
tenga. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae por debajo del valor de retencin IH.
La siguiente figura muestra la curva caracterstica de este dispositivo.
IF
IH
VR
VBR(R)
VBR(F)
- IH
VF
IR
Figura9.CurvacaractersticadelDIAC
Como se puede observar en la curva caracterstica del DIAC trabaja en el primero y tercer
cuadrante de la curva caracterstica de los tiristores. Aunque ambos lados de la curva
parecieran iguales; en ocasiones lo son, el voltaje de ruptura en directo VBR(F) podra vara
de acuerdo al voltaje de ruptura en inversa VBR(R), de la misma manera ocurre con la
corriente de retencin IH en inversa y directa.
El circuito equivalente del DIAC consta de cuatro transistores que se forman segn se
muestra en la siguiente figura.
A1
Q1
Q3
Q2
Q4
A2
Figura10.Circuitoequivalentecontransistores
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SDTM
Exceso de voltaje
Trmica
Exceso de voltaje
Ya se dijo que la conduccin de este dispositivo se da cuando se excede su voltaje de
ruptura en directo V BR (F), si esto ocurre, el transistor Q1 y el transistor Q2 son los que operan,
de la misma manera que ocurren con un SCR cuando se activa por exceso de voltaje y la
corriente fluye del nodo 1 al nodo 2. Si se excede el voltaje de ruptura en inversa V BR(R),
los transistores que operan en esta forma sern Q3 y Q4, y la corriente fluye del nodo 2 al
nodo 1.
Trmica.
Al igual que otros tiristores el exceso de temperatura generan corriente de fuga debido a la
separacin de pares electrn-hueco, cuando esto ocurre si el dispositivo cumple las
condiciones de polarizacin este conducir, en una u otro sentido. El control de disparo por
este mtodo debe guardar ciertas restricciones por lo cual no se recomienda el uso del
mismo.
Apagado del DIAC
El apagado o bloqueo del DIAC solo se cumple cuando se interrumpe la corriente del A1 al
A2 o viceversa. El circuito siguiente muestra cmo se logra esto:
+V
+V
N.C.
RA
IA = 0
RA
I A < IH
A1
A1
A2
A2
N.O.
IA = 0
Interruptor serie
Interruptor paralelo
Figura11.FormasdeapagadodelDIAC
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Figura12.CircuitodecontroldeondacompletaempleandounDIACyunTRIAC
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aunque cada dispositivo se construye de manera distinta y cada uno se representa por un
smbolo diferente. El diodo que se acaba de describir sirve de ejemplo representativo de un
moderno dispositivo de estado slido.
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