Existen dos tipos de transistores MOS-FET: de tipo decremental y de tipo incremental.

Los trminos
decremental e incremental se refieren a su forma bsica de operar, mientras que MOS-FET
significa transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor.

MOS-FET DE TIPO DECREMENTAL CANAL N.

En la figura 14.1 se describe la construccin bsica del transistor MOS-FET de tipo decremental de
canal N.

El sustrato est formado por una placa de material

tipo P de silicio. En algunos casos, el sustrato est
conectado internamente con la fuente y solo
presenta tres terminales. El drenaje y la fuente
estn formados de material tipo N unidos por un
canal tambin de material tipo N. La puerta est
conectada a una capa muy delgada de xido de
silicio. El xido de silicio es aislante, lo que explica
la alta impedancia de estos dispositivos.

Figura 14.1

Cuando la tensin de la puerta VGS = 0 V y se aplica

una tensin a los terminales de drenaje y fuente, se
establece una corriente IDSSsimilar a la del transistor
JFET. Si a la puerta se le aplica una tensin
negativa, esto tendr como consecuencia una
disminucin de la corriente de drenaje IDSS . Cuanto
ms alta sea la tensin negativa de la puerta tanto
ms se reducir la corriente de drenaje, segn se
puede ver en las curvas de la figura 14.2, hasta
llegar al nivel de estrechamiento con una tensin de
puerta de -6 voltios.

Figura 14.2

Para valores positivos de la tensin de puerta V GS , la corriente de drenaje aumentar. El

espaciamiento vertical entra las curvas V GS = 0 V y VGS = +1 V en la figura 14.2 es una indicacin
cara de cuanto ha aumentado la corriente de drenaje cuando cambia en un voltio la tensin de
puerta.
Vemos que la aplicacin de una tensin positiva a la puerta incrementa la intensidad de drenaje.
Por esta razn, a esta zona de tensiones de puerta positiva se le denomina regin incremental.

MOS-FET DE TIPO DECREMENTAL CANAL P.

La construccin de un transistor MOS-FET de tipo decremental de canal P es exactamente de
forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal drenadorfuente que es de tipo P. Como consecuencia, las polaridades y direcciones de corriente tambin
estn invertidas. Las caractersticas y el modo de funcionamiento son similares al tipo de canal N.

En la figura 14.3 se han dibujado los smbolos

de los transistores MOS-FET.
(a) Tipo decremental canal N.
b) Tipo decremental canal P

Figura 14.3

MOS-FET DE TIPO INCREMENTAL CANAL N.

La construccin del MOS-FET tipo incremental es

similar a la del tipo decremental. La nica diferencia
es que se suprime el canal tipo N que une las
regiones de drenaje y fuente.
Si entre drenaje y fuente se la aplica una tensin,
siendo la tensin de puerta VGS = 0 V, el resultado
ser una ausencia de corriente entre los terminales
de drenaje y fuente, debido a que existe dos
regiones P-N con polarizacin inversa entre las
regiones N y el sustrato P.

Figura 14.4

Si se aplica una pequea tensin positiva a la

puerta, respecto a la fuente, se apreciar una
corriente del drenador a la fuente. Conforme la
tensin de puerta VSG continue aumentando, la
corriente drenador-fuente tambin aumentar. El
valor de la tensin de puerta V SG del que resulta un
incremento significativo de la corriente de drenaje se
denomina tensin de umbral, con smbolo V T (del
ingls Threshold).

Puesto que al aumentar la tensin de puerta aumenta la corriente de drenaje, a este tipo de MODFET se le conoce con el nombre de incremental.

Figura 14.5
Cuando VGS se incrementa ms all de la tensin de umbral, se incrementa la intensidad de
drenaje, Sin embargo, si se mantiene constante VGS y solo se aumenta la tensin VDS , la corriente

de drenaje alcanzar un nivel de saturacin como ocurra en el JFET y en el MOS-FET

decremental.
Las curvas de la figura 14.5 indican que cuando se incrementa la tensin V GS se incrementa de
VT a 8 voltios, el nivel de saturacin resultante para ID tambin aumenta de 0 mA a 10 mA. Ntese
el amplio espaciamiento entre los niveles de ID cuando aumenta el nivel de VGS .

MOS-FET DE TIPO INCREMENTAL CANAL P.

La construccin de un transistor MOS-FET de tipo incremental de canal P es exactamente de
forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal drenadorfuente que es de tipo P. Como consecuencia, las polaridades y direcciones de corriente tambin
estn invertidas. Las caractersticas y el modo de funcionamiento son similares al tipo de canal N.
Los smbolos para este tipo de MOS-FET incremental, tanto de cananl N como de canal P, son los
mismos que para los de tipo decremental.

Fase 2 TIRISTORES.
2.1 Disparo de un SCR con Diodo Zener
Dada la Ecuacin para el disparo del SCR con diodo Zener: VCC= VZ + VGT simular en
siguiente circuito. Tenga en cuenta que VCC es la fuente relacionada a la puerta del SCR.
En este caso VCC = V1

2.2 A qu valor de VCC se dispara el SCR? Justifique su respuesta.

R- ENTRE 8 Y 10 VCC
2.3 Cuando un SCR se dispara este permanece como un interruptor cerrado y
para apagarlo se debe interrumpir la corriente que lo atraviesa disminuyendo el
valor de VCC logrando que la corriente que circula sea inferior a la corriente de de
mantenimiento IH especificada por el fabricante.
Verdadero ( x )
Falso ( )
2.4 Proponer un circuito de control de potencia utilizando Tiristores. Anexe el
diagrama esquemtico y su teora de funcionamiento.