TRANSISTOR BJT

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica
digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin
base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su
vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo
elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y
la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin
agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente
inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde
la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin
cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios
debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores
que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe
ser menor al
ancho
de difusin
de los
electrones.
La siguiente
corresponde
transistor
(transistor

curva
a un
bipolar
BJT).

Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente baseemisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es
debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva
tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y
que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

El alfa y beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y
el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por

o por hfe. Esto es

aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la

base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro
importante es la ganancia de corriente base comn,

F . La ganancia de corriente

base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en

la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que
oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

 F=

IC
IE

F=

IC
IB

F=

F = F
1 F
F +1

Tipo de transistor
Transistor NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido
a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Transistor PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin
a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la
base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en
la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento
activo.

Regiones operativas del transistor

Regin activa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar
entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente
menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (I c Ie = Imx)