PROBLEMAS

DE
ELECTRNICA

PROBLEMAS DE ELECTRONICA
Problemas: Temas-1 y 2
1. LaleydeOhmrelacionaV,IyRparaunresistor.Encadaunadelassiguientessituacionesencuentre
elelementoquefalta:

a. R=lk,V=10V
b. V=10V,I=lmA
c. R=10k,I=10mA
d. R=100,V=10V

2. LaleydeOhmylaleydelapotenciaparaunresistorrelacionanV,I,RyP,haciendoslodos
variablesindependientes.Enelcasodecadaunodelossiguientesparesidentificados,encuentrelos
otrosdos:
a. R=1k,I=l0mA
b. V=10V,I=1mA
c. V=10V,P=lW
d. I=10mA,P=0.1W
e. R=1k,P=1W
3. Contresresistorescuyosvaloresson10k,20ky40k.Cuntasresistenciasdiferentespodra
crearusandocombinacionesenserieyparalelodeestostres?
Elaboreunalistaordenadaporvalordelmsbajoalmsalto.
Seaexhaustivoyorganizado.
4. Sitenemosunaresistenciade10k,culeselvalordelaresistenciaenparalelonecesariopara
reducirelvalorcombinadoen1,5,10y50%?Culeselresultadodeponerenparalelouna
resistenciade10kconunode1M?,conunode100k?,conunode10k?

5. ObtenerdelcircuitodelafiguraaelcircuitoequivalentedeThveninrepresentadoenlafigurab.
CalcularV0yRo.

2
PROBLEMASELECTRNICA

6. Undivisordevoltajededosresistenciasqueempleaunaresistenciade3.3kyotrade6.8kest
conectadoaunafuentedealimentacinconreferenciaatierrade9Vparaproporcionarunvoltaje
relativamentebajo.
a.Dibujeelcircuito.
b.Suponiendoresistenciasdevalorexacto,quvoltajedesalida(medidoatierra)yresistenciade
salidaequivalentesseobtendransilasresistenciasusadosnosonidealesperotienenuna
toleranciadefabricacinde5%?
c.Culessonlosvaloresextremosqueseobtendrandevoltajesyresistencias?

7. Dadastresresistenciasigualesde10kyunabaterade9Vcuyoterminalnegativoestconectadaa
tierra,siundivisordevoltajeusaunaotodaslasresistencias,cuntasfuentesdevoltajepositivode
magnitud menor de 9 V puede disear? Ordnelas de la ms pequea a la mayor. Cul es la
resistenciadesalida(esdecir,laresistenciadeThvenin)decadauno?

8. Losdivisoresdecorrientedesempeanunpapelimportanteeneldiseodeloscircuitos.Portanto,
es importante desarrollar cierta facilidad para tratar con los divisores de corriente en el anlisis de
circuitos.
EnlafigurasemuestraundivisordecorrientededosresistenciasalimentadoporunafuenteidealI.
DemuestrequeI1yI2vienendadasporlasecuaciones(1)yencuentreelvoltajeVquesedesarrollaen
eldivisordecorriente.

(1)

9. Diseeundivisordecorrientesimplequereduzcalacorrienteproporcionadaaunacargade1kal
20%delacorrientedisponibleapartirdelacarga.

10. ParaelcircuitodelafiguraP.10,encuentreelequivalenteaThveninentrelasterminalesa)1y2,b)
2y3,yc)1y3.

P.10

11. Mediante la aplicacin repetida del teorema de Thvenin, encuentre el equivalente a Thvenin del
circuitodelafiguraP.11entreelnodo4ytierray,portanto,encuentrelacorrientequefluyeatravs
deunaresistenciadecargade1.5k,conectadaentreelnodo4ytierra.

3
PROBLEMASELECTRNICA

P11

12. HallarlacorrienteienlaresistenciaR2usandoelprincipiodesuperposicinenelcircuitodelafigura

Datos:V1=6v,R1=3,R2=6yI1=2A

13. Usandoelprincipiodesuperposicinhallarelvoltajevenelcircuitodelafigura.
Datos:V1=9v,R1=10,R2=40,R3=40yV2=12v

14. Considreseuncircuitoconunafuentedependientedevoltajecomoeldelafigura,lafuente
dependientedevoltajehacequeV2=3i1.CalcularelvalordelatensinV2ylaintensidaddecorriente
i2quecirculaporR2.
Datos:V1=5v,R1=2,R2=5yV2=3i1

15. Paraelcircuitodelafiguradondetenemosdosgeneradoresdependientes.CalcularlatensinV2yla
tensinVxquecaeenlaresistenciaR2.
Datos:V1=6v,R1=R2=1K
4
PROBLEMASELECTRNICA

16. HallarelcircuitoequivalentedeThvenindelcircuitodelafigura.

Datos:V1=10v,R1=10,R2=40,R3=4yI=2A

17. HallarelcircuitoequivalentedeThveninparaelcircuitodelafigura,queincluyeunafuente
dependiente.
Datos:V1=20v,R1=6,R2=6,R3=10

NOTATERICA:
Enloscircuitosquecontienenfuentesdependientes,laresistenciadeThvninnosepuedecalculara
partirdelareduccindelcircuitousandolasreglaspararesistenciasenparaleloyenserie.
ElprocedimientoparadeterminarlaresistenciadeThvenines
a) Determinarelvoltajedecircuitoabiertovcab
b) DeterminarlacorrientedecortocircuitoiocxcuandolosterminalesABestnconectados
poruncortocircuito,comosemuestraenlafigura

Rt= vcab/ iocx

5
PROBLEMASELECTRNICA

Problemas: Tema-3

18. Elcircuitodelafiguraseutilizaenunsistemadesealizacinempleandounalambreademsdeun
retornoatierracomn.Enunmomentocualquiera,laentradatieneunodetresvalores:+3V,0V,3
V.Culeselestadodelaslmparasparacadavalordeentrada?(Ntesedequelaslmparaspueden
estarseparadasyquetalvezhayadiferentestiposdeconexin,todosenunsoloalambre)

19. Para los circuitos que se muestran en la figura empleando diodos ideales, encuentre los valores de
voltajeycorrienteindicados.RepitalosresultadossilosdiodostienenunatensindeVT=0,7v

20. Enelcasodeloscircuitosmostradosenlafiguraempleandodiodosideales,encuentrelosvaloresde
losvoltajesycorrientesindicados.RepitalosresultadosParadiodosdeV=0,7V

6
PROBLEMASELECTRNICA

21. Suponiendo que los diodos de los circuitos de la figura son ideales encuentre los valores de los
voltajesylascorrientes.RepitalosresultadosParadiodosdeVt=0,7V

22. Suponiendo que los diodos de los circuitos de la figuras son ideales, utilice el teorema de Thvenin
parasimplificarloscircuitosyconello,encuentrelosvaloresdelascorrientesyvoltajesrotulados.

23. Obtenerlascorrientesylastensionesenlosdiodosdelcircuitodelafiguraparalastensionesentradavi=6vy
vi=6v,si:
7
PROBLEMASELECTRNICA

a) eldiodoesideal.
b) eldiodotiene V = 0,6 v
c) eldiodotiene V = 0,6 v , R f = 100

y Rr

24. EldiodoZenerde6,8VdelcircuitodelaFig.1estespecificadoportenerVZ=6,8VaIZ=5mA,rZ=20e
IZK=0,2mA.ElvoltajedealimentacinV+esnominalmentede10V,peropuedevariaren1V

Fig.1

25. Obtenerparaelcircuitodelafigura.Lav(t)eslarepresentadaenelintervalo,0t5ms
a) Latensindesalidav0(t).SupongaeldiodoD1ideal.
b) b)RepetirelapartadoanteriorsieldiodoD1estrepresentadoporV=0,5VyRf=50

v(t)
10V

5ms

PROBLEMASELECTRNICA

26. RealizarlacurvacaractersticadetransferenciaV0contraVIparaloscircuitoslimitadoresquese
muestranenlasfigurasP33.
a) Todoslosdiodosempiezanaconduciraunacadadevoltajeendireccindirectade0.5VY
tienencadasdevoltajede0.7Vcuandoconducencompletamente.
b) Repitaelapartadoanteriorsuponiendoquelosdiodosestnmodeladosconelprocedimiento
linealporpiezasconVDO=0.65VyrD=20

27. ParaelcircuitodelaFig1.Realicelacurvadetransferencia,suponiendoqueelvoltajedecortedelos
diodoses0.5Vysucadadevoltajecuandoconducenporcompletoesde0.7V.

28. Unaondacuadradadeamplitud6VdepicoapicoypromedioceroseaplicaauncircuitocomoeldelaFig
empleandounresistorde100.Culeselvoltajepicodesalida?Culeslacorrientepicopromedio?Cules
elmximovoltajeinversoatravsdeldiodo?

9
PROBLEMASELECTRNICA

10
PROBLEMASELECTRNICA

29. Encadaunodeloscircuitosdediodoidealmostradosenlafiguraviesunaondasenoidalpicode1
kHz,10V.Dibujarlaondaresultanteenvo.Culessonlosvalorespicopositivosynegativos?

30. Diseeuncircuitocargadordebateras,comoeldelaFig.1empleandoundiodoidealenelquelacorriente
fluyealabaterade12Vel20%deltiempoytieneunvalorpromediode100mAQuvoltajedeondasenoidal
depicoapicoserequiere?Quresistenciaesneceara?Culeslacorrientepicodediodo?Quvoltajepico
inversoresisteeldiodo?Sisepuedenespecificarresistoresdeunsolodgitosignificativoyunvoltajedepicoa
picoslohastaelvoltmscercano,Qudiseoescogeraparagarantizarlacorrientedecargarequerida?En
quefraccindelciclofluyelacorrientedeldiodo?Culeslacorrientepicodeldiodo?Culvoltajepicoinverso
resisteeldiodo?

11
PROBLEMASELECTRNICA

31. Uncircuitorectificadordemediaondaconunacargade1Koperaconunafuentedealimentacin
caserade120V(rms)y60Hz,medianteuntransformadorreductorde10a1.Utilizaundiododesilicio
quesepuedemodelarparatenerunacadade0,7Vparacualquiercorriente.Culeselvoltajede
salidapicodelasalidarectificada?Enqufraccindelcicloconduceeldiodo?Culeselvoltajede
salidapromedio?Culeslacorrientepromedioenlacarga?

32. Uncircuitorectificadordeondacompletacon1koperaconunafuentedealimentacincaserade
120V(rms).y60Hz,medianteuntransformadorconrelacinde5a1yquetieneundevanado
secundarioconderivacincentral.Utilizadosdiodosdesilicioquesepuedenmodelarparateneruna
cadade0.7Ventodaslascorrientes.Culeselvoltajepicodesalidarectificada?Enqufraccin
deuncicloconducecadadiodo?Culeselvoltajedesalidapromedio?Culeslacorriente
promedioenlacarga?

33. Uncircuitorectificadordeondacompletaenpuenteconunacargade1k,operaconunafuentede
alimentacinde120V(rms)y60Hz,medianteuntransformadorreductorde10a1quetieneun
devanadosecundario.Empleacuatrodiodos;cadaunodeellossepuedemodelarparaquetengauna
cadade0,7Vparacualquiercorriente.Culeselvalorpicodelvoltajerectificadoatravsdela
carga?Enqufraccindeuncicloconducecadadiodo?Culeselvoltajepromedioatravsdela
cargaCuleslacorrientepromedioatravsdelacarga?

34. SenecesitadisearuncircuitorectificadordeondacompletaempleandoelcircuitodelaFig.1para
proporcionarunvoltajedesalidapromediode:

a)10V
b)100V
Encadacasoencuentrelarelacinnecesariadevueltasdeltransformador.Supongaqueundiodo
conductortieneunacadadevoltajede0,7V.Elvoltajedelalneadeaces120Vrms.

Fig.1

12
PROBLEMASELECTRNICA


35. Repitaelproblemaanteriorparaelcircuitorectificadorenpuente

36. Auncondensadorfijoqueutilizaundiodoidealconunctodoatierraseleproporcionaunaonda
senoidalde10Vrms.Culeselvalorpromedio(dede)delasalidaresultante?

37. DeloscircuitosdelafiguraP36,cadaunoempleaunoovariosdiodosideales.Grafiquelasalidapara
laentradamostrada.Rotulelosnivelesmspositivoymsnegativodesalida.SupongaqueCR>>T.

Fig.P36

38. Undiododesilicioatemperaturaambiente(300K)conduce1mAa0,7V.
a) Calcularlacorrienteeneldiodosilatensinsubea0,8V.Tmese=2yVT=0,0258V.
b) Calcularlacorrientedesaturacininversa.
c) Repetirelapartado(a)con=1.

13
PROBLEMASELECTRNICA

39. Aquvoltajeendireccindirectaundiodoparaelquen=2conduceunacorrienteiguala1000Is?
EntrminosdeIs,qucorrientefluyeenelmismodiodocuandosuvoltajedirectoes0.7V?
40. Calcule el valor del voltaje trmico, V T, a 40C, 0C,+40C y + 150C. A qu temperatura est V T
exactamentea25mV?

41. Laresistenciadeterminalaterminaldeunabarradeconexinde10mdelargo,3mdeanchoy
1mdeespesorhechadevariosmateriales.
a) Siliciointrnseco
b) SilicioconimpurezastiponconND=1016/cm3
c) SilicioconimpurezastiponconND=1018/cm3
d) SilicioconimpurezastipopconNA=1010/cm3
e) Aluminioconresistividadde2,8.cm
Encuentrelaresistenciaencadacaso.Paraelsiliciointrnseco,utilicelosdatosni=p=n=1,5.1010cm3n=1380
cm2/Vsp=480cm2/Vs.Paraelsilicioconimpurezas,supongan=25p=1200cm2/V.s(RecuerdequeR=L/A

42. Encuentreelflujodecorrienteenunabarradesiliciode10mdelongitudquetieneunaseccin
transversalde5X4mydensidadesdeelectroneslibresyhuecosdel05s/cm3y1015/cm3,
respectivamente,con1Vaplicadodeterminalaterminal.Utilicen=1200cm2/V.syp=500cm2/V.s

43. Enunabarradesiliciode10mdelargoconimpurezasdedonadoresquconcentracindel
donadorsenecesitaparaobtenerunadensidaddecorrientede1mA/m2comorespuestaaun
voltajeaplicadode1V?(Nota:aunquelasmovilidadesdelosportadorescambianconla
concentracindeimpurezas[vaselatabla],comoprimeraaproximacinpuedesuponerquen
habrdeserconstanteyutilizarelvalorparaelsiliciointrnsecon=1350cm2/V.s

Tabla

44. Lamovilidadyladifusividaddelosportadoresdisminuyeamedidaqueaumentalaconcentracinde
impurezasenelsilicio.Enlasiguientetablaseproporcionanalgunospuntosdedatosparanypfrente
alaconcentracindeimpurezas.EmpleelarelacindeEinsteinparaobtenerelvalorcorrespondiente
deDnyDp

14

PROBLEMASELECTRNICA

45. ParaellimitadoradosnivelesdelaFig.1.

a)Calculari=f(vi)yvo=f(vi)enlosdiferentesestadosdelosdiodoszener.

b)Representarlacaractersticadetransferencia,suponiendoqueDZ1yDZ2sonidnticosy

tienenlossiguientesparmetros:V=0,6V.,VZ=5V.yRf=100

vi

vo
_
Fig.1

46. EnelcircuitodelaFig.1,seconsideranlosdiodosD1yD2conV=0,6V.yloszenerconV=0,6V,Vz1=10v.y
Vz2=15V.Representarlacurvadetransferenciaydecirparacadaunodelosestadosdelosdiodos,las
tensionesycorrientesenlosmismos.

vi
vo

Fig 1

47. EnelcircuitoreguladordelaFig,1,sehanconectadodosdiodoszeneridnticosydosdiodos
rectificadoresidnticoscuyascaractersticasseindicanenlasfiguras23respectivamente.
Siviesungeneradordetensinquepuedetomarvalorespositivosynegativos,calcular:
a)Losestadosdelosdiodos.
b)Latensinylaintensidadqueatraviesacadadiodo.
c)Latensinv0,paralosdiferentesestadosdelosdiodos
I

-10

Fig 2

vi

0,6 v (V)
I

v0

Fig 3

Fig 1

0,6 v (V)

15
PROBLEMASELECTRNICA


48. EnelcircuitodelaFig.1seusandiodosconlassiguientescaractersticas:

V =0,6V.;Rf=40;Rr;Is=0
Determinarparacadaunodelosestadosdelosdiodos,v0=f(I),indicandoentrequeintervalosdeIse
encuentra.(Ipuedetomarvalorespositivosynegativos)

49. Enelcircuitodelafigura214,losdiodostienenV=0,6v.,Rf0yRr

a)Calcularvoparalosdiferentesestadosdelosdiodos,cuandovivarasegnlaFig.2
b)Representarlatensindesalidav0(t)para0t5ms.

50. Polarizandoendirectaundiododeuninpnenellaboratorio,sehanobtenidodospuntos
significativosdesucurvaIV:A(10mA,600mV),B(20mA,700mV).Sehaverificadotambinqueen
inversaVZ>20VyrZ.
Sepide:
a) EncontrarlosparmetrosV yRf (tensindecodoyresistenciaendirecta)delmodelolinealpor

tramosqueseajustaalosdospuntosmedidos
CondosdiodosigualesqueelanteriorseconstruyeuncircuitolimitadordeVcomoeldela
figura1.
b) EscribirlasecuacionesdelafuncindetransferenciavO=f(vI)deestecircuitoyrepresentarlas
grficamente
c) Dibujarlaformadelatensindesalidaenfuncindeltiempo,calculandolosvaloresdeamplitud

DATOS:

16
PROBLEMASELECTRNICA

51. Considereelcircuitoreguladordelafigura.LatensininversaderupturadelznervaleVZ=9Vyla
resistenciaincrementalendisrupcinrZ=30.SetrabajaconunafuentedetensinnoreguladaVnr=
15V(10%).EldiseodelreguladorsehaceparalosvaloresnominalesRL=1k,IZ=10mA(corriente
inversaporeldiodo).
a) CalculeelvalordeR,lacorrienteporellayelvalornominal
tensindesalidaregulada.
b) Paralavariacinespecificadadelatensindeentrada,qu
variacintendremosalasalida?Cuntovaleelfactorde
regulacindelnea?
c) Silacorrientedecargasereduceenun50%(debidoauna
variacinenelvalordelacarga),cuntovaleelvoltajede
Culeslamximacorrientedecargaparalaquelasalida
regulada?Quvoltajedesalidasetendrenesecaso?
elvalordelfactorderegulacindecarga?

dela

salida?
est
Cules

52. LacaractersticaIVaproximadadeldiodoZenerdelcircuitodelafigura1semuestraenlafigura2.En
esta figura se indica que existe una cierta corriente (Imax) que, en caso de hacerse ms negativa,
provocara la destruccin del Zener. Sabiendo que se puede modificar la resistencia RS (resistencia
variable),sepide:
a)CalcularelvalordelaresistenciaRS quehacequeelZenerseencuentreenelpunto1delacurva
delafigura2.
b)CuleslatensinmsnegativaquepuedeexistirenbornasdelZenersinquesedestruya?
c)LaresistenciaRS varahastaqueelZeneralcanzaelpunto2delacurvadelafigura2.Sinobtener
esevalordeRS,calcularelvalordeIL..
d)CalcularahoraelvalordeRSquehaceposiblequeelZeneralcanceelpunto2delafigura2.
e)ElvalordeRS calculadoenelapartadod),esmximoomnimoparaqueelZenerfuncionesin
peligrodedeterioro?Porqu?(Razoneen23lneassurespuesta)

DATOS:VP=15V;RL=2k;VB=10V;V=0,6V;RD=1;RZ=2;Imax=0,1A

17
PROBLEMASELECTRNICA

TEMA-4 TRANSISTORES BIPOLARES

53. Losvoltajesdeterminaldevariostransistoresnpnsemidierondurantelaoperacinensuscircuitos
respectivos con los siguientes resultados. (Tabla).Indique para cada caso el modo de operacin del
transistor.

Caso
1
2
3
4
5
6
7
8

E
0
0
0,7
0,7
0,7
2,7
0
0,10

B
0,7
0,8
0
0
0,7
2,0
0
5,0

C
0,7
0,1
0,7
0,6
0
0
5,0
5,0

54. Dos transistores, fabricados con la misma tecnologa pero que tienen diferentes reas de unin,
cuandooperanaunvoltajebaseemisorde0,72Vtienencorrientesdecolectorde0.2mAy12mA.
DetermineISparacadadispositivo.Culessonlasreasdeuninrelativas?

55. EnunBJTparticularlacorrientedelabaseesde7.5Aylacorrientedelcolectoresde400A.
Determineyparaestedispositivo.

56. Calculelosvaloresde,quecorrespondanavaloresdede0.5,0.8,0.9,0.95,0.99,0.995y0.999
.Determinelosvaloresdequecorrespondenavaloresdede1,2,10,20,100,200,1000y2000.

57. A continuacin se tabulan las mediciones de VBE y dos corrientes de terminal tomadas en varios
transistores npn. Para cada uno calcule el valor de la corriente faltante as como , e Is como se
indicaenlatabla.

58. Untransistornpndeuntipocuyaseespecificaquevarede60a300seacoplaenuncircuitocon
emisorconectadoatierra,colectora+9Vyunacorrientede50Ainyectadaenlabase.Calculeel
intervalodelascorrientesdelcolectoryelemisorquepuedenresultar.Culeslaenergamxima
disipadaeneltransistor?

18
PROBLEMASELECTRNICA


59. ConsidereuntransistornpnparaelcualF=100,R=0.1eIs=1015A.
a)SieltransistoroperaenelmodoactivodirectoconIB=10AyVCB=1V,calculeVBE,ICeIE.
b)Ahora,opereeltransistorenelmodoactivoinversoconunvoltajedepolarizacindirectaVBC
igualalvalordeVBEencontradoena)yconVEB=1V.DetermineIC,IBeIE.

60. Eltransistordelafiguratieneunade50.CalculeelvalordeRBparaquecuandoeltransistoreste
ensaturacin,lacorrientedebaseseaIB=10ICSAT

61. Considere el modelo a gran seal pnp de la Fig.1. aplicado a un transistor que tiene ls = 1013 A y
=40.Sielemisorestconectadoatierra,labaseestconectadaaunafuentedecorrientequellega
a20Adelaterminaldelabaseyelcolectorestconectadoaunatensinnegativode10Vvaun
resistorde10k,determineelvoltajedelcolector,lacorrientedelemisoryelvoltajedelabase.

Fig.1

62. UntransistorpnptieneVEB=0.8Vaunacorrientedecolectorde1A.CulesperaqueseaVEBa
ic=10mA?Aic=5A?

63. UntransistorpnpmodeladoconelcircuitodelaFig.1estconectadoconsubaseatierra,elcolector
a1.5Vyunacorrientede10mAinyectadaensuemisor.Sisedicequetiene=10,culessonsus
corrientesenlabaseyelcolector?Enqudireccinfluyen?Sils=1016A,quvoltajeresultaenel
emisor?Culserlacorrientedelcolectorsiseutilizauntransistor=1000?(Nota:elhechodeque
la corriente del colector cambie en menos de 10.%para un cambio grande de ilustra que es una
buenaformadeestablecerunacorrientedecolectorespecfica)

Fig.1

19
PROBLEMASELECTRNICA


64. Untransistordepotenciapnpoperaconunvoltajeemisorcolectorde5V,unacorrientedeemisorde
10AyVEB=0,85V.Para=15,culcorrientedebaseserequiere?Culesls,paraestetransistor?

65. EnlaconfiguracinindicadaenlaFig.aeltransistortrabajaconVCE=4V.Lascurvasdesalidapara
dichotransistorseindicanenlaFig.b
SabiendoquelascorrientesICOeIEO,tienenlosvalores2,1Ay1,5Arespectivamente;q=1,61019C
;K=1,381023J/KyquelatemperaturaT=300KCalcular:
a)ElvalordelascorrientesIE,IBeIC.
b)Losvaloresde,FyR.
c)LastensionesVBEyVBC.
d)Lazonadefuncionamientodeltransistor.

VCC =

I C (mA)
I B = 50 A
5
40 A
4
30 A

VBB

3
20 A
2

10 A

Fig a

10

VC E (V)

Fig b

66. Eltransistordelafiguratieneunade50.CalculeelvalordeRBparaquecuandoeltransistoresteen
saturacin,lacorrientedebaseseaIB=10ICSAT

67. Paraloscircuitosdelafigura,supongaquelostransistorestienenunamuygrande.Sehanrealizado
algunasmedicionesenestoscircuitosconlosresultadosindicadosenlafigura.Determinelosvaloresde
losotrosvoltajesycorrientesindicados.

20
PROBLEMASELECTRNICA

68. Lasmedicionesenloscircuitosdelafiguraproducenlosvoltajesindicados.Determineelvalorde
paracadatransistor.

200K

69. Paracadaunodeloscircuitosmostradosenlafiguradetermine:
a. Losvoltajesycorrientesdelemisor,baseycolector.Use=30,perosupongaqueVBE=0.7
Vindependientedelniveldecorriente.
b. RepitaelproblemaanteriorcontransistoresparalosqueVBE=0.7VaIC=1mA

21

PROBLEMASELECTRNICA

70. ConVBE=0.7VyVD=0.7Vindependientesdelacorriente=,determine
a)LosvoltajesVBI,VE1,VC1,VB2yVC2,primeroconRencircuitoabiertoyluegoconRconectada.

b)Repitapara=100,primeroconRencircuitoabiertoyluegoconectada.

71. ParaelcircuitodelaFig.1,encuentrelosvoltajesdenodosindicadospara:
a) =
b) =100

72. Con=100,diseeelcircuitomostradoenlafigurademodoquelascorrientesdepolarizacinenQ1,
Q2yQ3sean2mA,2mAY4mA,respectivamente,yV3=0,V5=4VyV7=2V.Paracadaresistor
seleccioneelvalorestndarmsprximoutilizandolatabladevaloresnormalespararesistoresde5%
delapndiceG.Ahora,para=100,calculelosvaloresdeV3,V4,V5,V6yV7.

22
PROBLEMASELECTRNICA

TRANSISTORESMOST
73. La tecnologa MOS se emplea para fabricar un condensador que utiliza la metalizacin de la
compuerta y el sustrato como electrodos del condensador. Encuentre el rea requerida por una
capacitanciade1pFparaunespesordexidoquevade5a40nm.Enelcasodeuncondensadorde
placacuadradade10pF,culessonlasdimensionesmximasnecesarias?

74. Con el conocimiento de que p =0.4n, cul debe ser el ancho relativo de los dispositivos MOS de
canalnycanalp,sitienencorrientesdedrenajeigualescuandooperanenelmododesaturacincon
voltajesdesobrecargadelamismamagnitud?

75. Un dispositivo MOS de enriquecimiento de canal n tiene kn= 50 A/V2, Vt = 0.8 V y W/ L = 20. El
dispositivohabrdeoperarcomointerruptorparaunVDS pequeoempleandounvoltajedecontrol
VGS en el intervalo de 0a 5 V. Encuentre la resistencia de cierre del interruptor, rDS y el voltaje de
cierre,VDSobtenidoscuandoVGS=5VeiD=1mA.Recordandoquep=0.4nculdebeserW/L
paraundispositivodecanalpqueproporcionaelmismodesempeoqueeldispositivodecanalnen
estaaplicacin?

76. ConsidereunprocesoCMOSparaelcualLmn=0.8m,tox=15nm,n=550cm2/V.syVt=0.7V.
a)EncuentreCoxykn
b) Para el transistor NMOS con W/L = 16 m/8 m, calcule los valores de Vov, VGS y VDSmn
necesariosparaoperareltransistorenlaregindesaturacinconunacorrientedede
ID=100A.
c)Paraeldispositivoenb),encuentrelosvaloresdeVovyVGS requeridosparaqueeldispositivo
operecomoresistorde1000paraunVDSmuypequeo.

77. ConsidereunMOSFETdecanalNcontox=20nm,n=650cm2/V.s,Vt=0.8VyW/L=10.Encuentrela
corrientedeldrenajeenlossiguientescasos:
a)vGS=5VyVDS=1V
b)vGS=2VyVDS=1,2V
c)vGS=5VyVDS=0,2V

78. EnelcasodeunMOSFETqueoperaenlaregindesaturacinaVGSconstante,seencuentraqueiD
esde2mAparaVDS=4Vy2,2mAparaVDS=8V.Culesvaloresder0VAy?

23
PROBLEMASELECTRNICA

79. UnMOSFETtieneVA=50V.Paralaoperacina0.1mAy1mACulessonlasresistenciasdesalida
esperadas?Encadacaso,parauncambiodeVDSde1V,Qucambiodeporcentajedecorrientede
drenajeesperara?

80. UntransistorNMOScon=0.01V1operaaunacorrientededcID=1mA.Siseduplicalalongituddel
canal,encuentrelosnuevosvaloresde,VA,IDyroparacadaunodelosdoscasossiguientes:
a)VGSyVDSsonfijos.
b)IDYVDSsonfijos

81. Todoslostransistoresdeloscircuitosmostradosenlafiguratienenlosmismosvaloresde|Vt|,k',
W/Ly.Msan,esdespreciable.TodosoperanensaturacinaID=1y|VGS|=|VDS|=3V.
EncuentrelosvoltajesV1,V2,V3YV4.Si|Vt|=1VeI=2mA,culeselvalorquedebetenerun
resistorquepuedeinsertarseenserieconcadaconexindedrenajemientrassemantieneen
saturacin?Culeselresistormsgrandequepuedecolocarseenserieconcadacompuerta?Sila
fuentedecorrienteIrequiereporlomenos2Ventresusterminalesparaoperarapropiadamente,
culeselresistormsgrandequepuedecolocarseenserieconcadafuentedeMOSFETmientrasse
aseguralaoperacinenelmododesaturacindecadatransistorenID=I?Enlaltimasituacin
lmite,culessonlosvaloresresultantesdeV1,V2,V3yV4?

82. Diseeelcircuitodelafiguraparaestablecerunacorrientededrenajede1mAyunvoltajede
drenajede0V.ElMOSFETtieneVt=1V,nCox=60A/V2,L=3myW=100m

83. LostransistoresNMOSTdelcircuitodelafiguratienenVt=1V,nCox=120A/V2,=0yL1=L2=1m
EncuentrelosvaloresrequeridosdeanchodepuertaparaqueQ1yQ2,yelvalordeRparaobtenerlos
valoresdevoltajeycorrientesindicados.

24
PROBLEMASELECTRNICA

84. Enelcircuitomostradoenlafigura,lostransistoresestncaracterizadospor:
|Vt|=2V,kW/L=1mA/V2,=0
a)EncuentrelosvoltajesrotuladosVIaV7.
b)Encadaunodeloscircuitosreemplacelafuentedecorrienteconunresistor.Seleccioneelvalordel
resistorparaqueproduzcaunacorrientelomscercanaalafuentedecorrienteempleandoresistores
especificadosenlatablade1%proporcionadaenelapndiceG.EncuentrenuevosvaloresdeVIaV7.

85. Considereelcircuitodepolarizacinmostradoenlafiguraqueempleaunafuentedealimentacinde
15V.ParaelMOSFETpor|Vt|=1,2V,kn=80A/V2,=0yW=240myL=6mHagaarreglospara
quelacorrientedeldrenajesea2mAconcasiunterciodelacorrientedelvoltajedealimentacina
travsdeRsyRD.Use22MparalamayordeRGIyRG2.CulessonlosvaloresdeRGl,RG2,RSyRDque
haelegido?Especifqueloshastadoscifrassignificativas.Parasudiseo,qutanlejosestelvoltaje
dedrenajedelextremodesaturacin?

86. ParaelcircuitodelafiguraconI=1mA,RG=0,RD=5KyVDD=10V,considereelcomportamientoen
cadaunodeloscasossiguientes.EncadaunodeellosencuentrelosvoltajesVS,VDyVDSquese
obtienen:
25
PROBLEMASELECTRNICA

a) VT=1VyknW/L=0,5mA/V2
b) VT=2VyknW/L=1,25mA/V2

87. ParaelcircuitodelafiguraRG=10M,RD=10KyVDD=10V,Paracadaunodelosdostransistores
considereelcomportamientoencadaunodeloscasossiguientes,encuentrelosvoltajesVGyVDque
seobtienen:
a) VT=1VyknW/L=0,5mA/V2
b)VT=2VyknW/L=1,25mA/V2

88. ElcircuitodelaFig.1empleadosMOSFETidnticosconK=k/2=20A/V2W/L=1VT=2V,con
lascaractersticasdesalidarepresentadasenlaFig.2

I D (A)
VGS = 6,0

VD D = 6 V.

250

5,5

200

5,0

150

4,5

+
v0

100

4,0

50

3,5
3,0

Q2

Q1
+
vi
-

300

VGS = 2 V.

6 V DS (V)

Fig 1

Fig 2

a)QutiposdeMOSFETson?.Sivi>VT,enquestadosestnQ1yQ2?
26
PROBLEMASELECTRNICA

b)Completarlatabla.

vi

v0

VDS2

ID1

ID2

2V.

3V.

3,5V.

5V.

Siseconectavidetalformaquevi=V0,determinar
c)LacorrientededrenajeenQ1.
d)Latensinv0yVDS2

89. ElcircuitodelaFig.1empleaunMosfetdedeplexinQ2yunMosfetdeacumulacinQ1conlos
siguientesparmetros:

VDD = 5 V.

K1=k/2=50A/V2VT1=1V.W1/L1=1

iD2

K2=k/2=30A/V2VT2=2,5VW2/L2=1

Q2

a)ExpresarlasdistintasregionesdefuncionamientodelosMosfets.
iD1 +
+
vi
_

Q1

b)EstandoQ2enzonahmica,obtenerlasdistintasrelacionesf(V0,
Vi)=0,supuestoqueVivariadeformacontinua.

v0

c)EstandoQ2enzonadesaturacin,obtenerlasdistintasrelaciones
f(V0,Vi)=0.

Fig 4-14

90. Lapuertalgicadelafigura,utilizaVDD=30VyPMOSidealesdecaractersticas:
K=k/2=30A/V2VT=3V.W1/L1=3
Completarlatablasiguiente

VD D

V1

Q1

Q3
V0

Q2

V1

V2

V0

ID3

VDD

V2

Fig 1

PROBLEMASELECTRNICA

27

VDD

VDD

VDD

91. El amplificador de la figura1 tiene dos MOSFET de empobrecimiento de las mismas caractersticas:
K=k/2=0,1mA/V2;W/L=1;VT=6V.Calcularelpuntodepolarizacin:ID,VDS,VGSparacada
unodelosMosfets.VDD=20V.RS1=RS2=2,5K

92. ElCMOSdelafiguraestformadoporlacombinacindetransistoresNMOSyPMOSde
acumulacin,cuyascaractersticassonlassiguientes:

VDD = 9 V.

Q2 PMOS
Carga
vi

|K|=|k/2|=0,1mA/V2W/L=1|VT|=2V.

a)Calcularlatensindesalidav0,cuandovitomalossiguientes
valores:2,3,6y7V

v0
Q1 NMOS
Excitador

b)Esposiblequeambostransistoresestnsimultneamente
enzonadenosaturacin?
c)Sisedesconectaelgeneradorviyseconectanmedianteuna
resistencialosterminalesdeentradaysalida,calcularlatensin
v0.

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PROBLEMASELECTRNICA