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Informe de Laboratorio 2: Caracterizacion del diodo

Sierra. H. Maria. C., macsierrahe@unal.edu.co, cod.25481128 . Cubides. C. Wilfred L., wlcubidesc@unal.edu.co,
cod.25441156 . Ayala. S. Carlos. E. ceayalas@unal.edu.co, cod. 25441153.

AbstractThe diode characterization is overriding for the

complete understanding and knowledge about this semiconductor
device, once the probes were made, we determined his behavior
and how it reacts to a different temperature to 25 C finally but
pretty important to have in mind about the function of a diode, his
recovery speed showing how slow reacts to the change between
cut and conduction
Resumen- Se analizaron los resultados obtenidos en el
laboratorio de Electronica Analoga I, con el fin caracterizar
los diodos semiconductores, obteniedo mediante pruebas donde
variamos la tension de alimentacion se logro tener la relacion
corriente vs voltaje para el diodo semiconductor, tambien variando
la temperatura se identifico la polarizacion en directa, llegando
a observar la velocidad de recuperacion y asi se caracterizo el diodo.
Palabras Clave Diodo 1N4004 y 1N4148, semiconductor, temperatura, tiempo de recuperacion.

I. I NTRODUCCI ON

OS diodos semiconductores son dispositivos no lineales,

pues su comportamiento es gobernado por la ecuacion de
Schottky, lo que conlleva que el circuito se vea afectado por
la temperatura, pues si aumenta la temperatura va ver mayor
energia capas de romper el enlace covalente y permite mejor
flujo de corriente, ademas se tiene que para los didos el timepo
de recuperacion da la informacion de la velocidad de respuesta
de este y se relaciona con la frecuenca a la que esta sometida y
el material del que esta echo el didodo.

VD

iD = Is e nVT
El valor de Vt podemos describirlo como:
Vt =

KT
q

siendo:
- K la constante de Boltzman que es 1.38x1023
- t temperatura absoluta en kelvin que esta dada por 273 + la
temperatura del ambiente
- q magnitud de carga electronica 1.60x1019 colomb
Este valor Vt para un valor de temperatura ambiente se toma
como 25.2mV
B. Diodo semiconductor
Es un elemento semiconductor, normalmente hecho de silicio
que consta de dos partes un P(anodo) y N(catodo), cuando se
conecta una tension positiva a N y una negativa a la parte P hay
un flujo de corriente, pues se dice que esta polarizado en directa.

II. O BJETIVOS
OBJETIVO GENERAL:
+identificar las caracteristicas basicas de los diodos semconductores incluyendo la identificacion de la curva corriente vs
voltage (i-v) tension de polarizacion directa y velocidad de
recuperacion.
OBJETIVOS ESPECIFICOS:
- Determinar experimentalmente la relacion corriente - voltage
(curva caracteristica i-v) del diodo.
- caracterizar la rension de la polarizacion directa del diodo y
otros parametros asociados a la curva caracteristica, en funcion
de la temperatura de operacion.
- visualizar y determinar los tiempos de respuesta de diferentes
tipos de diodos.

III. M ARCO T E ORICO

A. ley schttky)
Esta ley nos habla de la corriente de un diododo (iD ), la cual
esta relacionada con la corriente de entrada (Is ), la tension del
diodo (VD ), un valor n dado por el diodo constante y un valor
que depende de la temperatura:
Universidad Nacional de Colombia -Sede Bogota- Facultad de Ingeniera,
Departamento Electrica y Electronica

Figure 1: curva caracteristica

C. Resistencia dinamica
Al Hacer un zoom en el punto de polarizacion del diodo, se
puede trazar una linea recta tangente a este. si se aplica pequena
senal se tendra una variacion en el valor de la resistencia del
diodo; este valor se define asi:
d
rd = DV
DId
donde DVd es la variacion de la tension con respecto al tiempo
y DId sera la variacion de la corriente con respecto al tiempo,
como se muestra en la figura.

Figure 2: zoom en la polarizacion directa del diodo

D. Tiempo de recuperacion en inversa(trr )

Tiempo que tarda el diodo en recuperar su funcion de corte
despues de haber entrado en conduccion, es decir, en el tiempo
que tarda la senal en restificarse tras el cruce por el cero en el
flanco negativo de la senal de entrada.
Tiempo de almacenamiento(ts ) tiempo que trascurre dede el
paso por cero de la corriente hasta llegar al pico negativo.
Tiempo de caida (tf ) tiempo trascurrido dede que b corriente
emieza a tender a cero, hasta que se anula totalmente, en la
practica se suele considerar hasta el instante en que la corriente
alcanza 10 porciento IR .
Trr = TS + TF

Figure 3: tiempo de recuperacion 1N4004

Table III: Comportamiento del diodo 1N4004
F recuencia[KHz]
0.2
0.5
1
5
10
15
20
25
50
100

T.almacenamiento[uS]
4, 2
4, 16
5, 187
5, 37
5, 38
5, 3
5, 25
4, 719
4, 15
2, 045

T.caida[uS]
2, 803
2, 75
2, 12
2
1, 8
1, 3
1, 6
1, 2
0, 8
0, 5

T.recuperacion
7
6, 9
7, 3
7, 3
7, 3
7
5, 4
3, 6
2, 5
2, 1

IV. R ESULTADOS O BTENIDOS

Para la practica se realizaron mediciones de tension y corriente
en el diodo, con cambios de temperatura y tensiones de entrada
Table I: Comportamiento del diodo temperatura ambiente
F uente
1.6V
4v
7v
11v
14v
18v
20v
22v
25v

corriente
5.61mA
21.37mA
40.82mA
67mA
86.9mA
112.7mA
125.8mA
138.9mA
158.5mA

tension
0.669v
0.727v
0.755v
0.775
0.786
0.794
0.798
0.801
0.807

Table IV: Comportamiento del diodo 1N4148

F recuencia[KHz]
0.2
0.5
1
5
10
15
20
25
50
100

T.almacenamiento[uS]
6, 8
6, 4
4, 1
5, 2
4, 7
4, 2
4
4, 3
5, 3
5, 5

T.caida[uS]
7, 2
6, 8
7, 5
8
6, 2
6, 8
7
7, 6
8, 1
8, 7

T.recuperacion
13, 8
13, 6
13, 2
13
10, 9
10, 9
10, 9
10, 9
10, 9
11

V. A N ALISIS
DE RESULTADOS
Table II: Comportamiento del diodo a 50 grados celsius
F uente
1.6V
4v
7v
11v
14v
18v
20v
22v
25v

corriente
6.81mA
21.3mA
41.42mA
67.2mA
86.6mA
112.5mA
125.9mA
139.2mA
158.8mA

tension
0.640v
0.7v
0.726v
0.749
0.759
0.767
0.771
0.776
0.781

Partiendo de graficas como la siguiente, se midio basados

en la informacion entregada por el osciloscopio, tiempos de
almacenamianto, caida y recuperacion inversa.
Como se puede notar en las tablas, los datos de tiempo no
poseen mucha precision, pues se hace dificil hacer esto mediante
medidas visuales.

A. Regresion del diodo 1N4004 a temperatura ambiente y con

cautin

Se encontro que las ecuaciones expontenciales que descruben las curvas de los diodos a temperatura ambiente
y elevada con el cautin son:
-ambiente: y =
Luego de realizar la regresion lineal, se obtuvo que para
temperatura ambiente Y = 765, 43x 511, 43
y para una temperatura de 50 Y = 1055, 9x 697, 99

-Como se muestra en la tabla aunque no es muy claro, al

aumentar la tempertatura del diodo tendremos mayor flujo de
corriente.
-El rango de frecuencia para observar el tiempo de recuperacion
de un diodo rapido como el 1N4148 debe ser bajo pues a la hora
de visualizar y es muy dificil y de manera inversa un diodo lento
como el 1N4004 debe ser grande para tener un resultado visible

Figure 4: simulation diodo 1N4148

-Dependiendo del diodo pensaremos en valores de frecuencia

adecuados para su analisis.
-Los datos del Datasheet nos da una idea de lo que podiamos
esperar pues son algo aproximados, pero existen diferencias pues
se encontraron errores a la hora de calentar el diodo.
VI. C ONCLUSIONES

Se pudo apreciar el aumento de corriente al calentar diodo.

Los diodos se caracteriza por sus leyes que las rigen como la
de Schttky que nos relaciona la temperatura con la corriente.
El tiempo de recuperacion de un diodo depende mucho
del fabricante asi que toca saber elegir dependiendo nuesta
necesidad.
La frecuencia juega un papel importante a la hora de poder
visualizar tiempos de recuperacion
VII. R EFERENCIAS

[1] del S. Sedra and K.C. Smith, capitulo 3, Circuitos microelectronicos, 4ed.Universidad de Oxford.