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Formulario de Electrnica de Potencia

Conversiones energticas
Datos tcnicos
Cada de tensin en el diodo LED: 1.2V
iLED = 15mA
_ 5 1.2
=
= 250 220
iLED
15
Corriente del transistor no muy alta:
iLED 15mA
imax de saturacin =
=
= 3
5
5
_
5
RE =
=
= 1.6 1.5K
imx_SAT 3
R Anodo =

Dispositivos de potencia
Dispositivos Electrnicos
No controlados
DIODOS
Con control de encendido
TIRISTORES
Con control total
TRANSISTORES

Magnticos
Capacitivos

Si en el pin I/O aplicamos un 1L (5V), el LED del optoacoplador enciende y el fototransistor conduce para poner
en la salida un 1L (5V). Mientras haya un 0L en la entrada,
el fototransistor permanecer abierto entre el emisor y
colector, dando como resultado un 0L (0V) en la salida.

Dispositivos Pasivos
BOBINAS
TRANSFORMADORES
CONDENSADORES

CAPACITOR

BOBINA

1

0
_ () = (1 / )

_ () = ( / )

_ () = ( / )

_ () = ( / )

[] = []

_ () = ( / )

_ () = (1 / )

() =

1
2
1
= 2
2
=

() =

_ () =

/
(
)

[/]

= 2

[] =

1
= 2
2

OPTOACOPLADORES
Transmite informacin entre circuitos conmutadores
aislados elctricamente uno del otro. Acople entre 2
sistemas mediante la trasmisin de energa, se elimina la
necesidad de una tierra comn, ambas partes acopladas
pueden tener diferente voltajes de referencia

Si aplicamos un 1L (5V), el LED del opto-acoplador enciende


y el fototransistor conduce la I a tierra; en la salida
tendremos un 0L (0V). Si apagamos el LED, el transistor no
conduce, en la salida tendremos un 1L (5V).

TIRISTORES
Semiconductores con ms de 2 uniones y ms de 3
zonas con dopados distintos
TIPOS PRINCIPALES: SCR y TRIAC
SCR
Rectificador Controlado de Silicio
Soportar las potencias ms elevadas. Soporta:
I>4000A y V>7000Volt.
Control de encendido por corriente de puerta
(pulso). No es posible apagarlo desde la puerta (s
GTO). El circuito de potencia debe bajar la corriente
andica por debajo de la de mantenimiento.
Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que
se sacrifica la velocidad para conseguir una cada en
conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se
centra en aplicaciones a frecuencia de red.
ESTRUCTURA

a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c)


Circuito Equivalente

1 = 1 + 01
2 = 2 + 02
= 1 + 2
=

2 + 01 + 02
1 (1 2 )

Disparos deseados:
* Por impulso/(I) de puerta
Disparos NO deseados:
* Por exceso de tensin A-K
* Por elevada derivada de
tensin A-K: ( /dt) mx.
* Por radiacin electromagntica

Bloqueo natural
Bloqueo forzado:
* Por fuente inversa de
tensin
* Por fuente inversa de
corriente

TRIAC

Triodo para Corriente Alterna


Combinacin de dos SCR
Estructura compleja (6 capas).
Baja velocidad y poca potencia.
Uso: como interruptor esttico.
ESTRUCTURA

Caracterstica v-i
Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica
una seal a la puerta (G).
El paso de bloqueo al de conduccin se realiza por la
aplicacin de un impulso de corriente en la puerta

Corriente de mantenimiento (IH): Es la corriente mnima de


nodo que se requiere para que el tiristor siga
mantenindose en conduccin.
Corriente de enclavamiento (IL): Es la corriente de nodo
mnima que se requiere para que el tiristor siga
mantenindose en conduccin inmediatamente despus de
que el dispositivo haya entrado en conduccin y la seal de
puerta haya desaparecido (pulso en la puerta de 10 ms).

MOSFET
CANAL N

Funcionamiento

Caracterstica esttica

Curvas de salida.

CIRCUITO

DIAGRAMAS

CANAL P

4N25/4N35

6N135

MOC3021

= /2
= 2/

= /3
= /2

= /2
= /2

= /2
= /

= /3
= /2

=
=

SERIES DE FOURIER

0
() =
+ { + }
2
=1
Coeficientes:
2
0 = ()
0
2
= ()
0
2
= ()
0

PC817

Armnicos

PC847

=2
=

ELEMENTO
THYRISTOR:
SCR
THYRISTOR:
TRIAC
TRANSISTOR
MOSFET
CANAL N
TRANSISTOR
MOSFET
CANAL P

SERIE
BT151

SMBOLO

P1
K

P2
A

P3
G

BT136

T1

T2

IRFZ44N

IRF9530

Voltaje RMS y Voltaje Medio


1
= ()2
0
1
()
0
2
2
_ =
+
=

=
=

= /2
= 0

1
()()
0

1
[][][]
[] 0

= /3
= 0

=A
= 0

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