DISPOSITIVOS DE 4 CAPAS

TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para
controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.
La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la funcin que
efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la corriente a travs de ella. As
como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en cambio
slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin.
Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms significativos: Diodo
Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled
Switch), Diac y Triac.
1 EL DIODO SHOCKLEY

El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por cuatro capas
semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor: est abierto hasta que la
tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccin. La
conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especfico (IH).

Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley

Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar una tensin positiva entre nodo y ctodo se
puede observar que la unin J1 y J3 esta polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa. En
estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra
cortado. Aumentando la tensin positiva se llega a una tensin Vb0 donde la corriente crece en forma
abrupta y la cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha conmutado
desde el estado de bloqueo a conduccin.
Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura
fsica en dos mitades (Figura 2a). La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha un PNP,
resultando el circuito mostrado en la Figura 2b.

Figura 2 : a) Estructura equivalente.

b) Modelo de conduccin.

CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy pequea
hasta que se alcance la tensin de ruptura (VRB).

Caracterstica I-V del diodo Shockley

La caracterstica corriente-tensin de un diodo pnpn se muestra en las siguientes figuras. Aparecen cinco
regiones bien diferenciadas:
Regin 0-a: el dispositivo est en su regin de alta impedancia o estado de bloqueo directo.
Comprende toda la regin 0-a hasta el punto llamado de encendido con tensin Vb0 y
corriente Is de saturacin, a partir del cual cambia de estado.

Regin a-b: el dispositivo manifiesta un comportamiento de resistencia negativa, es decir,

la corriente aumenta al disminuir la tensin.
Regin b-c: el dispositivo est en su zona de conduccin o de baja impedancia. Se define
el punto (Vh, Ih) como tensin y corriente de mantenimiento.

Regin 0-d: el dispositivo est en su estado de bloqueo inverso.

Regin d-e: el dispositivo est en su regin de ruptura.

En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensin VB0. Una
vez alcanzado este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un voltio y
la corriente que pasa es limitada, en la prctica, por los componentes externos. La conduccin continuar
hasta que de algn modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH.
La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el
propio componente (IMAX), que si se supera llevar a la destruccin del mismo. Por esta razn, ser
necesario disear el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere este valor
de corriente. Otro parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es VRB, ya que
provocara un fenmeno de avalancha similar al de un diodo convencional.
Respecto al transistor pnp con ganancia en corriente 1 se puede escribir:
IB1 = IE1 - IC1 , donde IC1 = 1IE1 + IC01
Reemplazando IC1 en IB1 se obtiene:
IB1= IE1(1-1) - IC01
Con respecto al transistor npn, de ganancia en corriente 2 se puede escribir para su corriente de
colector:
IC2 = 2IE2 + IC02 , donde IC01 e IC02 son pequeas corrientes de saturacin inversa en los respectivos
colectores cuando se esta en corte.
Obsrvese que la corriente de base del transistor pnp es suministrada por el colector del transistor npn.
Igualando IB1 a IC2, se obtiene:
IE1(1-1) - IC01 = 2IE2 + IC02 ; donde IE1 = IE2 = I
Entonces

I(1-1) - IC01 = 2I + IC02

Las ganancias en corriente aumentan con la corriente I. Para bajo nivel de corriente I ambas ganancias
1 y 2 son mucho menores que la unidad y la corriente I slo est formada por las pequeas corrientes de
prdidas IC01 e IC02. Tal y como la tensin aplicada aumenta lo har I y las ganancias 1 y 2. Habr un
momento en el cual (1 + 2) se aproxime a la unidad haciendo aumentar I bruscamente, es el momento
en que el dispositivo est en estado de conduccin.
EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE SOBRETENSION
En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensin de conduccin de 10 V. Por
tanto, si la tensin de la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est abierto, no circula corriente por
l y la lmpara estar apagada. Pero si la tensin de la fuente supera, por una falla en su funcionamiento
una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y la lmpara se enciende. Permanecer encendida (y el
diodo cerrado) aunque la tensin vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha habido una falla. La
nica forma de apagar la lmpara sera desconectar la alimentacin.

Detector de sobretensin
PRACTICA 7
Observar funcionamiento del DIAC, y tomar el voltaje de salida Vo, variando Vcc, que
corriente es necesaria para el ruptura del DIAC y cual es la corriente mnima que
permite pasar.

El DIAC entra en funcionamiento cuando (en esta practica) cuando llega a un voltaje
de ruptura VRuP=32.7V, una ves que se a roto, en la salida podemos apreciar un
voltaje de Vo=2.96V, una ves que se varia hacia menor voltaje, se puede llegar a tener
en Vo=200mV como mnimo, despus en Vo no hay voltaje presente, una ves que baja
de este voltaje.
La corriente obtenida en esta practica es en la corriente de ruptura un valor de
IROP=8.71mA, y una ves que se activo y va en descenso el voltaje, la corriente mnima
obtenida es IMIN=2.3mA