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SLABO
I.- INFORMACIN GENERAL
NOMBRE DE LA ASIGNATURA
CODIGO
CARCTER
PRE REQUISITO
CREDITOS
HORAS TEORA
HORAS PRCTICAS
HORAS LABORATORIO
CICLO ACADEMICO
DURACION
PROFESOR
: CIRCUITOS ELECTRNICOS
:CI0403
: OBLIGATORIO
:CI0301
: 04
:02 Horas/Semana :
:02 Horas/semana :
:02 Horas/semana :
:IV
: 17 semanas
: Ing. DEL AGUILA VELA, Edgar
II.- SUMILLA
Este curso es de naturaleza terica, prctica y tiene la finalidad de formar al discente en el anlisis y diseo de las configuraciones bsicas
con diodos y transistores, incidiendo en la operacin de dispositivos y polarizacin, anlisis de pequea seal y respuesta en frecuencia de
etapas de amplificacin en baja potencia. Diodos semiconductores, caractersticas de operacin, circuitos con diodos aplicaciones.
Sistemas de rectificado, filtros y reguladores. Transistor bipolar BJT, caractersticas de operacin, circuitos con transistores BJT.
Transistores de efecto de FET: caractersticas de operacin, circuitos con los FETs. Anlisis en pequea seal de amplificador de audiofrecuencia multietapa y notables. Respuesta en frecuencia de amplificadores de una ms etapas.
VI.- METODOLOGA
El curso se desarrolla bajo la estrategia de perfilamiento constante hacia el campo de la Ingeniera Elctrica, mediante la estructura de las
clases con un:
6.1.-Marco Terico.
Mtodo Predominante: Expositivo interactivo a cargo del profesor.
Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos.
6.3.-Marco Aplicativo
Mtodo Predominante: Expositivo, e interactivo a cargo del profesor.
Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos en el perfiiamiento de aplicaciones llevadas al campo
elctrico.
---------------------------------------------------------------------------------------------------Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos en el desarrollo de proyectos de investigacin con iniciativas
de solucin de I,OS problemas diarios.
Examen Parcial
Examen Final
Examen Sustitutorio
7.3.-Requisitos de Aprobacin
El alumno que acumule el 30% o ms de inasistencias tendr como calificativo NO SE PRESENTO (NSP),
La Nota del Examen Sustitutorio (ES), reemplaza a la nota ms baja obtenida en el Examen Parcial (EP) o el Examen Final (EF),
Los Proyectos de Investigacin son presentados, bajo formato sugerido por el profesor.
Las Cualidades de Trabajo del estudiante, es evaluada bajo Criterios establecidos por el profesor.
SEMANA N 02
FSICA DEL ESTADO SLIDO: ESTTICA Y ESTADO SLIDO: ELEMENTO SEMICONDUCTOR
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS-EXTRNSECOS, ENLACES,
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del estado de la tcnica del elemento semiconductor y la relacin directa que existe entre la fsica
del estado slido y la esttica.
Laboratorio:
ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN EXPERIMENTAL.
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA
---------------------------------------------------------------------------------------------------Bibliografa: {1,2,3,8,13,14}
SEMANA N 03
EL DIODO SEMICONDUCTOR y SU COMPORTAMIENTO ESTTICO: EL DIODO IDEAL Vs EL DIODO REAL. POLARIZACIN DEL DIODO.
VALORES LMITES DEL DIODO. RELACIN DE POLARIZACIN COMO FUNCIN DE LA TEMPERATURA Y EL VOLTAJE APLICADO.
CARACTERSTICAS DE TENSIN-CORRIENTE: CONDICIONES ESTTICAS DEL DIODO: RESISTENCIA ESTTICA DEL DIODO
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico del elemento base semiconductor, de sus caractersticas en
condiciones estticas.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 1 : RESPUESTA ESTTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR.
Bibliografa:{4,5,6,8,14,17,18}
SEMANA N 04
El DIODO SEMI CONDUCTOR y SU COMPORTAMIENTO DINMICO: EFECTO DE LA TEMPERATURA. RESISTENCIA DINMICA
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del elemento base semiconductor, de sus caractersticas en
condiciones dinmicas.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 2: RESPUESTA DINMICA DEL DIODO SEMI CONDUCTOR.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,17,18}
SEMANA N 05
El DIODO RECTIFICADOR: CARACTERSTICAS ELCTRICAS, MECNICAS, TRMICAS y OPERACIONALES. VERIFICACIN DE SU FUNCIN
CORRECTA. IMPORTANCIA DEL DIODO RECTIFICADOR. CURVA DE TRANSFERENCIA DEL DIODO. MTODOS DE PRUEBA DEL DIODO.
Objetivo Operacional: Interpretacin de las especificaciones tcnicas y operacionales del diodo semiconductor.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 3: INTERPRETACION DE LAS GARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO, uso del DATA SHEET.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,17,18,19}
SEMANA N 06
APLICACIN PRCTICA DEL DIODO: FUENTES DE ALIMENTACIN. NO CONMUTADAS, CONMUTADAS y MODULADAS; FILTROS y
MULTIPLICADORES DE TENSIN.
Objetivo Operacional: Aplicaciones prcticas del DIODO, considerando sus especificaciones tcnicas y operacionales.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 4: APLICACIONES FUNDAMENTALES DEL DIODO.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,17,18}
SEMANA N 07
REGULADORES DE TENSIN: POR DIODO ZENER. CURVA CARACTERSTICA. ESPECIFICACIONES DE DISEO. REGULADORES DE
CORRIENTE.
SEMANA N 08
EXAMEN PARCIAL Del CURSO
Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la primera unidad de formacin de la semana 1 a la semana 7.
Laboratorio:
EXAMEN PARCIAL DEL CURSO DE TEORA
SEMANA N 09
REGULADORES DE TENSIN: REGULADORES MONOLTICOS. CURVA CARACTERSTICA ESPECIFICACIONES DE DISEO. REGULADORES
DE CORRIENTE.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis de los reguladores de tensin y corriente, su comportamiento y uso.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 6: REGULADORES MONOLTICOS DE TENSIN Y CORRIENTE
Bibliografa:{5,6,14,15,18,19}
SEMANA N 10
COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT), RESPUESTA A FUENTES CONTINUAS: CARACTERSTICAS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA
---------------------------------------------------------------------------------------------------DEL BJT. IMPORTANCIA. CURVA DE TRANSFERENCIA. MTODO DE PRUEBAS. APUCACIN COMO SWITCH.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico del Transistor de Unin Bipolar (BJT), de sus caractersticas en
condiciones estticas, de su modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 7: COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL BJT; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
Bibliografa:{5,6,8,10,14,16,17,18,19}
SEMANA N11
COMPORTAMIENTO DINMICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): "RESPUESTA A FUENTES ALTERNAS": CARACTERSTICAS DEL
BJT. IMPORTANCIA. CURVA DE TRANSFERENCIA.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del Transistor de Unin Bipolar (BJT), de sus caractersticas en
condiciones dinmicas, de su modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 8: COMPORTAMIENTO DINMICO DEL BJT; Revisin Y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
Bibliografa:{5,6,7,10,14,16,18,19}
SEMANA N 12
COMPORTAMIENTO DINMICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): ESTABILIDAD Y PUNTO Q. PARMETROS HBRIDOS. APLICACIN
COMO AMPLIFICADOR: MODO EMISOR COMUN (E.C); MODO COLECTOR COMUN (C.C); MODO BASE COMUN (B.C}.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del Transistor de Unin Bipolar (BJT), sus caractersticas
en condiciones dinmicas y modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 9: Aplicacin del BJT como amplificadores.
Bibliografa:{5,6,7,10,14,16,18,19}
SEMANA N 13
COMPORTAMIENTO ESTATICO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: CARACTERSTICAS. IMPORTANCIA DEL FET. CURVA DE
TRANSFERENCIA. METODO DE PRUEBA.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico del Transistor de Efecto de campo (FET), sus caractersticas
y modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL FET.
Bibliografa: {5,6, 10, 13, 14,16,17,18,19}
SEMANA N 14
COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: CARACTERSTICAS. IMPORTANCIA DEL FET. CURVA DE
TRANSFERENCIA. METODO DE PRUEBA.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del Transistor de Efecto de Campo (FET), sus caractersticas
y modelamento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 11. COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL FET.
Bibliografa:{ 5,6, 10, 13, 14,16,17,18,19}
SEMANA N 15
APLICACIN PRCTICA Y VARIANTES DEL FET.
Bibliografa:{5,6,10,14,17,18,19}
SEMANA N 16
EXAMEN FINAL DEL CURSO Y SUSTENTACION DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN ASIGNADO.
Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la segunda unidad de formacin de la semana 9 a la semana 15.
Laboratorio:
ENTREGA DE NOTAS y PROMEDIO DE LABORA TORIO.
Bibliografa:{13}
SEMANA N 17
EXAMEN SUSTlTUTORIO
Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la primera y segunda unidad de formacin.
Primera Unidad de Formacin: (semana 01 a la semana 08),Segunda Unidad de Formacin: ( semana 09 a la semana 16).
---------------------------------------------------------------------------------------------------SEMANA N 01
INTRODUCCIN Y EXPLICACIN DE LOS EXPERIMENTOS A REALIZAR E IMPLEMENTAR EN EL LABORATORIO, USO DEL DATA SHEET.
SEMANA N 02
ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN EXPERIMENTAL.
SEMANA N 03
EXPERIENCIA NMERO 1: RESPUESTA ESTTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR
SEMANA N 04
EXPERIENCIA NMERO 1: RESPUESTA DINMICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR
SEMANA N 05
EXPERIENCIA NMERO 3: INTERPRETACIN DE: LAS CARACTERSTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO, uso del DATA SHEET,
SEMANA N 06
.
EXPERIENCIA NMERO 4: APLICACIONES FUNDAMENTALES DEL DIODO.
SEMANA N 07
EXPERIENCIA NMERO 5: REGULADOR DE TENSIN ZENER
SEMANA N 08
EXAMEN PARCIAL DEL CURSO DE TEORA.
SEMANA N 09
EXPERIENCIA NMERO 6: REGULADOR MONOLTICO DE TENSIN Y CORRI ENTE
SEMANA N 10
EXPERIENCIA NMERO 7:COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL BJT; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
SEMANA N 11
EXPERIENCIA NMERO 8: COMPORTAMIENTO DINMICO DEL BJT; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
SEMANA N 12
EXPERIENCIA NMERO 9: APLICACIN DEL BJT COMO AMPLlFICADORES.
SEMANA N 13
EXPERIENCIA NMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL FET.
SEMANA N 14
EXPERIENCIA NMERO 11: COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL FET.
SEMANA N 15
EXPERIENCIA NUMERO 12: APLICACIN PRACTICA Y VARIANTES DEL FET; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
SEMANA N 16
ENTREGA DE NOTAS Y PROMEDIO DE LABORATORIO, EXAMEN FINAL DEL CURSO Y SUSTENTACION DEL PROYECTO DE INVESTIGACiN
ASIGNADO.
SEMANA N 17
EXAMEN SUSTITUTORIO DEL CURSO DE TEORA.
X. BIBLIOGRAFA
1. Solid State Electronic Device. Ben G, Streemann, Cuarta Edicin, Prentice Hall.
2. Fsica de los Semiconductores, Shalimova, K, V.
3. Fundamentos de Semiconductores. Robert F, Pierret Adisson Wesley Iberoamericana, 1989.
4. Diseo Electrnico: Circuitos y Sistemas. C,J. Savant - M. Roden - G, Carperter. Edtorial Addison- Wesley
Iberoamricana,
5. Circuitos Electrnicos: Discretos e Integrados. Donald Schilling-Belove. Editorial McGraw-Hill.
6. Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Boylestad Nashelsky, Roben L Prentice Hall. 1990.
7. Circuitos de Pulsos Digitales y de Conmutacin, Tomo I, Mllman y Taub,
8. Representacin Binaria de los Dispositivos Slidos dependientes. Edgar del Aguila Vela. UNAC. Per 2001.
9. Circuitos Electrnicos. Malik, NR Prentice Hall. 1996.
10. Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos. Tomo II Donald A. Newman. Editorial. Mc, Graw Hill.1999,
11. Experimentos con Transstores y Semiconductores. Howard H. Gemsh. Editorial Limusa-Wilem S.A, Mexico,170.
12. Engineer's MiniNotebook: Basic Semiconductor Circuits. Forrest M. Mims III, Primera Edicin, 1986,
13. Gua para la Implementacin de Proyectos de Investigacin. Edgar del Aguila Vela. UNAC. Per 2010.
14. Gua para la Implementacin de Laboratorios de Circuitos Electrnicos, Edgar del Aguila Vela. UNAC. Per 2010.
15. Proyecto de Circuitos Electrnicos: Reguladores de Tensin y Comente. Ing, Roberto A, Rivero, primera Edicin, Arbo SAC,1974.
16. Anlisis de Circuitos Transistorizados, Alfred D.Gronner, Fondo Educativo Interamericano SA,1970.
17. Electrnica. Hambley Allan R.
18. Student Manual For The Art of Electronics.Thomas C.Hayes, Paul Horowits, Harvard University.
19. Dara sheet, Google = *.pdf.
XI. REFERENCIAS:
Especificaciones del Fabricante: DATA SHEET
Google = *.pdf
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA