UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA

SLABO
I.- INFORMACIN GENERAL
NOMBRE DE LA ASIGNATURA
CODIGO
CARCTER
PRE REQUISITO
CREDITOS
HORAS TEORA
HORAS PRCTICAS
HORAS LABORATORIO
CICLO ACADEMICO
DURACION
PROFESOR

: CIRCUITOS ELECTRNICOS
:CI0403
: OBLIGATORIO
:CI0301

: 04
:02 Horas/Semana :
:02 Horas/semana :
:02 Horas/semana :
:IV
: 17 semanas
: Ing. DEL AGUILA VELA, Edgar

II.- SUMILLA
Este curso es de naturaleza terica, prctica y tiene la finalidad de formar al discente en el anlisis y diseo de las configuraciones bsicas
con diodos y transistores, incidiendo en la operacin de dispositivos y polarizacin, anlisis de pequea seal y respuesta en frecuencia de
etapas de amplificacin en baja potencia. Diodos semiconductores, caractersticas de operacin, circuitos con diodos aplicaciones.
Sistemas de rectificado, filtros y reguladores. Transistor bipolar BJT, caractersticas de operacin, circuitos con transistores BJT.
Transistores de efecto de FET: caractersticas de operacin, circuitos con los FETs. Anlisis en pequea seal de amplificador de audiofrecuencia multietapa y notables. Respuesta en frecuencia de amplificadores de una ms etapas.

III.- OBJETIVOS GENERALES

La finalidad de la presente asignatura es formar al discente en el anlisis y diseo de los circuitos electrnicos semiconductores de
vanguardia.

IV. - OBJETIVOS ESPECFICOS

Al trmino de la asignatura el estudiante estar en condiciones de los conocimientos necesarios para el anlisis y diseo de los
circuitos electrnicos con semiconductores, perfilados y aplicados al campo de la Ingeniera Elctrica

V.- PORCENTAJE DE FORMACIN PROFESIONAL POR OBJETIVO Y POR COMPETENCIAS

El porcentaje en la formacin profesional del discente es 50% objetiva y 50%competente, con un buen criterio se maneja una ponderacin
equilibrada de la teora con la prctica, con el aporte del un 80% de la calificacin terica y un 20% la calificacin prctica obtenida durante
Las 17 semanas lectivas. Con ello Se fortalece cualitativamente y cuantitativamente (V.R), las acciones formativas del estudiante.

VI.- METODOLOGA
El curso se desarrolla bajo la estrategia de perfilamiento constante hacia el campo de la Ingeniera Elctrica, mediante la estructura de las
clases con un:

6.1.-Marco Terico.
Mtodo Predominante: Expositivo interactivo a cargo del profesor.
Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos.

6.2.- Marco Prctico

Mtodo Predominante: Trabajos de Aplicacin dirigidos, individual y grupal.
Tcnica Complementaria: Poner a disposicin del alumno problemas propuestos para su desarrollo.

6.3.-Marco Aplicativo
Mtodo Predominante: Expositivo, e interactivo a cargo del profesor.
Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos en el perfiiamiento de aplicaciones llevadas al campo
elctrico.

6.4.-Marco de Investigacin y Desarrollo

Mtodo Predominante: Expositivo interactivo a cargo del profesor.
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CURSO: CIRCUITOS ELECTRNICOS

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---------------------------------------------------------------------------------------------------Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos en el desarrollo de proyectos de investigacin con iniciativas
de solucin de I,OS problemas diarios.

VII.- SISTEMA DE EVALUACIN

El sistema de evaluacin de la presente asignatura incorpora los siguientes ejes
7.1.-Pruebas Orales

Intervencin durante el desarrollo del curso

Exposicin del informe de proyectos

7.2.-Pruebas Escritas

Examen Parcial

Examen Final

Examen Sustitutorio
7.3.-Requisitos de Aprobacin

El alumno que acumule el 30% o ms de inasistencias tendr como calificativo NO SE PRESENTO (NSP),

La Nota Mnima aprobatoria de la asignatura es 10,5, y la Nota Mxima es 20,

7.4.-EI Sistema de Evaluacin
La Evaluacin del rendimiento de los alumnos es objetiva, porque maneja una ponderacin equilibrada de la teora con la prctica, Se
evalan bajo el criterio de cuantificar cualitativamente y cuantitativamente (V.R) las acciones del estudiante.
NF = 80%NT + 20%NL
NT= 35%EP + 35%EF +30%PI
NL= 20%EL + 10%1 + 30%IPEL + 40%C
NF : Nota Final
NT : Nota de Teora
NL : Nota de laboratorio
EP : Examen Parcial
EF : Examen Final
ES : Examen Sustitutorio
PI : Nota de proyecto de Investigacin
EL : Examen de Laboratorio
I
: Nota de Informes de laboratorio
IPEL: Nota de Implementacin de Proyecto Experimental de Laboratorio
C
: Nota de Evaluacin Cualitativa
NOTA

La Nota Final es la sumatoria ponderada del calificativo terico y prctico.

La Nota del Examen Sustitutorio (ES), reemplaza a la nota ms baja obtenida en el Examen Parcial (EP) o el Examen Final (EF),

Los Proyectos de Investigacin son presentados, bajo formato sugerido por el profesor.

La aplicacin experimental es evaluada en el Laboratorio,

Las Cualidades de Trabajo del estudiante, es evaluada bajo Criterios establecidos por el profesor.

VIII. CONTENIDO PROGRAMTICO ANALTICO Y CALENDARIZACIN

SEMANA N 01
ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis de proyectos de investigacin en el Estado de la Tcnica y Matriz de Consistencia.
Laboratorio:
INTRODUCCIN y EXPLICACIN DE LOS EXPERIMENTOS A REALIZAR E IMPLEMENTAR EN EL LABORATORIO.
Bibliografa: {13,14}

SEMANA N 02
FSICA DEL ESTADO SLIDO: ESTTICA Y ESTADO SLIDO: ELEMENTO SEMICONDUCTOR
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS-EXTRNSECOS, ENLACES,

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del estado de la tcnica del elemento semiconductor y la relacin directa que existe entre la fsica
del estado slido y la esttica.
Laboratorio:
ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN EXPERIMENTAL.
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---------------------------------------------------------------------------------------------------Bibliografa: {1,2,3,8,13,14}

SEMANA N 03
EL DIODO SEMICONDUCTOR y SU COMPORTAMIENTO ESTTICO: EL DIODO IDEAL Vs EL DIODO REAL. POLARIZACIN DEL DIODO.
VALORES LMITES DEL DIODO. RELACIN DE POLARIZACIN COMO FUNCIN DE LA TEMPERATURA Y EL VOLTAJE APLICADO.
CARACTERSTICAS DE TENSIN-CORRIENTE: CONDICIONES ESTTICAS DEL DIODO: RESISTENCIA ESTTICA DEL DIODO

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico del elemento base semiconductor, de sus caractersticas en
condiciones estticas.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 1 : RESPUESTA ESTTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR.
Bibliografa:{4,5,6,8,14,17,18}

SEMANA N 04
El DIODO SEMI CONDUCTOR y SU COMPORTAMIENTO DINMICO: EFECTO DE LA TEMPERATURA. RESISTENCIA DINMICA

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del elemento base semiconductor, de sus caractersticas en
condiciones dinmicas.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 2: RESPUESTA DINMICA DEL DIODO SEMI CONDUCTOR.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,17,18}

SEMANA N 05
El DIODO RECTIFICADOR: CARACTERSTICAS ELCTRICAS, MECNICAS, TRMICAS y OPERACIONALES. VERIFICACIN DE SU FUNCIN
CORRECTA. IMPORTANCIA DEL DIODO RECTIFICADOR. CURVA DE TRANSFERENCIA DEL DIODO. MTODOS DE PRUEBA DEL DIODO.

Objetivo Operacional: Interpretacin de las especificaciones tcnicas y operacionales del diodo semiconductor.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 3: INTERPRETACION DE LAS GARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO, uso del DATA SHEET.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,17,18,19}

SEMANA N 06
APLICACIN PRCTICA DEL DIODO: FUENTES DE ALIMENTACIN. NO CONMUTADAS, CONMUTADAS y MODULADAS; FILTROS y
MULTIPLICADORES DE TENSIN.

Objetivo Operacional: Aplicaciones prcticas del DIODO, considerando sus especificaciones tcnicas y operacionales.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 4: APLICACIONES FUNDAMENTALES DEL DIODO.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,17,18}

SEMANA N 07
REGULADORES DE TENSIN: POR DIODO ZENER. CURVA CARACTERSTICA. ESPECIFICACIONES DE DISEO. REGULADORES DE
CORRIENTE.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis de los reguladores de tensin, su comportamiento y uso.

Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 5: REGULADORES DE TENSIN ZENER.
Bibliografa:{5,6,14,15,18,19}

SEMANA N 08
EXAMEN PARCIAL Del CURSO

Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la primera unidad de formacin de la semana 1 a la semana 7.
Laboratorio:
EXAMEN PARCIAL DEL CURSO DE TEORA

SEMANA N 09
REGULADORES DE TENSIN: REGULADORES MONOLTICOS. CURVA CARACTERSTICA ESPECIFICACIONES DE DISEO. REGULADORES
DE CORRIENTE.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis de los reguladores de tensin y corriente, su comportamiento y uso.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 6: REGULADORES MONOLTICOS DE TENSIN Y CORRIENTE

Bibliografa:{5,6,14,15,18,19}

SEMANA N 10
COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT), RESPUESTA A FUENTES CONTINUAS: CARACTERSTICAS
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CURSO: CIRCUITOS ELECTRNICOS

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---------------------------------------------------------------------------------------------------DEL BJT. IMPORTANCIA. CURVA DE TRANSFERENCIA. MTODO DE PRUEBAS. APUCACIN COMO SWITCH.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico del Transistor de Unin Bipolar (BJT), de sus caractersticas en
condiciones estticas, de su modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 7: COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL BJT; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.

Bibliografa:{5,6,8,10,14,16,17,18,19}
SEMANA N11
COMPORTAMIENTO DINMICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): "RESPUESTA A FUENTES ALTERNAS": CARACTERSTICAS DEL
BJT. IMPORTANCIA. CURVA DE TRANSFERENCIA.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del Transistor de Unin Bipolar (BJT), de sus caractersticas en
condiciones dinmicas, de su modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 8: COMPORTAMIENTO DINMICO DEL BJT; Revisin Y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
Bibliografa:{5,6,7,10,14,16,18,19}

SEMANA N 12
COMPORTAMIENTO DINMICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): ESTABILIDAD Y PUNTO Q. PARMETROS HBRIDOS. APLICACIN
COMO AMPLIFICADOR: MODO EMISOR COMUN (E.C); MODO COLECTOR COMUN (C.C); MODO BASE COMUN (B.C}.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del Transistor de Unin Bipolar (BJT), sus caractersticas
en condiciones dinmicas y modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 9: Aplicacin del BJT como amplificadores.

Bibliografa:{5,6,7,10,14,16,18,19}

SEMANA N 13
COMPORTAMIENTO ESTATICO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: CARACTERSTICAS. IMPORTANCIA DEL FET. CURVA DE
TRANSFERENCIA. METODO DE PRUEBA.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico del Transistor de Efecto de campo (FET), sus caractersticas
y modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL FET.
Bibliografa: {5,6, 10, 13, 14,16,17,18,19}

SEMANA N 14
COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: CARACTERSTICAS. IMPORTANCIA DEL FET. CURVA DE
TRANSFERENCIA. METODO DE PRUEBA.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento dinmico del Transistor de Efecto de Campo (FET), sus caractersticas
y modelamento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 11. COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL FET.
Bibliografa:{ 5,6, 10, 13, 14,16,17,18,19}

SEMANA N 15
APLICACIN PRCTICA Y VARIANTES DEL FET.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis de las variantes y aplicaciones prcticas

Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 12: APLICACIN PRCTICA Y VARIANTES DEL FET; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental

Bibliografa:{5,6,10,14,17,18,19}

SEMANA N 16
EXAMEN FINAL DEL CURSO Y SUSTENTACION DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN ASIGNADO.

Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la segunda unidad de formacin de la semana 9 a la semana 15.
Laboratorio:
ENTREGA DE NOTAS y PROMEDIO DE LABORA TORIO.

Bibliografa:{13}

SEMANA N 17
EXAMEN SUSTlTUTORIO

Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la primera y segunda unidad de formacin.
Primera Unidad de Formacin: (semana 01 a la semana 08),Segunda Unidad de Formacin: ( semana 09 a la semana 16).

IX. CONTENIDO PROGRAMATICO PROGRAMTICO ANALTICO Y CALENDARIZACIN DE

PRCTICAS DE LABORATORIOS
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CURSO: CIRCUITOS ELECTRNICOS

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---------------------------------------------------------------------------------------------------SEMANA N 01
INTRODUCCIN Y EXPLICACIN DE LOS EXPERIMENTOS A REALIZAR E IMPLEMENTAR EN EL LABORATORIO, USO DEL DATA SHEET.
SEMANA N 02
ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN EXPERIMENTAL.
SEMANA N 03
EXPERIENCIA NMERO 1: RESPUESTA ESTTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR
SEMANA N 04
EXPERIENCIA NMERO 1: RESPUESTA DINMICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR
SEMANA N 05
EXPERIENCIA NMERO 3: INTERPRETACIN DE: LAS CARACTERSTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO, uso del DATA SHEET,
SEMANA N 06
.
EXPERIENCIA NMERO 4: APLICACIONES FUNDAMENTALES DEL DIODO.
SEMANA N 07
EXPERIENCIA NMERO 5: REGULADOR DE TENSIN ZENER
SEMANA N 08
EXAMEN PARCIAL DEL CURSO DE TEORA.
SEMANA N 09
EXPERIENCIA NMERO 6: REGULADOR MONOLTICO DE TENSIN Y CORRI ENTE
SEMANA N 10
EXPERIENCIA NMERO 7:COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL BJT; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
SEMANA N 11
EXPERIENCIA NMERO 8: COMPORTAMIENTO DINMICO DEL BJT; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
SEMANA N 12
EXPERIENCIA NMERO 9: APLICACIN DEL BJT COMO AMPLlFICADORES.
SEMANA N 13
EXPERIENCIA NMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTTICO DEL FET.
SEMANA N 14
EXPERIENCIA NMERO 11: COMPORTAMIENTO DINAMICO DEL FET.
SEMANA N 15
EXPERIENCIA NUMERO 12: APLICACIN PRACTICA Y VARIANTES DEL FET; Revisin y Ensayo del Proyecto Experimental Asignado.
SEMANA N 16
ENTREGA DE NOTAS Y PROMEDIO DE LABORATORIO, EXAMEN FINAL DEL CURSO Y SUSTENTACION DEL PROYECTO DE INVESTIGACiN
ASIGNADO.
SEMANA N 17
EXAMEN SUSTITUTORIO DEL CURSO DE TEORA.

X. BIBLIOGRAFA
1. Solid State Electronic Device. Ben G, Streemann, Cuarta Edicin, Prentice Hall.
2. Fsica de los Semiconductores, Shalimova, K, V.
3. Fundamentos de Semiconductores. Robert F, Pierret Adisson Wesley Iberoamericana, 1989.
4. Diseo Electrnico: Circuitos y Sistemas. C,J. Savant - M. Roden - G, Carperter. Edtorial Addison- Wesley
Iberoamricana,
5. Circuitos Electrnicos: Discretos e Integrados. Donald Schilling-Belove. Editorial McGraw-Hill.
6. Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Boylestad Nashelsky, Roben L Prentice Hall. 1990.
7. Circuitos de Pulsos Digitales y de Conmutacin, Tomo I, Mllman y Taub,
8. Representacin Binaria de los Dispositivos Slidos dependientes. Edgar del Aguila Vela. UNAC. Per 2001.
9. Circuitos Electrnicos. Malik, NR Prentice Hall. 1996.
10. Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos. Tomo II Donald A. Newman. Editorial. Mc, Graw Hill.1999,
11. Experimentos con Transstores y Semiconductores. Howard H. Gemsh. Editorial Limusa-Wilem S.A, Mexico,170.
12. Engineer's MiniNotebook: Basic Semiconductor Circuits. Forrest M. Mims III, Primera Edicin, 1986,
13. Gua para la Implementacin de Proyectos de Investigacin. Edgar del Aguila Vela. UNAC. Per 2010.
14. Gua para la Implementacin de Laboratorios de Circuitos Electrnicos, Edgar del Aguila Vela. UNAC. Per 2010.
15. Proyecto de Circuitos Electrnicos: Reguladores de Tensin y Comente. Ing, Roberto A, Rivero, primera Edicin, Arbo SAC,1974.
16. Anlisis de Circuitos Transistorizados, Alfred D.Gronner, Fondo Educativo Interamericano SA,1970.
17. Electrnica. Hambley Allan R.
18. Student Manual For The Art of Electronics.Thomas C.Hayes, Paul Horowits, Harvard University.
19. Dara sheet, Google = *.pdf.

XI. REFERENCIAS:
Especificaciones del Fabricante: DATA SHEET
Google = *.pdf
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---------------------------------------------------------------------------------------------------*:Cdigo del Componente Electrnico

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