Base comn

Base comn.

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo
menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos
una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal,
un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada
siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida
como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Emisor comn

Emisor comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de tener resistencia de emisor, R E > 50
, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente
expresin:

; y la impedancia de salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer
una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que
la tensin de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de

base:

. Despejando

La tensin de salida, que es la de colector se calcula

como:

Como >> 1, se puede aproximar:

y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte

la parte

es constante (no depende de la seal de entrada), y

nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida

est desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada,
por

, que aproximamos
.

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms

elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Colector comn

Colector comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems,
la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente de
seal.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base
de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido
de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor

y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el

colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe
poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar[editar]

Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor elctrico y
las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el
sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como el arsnico o el fsforo;
mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o huecos) se
logran contaminando con tomos aceptadores de electrones, como elindio, el aluminio o
el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin
entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto de campo[editar]

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo
en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto
de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la
que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en
funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta

se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor[editar]
Artculo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a

la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).