ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DEL LITORAL

FACULTAD DE INGENIERIA EN ELECTRICIDAD Y COMPUTACIN

Laboratorio de Electrnica B

PRACTICA #2
RESPUESTA DE FRECUENCIA PARA LOS
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
Alumno
Adriano Castillo Feijo
Paralelo: 3
Fecha de Entrega:
3 de Junio del 2015

2014 1er TRMINO

OBJETIVOS.-

Experimento #1.- Comprender y analizar la respuesta en baja frecuencia

de un amplificador basada en transistores de efecto de campo, en donde la
ganancia disminuye dependiendo de la frecuencia de la seal que estamos
intentando amplificar, de las caractersticas del circuito amplificador y de las
caractersticas propias del FET.

Experimento #2.- Comprender y analizar la respuesta en alta frecuencia

de un amplificador multietapa basado en transistores MOSFET y FET,
donde la ganancia disminuye dependiendo de la frecuencia de la seal que
estamos intentando amplificar, de las caractersticas del circuito
amplificador y de las caractersticas propias del MOSFET.

MATERIALES.

Experimento #1:

Fuente de Voltaje DC.

FET J2SK168
Resistencias: 3.3.K, 1M, 10K, 1K.
Capacitores: 4.7u, 1u, 0.1u
Voltaje Alterno.

Experimento #2:

Fuente de Voltaje DC.

FET J2SK168
MOSFET IRF640
Resistencias: 3.3.K, 1M, 10K, 1K.

Capacitores: 4.7u, 1u, 0.1u

Voltaje Alterno.

ANLISIS TERICO Y CALCULOS TERICOS.-

SIMULACIONES.-

Experimento #1:

f=2000 Hz
4.0V

2.0V

0V

-2.0V

-4.0V
0s
V(R2:2)

0.2ms
0.4ms
V(C2:1)

0.6ms

0.8ms

1.0ms

1.2ms

1.4ms

1.6ms

1.8ms

2.0ms

2.2ms

2.4ms

Time

f=400 Hz

2.0V

1.0V

0V

-1.0V

-2.0V
0s
V(R2:2)

1ms
V(C2:1)

2ms

3ms

4ms

5ms
Time

6ms

7ms

8ms

9ms

10ms

2.6ms

Experimento #2:

f= 2000Hz
2.0V

1.0V

0V

-1.0V

-2.0V
0s
V(R13:2)

0.4ms
V(C2:1)

0.8ms

1.2ms

1.6ms

2.0ms

2.4ms

2.8ms

3.2ms

3.6ms

7ms

8ms

9ms

4.0ms

Time

f= 400 Hz
2.0V

1.0V

0V

-1.0V

-2.0V
0s
V(R13:2)

1ms
V(C2:1)

2ms

3ms

4ms

5ms
Time

6ms

10ms

CALCULO DE ERRORES.-

Experimento #1:

FLo

Terico

Experimental

%Error

540 Hz

527 Hz

2.4

Experimento #2:

FHi

Terico

Experimental

%Error

20.93

19.5

6.8

CONCLUSIONES.-

De manera experimental la respuesta de frecuencia en baja afecta de

manera directa a un amplificador segn el valor de las capacitancias que el
mismo posea, permitiendo la amplificacin de seales de cierto rango
superior y atenuando seales en baja frecuencia. Todos estos clculos se
lograron ajustando los valores de las medidas deseadas.

Para analizar tericamente la frecuencia de corteen alta no se tom en

cuenta algunas capacitancias parsitas, esto se puede deber a las
especificaciones de los transistores o para facilitar el clculo, esto hizo que
los valores tericos no sean exactos.

As tambin podemos concluir que la respuesta de atenuacin en altas

frecuencias debido a las capacitancias parsitas propias del circuito, que en
este caso pertenecen a los tiristores de efecto de campo MOSFET y FET,
sin olvidar el proceso progresivo multietapa de amplificacin.

RECOMENDACIONES. Para obtener xito en estos experimentos es recomendable ajustar de

manera correcta los valores de capacitancias para cada circuito, as
tambin es recomendable tomar los valores exactos de las frecuencias
tanto en alta como en baja ya que si tenemos estos valores lo ms
cercanos posibles a los valores tericos nuestro clculo de error ser lo
suficientemente bajo.

HOJA DE DATOS.-