Lista de Ejercicios

Circuitos Electrnicos 1
Unidad 1 Diodos
Respecto a la zona de directa del diodo, usando la ley exponencial
1.- Un diodo de silicio con n = 1.5. Encuentre el cambio de voltaje si la corriente
cambia de 0.1mA a 10mA
Resp. 172.5mV
2.- Un diodo de unin con n = 1 y tiene v = 0.7V a i = 1mA. Encuentre la cada de
voltaje para
i = 0.1mA e i = 10mA.
Resp. 0.64V, 0.76V
3.- Para el circuito de la figura.
VDD = 5V y R = 10k
Suponga que el diodo tiene una
diferencia de potencial de 0.7V
para una corriente de 1mA y que el
voltaje se incrementa en 0.1V si la
corriente aumenta en una dcada.
Halle ID y VD utilizando:
a) Iteracin
b) Modelo aproximado del diodo en DC con VD0 = 0.65V y rD = 20
c) Modelo simplificado del diodo de 0.7V
4.- En el circuito mostrado, los diodos son idnticos.
Cuando en un diodo tiene 0.7V a una corriente de 1mA, n = 1.

a) Determine VO cuando la carga RL vale 150

b) Encuentre VO sin carga
5.- Tomando en cuenta que los diodos son ideales,
calcule las corrientes I de los circuitos a) y b). (2P c/u)

6.-Disee el circuito de la figura para que

proporcione un voltaje de salida de 2.4V.
Suponga que el diodo tiene una diferencia de
potencial de 0.7V para una corriente de 1mA y
que el voltaje se incrementa en 0.1V si la
corriente aumenta en una dcada.

7.- Disee un circuito rectificador de onda con las

siguientes especificaciones de diseo:
a) Usar transformador de 220/12Vrms a una
frecuencia de 60Hz
b) Tomar en cuenta la cada de voltaje de diodo de
0.7V
c) La carga es de 100
d) El voltaje de rizado ser a lo ms 3.5V
Al final del diseo dibuje el circuito completo
8.- Disee un circuito rectificador de onda completa toma central con las
siguientes especificaciones de diseo:
a) Usar transformador de 220/24Vrms a una frecuencia de
60Hz
b) Tomar en cuenta la cada de voltaje de diodo de
0.7V
c) La carga es de 200
d) El voltaje de rizado ser a lo ms 3.5V
9.- Disee un circuito rectificador de onda completa tipo puente con las siguientes
especificaciones de diseo:
a) Usar transformador de 220/18Vrms a una frecuencia de
60Hz
b) Tomar en cuenta la cada de voltaje de diodo de
0.7V
c) La carga es de 100
d) El voltaje de rizado ser a lo ms 2.5V

10.- Para una seal vO rectificada de media onda con una amplitud pico V P y una
frecuencia f de la seal de entrada vI, halle.
a) Valor medio
b) Valor rms
11.- Para una seal vO rectificada de onda completa con una amplitud pico V P y
una frecuencia f de la seal de entrada vI, halle.
a) Valor medio
b) Valor rms

12.- Para los circuitos de la figura justifique la funcin de transferencia vO/vI

correspondiente.

13.- Para el circuito mostrado determine la funcin de transferencia vO/vI

14.-Para los circuitos que se encuentran en la figura los diodos son ideales,
encuentre los valores de voltaje y corriente indicados.

15.- En cada uno de los circuitos de diodo ideal mostrados en la figura, vI es una
onda senoidal pico de 10V, a una frecuencia de 1kHz. Dibuje la onda resultante en
vO. Cules son los valores positivos y negativos?

16.-Suponiendo que los diodos de los circuitos son ideales, encuentre los valores
de los voltajes y corrientes indicados.

17.- En el circuito mostrado, ambos diodos tienen n = 1,

pero D1 tiene diez veces el rea de unin de D 2 ver nota.
Qu valor de V se obtiene?
Para un valor de V = 50mV qu corriente I2 se necesita?
5

Nota: si D2 tiene esta

caracterstica de operacin: 1mA
a 0.7V, entonces D1 tendr 10mA
a 0.7V
18.-En el circuito mostrado en la figura, los diodos son
idnticos, conduciendo 10mA a 0.7V y 100mA a
0.8V. Encuentre el valor de R para que V sea 80mV.

19.- En el circuito que se muestra en la figura, I es

una corriente DC y vS es una seal senoidal. Los
condensadores C1 y C2 son muy grandes (); su
funcin es asegurar que el diodo est en directa
acoplar la seal al diodo en DC (segn el teorema
de la superposicin).
Utilice el modelo de pequea seal para
demostrar que la componente de AC de
vO es:

vo v s

nVT
nVT IR S

Si vs = 10mV, encuentre vO para

I = 1mA, 0.1mA y 1A. sean Rs =
2k y n = 2. A qu valor de I vO se
vuelve la mitad de vs?
20.- Se debe disear un regulador Zener en paralelo para proporcionar un voltaje
regulado de unos 10V. Se ha especificado que el Zener de 10V a 1W disponible
en el mercado es 1N4740. Tiene una cada de potencial de 10V a una corriente
de prueba de 25mA y r Z es 7. La fuente de alimentacin tiene un valor
nominal de 20V, pero puede variar en 25%. Se necesita que el regulador
proporcione una corriente de carga de 0 a 20mA. Disee para una corriente
mnima de Zener de 5mA.
a) Encuentre VZ0
b) Calcule el valor necesario de R
6

c) Cul es la variacin mxima que ocurrir en la salida para la variacin de

la entrada?
21.- El circuito de la figura, el Opamp
es ideal con niveles de
saturacin de 12V. Los diodos
tienen una cada de voltaje de
0.7V cuando conducen. Hallar
v- , vA y vO para:
a) vI = +1V
b) vI = +2V
c) vI = -1V
d) vI = -2V

22.-Grafique la curva de transferencia vO vs vI. Considere la cada de potencial de

0.7V en el diodo cuando conduce.

23.- Encuentre con claridad la funcin de

transferencia vO vs vI del circuito de la
figura para -20V <
vI
< +20V.
Suponga que los diodos se pueden
representar mediante el modelo lineal
con VD0 = 0.65V y rD = 20. El Zener
de 8.2V se mide a una corriente de
10mA y rZ = 20.

24.- Grafique la funcin de transferencia vO vs vI

del circuito mostrado sobre un intervalo de
10 de seales de entrada. Asuma que los
diodos son ideales.

Unidad 2 Mosfet
1.- Suponga que Q1 es idntico a Q2. El NMOS
tiene Vt = 0.6V, nCox = 200A/V2, L =
0.8m y W = 4m. Encuentre la corriente
y el voltaje de drenaje de Q2. Considere
que la corriente ID que circula por Q1 es
40A.

2.- Los transistores NMOS y PMOS del circuito de la

figura tienen kn(W/L)n = kp(W/L)p = 1mA/V2 y
Vtn = -Vtp = 1V. Encuentre las corrientes de
drenaje IDn e IDp y el voltaje vo para vi = 0V,
+2.5V y -2.5V.

3.-

Disee el circuito de la figura para

establecer una ID = 0.5mA y VD = 10V.
El Mosfet tiene Vt = 1V y kn(W/L) =
1mA/V2. La fuente VDD vale 15V.

4.- Considere que VDD = VSS = 10V, I = 0.5mA,

RG = 4.7M, RD = 15k, Vt = 1.5V y kn(W/L)
= 1mA/V2. Encuentre VGS, VG, VD, VS. Adems
calcule los valores de gm y ro suponiendo
que VA = 75V.

5.- Para los transistores NMOS del circuito de la figura

tienen Vt = 1V, nCox = 120A/V2, L1 = L2 =1m.
Encuentre los valores de W para Q1 y Q2, y el valor de
R para obtener los valores de voltaje y corriente
indicados.

6.

Para los transistores NMOS del circuito de la figura

tienen Vt = 1V, nCox = 120A/V2, L1 = L2 = L3 =
1m. Encuentre los valores de W para Q1, Q2 y Q3
para obtener los valores de voltaje y corriente
indicados.

7.-En los circuitos mostrados, los transistores estn caracterizados por V t = 2V y

k(W/L) = 1mA/V2.
Encuentre los voltajes marcados de V1 a V7.

10

8. En los circuitos mostrados, los transistores estn caracterizados por V t = 1V y

k(W/L) = 0.4mA/V2. Encuentre los voltajes marcados de V1 a V8.

9. Para cada uno de los circuitos

mostrados, encuentre los
voltajes de nodo indicados.
Los transistores NMOS tienen
un
Vt = 1V y kn(W/L) = 2mA/V2.

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10. Para los circuitos mostrados, nCox = 2.5pCox = 20A/V2, |Vt| =1V, L = 10m y
W = 30m (Para el circuito (c) W = 75m). Encuentre las corrientes y tensiones
indicadas.

11. Para los dispositivos de los

circuitos de la figura nCox =
50A/V2, L = 1m y
W = 10m, Vt = 1V. Encuentre V2 e
I2. Cmo cambian estos valores si
Q3 y Q4 son cambiados por otros
con W = 100m?

12. Los transistores de la figura tienen Vt

= 1V y kn = 100A/V2. Encuentre los
valores de V1, V2 y V3 para cada uno
de los siguientes casos.

a) (W/L)1 = (W/L)2 = 20
b) (W/L)1 = 1.5(W/L)2 = 20
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13.

Disee el circuito de la figura para que el

PMOS opere en saturacin con VD = 1V e ID
= 1mA bajo las siguientes condiciones:
a) |Vt| = 1V y kp(W/L) = 0.5mA/V2
b) |Vt| = 2V y kp(W/L) = 1.25mA/V2

14. En el circuito de la figura, el NMOS tiene un V t = 0.9V y VA = 50V y opera con

VD = 2V.
Determine:
a)
b)
c)
d)

gm y r o
Rin
Av (vo/vi)
Cul ser VD y la ganancia AV si I aumenta a 1mA?

15. Se muestra un amplificador de fuente comn. Si el transistor tiene V t = 1V y

kn(W/L) = 2mA/V2 :

a) Demuestre que VGS = 2V, ID = 1mA y VD = +7.5V

b) Si VA = 100V, determine gm y ro
c) Halle Rin y AV

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16. Se muestra un esquema para acoplar y amplificar un pulso de alta frecuencia.

No se dan los datos del NMOS y el circuito usa un cable coaxial de 50. El
transistor Q1 opera como fuente comn y Q 2 opera como puerta comn. Para
una operacin apropiada del sistema la R in2 debe ser 50, esto es para evitar
reflexiones de seal en alta frecuencia.
Si se sabe que el punto de polarizacin de Q 1 es igual que Q2 Cul es la
amplitud de los pulsos de corriente id1? Cul es la amplitud de los pulsos de
voltaje vd1? Cul valor de RD se necesita para proporcionar pulsos de 1V en vd2?

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Unidad 3 BJT

1. Disee el circuito de la figura de manera que I C sea 2mA y VC = 4V.

Considere = 200.

2.-

Para el circuito mostrado, el voltaje de emisor fue

medido y result igual a -0.7V. Si = 50, calcule IE,
IB, IC y VC.

3.- El circuito mostrado en la figura, la medicin

indica que VB = +1.0V y VE es +1.7V. Cules
son los parmetros y para el transistor? Qu
voltaje VC se espera en el colector?

4.- Se desea evaluar los voltajes de nodos y las

corrientes en todas las ramificaciones del
circuito de la figura. Suponga que = 100 en
ambos transistores.

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5.-

Disee el circuito para que VC sea 4V y

la IC sea 2mA. La fuente VCC es 10V y el
= 100. Use criterios de diseo.

6.- Para la configuracin de base comn.

Disee el circuito para establecer una
corriente IE de 1mA y proveer una ganancia
mxima posible para una seal en el
colector de 2V. Las fuentes son
respectivamente +10V y -5V

iC I S e
7- Si

Transis
tor

v BE
VT

, complete la tabla adjunta.

690

690

580

780

820

IC(mA)

1.000

1.000

IB(A)

50

VBE
(mV)

IE(mA)

10.10
7

1.070

0.137

120
75.00

IS

16

8. Para los circuitos de la figura, suponga un =100. Determine los valores

solicitados.

9. Determine el de cada transistor para los circuitos mostrado.

10. Para los circuitos mostrados, determine los voltajes y las corrientes de base,
emisor y colector. Suponga = 30 y que |VBE| = 0.7.

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11. Para el circuito de la figura selecciones un valor para R E de modo

que el transistor se sature con un SAT = 10. Suponga VEB = 0.7V y |
VECsat| = 0.2V

12. Para cada uno de los circuitos saturados de la figura, determine I B,

IC e IE.
Use |VBE| = 0.7V y |VCEsat| = 0.2V

13. Considere la operacin del circuito de la figura para V B

a -1V, 0V y +1V. Suponga que VBE es 0.7V para
corrientes normales y que es muy alta. Qu valores
de VE y VC resultan? Para qu valor de VB el transistor
est justo en el borde de la conduccin? Para esta
condicin: Qu valores de VE y VC corresponden? As
mismo, determine el valor de VB para el cual el
transistor opere en saturacin con una sat = 2.
14.

Para el circuito mostrado en la figura

suponga que 1y VBE = 0.5V en el borde de
conduccin. Cules son los valores de VE y VC
para VB = 0V? Para qu valor de VB el transistor
est saturado? Para este caso, qu valores de
VE y VC resultan?

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15. Para el circuito de la figura VE = 1V. Dada la suposicin que |VBE| = 0.7V.
Cules son los valores de VB, IB, IE, IC, VC, y ?

16. Para los circuitos mostrados en la figura, determine los voltajes de nodo y las
corrientes en las ramificaciones marcados. Suponga que es muy alto y |VBE|=
0.7V.

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17. Para el circuito mostrado, con |VBE| y Vdiodo = 0.7V, = , determine los
voltajes de VB1, VE1, VC1, VB2, VE2, VC2, primero con R retirado (a circuito abierto) y
con R conectada.

18. Determine los voltajes de nodos indicados para:

a) =
b) = 100

19.

Para el circuito de la figura,

encuentre VB y VE para vi = 0V,
+3V, -5V y -10V. Los BJT tienen un
valor de = 100.

20. Suponiendo que los transistores se encuentran en saturacin. Calcule los

valores de sat.

20

21. En el circuito de la figura, Si = ,

encuentre una expresin para IO en funcin
de VCC, y las resistencias. Si R1 = R2, Cmo
se modifica la expresin para IO?

22.
Para el circuito mostrado, si =
0.99 y
VBE = 0.7V, determine:
a)
b)
c)
d)
e)

El punto Q
gm y ro, si VA = 100V
Rin y Rout
AV y A i
La ganancia global vo/vsig

23. El amplificador de emisor comn. La fuente

VCC = 12V,
= 100, VA = 100V, VBE = 0.7. Disee el
circuito para que el punto Q sea: IC = 2mA y
VCE = 4V y la ganancia AV sea
-8V/V.

21

24. El circuito mostrado, es un amplificador de dos etapas de emisor comn. V CC =

15V, la primera etapa tiene los siguientes componentes: R 1 = 100k, R2 =
100k, RE = 3.9k, RC = 6.8k y = 100. Determine el punto Q de la primera
etapa. Disee la segunda etapa para que IC2 = 1mA y VCE2 = 7V. Si RL = 1k,
evale la ganancia de voltaje vo/vb1.

25. En el circuito de la figura vseal es una onda senoidal de

amplitud pequea, Determine la Rin y la ganancia vo/vseal.
Suponga que = 100. Si vbe se limita a 5mV Cunto valdr el
nivel de vseal y vo?

22