AO DE LA PROMOCIN DE LA INDUSTRIA RESPONSABLE Y DEL

COMPROMISO CLIMTICO

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS

DISEO Y ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR MONO-ETAPA

Profesor: Capcha Buiza Pedro.

Seccin: A
Integrantes:
Chavez Chavez, Jhonatan

20131044f

Gonzales Mera Jos Alfredo Junior

20131227C

Mondragn Silva Sergio Alexander

201322597l

Santos Carrin Ronald Fernando

20131034k

Vargas Pea Luis

20131006g
Lima 11 de Septiembre de 2015

INTRODUCCIN
En el presente informe haremos un estudio de los transistores BJT como
amplificadores usando tres tipos de circuitos:
-

Amplificador mono etapa.

Amplificador cascada.
Amplificador Darlington.

En los tres tipos de circuitos antes mencionados observaremos la

ganancia en cada transistor y la ganancia total del circuito, adems
obtendremos los puntos de operacin de cada transistor, todos estos datos
los podremos contrastar con los datasheets y con los datos obtenidos
tericamente antes de realizar el presente informe. Todo esto nos ayudara a
familiarizarnos con el diseo y uso de los transistores BJT.

OBJETIVOS

Polarizar y construir un circuito amplificador mono etapa basado en un

transistor mono etapa.

Medir experimentalmente los parmetros de la ganancia de tensin y corriente,

impedancia de entrada y de salida que van a caracterizar la etapa justificando
las desviaciones existentes con los valores obtenidos en forma terica.

Construir un circuito amplificador mono etapa.

Implementar un circuito amplificador cascada.

Implementar un circuito amplificador Darlington.

FUNDAMENTO TEORICO
Darlington.

Una conexin de transistores en Darlington, como se muestra en el circuito

de la figura I, utiliza un par de transistores BJT con ganancias 1 y 2,
respectivamente un solo encapsulado con un beta efectivo D = 1 * 2.
Utilizar un transistor Darlington para construir un seguidor de emisor, hace
que este tenga una impedancia de entrada mayor que si se construyera con
un transistor convencional, dado que:

Zi=Rb ( dRe ) (1)

Mientras que la impedancia de salida queda dada por:

Zo=( 2)
La ganancia de voltaje (Av) queda dada por (3):
= + (3)

Av =

(3)
+

Figura I: Transistor Darlington en configuracin seguidor de emisor

Cascada. En este tipo de circuito, como se muestra en la figura II, provee

un amplificador de emisor comn (AEC) conformado por el transistor Q1,
directamente conectado a un amplificador de base comn (ABC)
conformado por Q2. La ganancia de voltaje dada por AEC es
aproximadamente 1 pero con carcter inversor: AV1=-1. Mientras que la
ganancia de voltaje dada por el ABC es: AV2= RC/re2 La ganancia de voltaje
total queda dada por (4):
= 2 (4)

Av =

Rc
Rc 2

Donde re se usa para denotar la resistencia dinmica del transistor y se

calcula como: re=26mV/IE.

Monoetapa. Se plantea ahora a estudiar la forma de disear etapas

amplificadoras con un solo BJT, y dentro de las tres configuraciones posibles
se escoge la de emisor comn por ser la etapa amplificadora con mejores
caractersticas globales: ganancia de tensin e impedancia de entrada.
La polarizacin ms adecuada de un BJT es con divisor de tensin en base y
resistencia de emisor, la resistencia de colector no es necesaria en la
configuracin de colector comn, pero si lo es en la de emisor comn.
Se analizar la configuracin de emisor comn como amplificador. Segn
muestra la figura a, en un principio se desacopla la resistencia de emisor
con un condensador tal que a las frecuencias de trabajo su impedancia sea
despreciable, y por tanto en rgimen dinmico mantiene constante la
tensin en el emisor. A la hora de hacer el anlisis en alterna, el emisor
estar conectado a tierra ya que en alterna el condensador cortocircuita a
RE. La forma de calcular el valor del condensador de desacoplo de la
resistencia de emisor, condensador de desacoplo es el nombre que se suele
utilizar para los condensadores que realizan este tipo de funcin, se
pospone para los problemas.
Los condensadores de paso Ci y Cs, se estudiarn con la respuesta en
frecuencia del amplificador.

Figura a
- Punto de funcionamiento en la configuracin de emisor comn.
La eleccin del punto de funcionamiento necesita una discusin muy
detallada, que aqu se limitar a dar los elementos ms importantes del
planteamiento bsico En primer lugar el punto de funcionamiento en
continua se define mediante la seleccin de las resistencias R1, R2, RE, RC y
VCC, aunque el valor de la fuente de alimentacin, VCC, se supone
normalmente que se parte de un valor estndar, p.e. 10 V. Si se escogen RE
y RC, se est eligiendo una recta de carga esttica determinada. En el
grfico de las curvas de salida del transistor que se est usando, 2N2222
en este caso, la recta de carga esttica ir desde el punto VCE = VCC en el
eje X, hasta el punto IC = VCC/ (RE + RC) en el eje Y, tal como muestra la
figura b. En qu punto de esta recta de carga esttica estar el punto de
funcionamiento esttico, punto Q, lo definir el valor de la corriente de base
seleccionada, lo cual se consigue, una vez elegidas RE y RC, mediante la
eleccin de R1 y R2.

Figura b
La recta de carga esttica que aparece en la figura b, correspondera a una
eleccin de VCC = 10V, RE = 1k y RC = 2k. La eleccin de RE y RC viene
condicionada por la ganancia de tensin seleccionada para el amplificador,
RE segn se ver posteriormente no tendr que ver con la ganancia de
tensin si est desacoplada. La eleccin del punto de funcionamiento sobre

la recta de carga debe hacerse de forma que ste est algo centrado en
ella. Lo de algo no es precisamente una forma de expresarse muy correcta,
cientficamente hablando, pero la razn de que no debe estar totalmente
centrado en la recta de carga esttica, se comprender cuando se
introduzca el concepto de recta de carga dinmica.

Figura c
Una vez ajustado el punto de funcionamiento se pasa a analizar el
comportamiento dinmico del circuito, es decir su comportamiento como
amplificador de seales variables que atacan su entrada, que suministra el
generador Vg con resistencia interna Rg. Se inicia el anlisis a frecuencias
medias, es decir a aquellas en que los condensadores que encuentra en
serie la seal, Ci y CS, tienen una impedancia despreciable frente a las
impedancias que tienen en serie.
Aplicando el modelo de los parmetros hbridos, figura d:

Figura d
(1)- Afn de no complicarse con procesos de clculo engorrosos y que poco
aportaran al conocimiento de estos amplificadores, no se va a plantear el
clculo explcito de cul ha de ser el punto idneo de funcionamiento del
BJT.

Donde Rb es la resistencia equivalente del paralelo de R1 y R2.

En primer lugar se ha de simplificar el circuito de la figura e ya que el
parmetro hre tiene un valor muy pequeo y por tanto se puede considerar
que su contribucin es despreciable. Igualmente dado que habitualmente la
resistencia (1/hoe) es mucho mayor que RC se la puede ignorar. Por tanto el
circuito simplificado ser el de la figura e:

Figura e

Las seales de entrada y salida sern:

La ganancia de tensin:

De la ecuacin de conduccin del diodo base-emisor:

y de la definicin del parmetro hie:

EQUIPOS Y MATERIALES
-

2 transistores 2N2222.

3 transistores BC142.

Resistencias segn los circuitos.

Capacitores segn los circuitos.

1 generador de funciones.

1 protoboard.

1 Multimetro.

1 Osciloscopio.

2 fuentes de alimentacin de 0 a 30v.

Cables macho-macho.

PROCEDIMIENTO
-

Arme los circuitos de las figuras: 1, 2 y 3.

Mida las tensiones y corrientes correspondientes de cada transistor

en cada circuito (en DC).

Mida con el osciloscopio las tensiones pico a pico, de salida de cada

transistor.
Anote todo los valores medidos.
En forma terica hallar en punto de operaciones de los circuitos

Darlington y cascada.
Para el circuito en cascada, hallar la ganancia de tensin Av.

Montaje fig 01

Montaje fig 02

DATOS Y RESULTADOS

Vpp en la salida de Q1 a 1Khz. = 660 uV

Ganancia de tensin: 66

Vpp en la salida de Q2 a 1Khz.= 50mV

83.3

Ganancia de tensin:

Vi
n
F
Vo
Av

100
uV
100
Hz

100
uV
400
Hz

100
uV
700
Hz

100
uV
1
KHz

100
uV
2
KHz

100
uV
10
KHz

100
uV
100
KHz

100
uV
1
MHz

100
uV
12
MHz

500

5300

1060
0

1455
0

2030
0

2350
0

21000

4700

390

Q1
Vce
17.69

Vbe
0.45

Ic
4.52x10
-7

Ib
3.28x10
-9

Q2
Vce
18.28

Vbe
0.59

Ic
0.114
mA

Circuito 3

TRANSISTOR

Vbe

Ib

Vce

Ic

Q1

0.65

5.7uA

2.69

0.69mA

Q2

0.64

4.7uA

9.96

0.61mA

Q3

-4.5

1.1uA

-4.9

2.8uA

Ib
4.56x10
-7

1.- Dibujar las formas de onda en la salida de Q2 y en la resistencia R5:

A continuacin se observa las grficas de las salidas de Q2 (color amarillo) y
en la resistencia R5 (color celeste)

2. Anotar el voltaje pico a pico de salida.

85mV/-85mV
3. La ganancia de voltaje es:
Av= 0.34