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CT =
A
w . A: rea de la placa, metro al cuadrado. W: separacin entre
: permitividad.
Diodo Tnel
- Un diodo de unin p-n del tipo, tiene una concentracin de impurezas de
aproximadamente 1 parte por 108.
- L anchura de la capa de desviacin, que constituye una barrera de
potencial de la unin, es del orden de una micra.
- Esta barrera de potencial restringe la influencia de portadores desde el
lado de la unin en el que constituyen portadores mayoritarios al lado en
que constituyen portadores minoritarios.
Efecto Tnel
- La anchura de la barrera de la unin vara inversamente con la raz
cuadrada de la concentracin de impureza.
g=
dI
dV
es
negativa.
Los diodos tnel tienen una caracterstica de corriente negativa entre el
pico de corriente IP y el mnimo valor IV.
IV se denomina corriente de valle.
A la tensin de valle para que la I=I o, la conductancia es de nuevo cero,
y por encima de este punto la resistencia permanece positiva.
Fotodiodo Semiconductor
- Si se ilumina una unin p-n polarizada en sentido inverso, la corriente
varia casi linealmente con el flujo luminoso.
- Este efecto se emplea en los fotodiodos semiconductores.
- Estos elementos consisten en uniones p-n encapsuladas en un plstico
transparente.
- La radiacin se proyecta sobre la unin a travs de la superficie.
- Los lados restantes del plstico se pintan de negro o quedan encerradas
en una caja metlica.
Caractersticas de tensin corriente
- Si se aplica una tensin inversa de unas pocas decimas de voltios en
exceso, se obtiene una corriente constante (independiente de la
magnitud de la polarizacin inversa).
I =I o+ I s ,
V
V T
).
I =I s+ I o 1e
Duplicadores de voltaje