Sie sind auf Seite 1von 8

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

1. IDENTIFICACION
ASIGNATURA
TECNOLOGIA

GRADO
DECIMO

PERIODO
SEGUNDO

I.H.S.
6

DOCENTE(S) DEL AREA:NILSON YEZID VERA CHALA


COMPETENCIA: USO Y APROPIACION DE LA TECNOLOGIA
NIVEL DE COMPETENCIA: INTERPRETATIVA
SABER: Transistor BJT
2. MOTIVACION AMBIENTACIN - SENSIBILIZACIN
Antes de descubrirse el transistor (1950), los circuitos electrnicos estaban constituidos a base de
vlvulas de vaco. Estas eran voluminosas, provocaban un gran consumo de energa y su vida era
corta.
El invento del primer transistor por Schockley dio paso a una nueva era.
El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector(C), base(B) y emisor(E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de corriente:
electrones y lagunas o agujeros.
3. ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE

El transistor bipolar
Distribucin de corrientes
En los esquemas siguientes se representa el reparto de corrientes para un
transistor PNP.

Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn


Espinal Tolima

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

Se ha polarizado la unin base-emisor directamente y la unin base-colector


inversamente.

Al polarizar directamente el emisor y la base, se establece una corriente que


debera cerrarse por la malla emisor-base. Sin embargo, al ser la base muy
delgada y estar el colector muy "negativo", casi toda la carga atraviesa la base
hacia el colector, siendo la corriente de colector mucho mayor que la de base
(99%), cumpliendo la ecuacin:
IE = I B + I C
Aunque la corriente de base es muy pequea, es muy importante, regulando la de
colector. La corriente de colector disminuye y aumenta con la de base y si sta se
anula, la de colector tambin se anula.
Para el caso de un transistor NPN, el razonamiento es anlogo.

Sin embargo, en este caso, se comprende mejor el reparto de corrientes si se


considera el sentido de corriente "electrnico".

Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn


Espinal Tolima

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

Parmetros del transistor.

Parmetro alfa ().

Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisor. Su valor es algo inferior a
la unidad.

Parmetro beta o ganancia de corriente ().

Es la relacin entre las corrientes de colector y de base.


La ganancia de corriente no es constante, sino que aumenta con la corriente de
colector y con la temperatura.
Al disear circuitos con transistores se incluyen sistemas que compensen o
minimicen estas variaciones.
Tensiones de ruptura.
En polarizacin inversa, las uniones no soportan cualquier tensin. Habr que
tener en cuenta:

La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (UCBO).

Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de fugas
(ICBO).

La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (VCEO).

Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn


Espinal Tolima

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

Tambin provoca una corriente de fugas (ICEO).


Caractersticas de potencia mxima
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor que depende de la
intensidad aplicada a la base.
Por efecto Joule el transistor disipa una potencia en dicha resistencia en forma de
calor.

Si se supera la potencia mxima indicada por el fabricante el transistor podra


destruirse.
La potencia mxima a que puede trabajar un transistor viene dada por la
temperatura en la unin de colector y depende de la temperatura ambiente.
Para aumentar la potencia en un transistor sin que se destruya se puede recurrir a
colocarle un disipador de calor o aleta de refrigeracin que le ayude a evacuar el
calor al ambiente.
- CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:
1.- Por la disposicin de sus capas
- Transistores PNP
- Transistores NPN
2.- Por el material semiconductor empleado
- Transistores de Silicio
- Transistores de Germanio
3.- Por la disipacin de Potencia
- Transistores de baja potencia
-Transistores de mediana potencia

Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn


Espinal Tolima

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

- Transistores de alta potencia


4.- Por la frecuencia de trabajo
- Transistores de baja frecuencia
- Transistores de alta frecuencia
B.- POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente.
Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un
transistor PNP debe ocurrir lo contrario.
C.- CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la funcin que
cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y
Americanos.
CODIFICACION EUROPEA
Primera letra
A : Germanio
B : Silicio
Segunda Letra
A : Diodo (excepto los diodos tnel)
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia
E : Diodo tnel de potencia

Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn


Espinal Tolima

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

F : Transistor de alta frecuencia


L : Transistor de alta frecuencia y potencia
P : Foto semiconductor
S : Transistor para conmutacin
U : Transistor para conmutacin y de potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener
Nmero de serie
100 999 : Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja
frecuencia.
CODIFICACION JAPONESA
Primero
0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo
1 : Diodos
2 : Transistor
Segundo
S : Semiconductor
Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C : Transistor NPN de RF
D : Transistor NPN de AF

Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn


Espinal Tolima

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

F : Tiristor tipo PNPN


G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.


CODIFICACION AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a
continuacin un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo : TI1411,
ECG128, etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

4. EVALUACION
Leyes fundamentales de la electricidad en el anlisis de circuitos de corriente continua, para la seleccin de los
componentes requeridos y el buen funcionamiento del mismo

5. ACTIVIDADES EXTRACLASE
Consultar :
Diferentes formas de identificar los terminales del transistor.
6. WEBGRAFIA y/o BIBLIOGRAFIA
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn
Espinal Tolima

GUIA DIDACTICA DE ELECTRONICA N 10

http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm
http://perso.wanadoo.es/jalons3/curso/identra.htm

Institucin Educativa Tcnica Flix Tiberio Guzmn


Espinal Tolima

Das könnte Ihnen auch gefallen