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Introduccin
Antes de descubrirse el transistor (1950), los circuitos electrnicos estaban
constituidos a base de vlvulas de vaco. Estas eran voluminosas, provocaban
un gran consumo de energa y su vida era corta.
El invento del primer transistor por Schockley dio paso a una nueva era.
2. Constitucin
El transistor bipolar est formado por tres cristales semiconductores alternando
los tipos N y P, dando lugar a dos tipos diferentes, los NPN y los PNP.
El emisor se fabrica muy dopado, mientras que la base se realiza poco dopada
y muy delgada.
Casi todos los portadores que salen del emisor atraviesan la base y llegan al
colector, siendo ste flujo de electrones regulado por la tensin aplicada a la
base.
Identificacin de terminales
Para identificar el tipo de transistor (NPN o PNP) y la disposicin de sus
terminales nos basamos en las propiedades de la unin PN de ofrecer poca
resistencia en polarizacin directa y alta en polarizacin inversa.
Es fcil identificar la base, pues deber presentar baja resistencia respecto de
los otros dos terminales.
Adems, la unin base-colector tiene menor resistencia que la unin baseemisor, lo que identifica los otros dos terminales.
Distribucin de corrientes
En los esquemas siguientes se representa el reparto de corrientes para un
transistor PNP.
4. Tensiones de ruptura.
En polarizacin inversa, las uniones no soportan cualquier tensin. Habr que
tener en cuenta:
La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (U CBO).
Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de
fugas (ICBO).
La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (V CEO).
Tambin provoca una corriente de fugas (ICEO).
5. Curvas caractersticas
Son curvas que relacionan entre s distintas magnitudes referentes al transistor,
como son:
Potencia mxima.
Por ejemplo:
Para VCE = 20 V
Por ejemplo:
VCE = 40 - 20 = 20 V
IC = 43 - 39 = 4 mA
Como ocurre con los diodos hay cierta diferencia entre los transistores de
germanio que empiezan a conducir a unos 0.2 voltios de tensin V BE y los de
silicio que lo hacen a unos 0.6 voltios. Aunque casi todos los transistores
utilizados son de silicio los de germanio an se usan en ciertas aplicaciones.
Uniendo estos dos puntos sobre las curvas del transistor obtenemos la recta de
carga del transistor.
Punto de saturacin:
Corresponde a la mayor intensidad de base posible. La intensidad de colector
es mxima.
Punto de trabajo:
Corresponde a la intensidad de base determinada por la malla de base del
transistor y es el punto de trabajo normal con la polarizacin utilizada.
Punto de corte:
Corresponde a una intensidad de base igual a cero (I B = 0). La corriente de
colector es casi nula (slo la de fugas).