Tecnologia De Materiales

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Estructura Cristalina
Imperfecciones En Solidos
Difusion En Metales
Transformacion De Fase
Diagramas De Fase
Comportamiento Mecanico De Los Metales
Metales y Aleaciones

1. Estructura Cristalina
3. Comportamiento Mecanico de Materilaes
2. Imperfaciones en Solidos

1. Estructura cristalina

1.1 Conceptos generales

1.2 Sistemas cristalinos y redes de bravais
1.3 Principales estructuras cristalinas en los materiales
1.4 ndices de Miller
1.5 Planos cristalogrficos y direcciones en las celdas cristalinas.
1.6 Clculo de la densidad volumtrica, planar y lineal
1.7 Polimorfismo o alotropa
1.8 Anlisis de las estructuras cristalinas por difraccin de rayos X

1.Estructura cristalina
1.1Conceptos generales
Los slidos se dividen en funcin de la disposicin mutua de los tomos en:
Divisin de los slidos:
Amorfos: son aquellos slidos y los tomos estn dispersos en el espacio
catica mente, sin seguir un orden. (vidrio, la resina, etc.)
Cristalinos: son aquellos slidos en los cuales los tomos (Iones, molculas),
se hallan en el espacio siguiendo un orden estrictamente definido formando
una red atmica cristalina

Todos los metales o substancias cristalinas

Ejemplos:
a) Hierro: tiene una estructura cristalina cbica centrada en el cuerpo a
temperaturas de hasta 900
b) Colomo: tiene una estructura cristalina cbica centrada en el cuerpo a
temperatura de 1400, lo mismo que el vanadio y el tungsteno
c) Estructura cristalina cbica centrada en el en las caras (CCF) O (FCC), la
encontramos en el Hierro a temperaturas de 900 a 1400 C, tambin al
cobre, el nquel, el aluminio y otros.
d) La estructura cristalina hexagonal, la tiene el magnesio, el zinc, entre
otros
e) La particularidad de disposicin de los tomos en la red determinan el
complejo de propiedades de los metales que lo diferencian de los no
metales; es decir, la conductividad trmica y elctrica, fusibilidad y
mquinabilidad.

CRISTALIZACIN DE LOS MATERIALES Y LAS

ALEACIONES
1. Cristalizacin de los materiales
Las redes cristalinas especiales se forman en el metal, al pasar este, del estado
lquido a l slido. Dicho proceso se llama cristalizacin. Las transformaciones
ligadas con la cristalizacin determinan las propiedades de los materiales
La esencia de este proceso consiste en lo siguiente:

Los tomos se mueven constantemente en el metal lquido.

El movimiento se hace ms lento a medida que disminuye la
temperatura.
Los tomos se aproximan agrupndose en cristales denominados centros
de cristalizacin.
A los centros se les asocian los cristales recin formados.
Simultneamente surgen nuevos centros.

La cristalizacin costa de dos etapas:

2. La formacin de los centros de cristalizacin

3. El crecimiento de los cristales alrededor de estos.

A tales grupos de cristales se les llama granos.

En la figura (F) se muestran los lmites de los granos de diferente tamao. Tal
tamao de los granos influye sobre las propiedades de explotacin del metal.
Un metal de grano gur eso tiene baja resistencia al choque y durante su
maquinado es dirigen tener una pequea rugosidad de la superficie. El tamao
de lograr los depende de la naturaleza del propio metal y las condiciones de su
cristalizacin.
Los procesos de cristalizacin dependen de la temperatura y del
tiempo. Que transcurre, por lo que las curvas tienen las coordenadas (t-z)

La curva 1, muestra el proceso ideal de cristalizacin de un metal, sin sobre

sobre Hans Hubert de medicina sobre enfriamiento. Hay inicio, la temperatura
desciende uniformemente, por lo que la curva va hacia abajo. La cada de la
temperatura se est al alcanzar la temperatura cesa al alcanzar la temperatura
de cristalizacin (se formaba un tramo horizontal) esto explica el hecho de que
la agrupacin de los tomos se efectan en con desprendimiento de calor. Una
vez terminada la solidificacin, la curva va de nuevo hacia abajo, puesto que la
temperatura disminuye. Prcticamente, la cristalizacin transcurre de una
manera diferente, dado que el proceso est ligado con el sobreenfriamiento, es
decir, el metal se mantiene lquido a la temperatura de solidificacin y su
cristalizacin comienza a una temperatura ms baja. La diferencia entre las
temperaturas de cristalizacin inicial y verdadera, se denomina grado de
sobreenfriamiento.
La curva 2 corresponde a la cristalizacin del metal con sobreenfriamiento.
La curva 3 es caracterstica para la solidificacin del homo metales y no tiene
una temperatura de cristalizacin bien expresada, la solidificacin su sede
paulatinamente.
El grado de sobreenfriamiento es factor importante, que determina el tamao
del grado. Si el grado de sobreenfriamiento es pequeo, el nmero de centro
tambin es pequeo, mientras que la velocidad de crecimiento de los cristales
es grande. Siendo lento el enfriamiento de los granos crecen. Si la velocidad de
enfriamiento es grande, el crecimiento de los cristales es lento, la calidad de
centros grande y los granos sern finos.
Al moldear piezas de paredes de ligadas ser formal estructuras de grano fino y
al moldear piezas de paredes gruesas, los granos eran gruesas.
Sobre el tamao de la idea no influye la alta temperatura provocando su
crecimiento.

1. Estructura cristalina.
1.2 Sistemas cristalinos y redes de bravais.
La estructura cristalina es el concepto que describe la forma de cmo se
organizan los tomos en el material.(La estructura cristalina se determina por
difraccin de rayos X.)
Cmo describir la estructura cristalina?

Consideramos a los tomos(o iones) como esfera slidas de dimetro

definido modelo atmico de esferas rgidas.(tomos de diferente
naturaleza qumica se representa por esferas de tamao diferentes).

Los tomos de un en inters y para formar el material. Se tom un

conjunto de puntos en el espacio tridimensional, denominado red
cristalina, que define la disposicin ordenada del slido cristalino.

Toda estructura cristalina puede estudiarse a partir de una porcion pequea

que contenga el proton de ordenamiento A esa pequea porcion se le llama
celda unitaria

La red constituye el edificio o

esqueleto sobre el que se
construye la estructura cristalina,
situando tomos o grupos de ellos
en los puntos del red, o cerca de
ello.

Celda unidad.
En la subdivisin de una de red que sigue conservando las caractersticas
generales de toda la red. De las mltiples celdas posibles, se escoge la mas
simple

Parmetros de red: los paramentos

de red de la celda unidad son a, b, y
c. Incluyen las dimensiones de las
aristas de la celda y los ngulos de

esta que son a, B y R. Y se mide a

temperatura ambiente (a)

1nm(nanometro) = 10-9 m =
10-7cm = 10 A (angstrom)

1 (angstrom) = 0.1 m = 1010

m = 10-8cm

Redes de bravais
Slo existen siete celdas nicas
que pueden agruparse de
manera que rellenen
completamente el espacio 3D.
llamados siete sistemas
cristalinos los cules son.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Sistema
Sistema
Sistema
Sistema
Sistema
Sistema
Sistema

cbico (simple, BCC,FCC)

de TetragonaL (simple, BCT)
ortorrmbico (siempre, BCO, centrado en la base)
rumboedrico Simple
hexagonal Simple
monoclnico Simple, Centrado en la base.
triclnico simple

Si adems consideramos como puede disponerse los tomos, considerados

como es veraz rgidas, las posibilidades seran 14 que constituyen las catorce
redes de bravs.
El sistema pblico o posee tres estructuras.

1. Estructura cbica a simple (C.S)

2. Estructura cubica centrada en el cuerpo (BCC)

3. Estructura cbica centrada en las caras (FCC)

Algunas propiedades de las celdas unitarias

1. Nmero de tomo por celda.

Es el nmero promedio de puntos de red asociados a una celda unitaria.

La estructura CS tiene un tomo por celda unitaria

La estructura BCC tiene dos tomos por celda unitaria

La estructura FCC tiene cuatro tomos por celda unitaria

1.

Estructura cristalina

1.3Principales estructuras cristalinas en los materiales

Debido a las caractersticas del enlace metlico (no direccional), las estructuras
cristalinas de los metales presentan alto grado de empaquetamiento entre los
tomos, con gran nmero de vecinos muy prximos.
En los metales, utilizamos el modelos de esferas rgidas, cada
tomo(catin) ocup una posicin en la red.

Las estructuras cristalinas de la mayora de los metales son tres:

1. Cbico un centrado en el cuerpo,(BCC-BODYCENTERED,CIBIC),CR,MO,K,V,W, aleaciones

2. Cbica centrado en las caras(FCC-FACE CENTERED CUBIC). FEY,AL,CU,NI,
PT,AU.

3. Hexagonal comparta.(hcp hexagonal close-packerd). Be,cd,mg,co,ti-,zn.

Algunas propiedades de las celda

1. En el nmero de tomo por celda

Es el nmero promedio de puntos de red asociados a una celda unitaria

-la
-la
-la
-la

estructura
estructura
estructura
estructura

CS tiene 1 tomo por celda unitaria

BCC tiene 2 tomos por celda unitaria
FCC tiene 4 tomos por celda unitaria
HCP tiene 6 tomos por celda unitaria

2.Relacin entre el radio atmico y el parmetros de

red.

Estructura BCC cbica centrada en el cuerpo

Estructura FCC cbica centrada en las caras.

Estructura HCP hexagonal compacta

Cantidad de tomo por celda unitaria

Las perdices de las celdas se identifican con facilidad as como las posiciones,
sentadas en el cuerpo(centro de la celda) y centrada en las caras(el centros de

los seis lados de la celda). Un punto de red en un vrtice de una celda unitaria
est compartido con siete celdas unitarias adyacentes y en consecuencia,
compartido por un total de ocho celdas; slo un octavo de celdas-vrtice
pertenece a determinadas celda unitaria. As la cantidad de puntos de red de
todos las posiciones en vrtice de una celda unitaria es:

Ejercicio;
1.3.1 calcule la cantidad de puntos de red por celda en los sistemas
cristalinos cbicos. S solo hay un tomo en cada punto de red,
calcule la cantidad de tomos por celda.
Solucin
SC cbica a simple: los puntos de red slo est de los vrtices del
cubo.

1
8

PUNTO DE

VERTICE

VERTICE
CELDA

EJERCICIO:
1.3.1calcule la cantidad de puntosde red por celdaen los sistemas
cristalinos cbicos. Si solo hay un atomoen cadapunto de red, calcule
la cantidad de atomos por celda.

Solucin
SC cubica simple: los puntos de red solo estn en los vrtices del rbol

puntos de

celdasunitarias

= (8)

= (8 vertices)

1
8

1 puntode

8 vertices

=1

Hay un tomo por celda

BCC cbica centrada en el cuerpo: los puntos de red est de los

vrtices y en el centro del cubo.

puntosde

celdaunitaria
1
8

= (8)

1 puntode

8 vertices

= (8 vertice )

+ 1

+ 1 centro

=2

FCC cbica centrada en las caras: los puntos de red est de los
vrtices y en las caras del cubo.

puntosde

celdaunitaria

1 puntode

8 vertices

= (8 vertices)

+ (6 caras)

1
2

=(8)

1
8

+ (6)

1
2

4
4

1 + 3
= 4
Tarea: determinar el nmero de tomos de la celda hexagonal compacta.
HCP
N tomos/celdas = 2 (6)

1
6

+ (2)

1
2

+ = 6

3.Nmero de coordinacin.
Es el nmero de tomos que toca a un tomo en particular
El tomo en el centro est en el contacto con 8 tomos, por tanto, el nmero
de coordinacin es igual a 8.

FCC
Tenemos ocho tomos en cada vrtice y cuatro en las caras, por lo tanto
ocho ms cuatro igual a doce.
-el nmero de coordinacin que es 8+4=12

4. Factor de empaquetamiento atmico(FEA)

Es la fraccin de espacio de la celda unitaria que es ocupada por tomos;
suponiendo que son esferas duras que tocan a su vecino ms cercano.
FEA =

volumen de atomos en una celdaunidad

volumentotal de la celdaunidad

numero de atomos de lacelda unidad volumen de atomo

volumen de lacelda unidad

FEA =

Volumen del tomo. Ese volumen de las esferas, que la forma geomtrica de
los tomos.
V=

4
3

r3

1
6

d3

4.189 r 3

Volumen de celda, ese volumen del cubo o de la forma geomtrica que ste
representa,(trigonal, rumboedrico, hexagonal, etc.). Por lo que el volumen del
cubo es el siguiente:
V =

4
3

Sabiendo que

a=

4r
2

V=

4r
2

para FCC.

Ejercicio:
1.3.2 calcular el factor empaquetamiento de la celda FCC.
Solucin:
Primero se calcula el numero de coordinacin
-atomo que toca a un atomo en prticular = 12
Segundo, se calcula el numero de atomo por celda unitaria
(8)

(18)

+ (6)

(12 )

=4

Tercero, se calcula la FEA:

FEA=

NUMERO DE ATOMO POR CELDA UNIDAD VOLUMEN DE LOS ATOMOS

VOLUMEN DE LA CELDA
4
CELDA ) ( r )
(4 ATOMOS

3
3

FEA =

4r
2

FEA = (0.74) (100)

X 100%

74% del volumen de celda esta ocupado

Estructura cristalina
1.4 Clculo de la densidad volumtrica, planar y lineal.
-Densidad volumtrica

masa de lacelda unidad

volmen de la celdaunidad

Pv =

Pv =

n. M
Vc NA

( n atomos en la celdaunidad )( peso atomico)

volumen en lacelda unidad

9
3
Cm

n-es el nmero de tomos por celda unidad.

M-es el peso atmico
Vc-volumen de la celda unidad.
23

NA-es el nmero de abogadro (6.023x 10

atomos/mol)

Densidad planar.

Pp

Pp

( numero de atomos de lacelda intersectados ) (el area del atomo)

area seleccionada
= (atomos /

Para calcular la densidad planar usamos la siguiente conversin. S un tomo

pertenece totalmente a un rea dada, tal como la del tomo localizado en el
centro de una cara en una estructura FCC, notamos que la huella de la
interseccin del tomo sobre el plano es un circulo entonces, dentro del rea
contamos con un tomo en el centro y un cuarto de circulo en el rea.
Deberemos agregar que estos clculos de la densidad, una de las reglas
bsicas es que un plano una lnea deban pasar a travs del centro de un tomo
no se cuenta el tomo en los clculos.
Ejercicios:
1.4.1calculo de la densidad atmica planar de la familia de planos (100),(110),
(111)
Plano (100)

N atomos = 2
por lo que se aclaro en el apartado anterior, tenemos un atomo
en el centrode la cara mas( los dos medios circulares que intersectan),es decir
de los extremos de cada vrtice tenemos de circulo que si lo sumamos nos
da 4/4.

a0

4R
2

P=

2 R2
a2

P=

2r
4R
2

2 =

2 R
( 4 ) 2 R2
2

2
8

= 0.7853

P = 78.53%
Densidad lineal
Ejemplo:
BCC
numero de atomos = 1 porq son solo de angulo los que se
tocan y por lo tanto
son 4 haciendo la suma es 4/4 = 1.

a0

Pp

Pp

4R
3

1 R2
a2

1
42
B

= 0.5890

= 58.90%

Plano (110)

Pp

2 R2
4R 2
2

( )

a=

(4 R2)

Pp

Pp

= 55.53%

(42 )( 2)

= 0.5553

BCC
Numero de atomos = 2
a=

2 R
2
a 2
P

4R
3

p=

Pp

Pp

2 R
( 4) ( 2)
3

( )

= 83.30%

Plano (111)
BCC
Numero de atomos = 3 1/6 =
A=

4R
3

A=

bxh
2

b = a 2

, h=

Pp

3
2

1 /2 R
A

A=

( a 2 ) ( 3 a)
2

3a
2

( 12 ) R
( 23 )( 4R3 )
2

Pp

Pp

( 12 )
( 23 )( ( 43 ) )

Pp

= 0.3400

= 34 %

-Densidad lineal

PL

NUMERO DE DIAMETROS ATOMICOS CORTADOS

LONGITUD DE LA LINEA SELECCIONADA

PL

NUEMRO DE ATOMOS INTERSEPTADOS POR LA DIRECCION

LONGITUD DE LA DIRECCION

Ejemplo
BCC (111)

PL =

PL

Atomos en el centro+ 2.

1
2

a.3
2 3
3a

atomos
m

Ejercicio completo:
El aval tiene un radio atmico de 1.431A y una estructura cbica centrada en
las caras. Su peso atmico o 26.97. Calcular la densidad, el nmero de
coordinacin, el aluminio y su factor de empaquetamiento atmico.
Solucin:
FCC

-nmero de tomo de la celda unidad.

8.1/2 + 6.1/2 = 4 atomos por celda
-nmero de coordinacin
8 en celdas vertices y 4 en cada cara = 12

n M
Vc NA

P=

prso de atomo por celda

( N de atomos por celda )

R = 1.431 A
N=4
M = 26.97
Vc =

[ ]

P=

( 4 ) (26.97)
4(1.431)
( 6.023 X 1023 )
2

4R
3

Vc =

a3

ya =

4R
2

= 2.70g/m c

-factor de empaquetamiento atmico(FEA)

FEA =

( numeros de atomos de la celda ) (volumen de la esfera)

volumen de la celda

[ ]
[ ]

(4)
FEA =

4
R3
3
4R
2

FEA =

1.431 X 10 cm
4

1.431 x 10

[ 4 )
(4 )

FEA = 74.04 %

x 100

tener el 74% de la celda ocupada

Estructura cristalina
1.5 La novelista lograr rico y direcciones
en las celdas cristalinas.
1.6 ndices de Miller
-coordenadas de la celda unitaria.(Posiciones)
Se puede localizar puntos en una celda estableciendo un sistema de
coordenadas, con un eje de 0,0,0 que sirva de referencia y un punto cualquiera
se designa (X,Y,Z)

Una posicin determinada

en uno de determinada
estructuralmente la misma
posicin en cualquier otra
celda unidad en la misma
estructura

-direccin cristalogrfica
Es el vector que une: de una red cristalina y se representa con corchetes las
coordenadas [hkl] y sin comas.
Debe hacerse notar que est direcciones estar siempre representadas por un
conjunto de nmeros enteros, que se obtienen de una manera directa.
Cuando la direccin se mueve a lo largo de un eje negativo debe indicarse a
travs de la notacin [III] y la familia de direcciones se designa a mediante del
parntesis angulares<>, por ejemplo:
<111>=[111],[111], [111],[111], [111],[111], [111],[111]

Para identificar si una posicin es negativa, trasladamos el origen del plano al

inicio del vector, que se va analizar.
-proceso
1. Dibujar el vector y definir la cola o inici como el origen
2. Determina la longitud de unidades de las dimensiones de la celda,a,b y
c.
3. Eliminar las reacciones multiplicando por el factor ms pequeo posible.
4. Colocarlo entre corchetes

Ejemplo:
X=
(2)
2/2 = 1

Y=0
(0) (2)
0

Z=1
1(2)
0

[ 102 ]

Indice de Miller.

Para determinar los planos se utiliza los ndices de Miller, que estn definidos
por los recprocos de las intersecciones Queplano determina con los ejes x,y,z
de los prelados no paralelos de la celda unitario. Las aristas de las celdas
unitaria representa longitudes unitarias y las intersecciones de los planos de
una breve se miden en base a estar longitudes unitaria.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano de un
cristal cbico es el siguiente.

1.
2.
3.
4.

Escoger un plano que no pase por el origen

El determina las imperfecciones con los tres ejes
Obtener los recprocos de las intersecciones
Determinar el conjunto ms pequeo de enteros que estn en la misma
razn que lasImperfecciones
5. Notacin: entre parntesis y cinco ms (hkl)

Procesos: planos
1. Si el plano pasaba a travs del origen, seleccionar un plano equivalente
o mover el origen.
2. Determinar la interseccin del plano con los herejes en trminos de a,b y
c.
3. Plano // paralelo a los ejes, interceptar en 00 y se considera 1/00 =
Para obtener los ndices de Miller el (hkl) de un plano se sigue el proceso
siguiente:
-identifica las intersecciones del plano de los seres cristalogrficos
-calcular los recipros de las intersepcciones.
-elimina las reacciones si las hay.
-representar los ndices de Miller como el conjunto ms pequeo del hkl
encerrado entre parntesis(hkl).
Ejemplo:
Determinar los ndices de Miller del plano A con origen en 0a
X
Z
Intersecciones
Recproco
4/13

4/13

- 2/1

-
-

Eliminamos fracciones
4/3)3

3(4/3) = 4

Sacamos el mnimo (hkl)

Le sumamos mitad
Lo dejamos indicado entre parntesis

(-2) 3

(-

-6

-4
3

(232)

Ejemplos:

1 identificamos su posicin en X =
, Y=1 , Z=1

2 sacamos el resiproco

1
1

1
2
1
2

1
1

* no confundir

3| lo expresamos en parntesis (211)

1 identificamos su posicin en X =
, Y=, Z=
2 sacamos su resiproco

2
1

=2

2
1

=2

2
1

=2

3 lo simplificamos asu minima

exprecion

( 22 )

( 22 )

=1

( 22 )

=1

=1

4 lo expresamos en parentesis
(111)

1.7 polimorfismo y alotropa

El polimorfismo que la propiedad de un material de existir en ms de un tipo
de red espacial en estado slido. Si el cambio en la estructura que rreversible
entonces el cambio polifrmico se conoce como alotropa. Por lo -15 metales
muestran ,esta propiedad y el hierro eres el ejemplo mejor conocido. Cuando
el hierro cristalizar a 2800f diez BCC y es fe-S a 2554F la estructura cambiar
a FCC Y ES FEY y a 1670F si vuelve a transformar en BCC en fe- .

Difraccin de rayos X

2.Imperfecciones en slidos

2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8

introduccin
directos puntuales.
de efecto lineales.
significado de la dislocaciones.
ley de schmid.
en metales superficie.
defectos de volumen.
observacin microscpica.

2.5 ley de schmid

2.5.1 ensayos de traccin y de flexion (sistemas de experimentales)
2.5.2 ensayos de traccin. Diagrama de tensin de formacin.

2.Imperfecciones en los slidos

2.1Introduccin
Un ordenamiento perfecto de los tomos en los materiales cristalinos
solamente puede ocurrir a una temperatura de 0K. Tal slido ideal no
existe: todos tienen un gran nmero de defectos e imperfecciones de
ndole variada.
Muchas de las propiedades de los materiales son muy sensibles al
desvo de la perfeccin cristalina. Esta influencia no siempre es negativa,
sino que algunas caractersticas especficas se consiguen
deliberadamente introduciendo cantidades controla de defectos
particulares.
Slidos cristalinos reales siempre presentan imperfecciones con
respecto a este modelo de referencia del slido cristalino ideal.

Clasificaciones de las
impurezas. imperfecciones

-puntual: vacantes, intersticios,

-lineal: distacaciones
-superficial: superficie de cristal, junta

de grano,interfaces.
-Volumen: poros, fisuras, faces nocristalinas por

Las Imperfecciones juegan un papel fundamental enumerar las

propiedades del material, mecnicas, pticas, elctricas.
Se introducen internacionalmente para beneficiar a determinadas
propiedades, por ejemplo;
-carbono en Fe para decorar dureza.
-Cu en Ag para mejorar propiedades mecnicas.
-dopantes en semiconductores.

2.Imperfecciones de los slidos

2.2defectos puntuales.
En los materiales reales existen defectos estructurales con independencia de
las impurezas qumicas. LasImperfecciones asociadas a los puntos reticular es
cristalinos se denominan defectos puntuales.
Se presentaron dos tipo de defectos puntuales: comunes de los slidos
elementales son:
-vacante es: en la posicin no ocupa la de la red, que normalmente est
ocupada en el cristal ideal, posiblemente en un espacio desocupado.
-intersticio: hecho un tomo situado en el hueco que normalmente est
ocupado por un tomo en estructura cristalina perfecta, como un tomo
insertado en estructura perfecta del cristal.

-nmero de vacantes en equilibrio trmico se lo hace

Nv = N.e (

Qv
kt )

Donde:
N es el nmero total de posiciones reticular es del cristal ideal.
QV el energa de activacin(necesaria para la creacin de la vacante)
T temperatura absoluta(K)
K era constante BITZMANN 1.38 x

1023

J
atomo . K

8.62 X 10

Ev/atomo. k
-dependencia con la temperatura
T0
Nv - 0
-para metales, el Valor mximo de NV/N ES =10 par T= temperatura de fusin
-influencia de la densidad.
P=

Nv
N

P.

P. es la densidad sin vacantes (Nv = 0)

Ejercicio.
Calcular el nmero equilibrio de las vacancas por metro cbico de cobre a
1000C la energa para la formacin de vacancias es de 0.9ev/atomo, el pelo
atmico y la densidad(a 1000C) por el cobre desde el 63.5g/mol y 8.4 g/cm3
respectivamente.
Solucin:
Datos:
QV = 0.9 V/ atomos
AcuU 63.5 g/mol

23

N=
3

)( ) (

6.023 X 10 atomos 8.4 g

cm
10 6 3
3
mol
cm
m
63.5 g /mol

Pcu = 8.4 g/ cm

NA P
Acu

N=

)
29

N = 0.8x 10

El numero de vacancias a 1000 c (es 1273 k)

Qv

(- KT

KT= C+273

Nv = N e

= 1000 + 27.3

k = 1273

atomos
10
Nv = (8x
m3
24

26

Nv = 2.2x 10

vacantes/ m

[(
3

0.9 v
ev
8.62 x 105
(1273 k )
k

atomos/ m

-defecto frenkel. Es una imperfeccin combinada, vacancia-intersticio, ocurre

cuando un ion saltar de un punto normal dentro de la red a un sitio intersta al,
dejando entonces una vacancias.

-defecto schottky. Este es un par de vacancias a en un material con enlaces y

ionicos. Para mantener la neutralidad, deben perderse de la red, tanto catin
como un anin.

-impurezas de los slidos. Este efecto se introducen cuando un tomo el

emplazado por un tomo diferente. El tomo sustituyente puede ser ms
grande que el atomo original
Y en este caso los tomos alrededor estn la comprensin. O puede ser ms
pequeo que el tomo original y en este caso los tomos circundantes estarn
a tencin. El cerebro puede presentarse como impureza o como una adicin
deliberada en una aleacin

2.3Defectos lineales. (Dislocaciones).

Son defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a
una lnea y estn asociadas con la deformacin mecnica se crean durante la
solidificacin de los slidos cristalinos o por deformacin pltica, por
condensacin de vacantes.

2.4Significado de la dislocaciones.
Aunque los deslizamientos o desplazamientos que pueden ocurrir en
cermicas y polmeros, estos procesos son particularmente til es para
entender el comportamiento mecnico de los metales.
El el deslizamiento atmico explica porque la resistencia de los metales es
mucho ms baja que el Valor terico Pere dicho de los enlaces metlicos.
Primero cuando los deslizamientos ocurren, slo una pequea fraccin de todos
los enlaces metlicos a lo largo de la interfase necesita ser roto y la frecuencia
requerida para informar el metal es pequea.
Segundo, los deslizamientos proveer ductibilidad en los metales.(La
ductibilidad en la deformacin, que es una medida cuantitativa es del
porcentaje de alargamiento en el momento del fallo.) Si le hubieran Presidentes
la edil ocasiones, una barra de Hierro a sera para adquirir y los metales no
podan ser moldeados por varios procesos tales como el forjado.
Tercero, es posible controlar las propiedades mecnicas de un metal o
aleacin interfiriendo con el movimiento de la estilo ocasiones. Un obstculo
introducido dentro del del cristal evita que una dislocacin se deslice a menos
que se aplique una fuerza muy grande
-el posible encontrar un gran nmero de dislocaciones en los materiales.
La densidad de Las dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por
unidad de volumen, se usa generalmente para representar la cantidad de
dislocaciones presentes. Las densidades de dislocaciones de 10m.mm son
qumica de los metales ms suaves, mientras que densidades de dislocaciones
superiores a 1000km.mm se pueden conseguir de formando el material.

Dislocasion
De arista: (borde, cua, y lineal). C mi plano de tomos cuya arista(borde)
termina dentro del cristal. Su smbolo
Cua: los tomos a la do y la do del semi plano se encuentran distorsionados.
Los tomos por encima de la lnea de dilocaciones, que se encuentran
perpendicular al plano, en el punto donde termina el semi plano insertado, se
encuentra comprimidos en los que estn por debajo se encuentran apartados
La distancia de deslizamiento de los tomos en torno a una dilocaciones se
llamar dislocamiento o vector de burgers hierr perpendicular a la lnea de
dislocacin de cua.
Helicoidal: se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal
perfecto que no ha sido separado por un plano cortante. Aqu el vector de
burgus es paralelo a la lnea de dislocacin.
Mixtas: de carcter doble arista y helicoidal su vector de porgueres no es ni
paralelo o perpendicular a la lnea de dilocaciones, pero mediante una
orientacin fija en el espacio, la estructura atmica local en torno a la
dislocacin mixta es difcil de visualizar.

-Vector de burgers
Expresa la magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una
dislocacin. Es el vector necesario para cerrar una trayectoria alrededor de la
lnea de dislocasion y volver al punto inicial. Esperpntico un lado a la lnea de
dislocasion de arista y paralelo a la lnea de dislocasion helicoidal.
Ejercicio: la figura muestra un esquema de una dislocacin en xido de
magnesio(mgo), que tienen estructura cristalina del cloruro de sodio y un
parmetros de red 0.396mm. Determine el vector burgers.

En la figura iniciamos un circuito en sentido de las manecillas del reloj en tomo

la dilatacin en el punto X, movindose distancias atmicas irregulares para
terminar de ser perpendicular en el punto Y
Como B tiene direccin[110] debe ser perpendicular a los planos
longitud de B es la distancia entre los planos.(110) adyacentes.

Parmetros de red a. = distancia planar

d 110=

a.
h +k 2+l2
2

d 110

b110

h2 +k 2 +l2

= 0.280nm

{ 110 } La

d 110=

0.396 nm
(1)2+(1)2+ 0

el vector tiene una direccin

110 y una longitud

de 0.280nm

Ejercicio:

calcule se la magnitud del vector burgers para@fe- , 5 al.

Solucin: de l simplemente la distancia representacin entre los tomos al

largo de la direccin de mayor densidad atmica. Para fe- , un metal bcc la
direccin coincide con la diagonal de hubo en la celda unidad.
La distancia de repeticin es
R=

2 R fe

|b| = r = 2(0.124nm) = 0.248nm

b- = r = 2(0.143nm) = 0.286nm

2.5Ley de Schmid.
-cada sistema de deslizamiento(la dislocacin) necesita una atencin de
cortadura determinada para su activacin.
-dicha tencin crtica que es siempre la vida para una mismo material con una
misma densidad dislocaciones
-para que la dilocacion se mueva en el sistema de deslizamiento la fuerza
aplicada debe producir una fuerza constante que acte en la divisin de
deslizamiento, esta fuerza constante resulta fr.es:
Fr = Fcos

-si dividimos la ecuacin entre el rea del plano de deslizamiento

0A/cos/obtenemos la siguiente ecuacin llamada ley de schmid.
Cr = t cost cos
Donde
Cr =

Ft
A

R=

F
A.

esfuerzo cortante en direcciondel desplazamiento

esfuerzo normal odireccional aplicado al cilindro

Medial desde ecuacin es

posible reducir que la
resistencia a la deformacin
plstica de un mono cristal
depender de la orientacin
del mismo.

Ejercicio:
Decamos pedir una vara de mono cristal de aluminio puros, el cual tiene un
esfuerzo constante crtico resultante de 148psi desearamos que la barra este
orientada de tal modo que cuando se aplique un esfuerzo axial de 500psi, se
deforme por deslisamiento con respecto a su eje y actue sobre un sensor que
detecte lo sobrecarga. Disee la barra y un mtodo para poder producirla.
soluciom:

Tenemos que poner lascristale laminas cristalinas a un angulo

65.2 al momento de la fundicin

2.6 defectos de superficie

es = a

Ecxisten barios tipos de defectos de superficie.

Los defectos superficiales son los limites o borde o planos quew dividen un
material en regiones cada uno de los cuales tiene la misma estructura
cristalinapero diferente orientacin.
-maclas: es un tipo es pecial de limite grano en el cual los atomos en de un
lado del limite, estn localizados en una posicin que es la imagen especular
delos atomos del otro lado. Esta discontinuidad en la estructura, altamente
simtrica, puede producirse por deformacin (en metales bcc y hcp) y por
recocido ( metales fcc).

Una macla separa dos secciones o regiones cristalinas que son

estructural mente imagen especular de otra

-superficie externa: las dimensiones exteriores del material representan

superficies en las cuales la red termina abruptamente. Los atomos de la
superficie no estn en la sados al numero mximo de vecinos que deverian
tener ypor lo tanto los enlaces de esos atomos superficiales que no estn

satisfechos dan lugar a una energa superficial, expresada en unidades de

energa por unidad de rea (J/ m

o erg/c m

) adems la superficie del

material puede ser rugosa, puede tener o contener pequeas muestras y

puede ser mucho mas reactiva q el dems del material.
-bordes de grano: se puede definir como la superficie que separa los granos
individuales de diferentes orientaciones cristalogrficas en materiales
policristalinos.
Es el defecto mas importante que se considera dejando aparte la industria
electrnica, la mayora de materiales pora ingeniera utilizados en la practica
son poli cristalinos en lugar de estar construidos por un solo cristal la
caracterstica micro estructural predominante de muchos materiales para
ingeniera es la estructura granular.
-bode de grano de angula pequeo: (tambin llamado borde de subgrano) esta
configurado por solo unas ciantas dislocaciones de arista.
Las dislocaciones de borde de grano (GBD) grain bandarydislocation, asociadas
a granos de angulo grande suelen ser secundarias ya que poseen vectores de
burgers diferentes a los de aqueyas que se encuentran en el interior del grano
( dislocaciones primarias).
Al describir micro estructuras es bastante til tener un ndice sencillo del
tamao del grano G, definido como un parmetro o ndice de tamao de
grano
N=

61

Donde
2

N es el numero de granos que se observan en una rea de un 1i n

(=645m

) en una microfibra tomada con una amplificacin de 100

aumentos (100x).
El calculo de G indica lo siguiente:
Dentro del campo visual ecxisten granos completos y otros se allan cortasdos
por la sircunferencia.
Del rea sircular del dimetro es igual a la densidad de granos por unidad de
rea, es decir

N=

NUMERO DE GRANOS DEL CIRCULO OBSERVADO

AREA DEL CIRCULO

Dela ecuacin N =

E=

InN
2

61

+1

Ejemplo:
dentro del campo visual de una rea circular ecxisten 21granos completos i
otros 22 granos se allan cortados por la sircunferencia: ( con lo cual se obtiene
la cantidad completa de granos) calculese el numero de granos por unidad
observada.
Metros=2.25in.
21 +

22
2=32 granos

N granos completos+(numero de granos cortados por la sircunferencia)/2

N=

2.25
2

32

G=

( 8.04 ) +1
(2)

= 8.04 granos/ plg

= 4.01

El verdadero dimetro de grano promedio d, viene dado por

D=

C
c2 M

Donde
Ni es el numerode granos por unidad de rea.
M es el valor de los aumentos aque se alla tomado la micro grafia.
C es una constante mayor que 1(para micro estructuras tpicas, es adecuado
tomar un valor de C=1.5).
EJEMPLO:
Calculese la distancia de separacin entre las dislocaciones en un borde de
grano de angulo pequeo( =2) en aluminio.
Solucin:

|b|AL

Se calcula

|b|AL
D=

|b|

R AL

=2

R = 0.143nm)

= 2(0.143nm) = 0.286nm

0.286
1rad
2
57.3

D= 8.19nm
Ejemplo:
Cul seroa el ndice de tamao de grano. G, para la microestructura de la
figura, si la micrografa fuese sido tomada a 300x aumentos en lugar de 100x?
2

en un rea de 3.98i n
Solucin:
21 + 11 = 32 granos

A 100

= 3.98

100
300

( )

= 0.442

La densidad de grano es
N=

32 granos
0.442 2

= 72.4 granos/

N =

G1

InN = ( G-1) in2

G-1 =

G=

G=

(72.4)
(2)

inN
2
inN
2

+1

1 = 7.18

G = 7+

2.7 defectos de volumen.

Este tipo de defectos aparecen debido a cualquiera de las siguientes causas:
-

Control inadecuado durante la solidificacin de los metales.

Inadecuada relacin de tratamientos trmicos.
Sobresfuerzos aplicados a las piezas.
Mal diseo de piezas mecnicas.
Mala seleccin de materiales.

Rechupete; sopladuras, microgrietas.

3. Difusin en metales
3.1introduccin.
3.2Mecanismo de difusin
3.3 primera ley de Fick.
3.4Segunda ley de Fick.
3.5Difusin y el pensamiento de los metales.

3.1 introduccin (aplicacin de la difusin)

La mayor parte de los procesos y reacciones ms importantes del

tratamiento de materiales se basa en la transferencia de masa, dentro de un
determinado solido (generalmente a nivel microscpico) o bien desde un
lquido, gas o slido. Esta transferencia va acompaada inseparablemente por
la difusin, un fenmeno de transporte por movimiento atmico.
La difusin indica el flujo neto de cualquier especie, como iones, tomos,
electrones, vacancancias y molculas. El proceso de la difusin es fundamental
en una gran cantidad de tecnologas, es decir, en las tecnologas de
procesamiento de materiales, la clave es controlar la difusin de tomos, iones,
molculas y otras especies.

-Cementacin: o carburacin para el endurecimiento superficial de los aceros.

Digamos que se desea traer una superficie, como la de los dientes de un
engrane, que sean duras, sin embargo, no se desea que todos el engrane sea
duro.
Para aumentar la dureza de la superficie se usan procesos de cementacin.
En la cementacin, una fuente de carbono por ejemplo, polvo de grafito o un
gas que contenga carbono, difunde carbono en partes de acero tales como
engranes. En forma parecida a la introduccin del carbono, ms tambin se usa
un proceso llamado nitruracin. En el que se introduce nitrgeno en la

superficie de un material metlico. Tambin la difusin desempea un papel

central en el control de las transformaciones de fase necesarias para el
tratamiento trmico de metales y aleaciones, el procesamiento de cermicas y
salificacin y unin de materiales.
-Difusin de dopantes. Para dispositivos semiconductores.
Toda la industria de la microelectrnica, tal como la conocemos, no existira
sin la comprensin de la difusin de distintos tomos de cilicio u otros
semiconductores. La creacin d la unin p-n implica la difusin de tomos
dopantes (p-semiconductor dopado con elementos que aceptan electrones si
dopado con b. n- semiconductor dopado con elementos que donan o ceden
electrones. Si dopado con p) por ejemplo fosforo (P), arsnico (As), antimonio
(Sb), boro (B), aluminio(Al), etc. en ciertas regiones ultra pequeas de obleas
de cilicio. Unin p-n es una regin del semiconductor, uno de cuyos lados esta
dopado con el deportes tipo n (por ejemplo, B en Si).

-Cermicas conductoras.
En general las cermicas policristalinas tienden a ser buenas aislantes de
electricidad. Los fuertes enlaces covalentes e inicos junto con sus propiedades
micro estructurales contribuyen a la conductividad elctrica. Relativamente
pobre que tienen los cermicos. Sin embargo hay muchos cermicos que
pueden conducir electricidad y algunos son superconductores.
La difusin de iones, electrones huecos, tambin representan un papel
importante en la conductividad elctrica de muchos cermicos, conductores,
como la circonia (Zr02) parcial o totalmente estabilizado o el xido de indio y
estao (tambin conocido de ito). El oxido de cobalto y litio (LiCo02), es un
ejemplo de un material inicamente conductor que se usa en las bateras de
ion-litio. Estos materiales se usan en productos como sensores de oxgeno en
los automviles, pantallas sensibles al tacto, celdas de combustible y bateras.
La capacidad de los iones para difundir y proporcionar un trayecto par la
conduccin elctrica desempea un papel importante para las aplicaciones.

-materiales magnticos para discos duros.

Las aleaciones de cobalto se usa en la fabricacin de discos duros para
computadoras personales. Se pueden producir capas de ligadas de estas

aleaciones con proceso llamado pulverizacin catdica, en este proceso los

blancos se bombardean por haces de iones. Estos blancos se hacen con
elementos o compuestos que contengan los constituyentes necesarios con los
que se forma a las pelculas delgadas. Los tomos saltan de los blancos y se
depositan sobre un sustrato, produciendo una pelcula delgada. Con la
pulverizacin de pelculas de ligadas de aleacin de cobalto se agrega con
frecuencia Cromo para mejorar sus propiedades magnticas. Se ha encontrado
que las pelculas depositadas en tomos de Cromo (Cr) se encuentran
principalmente dentro de los granos magnticos de la aleacin de cobalto. Para
que el Cromo tenga un efecto magntico til, se necesita un tratamiento
trmico que difunda los tomos de cromo al si en los lmites de grano. De
material magntico. Esto se logra usan un tratamiento trmico de recocido que
implica calentar la pelcula depositada a una alta temperatura, durante el
tiempo razonablemente largo, para permitir la dilucin de los tomos de
Cromo, desde el interior de los granos para los lmites de grado.
-recubrimientos y pelculas de ligadas
Los descubrimientos y las pelculas de ligadas ser usados frecuentemente
en el proceso de manufactura para limitar la dilucin de vapor de agua,
oxigena a otras sustancias por ejemplo las estructuras de acero se pintan para
evitar minimizar la oxidacin. Cuando un ambiente corrosivo es ms agresivo,
se puede aplicar una capa de zinc(Zn) a las estructuras de Hierro, como H as
de un acto, estructura en definira qumica, equipos de procesamiento de
alimentos, barandales, etc., Para reducir la oxidacin del acero. El proceso de
aplicar una cubierta de zinc sumergiendo las partes en un gran variedad de
zinc fundido(temperatura de fusin

420 C) se llaman galvanizado por

inmersin en caliente.

-fabricacin de botellas de plstico

-recubrimientos de barrera trmica en alambres de turbina
-oxidacin del aluminio
-recubrimiento de madera trmica en alavs de turbina
-fibras pticas y componentes micro electrnicos
-tratamiento de aguas y aire
-arrastre y difusin

3.2

Mecanismos De La Difusion

El desorden que crean las vacacias(es decir la mayor entropia), ayuda a

minimizar la energia libre y en consecuencia la estabilidad termica de un
material critalino. En materiales que contienen vacancias, los atomos se
mueven o saltan de una posicion a otra en la red. Este proceso se llama
autodifusion y se puede detectar con trazadores radiactivos. Aunque la
autodifusion sucede en forma continua en todos los materiales en general no
es apreciable se defecto sobre el comportamiento del material .

Tambien existe la difusion de atomos de distintos elementos en los materiales

Ejemplo: una lmina de nquel ligada a una de cobre. A temperaturas altas, los
tomos de nquel se difunden a una forma gradual por el cobre y los tomos de

cobre migran al nquel. De nuevo los tomos del cobre y nikel que eran
distribuidos uniformemente, al final.
-ah los mecanismos importantes por los que se pueden difundir los tomos o
los iones.

Difusin de vacancia
Cuando los tomos en la red cristalina se trasladan por s mismos a nuevas
posiciones, es decir un tomo dejar su sitio de red y llena una vacacin
cercana.(Con lo que se crea una nueva vacancancias en la red original). Al
continu la difusin, se forma flujos de tomos y vacancancias a
contracorriente, lo que se llama difusin de vacaciones. Que aumenta con la
temperatura ayuda a determinar el grado de autor y fusin y tambin de
difusin de tomos sustitucinales.
-

dInfusin intersticial

Cuando el estructura cristalina hay un tomo un ion intersticial pequeo, se

mueve de un sitio intersticial a otro. En este mecanismo se requiere
vacancancias. En parte porque hay mucho ms sitio intersticial de vacaciones,
la difusin intersticial su sede con mayor facilidad que la difusin de vacancias
los tomos y intersticial es que son relativamente ms pequeos se pueden
definir como mayor rapidez. Se necesita suficiente energa de activacin para
permitir que el tomo ms pequeo se trasmine entre los tomos ms grandes
de la matriz.
Muchas cermicas son con enlaces y inicos se pueden considerar como como
empaquetamientos compactos de aniones con cationes en los sitios
intersticiales. En estos materiales, con frecuencia los cationes ms pequeos
se difunden con ms rapidez que los aniones ms grandes.
-

energa de activacin de la difusin.

Un tomo que se difunde debe oprimido o formas los tomos que lo rodean
en su paso para alcanzar su nuevo sitio. Para que esto suceda como se debe
suministrar energa como para forzar al tomo a su nueva posicin.
El tomo se encuentra originalmente en un lugar de baja energa y
relativamente estable. Para pasar a un nuevo lugar, el tomo debe superar la
barrera de energa; esta barrera es la energa de activacin Q

En la auto difusin, la energa de activacin es igual a la necesaria para

crear una vacancias y causar un movimiento del tomo.

3.3 Primera ley de fick (velocidad de difusion)

La velocidad con la que se difunde los tomos, iones, partculas u otras
especies en un material se puede medir con el flujo J. Lo que interesa
principalmente en la difucin de iones o atomos. El flujo J se define como la
cantidad de tomos que atraviesan un plano una haba unitaria por unidad de
tiempo. La primera ley de fick explica el flujo neto de tomos.

dc
dx

J = _D

DONDE:
J es el flujo
D el all fusibilidad o cubo el disidente de la funcin

Donde:

D = D. exp

( Q
RT )

D = C. e

Co es constante
Q energa de activacin

(ca/mol)

D es la rapidez
R es la constante de los gases
T es la constante en

dc
dx

(1.987

en el gradente dr concentracin

( cmatomos
. cm )
3

( molcal..R )

( Q
RT )

Dependiendo del uso, la constancia se puede expresar en porcentaje de

tomos (% at.) Como porcentaje empez (% en peso), porcentaje molar (%
mol) como fraccin de tomos o fraccin Mol. Las unidades de gradiente de
concentracin y el flujo tambin cambiarn en forma correspondiente.
Durante la difusin, varios factores que afectan el flujo de tomos que se
maneja difusin de iones, electrones, huecos. Etc., Las unidades de J, D y dc/dx
refleja las clases adecuadas existen considerando. El , indica que el flujo de
las especies que se difunde es de concentraciones mayores a menores.
Haciendo que el signo de dc/dx sea negativo, en consecuencia J es positivo. La
energa termina asociada a los tomos, iones, etc. Causa movimientos
aleatorios de los tomos A escala microscpica, la fuerza termodinmica
impulsora de la difusin es el gradiente de concentracin. Se produce un flujo
neto U observable dependiendo de la temperatura y gradiente de
concentracin
-gradiente de concentracion: indica la forma en que la composicin del material
vara en funcin de la distancia:
travs de la distancia. X

C . En la diferencia de concentracin a

se puede producir un gradiente de concentracin

cuando se ponen en contacto los materiales de distinta composicin cuando

est en contacto con gas un lquido con un slido, cuando es un material se
produce estructuras de desequilibrios debido al procesamiento y por muchas
otras cosas.

El flujo aquel que mide a temperatura slo el constante sin gradiente de

construccin, tambin lo es.

El grupo durante la difusin se del cine como la cantidad de tomos que

atraviesan un plano de unidad de hara por unidad de tiempo

Ejercicio:
Una forma de fabricar transistores que amplifican las seales elctricas es
difundir atomos como impureza en el material semiconductor como el
silicio(Si), suponga que una oblea de silicio tiene 0.1 cm de espesor, que
originalmente contiene un tomo de fsforo(p) por cada 10 millones de atomos
de silicio, ya que se trata de tal modo que haya 400 atomos de fsforo. Cada
10 millones de atomos de si en la superficie. Calcule el gradiente de
concentracin a) en porcentajeatomico/cmy ) en el parmetro de red de
silicio es 5.4307.

Oblea
Ax= 0.1 cm
Cs= 400 Atomos de P/ 106 Atomos de Si
Ci = 1 Atomo P/106 Atomos Si

Solucin
1 se calibran las composiciones, inicial (C ) y superficiales (Cs) en porcentaje
atomico
Ci =

de p
( 101 atomo
atomos de si )
6

x 100

( 100 x 109 )
6

= 10x 10

(10)

de % de p 0.00001

Cs =

c
x

400 atomos de p
106 atomos

x 100

(0.000010.004 )
0.1 cm

= 0.004 de p

% de p

= -0.0399

%p
cm

Solucin
Para determinar el gradiente en unidades (

atomos
cm3 . cm

) se debe calcular el

volumen de la celda
Vcelda = (5.4307 x
IA =

108 ) =

1.60 x

1022 cm 3

108 cm

El volumen ocupado por

106

atomos de si, areglados

Segunda ley de fick (perfil de composicin)

La segunda ley de fick, describe ls difucion o en estado no estacionario