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Prctica #1 Polarizacin JFet y MosFet

Paola M. Guamn, gpaola@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana, Sede Cuenca
Laboratorio Analgica II

AbstractThe present report discloses the design and calculation of the different types of polarization made with JFET and
MOSFET transistors: fixed bias, self bias, dual power, voltage
divider, gate to ground besides the MOSFET enrichment and
impoverishment.
Index TermsJFet, MosFet, polarizacin, drain, source, gate.

O BJETIVOS

Disear,

Polarizacin con fuente al Gate.

Polarizacin con resistencia de Source (Autopolarizacin).
Polarizacin con divisor de tensin.
Poarizacin con fuente doble.
Polarizacin con Gate a tierra.

Realizar

calcular y comprobar el funcionamiento de los

siguientes circuitos de polarizacin Jfet.

el circuito y la simulacin de la polarizacin de

los transistores mosfet:

incremental y
decremental.

Explique

porque se puede quemar un transistor JFet y

MosFet.

I. M ARCO T ERICO

El transistor FET es un dispositivo semiconductor

que controla un flujo de corriente mediante un
canal semiconductor, aplicando un campo elctrico
perpendicular a la trayectoria de la corriente.
Los FET ms conocidos son los JFet (Juntion Field
Effect Transistor) y los MosFet (Metal-Oxide-Semiconductor
FET)[1]
JFET: Los terminales de este transitor se llaman Drenador
(drain), Fuente (source) y la compuerta (gate). La region entre
el drenador y la fuente se llama Canal y es el camino ocligado
de los electornes, la corriente circula de drenaje a fuente. En
la figura Ise puede apreciar el esquema de un JFet.

Figure 1. Transistor JFet

Funcionamiento del JFET

Estos transistores se basan en el campo electrico para
controlar la conductividad de un canla en un material semiconductor, pueden plantearse como resistencias controladas por
diferencial de potencia.
El transistor de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a
la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador
y fuente.
Los transistores JFET son de dos tipos: canal n y canal p,
dependiendo de la tension aplicada en la compuerta se pone
al transitor en estado de conduccin o no conduccin.
Su funcionamiento se basa en las zonas que rodea a cada
zona P que se polarizan inversamente, si aumentamos la
tensin estas zonas se van agrandando lo cual hace ms dificil
la circulacion de corirente de fuente al drenaje, por esto,
el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por
corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del
canal creado entre las zonas de deplexin van al drenaje, por
lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente
ID=IS.[2]

MosFet
El MosFet es un dispositivo que tiene cuatro termiales
denominados surtidor, drenador, compuerta y sustrato, generalmente el sustrato est conectado internamente al surtidor,
existen dos tipos: el de enriquecimiento y el de empobrecimiento. En la figura I se puede observar la estructura de un
MosFet.[3]

A continuacin mostraremos el esquema del circuito de

polarizacin fija que se muestra en la figura 3:

Figure 2. MosFet
Figure 3. Polarizacin Fija

En esta prctica se realizan los diferentes tipos de polarizacin del transistor JFet para lo cual he utilizado el MPF102;
los parmetros ms importantes para el diseo y anlisis de
las polarizaciones para este transistor son la corriente IDss
y el voltaje Vp, estos valores no vienen especificados en el
transistor por lo que es necesario obtenerlos tomando varios
datos expeimentalmente y calculando sus valores mediante
el sistema de ecuaciones que se forma con la ecuacion de
Shockley, la misma que se presenta a continuacin: Ecuacin:1

ID = IDSS

V GS
VP

2
(1)

Los datos obtenidos para los transitores usados se presentan

en la tabla I junto con los valores obtenidos para los parmetros mediante el clculo con la ecuacin antes mencionada.

Analizando una malla que se crea en el circuito podemos

resolver facilmente RD y su valor de VGS.El dato que
tenemos para el diseo es la corriente de ID=8mA, y un VDS
trabajando en la mitad de VDD, con esto ncontraremos las
demas incgnitas.
B. Autopolarizacin
En la configuracion de autopolarizacin se elimina la necesidad de conectar dos fuentes de cd. El voltaje de entrada a la
compuerta ahora lo determina la del resistor. Como se puede
observar en la figura.4 . Igual como podemos ver la solucion
del circuito se hace por mallas.

Table I
VALORES DE _ID SS Y V P
Transitor
1
2

VGS
1.65V
2.5V
1V
2V

ID
2.65mA
0.32mA
3.29mA
0.39mA

IDSS
13mA

VP
-2.95V

9mA

-2.52V

Luego de haber obtenido los datos podemos realizar el

diseo de las diferentes polarizaciones.
A. Polarizacin fija o con fuente al gate
La polarizacin fija o con fuente al gate es la polarizacin
ms simple de los transistores JFet pero debio a que no tiene
resistencia al source presenta inestabilidad en el punto de
trabajo pero a su vez su calculo y diseo se lo realiza de
manera simple.
Con los datos rqueridos del laboratorio que son ID=8mA
y El VDS a la mitad del voltaje VDD aplicado con las
ecuaciones pertinentes de acuerdo a las mallas establecidas
calculamos el circuito.

Figure 4. Autopolarizacin

C. Polarizacin con divisor de tensin

LA polarizacion del JFET por divisor de tension es similar a
la estudiada en otro tipo de transistor como se puede observar
en la figura 5; pero el analaisis varia. debido a que la corirente
IG=0 en este caso para el transistor. Pero en este circuito

podemos tenr mayor estabilidad respecto de los puntos de

trabajo.

Figure 7. Polarizacin con Gate a Tierra

Figure 5. Divisor de tension

F. Mosfet Enriquecimiento
D. Polarizacin con fuente doble
En esta configuracionla la terminal de la compuerta esta en
contacto con tierra asi como la seal de entrada que por lo general se aplica a la fuente. Podemos observar ms claramente
la configuracin en la figura 6 mostrada a continuacin.

Figure 6. Polarizacin con fuente doble

E. Polarizacin con Gate a tierra

Esta configuracin es un caso especial de VGS=0V ya que
tiene conexin directa de la compuerta y la fuente hacia tierra,
lo que hace que el voltaje de la compuerta a la fuente en cd
se a igual a cero voltios. En la figura 7 podemos observar el
esquema del circuito:

El mosfet tipo enriquecimiento funciona de la siguiente

manera: El substrato p se extiende a lo ancho hasta el dixido
de silicio; ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador.
Cuando la tensin de puerta es nula, la corriente de fuente y
el drenador es nula.
Por esta razn, el MOSFET de enriquecimiento est normalmente en corte cuando la tensin de puesta es cero. La
nica forma de obtener corriente es mediante una tensin de
puerta positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones
libres dentro de la regin p, y stos se recombinan con los
huecos cercanos al dixido de silicio. Cuando la tensin
de puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos
prximos al dixido de silicio desaparecen y los electrones
libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador.
Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n.
Cuando existe, los electrones libres pueden circular fcilmente
desde la fuente hacia el drenador. La VGS mnima que crea la
capa de inversin de tipo n se llama tensin umbral (en ingls:
threshold voltage), simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es
menor que VGS(th) la corriente de drenador el nula. Pero
cuando VGS es mayor que VGS(th), una capa de inversin
tipo n conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador
es grande. Los valores tpicos de VGS(th) para dispositivos
de pequea seal puede variar entre 1 y 3 V. El MOSFET de
enriquecimiento se clasifica porque su conductividad mejora
cuando la tensin de puerta es mayor que la tensin umbral.
Los dispositivos de enriquecimiento estn normalmente en
corte cuando la tensin de puerta es cero. [4]
G. Mosfet Empobrecimiento
Este tipo de dispositivo se caracteriza por la presencia de un
fino canal de impurezas de tipo n entre la fuente y el drenador,
depositado durante su fabricacin. Debido a esto, ya existe un
canal para VGS = 0 . Los valores VGS > 0 incrementan la
conductividad del canal. Los valores negativos provocan su

deplexin. Si hacemos VGS suficientemente negativo el canal

deja de existir ! En este caso la tensin de umbral VT es
negativa [5]
II. M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS
En esta seccin se presenta los materiales y herramientas
utilizadas mostrados en el cuadro.II
Table II
D ESCRIPCIN DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS
Materiales
Transistor JFet MPF102
Resistencias
Cable
Total

Cant.
2
12
3m

Costo
2,00
0,36
2,00
4,36

Herramientas
Pinzas
Protoboard

Cant.
3
1

Costo
10,00
35,00

III. D ESARROLLO
En esta seccin se presenta los calculos, simulaciones y
mediciones de los cirucitos propuestos.
Polarizacin Fija: Datos:
V p = 2,52V
IDSS = 9mA
V cc = 12V
Id = 8mA

En la tabla III se muestran los resultados del circuito:

Table III
TABLA DE MEDICIONES
Parmetro
VDS
ID
VGS

Calculado
6v
8mA
-0.14v

Medido
6.4v
7.6mA
-0.14v

Simulado
5.98v
8.026mA
-0.14v

En la figura 9 se muestra la curva del transistor:

Figure 9. Curva del transistor

En la figura 10 se muestra la recta de carga:

V RD = V DD + V DS
ID RD = 12 6
RD =

6
8103

RD = 750

2
IDq = IDSS 1 VVGSq
P
2

GSq
8 103 = 9 103 1 + V2,52
V GSq = 0,14V
La simulacin de la polarizacin se observa en las figura 8:

Figure 10. RECTA DE CARGA

Autopolarizacin: Datos:
V p = 2,95V
IDSS = 13mA
V cc = 12V
Id = 8mA

2
ID = IDSS 1 VVGS
P
q
ID
V GS
IDSS = 1 V P
q


ID
V GS = 1 IDSS
VP
V GS = 635mV
V RD = V DD V DS V RS
V RD = 12 6 635m
V RD = 5,36V
ID RD = 5,36
RD =

Figure 8. Simulacin 1

5,36
8103

RD = 670

V GS = ID RS
RS =

635m
8103

RS = 79,4
La simulacin de la polarizacin se observa en las figura
11:

Figure 13. Recta de carga

Polarizacin con divisor de tensin: Datos:

V p = 2,85V
IDSS = 8,74mA
V cc = 10V
Id = 5mA
V ds =

V cc
2

12
2

V ds = 6V


q
8103.
V gs = 1 9103 (2,52)
V gs = 0,14V
Figure 11. Simulacin 2

Rd =
En la tabla IV se muestran los resultados del circuito:
Rd =
Table IV
TABLA DE MEDICIONES
Parmetro
VDS
ID
VGS

Calculado
6v
8mA
-635mV

Medido
6.3v
7.5mA
-0.55v

Vs
Id

3,094
5103

Rs = 651,8
Simulado
5.995v
8.006mA
635.057mv

Rd =

En la figura 12 se muestra la curva del transistor:

V ds + V cc
Rs
Id

Rd = 381,2

R1 = 1 106
Vg =

R2 =

Figure 12. Curva del transistor

En la figura 13 se muestra la recta de carga:

R2V dd
R1+R2

1 106 10
1 106
2,4

R2 = 3,16 106
La simulacin de la polarizacin se observa en las figura
14:

V cc = 10V
Id = 5mA
V ds =

V cc
2

12
2

V ds = 6V


q
8103.
V gs = 1 9103 (2,52)
V gs = 0,14V

Rs =

Rs = 2118,40

Figure 14. Simulacin 3

En la tabla V se muestran los resultados del circuito:

Rd =

Table V
TABLA DE MEDICIONES
Parmetro
VDS
ID
VGS

10 + 0,542
V cc V gs
=
Id
5 103

Calculado
5v
5mA
-694mV

Medido
4.54v
5.36mA
-0.62v

Simulado
5.314v
4.816mA
734.454mV

En la figura 15 se muestra la curva del transistor:

V dd V d
10 5,592
=
Id
5 103

Rd = 881,6
La simulacin de la polarizacin se observa en las figura
17:

Figure 15. Curva del transistor

En la figura 16 se muestra la recta de carga:

Figure 17. Simulacin 4

En la tabla VI se muestran los resultados del circuito:

Table VI
TABLA DE MEDICIONES

Figure 16. Recta de Carga

Polarizacin con fuente doble: Datos:

V p = 2,525V
IDSS = 9mA

Parmetro
VDS
ID
VGS

Calculado
5v
5mA
-572mV

Medido
4.85v
5.13mA
-0.56v

Simulado
5v
5.002mA
-592.077mV

En la figura 18 se muestra la curva del transistor:

En la tabla VII se muestran los resultados del circuito:

Table VII
TABLA DE MEDICIONES
Parmetro
VDS
ID
VGS

Figure 18. Curva del transistor

Calculado
5v
8.75mA
0V

Medido
5v
8.87mA
0v

Simulado
5.131V
8.759mA
0V

En la figura 21 se muestra la curva del transistor:

En la figura 19 se muestra la recta de carga:

Figure 21. Curva del transitor

Figure 19. Recta de Carga

Polarizacin con gate a tierra: Datos:

V p = 2,325V
IDSS = 8,75mA
V cc = 10V
Id = Idss

En la figura 22 se muestra la recta de carga:

V RD = V DD V DS
ID RD = 10 5
RD =

5
8103

RD = 555,96
La simulacin de la polarizacin se observa en las figura
20:

Figure 22. Recta de Carga

Mosfet Enriquecimiento: V gs(th) = 1,5V

ID = 5mA
V gs = 2V
Idss = 10mA
K=

5mA
21,5

= 0,01

ID = k[(V GS V GS(T H))]2

V GS = 2,39V
RD =

V GSV DD
ID

RD = 1201, 25
Figure 20. Simulacin 5

La simulacin de la polarizacin se observa en las figura

23:

or outside the limits for the transistor drain voltage source.

Besides that to begin the practice is necessary to know the
parameters IDSS and Vp of each transistor and this alone we
can get experimentalment and by calculating as in the spec
sheets are only variations of the same ie ranges in which
can be set but not the specifics of each transistor. Then in
each polarization is necessary to check the values of these
parameters because depending on the stability of the circuit
also vary.
In any polarizations was necessary to lower the current to
5mA and ID because the transistor is saturated and the 8mA
and also to establish the working point in the middle of the
load line.
R EFERENCES

Figure 23. Simulacion del mosfet tipo enriquecimiento

Mosfet Empobrecimiento: IDSS = 0,2 200A

V GS = 14V
V DS = 200
ID = 8mA
q


ID
(V p)
V gs = 1 IDSS


q
8103.
V gs = 1 2010
(1,8)
3
V GS = 0,661V
RD =

6
8103

RD = 750
La simulacin de la polarizacin se observa en las figura
24:

Figure 24. Simulacin del mosfet tipo empobrecimiento

C ONCLUSIONES
As a conclusion we say a FET transistor JFET or MOSFET
either be burned because they will be given a very high

[1] Electrnica Teora de Circuitos y Dispositivos Elctronicos,

BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS.
[2] http://www.uhu.es/adoracion.hermoso/Documentos/tema-1-transistorfet.pdf
[3] http://www.electronicosonline.com/2008/04/11/Funcionamiento-ypruebas-del-MOSFET/
[4] http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.
[5] Electrnica Teora de Circuitos y Dispositivos Elctronicos,
BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS.