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2015
9 de noviembre de
I D =I DSS
v
1 GS
VP
v GS =V P + v 1+ v 2
Entonces
I D =I DSS 1
I D =I DSS
V P + v 1+ v 2 2
V
V +v +v 2
v 1 +v 2
=I DSS P P 1 2 =I DSS
VP
VP
VP
VP
v 1 +v 2 2 I DSS 2
= 2 [ v 1 +2 v1 v 2 + v 22 ]
VP
VP
Donde
v 1=V 1 cos 0 t
v 2= A [ 1+mf (t) ]
Sustituyendo en la expresin de la corriente de drenaje
I D=
I D=
I DSS
VP
[ (V
VP
[ [
I DSS
2
V 12
2
1
+ cos 2 0 t +2 ( V 1 cos 0 t ) A [ 1+ mf (t ) ] + ( A [ 1+ mf (t ) ] )
2
v o =V CC
2 I DSS A V 1 R L
V P2
Para que el FET opere en la regin de estriccin y la ley cuadrtica sea vlida, se
debe de cumplir que
v1 + v2 0
v 1 + v 2 |V P|+ V ON
Donde
'
V P =|V P|+V ON
En la igualdad del sistema se tiene que en el valor mnimo
V 1 + A [ 1m ] =0
Y en el valor mximo
'
V 1+ A [ 1+m ] =V P
V
A= P
2
V 1=
V 'P
[ 1m]
2
Para el diseo, se utiliz un FET canal N (2N5457) con los siguientes parmetros
V P =6 V
I DSS=5 mA
Con una fuente de alimentacin de
V CC =12V
V 'P 6+ 0.7
A= =
=3.35 V
2
2
'
V 1=
VP
[ 1m ] =3.35 [ 10.5 ] =1.675 V
2
R Lmx
v DS=v O=|V P|
|V P|=V CC
2 I DSS A V 1 R L
V P2
[ 1+m ]
R Lmx =
V CC |V P|
V P2
2 I DSS A V 1 [1+m]
R Lmx =
126
6 2=2.566 K
2(5 10 )(3.35)(1.675)[1+ 0.5]
3
R L=2.4 K
BW =2 m =4 f m
Para el circuito resonante paralelo dicho valor est dado por la expresin
BW =
1
C RL
C=
1
1
=
=0.0033 106
4 f m R L ( 4 10 10 3)(2.4 103)
C=3.3 nF
Y el inductor se calcula como
L=
1
2
c C
1
6 2
( 2 30 10 ) (3.3 109)
L=8.53 nH
La tensin de salida es
v GS =V P +V 1 cos 0 t + A [ 1+ mf ( t)]
v GS =6 +1.675 cos 0 t+ 3.35 [ 1+0.5 f (t) ]
v GS =2.65+1.675 cos 0 t+1.675 f (t)
Para mantener la componente de directa en ese nivel de tensin se utiliza un divisor
de tensin, si se fija la resistencia el valor de una de las resistencias, p. e. la que
est conectada a tierra
R 2=
V CC 2.65
R1
2.65
R 2=
122.65
6
1 10 3.5 M
2.65
R2=3.6 M
La simulacin del circuito se muestra a continuacin
V4
12 V
C
3.3nF
RL
2.4k
L
8.53nH
Q1
C2
T1
2N5484
0.1F
Vosc
Vm
1.675 Vpk
30MHz
0
1.675 Vpk
10kHz
0
R2
1.0M
R1
3.6M
V1
12 V
.
Grafica de la tensin de salida en la simulacin.