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TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE
MICROELECTRONIQUE
REALISATION DE CIRCUITS
CIRCUITS INTEGRES
MOSTEC
MtalMtal-OxydeOxyde-Silicium
TEChnologie
TRANSISTORS MOS A GRILLE EN
POLYSILICIUM SUBMICRONIQUES
Mj aot 2009
INTRODUCTION
INTRODUCTION ................................................................
................................................................................................
.....................................................................................
..................................................... 3
REALISATION DU TRANSISTOR
TRANSISTOR MOS,
MOS, VUE D'ENSEMBLE DE LA FILERE ..................... 5
OXYDE DE GRILLE ET DEPOT
DEPOT CVD DE SI POLYCRISTALLIN
POLYCRISTALLIN .........................................
......................................... 6
NETTOYAGE AVANT OYDATION SECHE .........................................................................................7
LOBTENTION DOXYDE DE SILICIUM .............................................................................................8
DEPOT CVD ..................................................................................................................................15
LITHOGRAPHIE ET GRAVURE
GRAVURE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
POLYCRISTALLIN .................................
................................. 17
LA PHOTOLITHOGRAPHIE ...........................................................................................................20
LA GRAVURE ...............................................................................................................................23
DOPAGE DES SOURCES, DRAINS ET GRILLES ................................................................
.................................................................
................................. 29
LE DOPAGE DU SILICIUM .............................................................................................................31
DIFFUSION THERMIQUE .......................................................................................................31
L'IMPLANTATION IONIQUE ..................................................................................................35
LA METHODE DES 4 POINTES .......................................................................................................39
L'ELLIPSOMETRIE ........................................................................................................................43
LE MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE ...........................................................................46
REALISATION DE L'OXYDE DE PROTECTION
PROTECTION................................
CTION ................................................................
.................................................................
................................. 51
REALISATION DES CONTACTS
CONTACTS ................................................................
..........................................................................................
.......................................................... 53
LA METALLISATION .....................................................................................................................55
EVAPORATION SOUS VIDE ....................................................................................................56
PULVERISATION CATHODIQUE ............................................................................................58
ANNEXES ................................................................
................................................................................................
...............................................................................................
............................................................... 59
DESCRIPTIF DU CIRCUIT MOSTEC.................................................................................................60
SURPERPOSITION DES NIVEAUX ...................................................................................................61
MASQUE OUVERTURE ZONES ACTIVES ET MASQUE SI POLY .......................................................62
MASQUE OUVERTURE CONTACTS ET MASQUE METALLISATION .................................................63
DETAILS DES DIFFERENTS DISPOSITIFS .........................................................................................64
INTRODUCTION
oxydation,
photolithographie,
gravure,
implantation,
mtallisation,
Le TP dbute avec des plaques en silicium oxydes (0.5m doxyde thermique humide).
Cette couche doxyde de champ a t photolithographie puis grave afin douvrir les zones
utiles aux dispositifs qui vont tre raliss par la suite.
Dbut du TP
Oxyde de grille
et Dpt CVD de Silicium
Polycristallin
INTRODUCTION
NTRODUCTION:
L'objectif est de crer la surface du silicium un oxyde (SiO2) qui sera utilis, soit
comme isolant dilectrique (grille de transistor MOS, isolation entre interconnexions),
soit comme couche de protection.
L'oxydation du silicium peut tre effectue de plusieurs manires :
- haute temprature (700 1250C) en prsence d'un courant gazeux oxydant
(oxyde thermique),
- basse temprature par dpt chimique en phase vapeur CVD (oxyde dpos).
L'OXYDATION THERMIQUE :
Principe :
On forme une couche de silice SiO2 la surface de la plaquette de silicium par
oxydation dans un four haute temprature (voir figure) parcouru par un courant gazeux
oxydant. On distingue deux types d'oxydation selon la nature de l'oxydant :
- l'oxydation sche est ralise en prsence d'un courant gazeux d'oxygne sec :
<Si> + O2 -> <SiO2>
- l'oxydation humide, beaucoup plus rapide, se caractrise par un courant d'oxygne
charg en vapeur d'eau, soit :
<Si> +2 H2O -> <SiO2> + 2 H2
B/A
55%
45%
direction de
croissance
SiO2
Si
Si.
Les tempratures leves ainsi que la consommation du silicium font que l'oxydation
thermique n'est pratique qu'au cours des premires tapes du processus technologique
(oxyde pais) sous peine de modifier profondment les structures existantes.
10
11
Gris
0,01
Brun
Bleu
Violet
Bleu
0,05
0,08
0,10
0,15
0,28
0,30
0,46
0,49
0,65
Vert
Jaune
Rouge
0,18
0,21
0,25
0,33
0,37
0,44
0,52
0,56
0,62
0,68
0,72
0,75
L'OXYDE DEPOSE
Les oxydes d'isolement entre couches conductrices ou de protection ne peuvent tre
obtenus que par dpt. Le principe gnral est de provoquer une raction chimique au
niveau d'un mlange gazeux conduisant la formation de SiO2 et de composs volatils,
par exemple : SiH4 + 2 O2 -> <SiO2> + 2 H2O. On utilise frquemment le silane SiH4 ou le
SiCl4 pour l'apport de silicium, la raction chimique tant une combustion (par O2) ou
une pyrolyse (par CO2, H2). Les tempratures de raction se situent entre 300 et 1000C ce
qui permet de ne pas modifier profondment les caractristiques des structures
prexistantes.
La dsignation gnrale du procd est dpt chimique en phase vapeur, plus connu
sous l'appellation anglo-saxonne CVD (chemical vapor deposition) avec les variantes
LPCVD (low pressure CVD) qui conduit un oxyde de bonne qualit et LTO (low
temperature oxydation) o l'nergie d'activation est obtenue par haute frquence (plasma)
ce qui permet de travailler des tempratures infrieures 400C.
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temps de recuit sous azote (diminution des charges fixes dans l'oxyde)
sortie de la nacelle sous flux d'azote
Loxydation est ralise laide dune installation qui permet de soumettre les
plaquettes un cycle de temprature sous atmosphre contrle. Ce cycle est dtaill dans
le tableau ci-dessous.
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PAS
NOM DU PAS
DUREE DU
PAS
NATURE
DESCRIPTION DU PAS
GAZ
0000
ATTENTE
N2
position dattente
0001
SOR25
N2
sortie du bateau
0002
CHARGE
N2
0003
ENT10
N2
entre du bateau
0004
STAB800
5 min
N2
stabilisation 800C
0005
RAMP1050
20 min
N2
monte 1050C
0006
STAB1050
5 min
N2
stabilisation 1050C
0007
DRY
x min
O2
0008
ANNEAL
30 min
N2
0009
RAMP800
20 min
N2
descente 800C
0010
ATTENTE
N2
position dattente
0011
SOR10
N2
sortie du bateau
0012
DECHARGE
N2
0013
ENT25
N2
entre du bateau
0014
IDLE
N2
programme termin
0015
ABORT
N2
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SiH 4 600
Si + 2H 2
650 C ( basse temprature )
0 , 46 Torr ( basse pression )
A ces tempratures (600C), il faut noter que le coefficient de diffusion des dopants est
tout fait ngligeable. Le dpt se faisant une pression de 0,46 torr, la gomtrie du
racteur influe trs peu sur la vitesse de dpt du silicium polycristallin.
15
16
Lithographie et Gravure du
Silicium Polycristallin
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3 tapes technologiques:
(i) la photolithographie du niveau poly ;
(ii) la gravure sche (plasma en mode RIE) du silicium polycristallin
polycristallin ;
(iii) l'limination par la gravure sche de la rsine
Photolithographie du niveau poly (pour raliser les motifs subsub-microniques)
mise en place du masque
dpt de rsine photosensible : pour lobtention des grilles submicroniques,
utilisation
utilisation de la rsine S1805
- mise en place de la plaquette sur la tournette, rotation 4000t/min pendant 20 s et
dpt de quelques gouttes daccroche (primer)
- dpt de la rsine au centre de la plaquette puis talement par rotation
- schage de la rsine sur plaque chauffante 90C, 230
reproduction du masque sur la rsine
- mise en place de la plaquette sous le masque
- alignement du masque avec les motifs prsents sur la plaquette
- contact mode vacuum et insolation 5 sec sur MA6
- dveloppement de la rsine ( 1 min) de faon liminer les zones insoles
- contrle des motifs au microscope
- durcissement de la rsine sur plaque chauffante 90C, 230
Mesure l'alphastep de l'paisseur de rsine
Gravure sche (plasma de SF6 en mode RIE) du Si poly
- mise en route du programme de gestion, ouverture de la cloche vide (air), mise en
place des plaquettes, rglage du laser
- fermeture de la cloche (vacuum) et lancement du programme de gravure (logiciel
NAPS, execute, new, choix de la recette puis run et OK)
- observation de l'volution de la gravure (teinte mate du bord vers l'intrieur de la
plaquette), environ 1 minute pour 2500 de Si poly graver avec une seule plaquette
dans le bti.
- arrt de la gravure en route (abort), fin du programme puis ouverture de la cloche
(air), enlever les plaquettes et refermer la cloche sous vide (vacuum)
Mesure l'alphastep de l'paisseur de rsine restante + l'paisseur de Si poly grave
Elimination par gravure sche (plasma O2) de la rsine
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SiO 2
Si
Si
3. dvelopement de la rsine
faisceau
d'exposition U.V.
masque
SiO 2
SiO 2
Si
Si
4. gravure de la couche
SiO 2
Si
5. limination des rsidus de rsine
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oxyde
Croix d'alignement.
Positionnement du niveau 4
(motifs reproduire sur le SiPoly)
par rapport au niveau 2 (oxyde)
Pour viter les phnomnes de diffraction travers les motifs de petite dimension,
lorsque l'alignement est jug correct, on met en contact optique le masque et la plaquette
(la couche de chrome contre la plaquette), ce qui assure un transfert de l'image avec un
maximum de prcision lors de l'insolation. Le masquage par contact avec une lumire UV
(longueur d'onde de 0,3 0,4 m) permet ainsi d'avoir une rsolution de 0,3 0,5 m sur
les motifs reproduire.
DEVELOPPEMENT : la plaquette est place dans un bain de dveloppement ( base de
soude) qui va dissoudre la rsine insole (rsine positive) ou non insole (rsine ngative).
On reproduit de cette faon les motifs du masque mre sur la rsine. La concentration du
dveloppeur ainsi que le temps de trempage dpend du type de rsine utilise. Les
plaquettes sont ensuite rinces et sches.
CONTROLE VISUEL (au microscope) des motifs dvelopps.
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Aprs gravure
1m
4m
rsine
0,5m (SiO2 , SiPoly, Al, ...)
rsine
motif
acceptable
motif non
acceptable
GRAVURE
RAVURE CHIMIQUE PAR VOIE HUMIDE
Les problmes rencontrs lors d'une attaque chimique par voie humide sont : (i)
l'isotropie de l'attaque, (ii) l'utilisation d'agent d'attaque dangereux et (iii) le rinage
correct des chantillons. Le principale avantage est la grande slectivit de toutes ces
solutions ce qui permet de toujours avoir un substrat indemne aprs l'attaque.
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Couche graver
SiO2
Solution d'attaque
Si
HF dilue
HNO3 (oxydation) + HF (attaque SiO2) ou KOH
Al
H3PO4 40C
GRAVURE SECHE
La technique de gravure par plasma utilise une dcharge luminescente tablie faible
pression (10-2 1 torr) pour gnrer des espces chimiquement actives partir d'un gaz;
ces espces se combinent avec la couche graver pour former des composs volatils
vacus par le systme de pompage.
Le principe de gravure ionique consiste utiliser des faisceaux d'ions dirigs vers la
cible traiter. Si les ions possdent une nergie importante et sont chimiquement inactifs
(par exemple l'argon), alors il y a raction mcanique (usinage ionique). La gravure
rsultante est verticale (anisotropie importante) mais sans slectivit. En outre, les dchets
de gravure peuvent retomber sur la cible.
La combinaison des systmes plasma avec la gravure ionique a conduit la gravure
gravure
ionique ractive (RIE Reactiv Ion Etching).
Etching) De cette manire, on associe le mcanisme
chimique (plasma) l'origine de la slectivit vis--vis de la couche graver et le
mcanisme physique (bombardement ionique) induisant l'anisotropie.
La gravure ionique ractive s'opre dans un racteur plasma lectrodes parallles
dont l'une est relie lectriquement au substrat, ce qui augmente le nombre d'ions
direction normale la surface, entranant donc une anisotropie leve sans perte notable
de la slectivit.
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Le systme volue rapidement vers une polarisation dquilibre (-V) telle que le flux
dlectrons pendant t1 soit neutralis par le flux dions positifs pendant t2. Cest dans
lespace sombre de Crookes que seffectue la chute de tension et lacclration des espces
charges. Il ny a pas dionisation dans cette zone. Les ions et les lectrons qui bombardent
la cible viennent de linterface entre lespace sombre de Crookes et le plasma. Lpaisseur
de cette zone sombre volue comme la polarisation continue ngative. Elle dpend de la
nature du gaz employ. Elle augmente lorsque la tension haute frquence crot ou bien
lorsque la pression dans lenceinte diminue et inversement.
Les gaz les plus frquemment utiliss sont donns ci-aprs :
Matriau graver
Si, Si poly
SiO2,Si3N4
CF4(+H2),C2F6 ...
Aluminium
CCl4 (+Cl2)
Rsine
O2
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Implantation ionique
Implantation ionique :
Description de l'implanteur.
Implantation des impurets et recuit d'activation.
Calcul thorique :
Supposant que l'implantation ionique de phosphore se fasse avec un courant de 200A
pendant 2 minutes sur une surface de 91cm2, calculer la dose implante. L'implantation
se fait une nergie de 25keV dans du silicium de type P dop environ 1016cm-3 ;
quelle est la concentration maximale en phosphore et la profondeur de la jonction juste
aprs l'implantation ? Un recuit thermique de 20 minutes 1000C est ensuite effectu ;
quelle est la profondeur de la jonction finale ?
ionique
Alternative limplantation ion
ique
Diffusion thermique, principe
Au lieu dutiliser limplantation ionique, il est possible davoir recours la diffusion
thermique, cette mthode est constitue de deux tapes :
- le prdpt dimpurets en surface
- la redistribution des impurets par recuit 1000C
Le dopant choisi est le phosphore, il est introduit dans le four sous forme de POCl3
gazeux. Les ractions chimiques mises en jeu sont les suivantes :
4 POCL3 + O2 2 P2O5 + 6Cl2
2 P2O5 + 5Si 4 P + 5SiO2
Une couche de silice va donc se former en mme temps que le dopage, elle sera enleve
par la suite.
Calcul thorique :
Sachant que lon choisit un temps de prdpt de 20 min une temprature de 1000C et
un temps de redistribution de 20 min 1000C, en dduire la quantit dimpurets
introduites dans le silicium au cours du prdpt et la profondeur de la jonction obtenue
aprs redistribution. Le substrat est de type p avec une rsistivit entre 1 et 10 ohmcm.
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la premire est le prdpt o le dopant est fourni sous forme gazeuse en quantit
contrle et suffisante pour que la concentration en surface atteigne la solubilit
limite du dopant dans le silicium (1020 1021 atomes/cm3). La rpartition des
impurets au voisinage de la surface obit alors la loi de diffusion concentration
superficielle constante qui est dfinie par :
x
c(x, t) = cs . erfc
2 D1 t1
o
erfc
D1
cs
fonction de la temprature,
la solubilit limite de l'impuret la temprature de diffusion
t1
L'allure des profils obtenus pour diffrentes valeurs du paramtre 2 D1t1 est:
Sachant que le prdpt est ralis une temprature de l'ordre de 1000C pendant
environ une heure, le dopant diffuse de la surface vers le coeur de la plaquette sur une
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Q(t1 ) = 2cs
D1 t1
31
32
c(x, t2 ) =
Q
x2
exp
o Q est la densit initiale de charges par
D2 t2
4 D2t 2
units de surface, soit la quantit totale d'impurets en cm-2 dans la
couche de prdpt suppose de taille trs mince.
Il apparat une diffusion latrale des impurets lors de la redistribution due au caractre
isotropique de la diffusion. Ceci impose de contrler la profondeur de la jonction et donc
le temps de diffusion pour ne pas avoir de chevauchement latral des zones diffuses.
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V est la tension d'extraction 25kV) et permet d'liminer les produits non dsirables
(arsenic et non pour n'implanter que le phosphore), (iv) dune dflection lectrostatique
du faisceau d'ions qui permet de balayer le faisceau d'ions sur l'chantillon de manire
homogne, et (v) de la chambre de cible, o se trouve les plaques de silicium. Les nergies
d'implantation sont de l'ordre de 15 200keV
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x Rp
c(x) = c p .exp
2
2.
R
N
cp =
2.R p
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t1
I(t)dt
avec
Z le nombre de charges,
0
S l'aire implante,
t1 le temps d'implantation
I le courant du faisceau (de l'ordre du mA).
Cependant, ces quations ne sont applicables que dans le cas de l'implantation dans un
matriau amorphe.
Ainsi, dans le cas de monocristaux, on approxime de faon empirique les valeurs de Rp
et de Rp (exprims en nanomtres) en fonction de l'nergie d'implantation, E (exprim
en keV). Pour limplantation de phosphore dans du silicium monocristallin, on trouve :
Rp=1,23612E1,0000
et
Rp=0,76046E0,8287.
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x Rp
avec
L' = 2. R p2 + 4Dt
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et
c' p =
N
L'
(.cm) = R().e(cm)
PRINCIPE EXPERIMENTAL DE LA METHODE 4 POINTES ALIGNEES:
Cette mthode consiste faire passer un courant I
entre les deux pointes extrmes de quatre pointes
alignes quidistantes (en gnral en tungstne) qui
sont appliques sur la surface de lchantillon. La
mesure de la tension aux bornes des deux pointes
centrales permet de dterminer la rsistance carre R .
Un calcul lectrostatique de la rpartition des lignes de
champ sous les pointes permet de montrer que:
V
V
R =
= 4,53
ln 2 I
I
plaquette de silicium
38
xj
initiale du
soit
la
des zones
(la
dtermination
de
l'paisseur de la zone
tant faite par ailleurs)
et l'aide de la courbe
ci-contre,
on
peut
dduire le dopage de la
zone diffuse.
(.cm) = R().e(cm).
Par contre si la rsistivit varie avec lpaisseur (couche mince et substrat de rsistivits
diffrentes, ou bien gradient de concentration de dopant), le systme dduira de la
puissance dissipe dans toute lpaisseur de lchantillon la rsistance carre totale Rt
partir de laquelle il ne sera pas toujours possible de dduire les rsistivits.
39
R f .RS
R f + RS
Rf
Dans le cas dun substrat dop par diffusion
1
2
1
=
+
Rt R f RS
si RS >> Rf
Rf
alors Rt =
2
et f = 2Rt.ef
implantation.
1
1
1
=
+
Rt R f RS
courant
- entrer les paramtres de mesure (Vlimit, 100, enter ; Isource, 100.10-3, enter ; Ilimit,
100.10-3, enter)
40
41
variable,
- une lame quart d'onde induisant un dphasage entre l'onde p et l'onde n de la
lumire incidente,
- un porte chantillon,
- un analyseur permettant d'teindre la lumire mergente lorsqu'elle est
polarise rectilignement,
42
mergente.
Ces deux rglages sont convergents. Il y a en principe 16 couples d'orientation relative
analyseur/polariseur qui assurent l'extinction. Cependant, le relev de deux d'entre eux,
judicieusement choisis, permet de dterminer et Psi sans ambigut. Un programme
d'acquisition et de traitement des donnes coupl l'ellipsomtre permet alors de
remonter l'paisseur ou/et l'indice de la couche connaissant l'ordre de grandeur de
l'une des deux valeurs.
chantillon
lame quart d'onde
so
e
urc
polariseur
analyseur
d
tec
te
ur
43
Paramtres dacquisition :
mode : Polarizer + retarder, aperture strict
indices : ambiant=1 ; upper=1,46 ; substrat=3,875
Remarque : Si et Psi ont des valeurs qui correspondent une zone pleine de traits sur
le rouleau servant dabaque et disponible en salle, les rsultats seront faux.
44
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
FONCTIONNEMENT:
Un faisceau d'lectrons est mis par le canon lectrons, puis est concentr et focalis
sous un vide lev dans la colonne du MEB. Ce faisceau balaye l'chantillon. Lorsque le
faisceau rencontre le spcimen, certains lectrons sont rtrodiffuss, d'autres provoquent
ljection dlectrons secondaires de basses nergie (environ 50eV) issus des couches
suprieures des atomes, alors que certains autres produisent des rayons X. Ces signaux sont
analyss par des dtecteurs puis envoys, via un amplificateur, vers l'cran de contrle. La
synchronisation du balayage lectronique de l'chantillon avec celui de l'cran permet
d'obtenir une image par balayage . Lorsque les lectrons secondaires sont utiliss pour
former limage, le contraste de celle-ci traduit la topographie de lchantillon
Le grossissement est dtermin par le rapport de la surface balaye sur lchantillon la
surface de limage reproduite sur lcran cathodique. Ce grossissement peut varier dans un
trs large ventail allant de 20 105 environ. La rsolution de limage est directement
lie au diamtre du faisceau dlectrons utilis pour balayer la surface de lchantillon. Ce
diamtre est ajustable et conditionne galement lintensit. Cette rsolution est voisine de
10 nm dans le meilleur des cas (contre 1 nm dans le cas du MET). Par contre l'image du
MEB a une grande profondeur de champ (intervalle des distances objets pour lesquelles
l'image est assez bien focalise). Par exemple, avec un diamtre de faisceau de 50 nm (
45
1000), la profondeur de champ est de 50 m, c'est--dire 100 fois plus que celle d'un MO
de mme grossissement. Le MEB produit donc un effet pratiquement tridimensionnel.
LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
FONCTIONNEMENT DU MEB : FORMATION DE LIMAGE
50 m
2
1= e
Bzdz
f 8mV axe
500 nm
Dtecteur
dlectrons
rtrodiffuss
Dtecteur
dlectrons
secondaires
5 nm
46
Ecran
47
48
Nous avons modlis ici au moyen dune simulation de Monte Carlo la trajectoire des
lectrons incidents (issus du faisceau dlectrons) dans le silicium pour trois nergies
diffrentes :
10eV,
20eV
30eV.
49
et
Ralisation de lOxyde de
Protection
50
.
Dpt CVD du SiO2
Cette tape ne sera pas effectue par les lves tant donn quelle napporte aucune
nouveaut technologique ; de plus, elle utilise du silane, gaz dangereux.
Cet oxyde disolement nest
ncessaire que si lon souhaite
raliser les transistors source
commune, afin disoler le contact
aluminium des grilles en silicum
poly cristallin
Cet oxyde d'isolation est dpos par dpt chimique en phase vapeur une
temprature d'environ 420C (LTO Low Temperature Oxyde) partir de silane et
d'oxygne une pression totale de 0,2 Torr. Cette faible temprature permet de
geler la diffusion des dopants prcdemment introduits dans le substrat et de
conserver ainsi les profils pralablement dfinis.
Photolithographie des trous de contact.
contact. (masque de niveau 5)
5)
Gravure du LTO
Le LTO est grav par voie humide (solution de HF). Un brassage intermittent de la
solution par ultrasons est ncessaire de manire dcaper correctement l'oxyde au
fond des trous de contact qui sont de dimensions trs rduites.
Retrait de la rsine
La rsine est retire par voie humide.
51
52
53
gravure,
- le mtal doit pouvoir tre facilement grav par les procds courants de
lithographie,
- les irrgularits du circuit doivent pouvoir tre recouvertes sans discontinuit,
- un bon compromis cot de revient / conductivit lectrique.
Le mtal qui offre le meilleur compromis pour toutes ces exigences est l'aluminium
(=2,7.cm 300K). Le dpt de l'aluminium sur les plaquettes de silicium peut se faire
soit par vaporation sous vide, soit par pulvrisation cathodique.
54
Un cache, que l'on peut actionner, permet de ne mettre en contact les substrats et les
molcules projetes grande vitesse que lorsque le rgime permanent de lvaporation est
atteint. L'uniformit du dpt est obtenue en disposant les plaquettes sur un support
anim d'un mouvement de rotation plantaire autour de sa source d'vaporation. Le
contrle de l'paisseur du mtal dpos et de la vitesse de dpt est ralis au moyen d'un
quartz pizolectrique dont la frquence propre d'oscillation est fonction de l'paisseur
d'aluminium.
Quantit de mtal ncessaire pour une vaporation
dS2 surface
de rception
55
d angle
solide
S
dS1 source ponctuelle
cos d . Le
matriau arrive sur la petite surface dS2, l'angle solide considrer est donc
dS cos
m
cos
d = 2 2
et on obtient dm = cos 2 dS 2 pour la source considre
r
r
ponctuelle. Dautre part, si le matriau a une densit d (g/cm3) et que l'paisseur dpose
par unit de temps est e (cm/s), le volume de matriau dpos sur dS2 est edS2 et on a
m cos. cos
d
r2
m
h2
.
e=
d (h 2 + l 2 )2
h
=
S
dS1 source ponctuelle
56
dS2 substrat
non, conducteurs ou dilectriques sur tous les types de substrats qui acceptent
une mise sous vide et un lger chauffement;
- les dpts obtenus ont une meilleure adhrence sur les substrats en raison de
l'nergie leve des atomes pulvriss.
L'inconvnient majeur de la pulvrisation cathodique est d'tre une technique
agressive : une partie des atomes expulss de la cible possdent une nergie suprieure
10eV; cette nergie peut tre suffisante pour endommager la surface des chantillons.
57
Annexes
58
DESCRIPTIFS DU CIRCUIT
CIRCUIT MOSTEC :
Annexe 7 page 69 :
Annexe 8 page 70 :
Annexe 9 page 71 :
Annexe 10 page 72 :
enrichi/enrichi
transistors ligne M : W=100m ;
transistors ligne O : W=10m ;
L=10 ;6 ;4 ;2 ;1m
L=6 ;2 ;1 ;0.8 ;0.5m
Annexe 11 page 73 :
Annexe 12-1 page 74 :
Annexe 12-2 page 75 :
Annexe 13-1 page 76 :
59
TM1
TM2
TM3
TM4
TM5
TO1
TO2
TO3
TO4
TO5
TE4
TE5
TE6
TT1
TT2
TT3
TE1
TE2
TE3
De gauche droite:
60
MASQUE DE NIVEAU 4
Gravure du polysilicium
61
MASQUE DE NIVEAU 6
62
Substrat (niveau2)
LTO (niveau 5)
Si poly (niveau 4)
Aluminium (niveau 6)
63
Tests visuels
Espacement entre 2 points de maillage : 5m
Alignement des motifs
Si poly dans les zones actives
douvertures
Motifs douver
tures des zones actives
Largeur du carr en haut droite : 10m
Largeur 1re bande en forme de L : 2m
Largeur 2me bande en forme de L : 4m
Largeur 3me bande en forme de L : 6m
Largeur 4me bande en forme de L : 8m
Largeur 5me bande en forme de L : 10m
Largeur 6me bande en forme de L : 15m
Largeur 7me bande en forme de L : 20m
Alignement Si poly /
ouverture zone active :
espacements de 2, 4 et 6 m
marchess
Tests lectriques Passage de marche
Passage de marche
Les bandes de diffusion ont une largeur de 0,02 mm et les bandes de silicium polycristallin
et daluminium une largeur de 0,01 mm.
Le motif permettra de dtecter dventuelles coupures en lutilisant comme indiqu sur la
figure ou dventuels court-circuits entre les diffrents niveaux (il faudra alors disposer les
pointes de faon adquate).
Les bandes de silicium polycristallin passent sur des marches doxyde de champ (oxyde de
champ / zone active).
Les bandes daluminium passent sur des marches doxyde de champs (SiPoly / zone
active, SiPoly / LTO, oxyde de champ / zone active).
66
De gauche droite :
320*200m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface utile 320*200m
320*200m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface utile 320*200m
200*200m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface utile 200*200m
utile
100*100m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface ut
ile 100*100m
67
50*1000m
diode PIN 1 : 50*10
m
100*100m
diode PIN 2 : 100*100m
68
Chanes de contacts :
gauche : Al sur Si dop N+
droite : Al sur Si poly
de la rsistance de contact
Sortie
VDD
Ls = 0.01 mm ; Ws=0.3mm
Le = 0.02 mm ; We=0.02mm
Entre
masse
70
W = 100 m
(1)
L = 10 ; 6 ; 4 ; 2 ; 1 m
(2)
(3)
(5)
2m
2m
10m
W=100m
71
(4)
(5)
(5)
W = 10 m
2m
L = 6 ; 2 ; 1 ; 0.8 ; 0.5 m
2m
W
10m
W=10m
72
transistors
ors ligne T
Tests lectriques - transist
W=25 m
2m
L= 1 ; 0.8 ; 0.5 m
2m
L
10m
W=25m
73
W=25 m
2m
L= 1 ; 0.8 ; 0.5 m
2m
L
10m
W=25m
Annexe
Annexe 12-2
74
W=10 m
2m
L= 1 ; 0.8 ; 0.5 m
2m
L
10m
W=10m
75
W=100
W=100 m
2m
L= 10
10 ; 6 ; 4 ; 2 ; 1 m
2m
10m
L
W=100m
76
W=25
W=25 m
2m
L= 6 ; 2 ; 1 ; 0.8 ; 0.5 m
2m
L
10m
W=25m
77
W=10
W=10 m
2m
L= 6 ; 2 ; 1 ;0.8 ; 0.5 m
2m
L
10m
W=100m
78