MOMAG 2014: 16 SBMO - Simpsio Brasileiro de Micro-ondas e Optoeletrnica e 11 CBMag - Congresso Brasileiro de
Eletromagnetismo
Anlise Terica do Impacto de Nano-Incluses de
Ferro em Estrutura com Efeito de Camada Ressonante Giorgio de M. Magalhes, Rodrigo M. de Alencar, Douglas K. Paixo e Maria Thereza M. Rocco Giraldi
Douglas Fonseca, Raphael Pereira, Anderson O. Silva1
e Maria Aparecida G. Martinez
Seo de Engenharia Eltrica
Instituto Militar de Engenharia Rio de Janeiro, Brasil mtmrocco@gmail.com
Departamento de Engenharia Eltrica
CEFET/RJ Rio de Janeiro, Brasil magmartinez@gmail.com 1 LEA-UFPA tensor da constante dieltrica da mistura, ou seja, material hospedeiro e incluso. Os elementos da diagonal principal do tensor esto relacionados ao ndice de refrao complexo da mistura. Os resultados so apresentados e discutidos na seo IV. Finalmente, as concluses so apresentadas na seo V.
Resumo Neste artigo o efeito de camada ressonante
investigado em uma estrutura de mltiplas camadas. A distribuio de campo na estrutura e o ndice de refrao efetivo so analisados em funo da frao de nano-incluses de Fe e espessura da camada ressonante. As anlises so realizadas em semicondutores compostos do grupo III-V. Os resultados mostram que a ressonncia ocorre para um fator de incluso de 2% e uma espessura de 0,4mm.
II. EFEITO DE CAMADA RESSONANTE
A RLE produzida ao se adicionar, dentro ou acima da camada de revestimento do guia de onda, uma fina camada de semicondutor com elevado ndice de refrao. Assim, um pico secundrio no modo fundamental de propagao surge na camada adicionada, como mostra a Fig. 1. O pico primrio, na camada do guia, continua a ser observado. A coexistncia do pico principal e do pico ressonante depende da frequncia de operao assim como dos parmetros da camada ressonante, so eles o ndice de refrao, a largura e a posio da RL.
Palavras-chave guia de onda, efeito de camada ressonante, ptica
integrada
I.
INTRODUO
A estabilidade mecnica, a miniaturizao e a
compatibilidade com a tecnologia de fibras pticas monomodo tornam os dispositivos pticos integrados potencialmente atrativos para sistemas WDM. O Efeito de Camada Ressonante [1, 2] (RLE Resonant-Layer Effect) pode ser utilizado no projeto de uma srie de dispositivos em ptica integrada. Entre estes, destacam-se os isoladores, moduladores e polarizadores pticos. A RLE consiste um uma camada com alto ndice de refrao depositada em cima da camada de revestimento de um guia ptico. O modo fundamental de propagao do guia ptico pode apresentar uma ressonncia na camada de alto ndice de refrao se a camada RLE for projetada adequadamente. Essa ressonncia permite o controle da polarizao da luz em polarizadores e o controle da constante de propagao da luz que se propaga em diferentes direes no caso dos isoladores. Neste artigo, a RLE investigada teoricamente por meio da anlise modal de um guia de onda ptico multicamadas constitudo por materiais dos grupos III e V. A camada ressonante obtida a partir da incluso de nanopartculas de Fe em uma matriz semicondutora. O ndice de refrao complexo da RLE calculado utilizando-se a teoria de Maxwell-Garnett [3] e dados experimentais da constante dieltrica do Fe no comprimento de onda de interesse, 1550nm. A influncia da espessura da camada ressonante (RL) e a influncia da frao de incluso na RL so analisadas, atravs da distribuio do campo eltrico do modo fundamental TE e respectivo ndice efetivo. A RLE introduzida e discutida na seo II. Na seo III, a teoria de Maxwell-Garnett apresentada. Esta permite o clculo do
Fig. 1. Efeito da Camada Ressoante. n1 e n5 so camadas semiinfinitas. n2 a camada ressonante, n3 a camada de revestimento e n4 a camada de guia de onda.
O surgimento desse pico secundrio pode ser entendido
considerando-se dois guias de onda de trs camadas isolados, cada um deles no modo fundamental. medida que esses guias so aproximados, seus campos pticos se sobrepem e, sob determinadas condies, ambos os picos coexistiro no modo fundamental, como est ilustrado na Fig. 2. A espessura tima da RL para uma dada estrutura depende do ndice de refrao relativo dos meios, da posio da RL e do ndice de refrao efetivo (constante de propagao normalizada) [4].