Expo cuntica

DEFECTOS E IMPERFECCIONES CRISTALINAS

Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de imperfecciones
y defectos, que afectan a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas y tambin influyen
en algunas propiedades de los materiales a nivel de aplicacin ingenieril tal como la
capacidad de formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la corrosin.
Las imperfecciones se clasifican segn su geometra y forma as:
Defectos puntuales o de dimensin cero
Defectos lineales o de una dimensin llamados tambin dislocaciones
Defectos de dos dimensiones
DEFECTOS PUNTUALES
VACANTE
Constituye el defecto puntual ms simple. Es un hueco creado por la perdida de un tomo
que se encontraba en esa posicin. Puede producirse durante la solidificacin por
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales. Tambin puede producirse
por reordenamientos atmicos en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad
de los tomos.
El nmero de vacantes en equilibrio Nv para una cantidad dada de material, se incrementa
con la temperatura de acuerdo a la ecuacin:

Donde Nv es el nmero de vacantes por metro cbico

N es el nmero de puntos en la red por metro cbico
Q es la energa requerida para producir una vacancia (J/tomo)
T es la temperatura en K
K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10-23J/tomoK) 8.62 x
10-5eV/tomoK

La evidencia experimental indica que el centro F consiste en un electrn

atrapado en una regin de un cristal inico definida por un in negativo
faltante. El defecto se forma exponiendo el cristal a radiaciones y se evidencia
a travs de sus propiedades pticas, de tal manera que un cristal inico, tal
como el NaCI, que normalmente es transparente, se torna amarillo cuando
tiene centros F. El nombre del defecto se debe a que fue denominado como
"Farbcn Centcr" en Alemania, por un grupo de Cotinga que lo estudi con
detalle. ("Farbe" en alemn significa color).
Nivel introductorio
El problema fundamental del centro F consiste en calcular la banda F de
absorcin, la cual nos determina el cambio de energa de la transicin entre el
estado base y el primer estado excitado. Un modelo simple que simula la
situacin fsica es el de una partcula atrapada en un pozo de potencial, as que
consideraremos al electrn atrapado en un pozo de potencial de paredes
infinitas y con una anchura del orden de la constante de red. Usando el
resultado de la mecnica cuntica para el pozo tridimensional, obtenernos para
la energa de la banda F:

donde m es la masa del electrn, E1 la energa del estado excitado, Eo la

energa de estado base y a es la constante de red.

1.1 Defecto Schottky y Defecto Frenkel

En un cristal, cualquier alteracin de la red o estructura peridica
perfecta es una
imperfeccin. Comnmente las imperfecciones son puntuales como
impurezas qumicas,
sitios vacantes en la red, y tomos extra que estn ubicados fuera de las
posiciones
regulares de la red.
Muchas propiedades de los cristales son debido en gran parte a las
imperfecciones
como a la naturaleza del cristal base, el cual puede actuar nicamente
como una matriz para
las imperfecciones. La conductividad en algunos semiconductores se
debe completamente a
las cantidades de impurezas qumicas. Las imperfecciones en los
cristales son responsables