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IGBT-Module
IGBT-modules
FZ400R65KE3
hochisolierendesModul
highinsulatedmodule
VorlufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 6500V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
TypischeAnwendungen
Mittelspannungsantriebe
Traktionsumrichter
TypicalApplications
MediumVoltageConverters
TractionDrives
ElektrischeEigenschaften
NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
AlSiC Bodenplatte fr erhhte thermische
Lastwechselfestigkeit
Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg =
-55C
GehusemitCTI>600
Gehuse mit erweiterten
Isolationseigenschaftenvon10,2kVAC1min
GroeLuft-undKriechstrecken
MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability
Extended Storage Temperature down to Tstg =
-55C
PackagewithCTI>600
Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC
1min
HighCreepageandClearanceDistances
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 125C
Tvj = 25C
Tvj = -50C
VCES
6500
6500
5900
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
IC nom
400
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
800
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Ptot
8,35
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
3,00
3,70
3,40
V
V
5,4
6,0
6,6
QG
17,0
Tvj = 25C
RGint
1,1
Eingangskapazitt
Inputcapacitance
Cies
110
nF
Rckwirkungskapazitt
Reversetransfercapacitance
Cres
1,70
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
IGES
400
nA
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
VGEth
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25C
Tvj = 125C
VCE sat
Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Tvj = 25C
Tvj = 125C
td on
0,70
0,80
s
s
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Tvj = 25C
Tvj = 125C
tr
0,33
0,40
s
s
Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Tvj = 25C
Tvj = 125C
td off
7,30
7,60
s
s
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
Tvj = 25C
Tvj = 125C
tf
0,40
0,50
s
s
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
Eon
2250
3450
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Eoff
2000
2250
mJ
mJ
Kurzschluverhalten
SCdata
ISC
Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
RthCH
14,0
tP 10 s, Tvj = 125C
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
2
Tvj = 25C
Tvj = 125C
2400
15,0 K/kW
K/kW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 125C
Tvj = 25C
Tvj = -50C
VRRM
6500
6500
5900
V
IF
400
A
IFRM
800
A
It
130
kAs
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
It-value
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125C
PRQM
1600
kW
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
ton min
10,0
s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
3,00
2,95
3,50
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25C
Tvj = 125C
VF
Rckstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IRM
600
670
A
A
Sperrverzgerungsladung
Recoveredcharge
Qr
470
870
C
C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Erec
740
1600
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
RthCH
21,5
Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
3
V
V
33,0 K/kW
K/kW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prfspannung
Isolationtestvoltage
VISOL
10,2
kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
VISOL
5,1
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
VCE D
3800
V
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
Kriechstreck
Creepagedistance
Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
56,0
56,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
26,0
26,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 600
min.
typ.
max.
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,18
0,18
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Tvj max
150
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Tvj op
-50
125
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-55
125
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
4,25
5,75
Nm
SchraubeM8-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
1,8
2,1
Nm
M
8,0
10
Nm
Gewicht
Weight
1000
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
Modulstreuinduktivitt
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25C,proSchalter/perswitch
HchstzulssigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlsse
Terminalconnectiontorque
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ400R65KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorlufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125C
800
800
Tvj = 25C
Tvj = 125C
700
600
600
500
500
IC [A]
IC [A]
700
400
400
300
300
200
200
100
100
0,0
1,0
2,0
VGE = 20 V
VGE = 15 V
VGE = 12 V
VGE = 10 V
3,0
VCE [V]
4,0
5,0
6,0
bertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0 5,0
VCE [V]
6,0
7,0
8,0
9,0
700
800
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=15V,RGon=1.9,RGoff=12.8,VCE=3600V
800
9000
Tvj = 25C
Tvj = 125C
700
8000
7000
600
6000
5000
E [mJ]
IC [A]
500
400
4000
300
3000
200
2000
100
0
1000
9
10
VGE [V]
11
12
13
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
5
100
200
300
400
IC [A]
500
600
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ400R65KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=15V,IC=400A,VCE=3600V
TransienterWrmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
8000
100
Eon, Tvj = 125C
Eoff, Tvj = 125C
7000
ZthJC : IGBT
6000
10
E [mJ]
ZthJC [K/W]
5000
4000
3000
1
2000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 0,77 9,7
2,88 1,65
i[s]:
0,004 0,044 0,405 3,93
1000
0
10
15
20
0,1
0,001
25
0,01
0,1
RG []
10
100
t [s]
SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=12.8,Tvj=125C
1000
Tvj = 125C
Tvj = 25C
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
800
Tvj = 25C
Tvj = 125C
700
800
600
500
IF [A]
IC [A]
600
400
400
300
200
200
100
0
2000
3000
4000
5000
VCE [V]
6000
7000
0,0
1,0
2,0
3,0
VF [V]
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
6
4,0
5,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ400R65KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.9,VCE=3600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=3600V
3000
2000
Erec, Tvj = 125C
2500
1500
2000
E [mJ]
E [mJ]
1250
1500
1000
750
1000
500
500
250
0
100
200
300
400
IF [A]
500
600
700
800
TransienterWrmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
RG []
5,0
6,0
7,0
8,0
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125C
100
1000
ZthJC : Diode
IR, Modul
800
10
IR [A]
ZthJC [K/W]
600
400
1
200
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 4,8
20,3 5
2,9
i[s]:
0,005 0,048 0,313 3,348
0,1
0,001
0,01
0,1
10
100
t [s]
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
7
1000
2000
3000 4000
VR [V]
5000
6000
7000
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfrtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfrIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstndigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfrdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglicheGewhrleistungbernehmen.Eine
solcheGewhrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfrdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsbernommen.DieAngabenindengltigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbentigen,dieberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfrSiezustndigenVertriebsbroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FrInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenknnteunserProduktgesundheitsgefhrdendeSubstanzenenthalten.BeiRckfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfrSiezustndigenVertriebsbroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefhrdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfrdieseFlle
-diegemeinsameDurchfhrungeinesRisiko-undQualittsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualittssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinfhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhngigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlichenderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DTH
dateofpublication:2013-03-14
approvedby:DTS
revision:2.1
9