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TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules

FZ400R65KE3

hochisolierendesModul
highinsulatedmodule
VorlufigeDaten/PreliminaryData

VCES = 6500V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
TypischeAnwendungen
Mittelspannungsantriebe
Traktionsumrichter

TypicalApplications
MediumVoltageConverters
TractionDrives

ElektrischeEigenschaften
NiedrigesVCEsat

ElectricalFeatures
LowVCEsat

MechanischeEigenschaften
AlSiC Bodenplatte fr erhhte thermische
Lastwechselfestigkeit
Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg =
-55C
GehusemitCTI>600
Gehuse mit erweiterten
Isolationseigenschaftenvon10,2kVAC1min
GroeLuft-undKriechstrecken

MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability
Extended Storage Temperature down to Tstg =
-55C
PackagewithCTI>600
Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC
1min
HighCreepageandClearanceDistances

ModuleLabelCode
BarcodeCode128

DMX-Code

preparedby:DTH

dateofpublication:2013-03-14

approvedby:DTS

revision:2.1

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)

1-5
6-11
12-19
20-21
22-23

ULapproved(E83335)
1

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage

Tvj = 125C
Tvj = 25C
Tvj = -50C

VCES

6500
6500
5900

 V

Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent

TC = 80C, Tvj = 150C

IC nom 

400

 A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

ICRM

800

 A

Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation

TC = 25C, Tvj = 150C

Ptot

8,35

 kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage

VGES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

3,00
3,70

3,40

V
V

5,4

6,0

6,6

QG

17,0

Tvj = 25C

RGint

1,1

Eingangskapazitt
Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies

110

nF

Rckwirkungskapazitt
Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres

1,70

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 6500 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C

ICES

5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C

IGES

400

nA

Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage

IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V

Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage

IC = 70,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C

VGEth

Gateladung
Gatecharge

VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 3600V

InternerGatewiderstand
Internalgateresistor

Tvj = 25C
Tvj = 125C

VCE sat

Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 3600 V


VGE = 15 V
RGon = 1,9

Tvj = 25C
Tvj = 125C

td on

0,70
0,80

s
s

Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 3600 V


VGE = 15 V
RGon = 1,9

Tvj = 25C
Tvj = 125C

tr

0,33
0,40

s
s

Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 3600 V


VGE = 15 V
RGoff = 13

Tvj = 25C
Tvj = 125C

td off

7,30
7,60

s
s

Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload

IC = 400 A, VCE = 3600 V


VGE = 15 V
RGoff = 13

Tvj = 25C
Tvj = 125C

tf

0,40
0,50

s
s

EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse

IC = 400 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH


Tvj = 25C
VGE = 15 V, di/dt = 1600 A/s (Tvj=125C) Tvj = 125C
RGon = 1,9

Eon

2250
3450

mJ
mJ

AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse

IC = 400 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH


VGE = 15 V
RGoff = 13

Eoff

2000
2250

mJ
mJ

Kurzschluverhalten
SCdata

VGE 15 V, VCC = 4500 V


VCEmax = VCES -LsCE di/dt

ISC

Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

RthJC

RthCH

14,0

tP 10 s, Tvj = 125C

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

preparedby:DTH

dateofpublication:2013-03-14

approvedby:DTS

revision:2.1
2

Tvj = 25C
Tvj = 125C

2400

15,0 K/kW
K/kW

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage

Tvj = 125C
Tvj = 25C
Tvj = -50C

VRRM 

6500
6500
5900

 V

IF

400

 A

IFRM

800

 A

It

130

 kAs

Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent

PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent

tP = 1 ms

Grenzlastintegral
It-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C

Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation

Tvj = 125C

PRQM 

1600

 kW

Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime

ton min 

10,0

 s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

3,00
2,95

3,50

Durchlassspannung
Forwardvoltage

IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C

VF

Rckstromspitze
Peakreverserecoverycurrent

IF = 400 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C


VR = 3600 V
Tvj = 125C
VGE = -15 V

IRM

600
670

A
A

Sperrverzgerungsladung
Recoveredcharge

IF = 400 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C


VR = 3600 V
Tvj = 125C
VGE = -15 V

Qr

470
870

C
C

AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy

IF = 400 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C


VR = 3600 V
Tvj = 125C
VGE = -15 V

Erec

740
1600

mJ
mJ

proDiode/perdiode

RthJC

RthCH

21,5

Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

preparedby:DTH

dateofpublication:2013-03-14

approvedby:DTS

revision:2.1
3

V
V

33,0 K/kW
K/kW

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData

Modul/Module
Isolations-Prfspannung
Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

VISOL 

10,2

 kV

Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage

RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC (acc. to IEC 1287)

VISOL 

5,1

 kV

Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability

Tvj = 25C, 100 fit

VCE D 

3800

 V

MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate

AlSiC

InnereIsolation
Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)

AlN

Kriechstreck
Creepagedistance

Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

56,0
56,0

 mm

Luftstrecke
Clearance

Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

26,0
26,0

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex

CTI

> 600

min.

typ.

max.

LsCE

20

nH

RCC'+EE'
RAA'+CC'

0,18
0,18

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

Tvj max

150

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper

Tvj op

-50

125

Lagertemperatur
Storagetemperature

Tstg

-55

125

Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting

SchraubeM6-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

4,25

5,75

Nm

SchraubeM8-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

1,8

2,1

Nm

M
8,0

10

Nm

Gewicht
Weight

1000

preparedby:DTH

dateofpublication:2013-03-14

approvedby:DTS

revision:2.1

Modulstreuinduktivitt
Strayinductancemodule

Modulleitungswiderstand,AnschlsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip

TC=25C,proSchalter/perswitch

HchstzulssigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature

Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlsse
Terminalconnectiontorque

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FZ400R65KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125C

800

800
Tvj = 25C
Tvj = 125C

700

600

600

500

500
IC [A]

IC [A]

700

400

400

300

300

200

200

100

100

0,0

1,0

2,0

VGE = 20 V
VGE = 15 V
VGE = 12 V
VGE = 10 V

3,0
VCE [V]

4,0

5,0

6,0

bertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0 5,0
VCE [V]

6,0

7,0

8,0

9,0

700

800

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=15V,RGon=1.9,RGoff=12.8,VCE=3600V

800

9000
Tvj = 25C
Tvj = 125C

700

Eon, Tvj = 125C


Eoff, Tvj = 125C

8000
7000

600

6000
5000

E [mJ]

IC [A]

500
400

4000

300
3000
200

2000

100
0

1000

9
10
VGE [V]

11

12

13

preparedby:DTH

dateofpublication:2013-03-14

approvedby:DTS

revision:2.1
5

100

200

300

400
IC [A]

500

600

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FZ400R65KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=15V,IC=400A,VCE=3600V

TransienterWrmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)

8000

100
Eon, Tvj = 125C
Eoff, Tvj = 125C

7000

ZthJC : IGBT

6000
10

E [mJ]

ZthJC [K/W]

5000
4000
3000
1
2000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 0,77 9,7
2,88 1,65
i[s]:
0,004 0,044 0,405 3,93

1000
0

10

15

20

0,1
0,001

25

0,01

0,1

RG []

10

100

t [s]

SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=12.8,Tvj=125C
1000
Tvj = 125C
Tvj = 25C

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
800
Tvj = 25C
Tvj = 125C

700

800
600
500
IF [A]

IC [A]

600

400

400
300
200

200
100
0
2000

3000

4000
5000
VCE [V]

6000

7000

0,0

1,0

2,0

3,0
VF [V]

preparedby:DTH

dateofpublication:2013-03-14

approvedby:DTS

revision:2.1
6

4,0

5,0

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FZ400R65KE3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.9,VCE=3600V

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=3600V

3000

2000
Erec, Tvj = 125C

Erec, Tvj = 125C


1750

2500
1500
2000

E [mJ]

E [mJ]

1250
1500

1000
750

1000
500
500
250
0

100

200

300

400
IF [A]

500

600

700

800

TransienterWrmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0
RG []

5,0

6,0

7,0

8,0

SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125C

100

1000
ZthJC : Diode

IR, Modul

800

10

IR [A]

ZthJC [K/W]

600

400
1

200
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 4,8
20,3 5
2,9
i[s]:
0,005 0,048 0,313 3,348

0,1
0,001

0,01

0,1

10

100

t [s]
preparedby:DTH

dateofpublication:2013-03-14

approvedby:DTS

revision:2.1
7

1000

2000

3000 4000
VR [V]

5000

6000

7000

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehuseabmessungen/packageoutlines

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approvedby:DTS

revision:2.1
8

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FZ400R65KE3
VorlufigeDaten
PreliminaryData

Nutzungsbedingungen


DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfrtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfrIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstndigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfrdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglicheGewhrleistungbernehmen.Eine
solcheGewhrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfrdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsbernommen.DieAngabenindengltigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbentigen,dieberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfrSiezustndigenVertriebsbroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FrInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenknnteunserProduktgesundheitsgefhrdendeSubstanzenenthalten.BeiRckfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfrSiezustndigenVertriebsbroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefhrdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfrdieseFlle
-diegemeinsameDurchfhrungeinesRisiko-undQualittsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualittssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinfhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhngigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
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approvedby:DTS

revision:2.1
9