Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educacin Universitaria

Instituto Universitario de Tecnologa Antonio Jos de Sucre
Electrnica 1
Independencia, Edo. Yaracuy

Informe de Transistores

Integrante:
Ribert Veliz

Que es un Transistor
El transistor es un dispositivo de tres terminales. Este consiste en un material
tipo p y uno tipo n; el transistor consiste en dos materiales de tipo n separados por un
material de tipo p, lo que se conoce como transistor npn o en dos materiales tipo p
separados un material tipo n llamado transistor pnp. Las tres capas o secciones
diferentes se identifican como emisor, base y colector. El emisor, capa de tamao medio
diseada para emitir o inyectar electrones esta bastante contaminado. La base, con una
contaminacin media, es una capa delgada diseada para pasar electrones. El colector,
capa grande diseada para colectar electrones, esta poco contaminado. El transistor se
puede concebir como dos uniones pn colocadas espalda contra espalda, estos se
denominan transistores bipolares de unin (BJT, bipolar junction transistor).
Es un componente electrnico semiconductor que permite el paso de una
corriente elctrica entre sus terminales colector y emisor, siempre que en el terminal
llamado base este presente una corriente elctrica. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentran prcticamente en todos
los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, entre otros.
Tipos de Transistores
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin
cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un mono cristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de
un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en
forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones
PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como el
arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga
Positiva o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores de electrones,

como el indio, el aluminio o el galio. La tres zonas contaminadas, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la regin de la
base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor
est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el
comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra
asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y
del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as
un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir
una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de
estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o
FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen
alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin
PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metalxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del
canal semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).
Qu es un BJT y cules son sus parmetros
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos,
puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
grfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los
siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el
emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por
otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este
factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce
en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.
As por ejemplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin
de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una
variacin de 8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:
Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los
transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parmetro de un transistor
La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de
emisor y colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para
conseguir una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la
relacin que existe entre la variacin o incremento de la corriente de colector y la
variacin de la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de

corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a

otros. As, nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo
20. Por otro lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400.
Por todo ello, se pueden considerar qe los valores normales de este parmetro se
encuentran entre 50 y 300. En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los
fabricantes de transistores, en vez de utilizarse la para identificar la ganancia de
corriente, se suele utilizar hFE. As por ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se
lee en sus hojas de caractersticas, una hFE entre 150 y 290; lo que nos indica que la
ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre estos valores.
Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos
indiquen que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?
La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma
sustanciosa con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye
positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la
temperatura de la unin del diodo colector aumenta el nmero de portadores
minoritarios y, por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.

Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores

proporcionan, en las hojas de especificaciones tcnicas, curvas de ganancia de corriente,
donde se relacionan las variaciones que sufre con respecto a la corriente de colector y
a la temperatura ambiente. En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de
corriente aumenta hasta un valor mximo mientras la corriente de colector aumenta;
sobrepasado ese lmite, para mayores valores de dicha corriente, la ganancia decrece.
Tambin, se hace observar la existencia de tres curvas distintas, que indican diferentes
condiciones de trabajo para diferentes temperaturas ambiente. Cuando se disea un
circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de la ganancia de
corriente, de lo contrario se podran cometer errores sustanciales, que invalidaran las
condiciones de trabajo requeridas por el diseo inicial.
Relacin entre los parmetros y
Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = I C/IE y = IC/IB y
teniendo en cuenta la relacin existente entre las diferentes corrientes que se dan en el
transistor IE = IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemticas que relacionen
ambos parmetros, tal como se indica a continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una
ganancia de corriente de 150, operaramos as:

Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera
de las uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no
provocarn la ruptura de dichas uniones si la tensin que se aplica no supera los valores
mximos fijados en las hojas de especificaciones tcnicas.
1. Tensin inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto
En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas
inversamente con la tensin VCB. Como ocurra con los diodos, esto provoca la
circulacin de una pequea corriente de fuga (ICBO) que no ser peligrosa hasta que no se
alcance la tensin de ruptura de la unin. Normalmente esta tensin suele ser elevada
(del orden de 20 a 300 V). Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin
superior a la indicada por el fabricante en sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer
indicado con las siglas VCBO.
2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta
En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el colector
y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor a colector.
Esta fuerte diferencia de potencial provoca un pequeo flujo de electrones que emite el
emisor y que se sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El
resultado es una pequea corriente de fuga de emisor a colector I CEO. Al igual que

ocurra anteriormente, el valor de esta corriente est determinado por la tensin

colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas tambin aparece la tensin mxima
de funcionamiento (VCEO) que en ningn caso debe ser superada, para evitar el peligro
de destruccin del semiconductor. As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las
hojas de especificaciones tcnicas aparecen los siguientes valores para las tensiones de
ruptura: VCBO = 30V y VCEO = 20V, lo que significa que este transistor nunca deber
operar con tensiones superiores a estos valores especificados.
Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta
ste, visto desde los bornes de entrada. Al observar la caracterstica de transferencia del
transistor, representada en la figura de abajo, se puede ver que la intensidad de base
aumenta con la tensin base-emisor.
Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-emisor y
las de la corriente de base, que se corresponden con la tensin y la corriente de entrada,
se la denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva

caracterstica de transferencia.

Cul es la Regin de Operacin de un BJT

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o del
signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transitor, ste se
puede encontrar en alguna de las cuatro regiones que se pueden observar en el grfico
de la derecha. Estas regiones son; Regin activa directa, Regin de saturacin, Regin
de corte y Regin activa inversa. A continuacin podemos observar el comportamiento
de cada una de estas regiones.
La regin activa directa
Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor-base. Esta es la
regin de operacin normal del transistor para amplificacin.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base
Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base
procedentes del emisor podemos observar que all donde haba un hueco pasa a haber,
tras la recombinacin, un in negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y
se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones
procedentes del emisor. En este caso se impedira la circulacin de la corriente, es decir,

es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya corriente de
colector.
Por tanto, por cada electrn recambiado hay que introducir un hueco nuevo que
neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente I B pequea) la
capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este
fenmeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede
establecer que:
En donde es un coeficiente adimensional, denominada ganancia directa de
corriente, o bien ganancia esttica de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el
potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la
corriente de colector IC
Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el
nmero de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente
inversa aumenta tambin
Regin activa inversa
Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una polarizacin
directa de la unin colector-base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta
regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de
conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto
(IC 0).
En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen
zonas de deplecin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de
carga mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios.
Los portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero
dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos
prcticos, a un circuito abierto.
Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin den esta
regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el
transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).
Cules son las configuraciones para un BJT
Emisor comn
El amplificador emisor comn, se llama as porque las corrientes de base y de
colector se combinan en el emisor.

Colector comn
Su salida se toma de emisor a tierra en vez de tomarla de colector a tierra, como
en el caso del EC. Este tipo de configuracin para el amplificador se utiliza para obtener
ganancia de corriente y ganancia de potencia. La seal de salida esta en fase con la seal
de entrada. El amplificador tiene una ganancia de tensin ligeramente menor que uno.
Por otro lado, la ganancia de corriente es significativamente mayor que uno.

Base comun
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la
ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor
sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de
emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente: