REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITCNICO

SANTIAGO MARIO
ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA
EXTENSIN MATURN

INFORME DE LABORATORIO
PRACTICA N3
EL OSCILADOR GUNN

Profesor:

Realizado Por:

Ing. Nelson Montero

Miguel Zorrilla.

Materia:

Derwis Parra

Lab. DE Microondas

Jose Cardenas
Seccion: Nocturno-D

Maturn, 4 de Abril de 2015.

INTRODUCCION
Una fuente gunn consiste de un diodo gunn colocado en
una

cavidad

resonante.

Dependiendo

de

la

tcnica

de

fabricacin, los diodos gunn pueden suministrar desde 1 mW

hasta 5 mW de potencia de microonda. La eficiencia de estas
fuentes puede variar de 0.2 hasta 20% la mayora de esta
potencia se disipa como calor, por lo tanto, los diodos gunn
requieren disipadores de calor para disipar eficientemente el
calor

evitando

as

que

se

quemen.

La

seal

de

microonda

generada usualmente tiene una frecuencia de en el rango de 1

a 100 GHz dependiendo del diodo utilizado y de la cavidad
resonante asociada.
El termino diodo es realmente una mala denominacin
porque los diodos gunn no son diodos reales. El termino diodo
se utiliza porque son dispositivos semiconductores de dos
terminales y permite la utilizacin del trmino nodo para el
extremo positivo del dispositivo. El nombre gunn viene de
efecto gunn, el principio q esta detrs de la operacin del
dispositivo.

OBJETIVOS
Familiarizarnos

con

los

principios

bsicos

de

operacin de un oscilador gunn as como tambin determinar

las caractersticas de voltaje-corriente y voltaje-potencia
de un oscilador.

EQUIPOS UTILIZADOS PARA EL LABORATORIO

Fuente de alimentacin del oscilador GUNN

Medidor de potencia

Oscilador gunn

Montaje del termistor

Atenuador fijo 6 dB

Cables de conexin y accesorios

Soportes de gua de onda

PROCEDIMIENTO

1- Asegurarnos que todos los medidores de potencia estn en la

posicin OFF

Figura 1. Medidor de Potencia Fuente de

alimentacin

2-

Se conectaron los componentes segn la figura

Figura 2. Gua de conexin

Equipo montado segn la figura 2

3-

Se Realizo los ajustes en la fuente de alimentacin del

oscilador gunn

Voltaje: MIN

Modo: DC

RANGO DEL MEDIDOR 10 V

Se enciendo la fuente de alimentacin del oscilador gunn, el

medidor de potencia. seleccionamos el rango a 3 mW en el
medidor de potencia. Esperamos aproximadamente dos minutos
para que el medidor de potencia se estabilice. Utilizamos la
perillas

ZERO ADJUST para ajustar la aguja de indicador de

potencia a 0 mW.
4-

Se ajusto el voltaje de alimentacin del oscilador gunn

a 8 V
5-

Se

ajusto

adaptacin

el

del

cortocircuito

montaje

del

mvil

termistor

los

para

tornillos
hacer

de

mxima

lectura de potencia en el medidor.

6-

Para

cada

valor

de

voltaje

dado

en

la

tabla

1,

realizamos lo siguiente:
a) Se selecciono el RANGO DEL MEDIDOR en 10 V y se ajusto la
perilla de VOLTAJE para el voltaje requerido.
b) Seleccione el RANGO DEL MEDIDOR 250 mA y se mido la corriente
tomada por el oscilador Gunn.
c) Se selecciono el RANGO DEL MEDIDOR 10 V en la fuente de
alimentacin

del

oscilador

Gunn

se

mido

la

potencia

absorbida por el termistor Pread.

d) Se Multiplico la lectura del medidor de potencia por 4 para
obtener la potencia entregada por el oscilador Gunn P0. Esto
es

necesario

para

corregir

la

prdida

de

potencia

en

el

atenuador fijo de 6 dB.

e) Utilice la ecuacin 1 para calcular la eficiencia h de la
fuente

Gunn.

Note

que

esta

ecuacin

trabajara

unidades dadas en la tabla: (ver tabla 1)

N (%) = (P0 / V x I) x 100 ecu. 1

con

las

Nota: para mantener la precisin, desconecte frecuentemente

el cable de fuente alimentacin, de la salida de la fuente de
alimentacin del oscilador gunn y reajuste el control cero
del medidor de potencia con la perilla de ajuste de zero.

Voltaje

Corriente

Lectura

del

suministr suministr

medidor

de

ado
V
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10

potencia
Pread
mW
0
0
0
0
0
0
0
0
0.1
0.001
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.7
2.8
3

ada
I
mA
0
35
65
90
115
125
135
135
125
120
115
115
105
110
110
100
95
105
90
100
95

Eficienc

Potencia

ia

entregada
Po=Pread*4
mW
0
0
0
0
0
0
0
0
0.4
0.04
4.8
5.6
6.4
7.2
8.0
4.8
9.6
10.4
10.8
11.2
12

n
%
0
0
0
0
0
0
0
0
0.08
0.0074
0.83
0.89
1.02
1.01
1.04
0.64
1.48
1.17
1.33
1.18
1.26

TABLA 1: Determinacin de las caractersticas del oscilador

gunn
7-

A partir de los resultados que se usted obtuvo en la

tabla

se

dibujo

la

curva

oscilador Gunn en la figura 3.

corriente

versus

Voltaje

del

Curva corriente vs voltaje del oscilador

8-

partir

de

los

resultados

obtenidos

en

el

paso

7,

dibuje potencia entregada P0 versus voltaje suministrado al

oscilador Gunn.
Note el voltaje al comienza a oscilar el oscilador Gunn.
Refirindose a la figura 12, Est este voltaje dentro de la
regin de resistencia negativa?
Tambin en la figura 3-6, dibuje la eficiencia del oscilador
Gunn en funcin

del voltaje suministrado a partir de los

resultados de la tabla 1
9-

Se procedi a llevar la perilla del control de voltaje

de la fuente de alimentacin del oscilador Gunn a su posicin

mnima. Coloque todos los interruptores de potencia en 0
(off), desarme la instalacin y coloque todos los componentes
en sus compartimientos de almacenaje.

ANALISIS DE DATOS:
PREGUNTAS:
1. Cules son los componentes principales de un oscilador gunn?

Modulo diodo-Gunn, longitud aprox. 27 mm.

Pared posterior de la cubierta.
Diafragma perforado con abertura de 8 mm de dimetro.
Adaptador para gua de ondas, 32 mm.

2. En qu materiales es posible el efecto Gunn?

El

efecto

gunn

es

solo

posible

en

algunos

materiales

semiconductores tipo m. los ms comnmente utilizados son el

arcienuro de galio (GaAs) y el fosfuro de indio (InP) aunque
el efecto ha sido demostrado en el telurio de cadmio (CdTe) y
en el arcienuro de indio (InAs).
3. Describa

el

fenmeno

que

crea

la

negativa en un cristal semiconductor?

resistencia

dinmica

Si

el

material

semiconductor

no

esta

dopado

uniformente,

habr una regin en el cristal donde la concentracin de

electrones es relativamente baja, por lo que esta ser menos
conductiva que el resto del cristal. En esta regin el campo
elctrico ser mas fuerte que el resto del cristal por lo que
esta se convierte en la primera area que que transfiera sus
electrones hacia la banda de alta energa cuando el voltaje
se incrementa. Los electrones de esta regin ser entonces
demorados

la

regin

se

convierte

en

un

dominio

de

oscilacin

de

resistencia negativa.
4. Qu

determina

la

frecuencia

exacta

del

oscilador Gunn?
Est determinada por las dimensiones fsicas del material
semiconductor para la frecuencia exacta de operacin depende
del circuito sintonizado.
5. Un oscilador gunn genera una seal de microondas de ondas
continua (CW) de 100 mW con una eficiencia de 2% Cunta
potencia debe disipar el disipador de calor?

CONCLUSION
Se cumplieron el objetivo de familiarizarnos con los
principios de operacin de un oscilador a diodo gunn de igual
forma se demostr mediante realizacin de la grafica (curva
caracterstica V-I) para el diodo gunn y distingo la regin
de resistencia negativa.