POLARIZACION DEL TRANSISTOR

PRACTICA N 9

I.- FUNDAMENTO TEORICO

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector(C), base(B) y emisor(E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de corriente:
electrones y lagunas o agujeros.

A.- CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:
1.- Por la disposicin de sus capas
- Transistores PNP
- Transistores NPN
2.- Por el material semiconductor empleado
- Transistores de Silicio
- Transistores de Germanio
3.- Por la disipacin de Potencia
- Transistores de baja potencia
-Transistores de mediana potencia
- Transistores de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo
- Transistores de baja frecuencia
- Transistores de alta frecuencia
B.- POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente.

Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un
transistor PNP debe ocurrir lo contrario.
C.- CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la funcin que
cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y
Americanos.
CODIFICACION EUROPEA
Primera letra
A : Germanio
B : Silicio
Segunda Letra
A : Diodo (excepto los diodos tnel)
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia
E : Diodo tnel de potencia
F : Transistor de alta frecuencia
L : Transistor de alta frecuencia y potencia
P : Foto semiconductor
S : Transistor para conmutacin
U : Transistor para conmutacin y de potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener

Nmero de serie
100 999 : Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja
frecuencia.
CODIFICACION JAPONESA
Primero
0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo
1 : Diodos
2 : Transistor
Segundo
S : Semiconductor

Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C : Transistor NPN de RF
D : Transistor NPN de AF
F : Tiristor tipo PNPN
G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.

CODIFICACION AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a
continuacin un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128,
etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

II.- MATERIALES Y EQUIPO

Una Fuente de Tensin de 0 a 15 V
Un transistor 2N3904 (NPN) o equivalente
9 Resistencias de W: 100,750,910, 1K, 2.2K, 3.3K, 10K, 270K, 470K.
Un VOM (Multmetro digital o analgico)

III.- PROCEDIMIENTO

POLARIZACION FIJA DE BASE

- El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados:

Prctico

Terico

VC

7.5V

7.53V

VB

0.7V

0.7V

VE

0V

0V

VCE

7.5V

7.53V

IC

10mA

9.96mA

IE

10mA

9.96mA

IB

52.96A

52.96A

188.82

RESULTADOS TEORICOS
Si consideramos B=188
Tenemos
En la Malla de base:
Ib(270K)+0.7V=15V
Ib = (15V-0.7V)/(270K)
Ib = 52.96uA
Ic = B(Ib)
Ic = (188)(52.96uA)
Ic = 9.96 mA
En la malla de colector
Ic(750)+Vce = 15V
Vce = 15V (9.96mA)(750)
Vce = 7.53 V

POLARIZACION POR EMISOR

- El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

188

En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados:

Prctico

Terico

VC

10V

10.09V

VB

1.2V

1.24V

VE

0.55V

0.54V

VCE

9.6V

9.55V

IC

5.1mA

5.4mA

IE

5.1mA

5.4mA

IB

27A

29.25uA

Si consideramos B=188
Tenemos
En la Malla de base:
Ib(470K)+0.7V+Ie(100) = 15V
Ib = (15V-0.7V)/(470K+100(188+1))
Ib = 29.25uA
Ic = Ib(188)
Ic = (29.25uA)(188)
Ic = 5.4 mA
En la malla de colector
Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V
Vce = 15V (910)(5.4mA)-(100)(5.4mA)
Vce = 9.55 V
Ve = (100)(5.4mA)
Ve = 0.54 V
Vc = 9.55V + 0.54V
Vc = 10.09V
Vb = 0.7V + 0.54V
Vb = 1.24V

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

188.88

188

- El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados:

Prctico

Terico

VC

8.4V

8.45V

VB

2.7V

2.65V

VE

2.1V

1.95V

VCE

6.6V

6.5V

IC

1.8mA

1.97mA

IE

1.8mA

1.97mA

IB

8A

8.77uA

225

225

Si consideramos B=225
Tenemos
En la Malla de base:
Ib(Rbb)+0.7V+Ie.Re = Vbb
Ib(1.8K)+0.7V+Ie(1000) = 2.7V
Ib = (2.7V-0.7V)/(1.8K+1000(225+1))
Ib = 8.77uA
Ic = Ib(225)
Ic = (8.77uA)(225)
Ic = 1.97mA
En la malla de colector
Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V
Vce = 15V (3.3K)(1.97mA)-(1000)(1.97mA)
Vce = 6.5 V
Ve = (1000)(1.97mA)
Ve = 1.95V
Vc = 6.5V + 1.97V
Vc = 8.45V

Vb = 0.7V + 1.95V
Vb = 2.65 V

IV.- CONCLUSIONES
La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base
es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor.
La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le
denota por CD o bien por hFE.
Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa. Cuando se
usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.