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HELALI KAMELIA
Ingnieur dEtat en Electrotechnique
de lUMMTO (Tizi-Ouzou)
Thme
Professeur
Professeur
UMMTO
UMMTO
Prsident
Rapporteur
Matre de Confrences A
UMMTO
Examinateur
Mr Mhemed RACHEK
Matre de Confrences A
UMMTO
Examinateur
Mr Mustapha BOUHERAOUA
Matre de Confrences B
UMMTO
Examinateur
Remerciements
Tout dabord je tiens remercier Monsieur Nacer Eddine BENAMROUCHE
Professeur luniversit de Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou pour lencadrement
quil m'a assur et ses prcieux et judicieux conseils quil n'a cess de me prodiguer
tout au long de ce projet, sa confiance tmoigne, sans oublier sa qualit humaine. Il
trouve ici ma gratitude et ma reconnaissance profonde.
Par ailleurs, je tiens exprimer mes vifs remerciements au prsident du jury
Monsieur Salah HADDAD, Professeur luniversit de Mouloud Mammeri de TiziOuzou.
Je tiens galement remercier tous ceux qui ont particip de prs ou de loin
la ralisation de ce travail.
Ddicaces
Je ddie ce modeste travail :
Mes trs chers parents, pour leur sacrifices, et qui nont jamais cess de mencourager que Dieu
me les garde.
Mes trs chres surs : Chahrazad et son mari Marzak, hayate et Kahina.
Mes trs chrs frres : Nourddin, Hamza, Smal.
Ma grand-mre que dieu me le garde.
Tous mes amis (es) :
KAMELIA
III-1 Introduction...50
III-2 Modlisation des cellules photovoltaques...51
III-3 Modles deux diodes.53
III-3-1 Modle sept paramtres (2M7P)..53
III-3-1-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de 2M7P...55
III-3-1-2 Simulation dune cellule 2M7P...57
III-3-2 Modle six paramtres (2M6P)...58
III-3-2-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de 2M6P...58
III-3-3 Modle cinq paramtres (2M5P).59
III-3-3-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de 2M5..60
III-4 Modles une diode.61
III-4-1 Modle trois paramtres (L3P)61
III-4-1-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de L3P.62
III-4-2 Modle quatre paramtres (L4P).63
III-4-2-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de L4P..64
III-4-3 Modle cinq paramtres (L5P)64
III-4-3-1 Caractristiques courant-tension et puissance-tension de L5P..65
III-5 Etude comparative66
III-5-1 Influence de la rsistance shunt..66
III-5-2 Influence de la rsistance srie...68
III-6 Conclusion73
Symbole
Unit
Dfinition
j.s-1
Constante de Planck
Hz
eV
Quantit dnergie
m.s-1
Vitesse de lumire
Longueur donde
jour
Longitude du lieu
Latitude du lieu
Dclinaison du soleil
Degr
Azimut du soleil
()
Hauteur du soleil
La hauteur du capteur
Angle d'inclinaison
Azimut du capteur
Angle d'incidence
I
G
Rayonnement direct
Dh
Rayonnement global
2
W/m
Gh
Alb
Albdo du sol
STC
GPV
MPP
NOCT
N
Ns
Gnrateur photovoltaque
Np
A /K
V /K
La rsistance shunt
Temprature absolue
La constante de Boltzmann
Temprature ambiante
La temprature de cellules la condition de rfrence
C
w/m
m
Introduction gnrale
Introduction gnrale
La production d'nergie est un dfi de grande importance pour les annes venir. En
effet, les besoins nergtiques des socits industrialises ne cessent daugmenter. Par
ailleurs, les pays en voie de dveloppement auront besoin de plus en plus dnergie pour
mener bien leur dveloppement. De nos jours, une grande partie de la production mondiale
dnergie est assure partir de sources fossiles. La consommation de ces sources donne lieu
des missions de gaz effet de serre et donc une augmentation de la pollution. Le danger
supplmentaire est quune consommation excessive du stock de ressources naturelles rduit
les rserves de ce type dnergie de faon dangereuse pour les gnrations futures.
Par opposition, une nergie dite renouvelable doit se regnrer naturellement et
indfiniment lchelle temporelle de notre civilisation. Parmi ces nergies, lnergie issue du
soleil rpond actuellement ces critres la fois dabondance la surface terrestre et de
regnration infinie notre chelle. Elle peut ainsi tre utilise directement sous forme
thermique et depuis la dcouverte de leffet photovoltaque, convertie en nergie lectrique.
Cette dernire, bien quelle soit connue depuis de nombreuses annes, comme source pouvant
produire de lnergie allant de quelques milliwatts au mgawatt, reste un stade anecdotique
et ne se dveloppe pas encore dans de grandes proportions, notamment cause du cot trop
lev des capteurs mis en uvre [1].
La conversion de la lumire en lectricit, appele effet photovoltaque, a t dcouverte
par E. Becquerel en 1839. Cette conversion dnergie peut seffectuer par le biais dun
capteur constitu de matriaux sensibles lnergie contenue dans les photons. Ce capteur se
prsente lchelle lmentaire sous forme dune cellule nomme cellule photovoltaque
(PV). La quantit dnergie lectrique ainsi gnre peut varier en fonction du matriau
utilis, des paramtres gomtriques du capteur et de sa capacit collecter les lectrons avant
quils ne se recombinent dans le matriau. Lassociation possible de plusieurs cellules PV en
srie/parallle permet dadapter thoriquement la production dnergie photovoltaque la
demande. Ces associations constituent un gnrateur photovoltaque (GPV) avec des
caractristiques courant-tension I(V) spcifiques, non-linaires et prsentant des points de
puissance maximale (PPM) dpendant du niveau dclairement, de la temprature de la cellule
ainsi que du vieillissement de lensemble [2, 5].
En effet, le dveloppement des systmes de conversion rentables et conomiquement
viables, passe ncessairement par la comprhension des diffrents composants du systme
leur tte le panneau solaire. Ce dernier est compos de plusieurs cellules solaires qui
1
Introduction gnrale
Chapitre I
I-1 Introduction
Le soleil est une source quasiment inpuisable dnergie qui envoie la surface de la
terre un rayonnement qui reprsente chaque anne environ 15000 fois la consommation
nergtique de lhumanit. Cela correspond une puissance instantane reue de 1 kilowatt
crte par mtre carr (kWc/m2) rpartie sur tout le spectre, de lultraviolet linfrarouge. Les
dserts de notre plante reoivent en 6 heures plus dnergie du soleil que ne consomme
lhumanit en une anne [4].
Depuis trs longtemps, lhomme a cherch utiliser lnergie mise par le soleil, ltoile
la plus proche de la terre. La plupart des utilisations sont directes comme en agriculture,
travers la photosynthse ou dans diverses applications de schage et chauffage, autant
artisanale quindustrielle. Cette nergie est disponible en abondance sur toute la surface
terrestre et, malgr une attnuation importante lors de la traverse de latmosphre, une
quantit encore importante arrive la surface du sol. On peut ainsi compter sur 1000 W/m2
dans les zones tempres et jusqu 1400 W/m2 lorsque latmosphre est faiblement pollue
en poussire ou en eau. Le flux solaire reu au niveau du sol terrestre dpend ainsi de
plusieurs paramtres comme :
la latitude du lieu de collecte, de son degr de pollution ainsi que de son altitude,
la priode de lanne,
Les zones les plus favorables sont rpertories sous forme datlas et mettent en vidence
des gisements solaires la surface de la terre [5].
Comme pour toutes les applications de l'nergie solaire, une bonne connaissance du
gisement solaire est ncessaire l'tude des systmes photovoltaques. Par gisement solaire,
on entend ici les diffrentes caractristiques du rayonnement solaire, susceptibles d'influencer
les performances d'un systme en un lieu donn.
Dans un premier temps, on rappellera quelques donnes de base concernant le spectre du
rayonnement solaire.
Chapitre I
Daprs la figure I-1, nous constatons que le rayonnement solaire peut tre rflchi,
diffus ou absorb. Par ailleurs, les spectres des rayonnements rflchi, diffus, et absorb
sont diffrents.
A la surface de la terre, le spectre solaire nest pas le mme que dans lespace, car il est
pondr par labsorption des molcules prsentes dans latmosphre (O3, CO3, H2O,). Les
conditions climatiques ainsi que la prsence de particules influencent galement la valeur
relle du spectre. Pour tenir compte de ces diffrences, comparer les performances des
cellules solaires et qualifier les diffrents spectres solaires utiliss, on introduit un coefficient
appel masse dair (AMx) dont lexpression est:
4
Chapitre I
(I-1)
o est langle que fait le soleil avec son znith. Par dfinition, AM0 correspond aux
conditions hors atmosphre. Quand le soleil fait un angle de 48.19 par rapport au znith, la
lumire incidente est dite AM1.5. Le nombre de masse d'air caractrise la puissance
transporte par le rayonnement solaire (83.3 mW/cm pour AM1.5 dont la surface est incline
37du soleil) et de plus, sert de standard pour quantifier les performances de nouveaux
dispositifs photovoltaques. Les conditions standards de caractrisation sont dfinis par les
normes IEC-60904 de l'International Electrotechnical Commission (IEC) selon une
distribution spectrale AM1.5 global (somme des rayonnements directs et diffus), d'intensit
100mW/cm et pour une temprature de cellule de 25C [6,12].
Au sol, le rayonnement solaire a au moins deux composantes : une composante directe et
une composant diffuse (rayonnement incident diffus ou rflchi par un obstacle : nuages, sol)
formant le rayonnement global. La Figure I-2 montre le spectre dmission solaire sous
AM1.5 global normalis 100 mW/cm [8,9].
Sa valeur dpend de la pression, de laltitude et de langle dincidence des rayons
lumineux. Lintgration de lirradiance sur la totalit du spectre permet dobtenir la puissance
P (en W.m-2) fournie par le rayonnement. Pour simplifier on utilise les notions suivantes [8]:
AM0: Hors atmosphre (application spatiale). P 1.36KW.m-2
AM1: Le soleil est au znith du lieu dobservation ( lquateur).
Figure I-2: Schma indiquant le nombre d'air masse AMx en fonction de la position gographique.
Le gisement solaire au sol est trs variable comme prsent sur la figure I-3. La mesure a
t faite luniversit Paul Sabatier Toulouse [10].
5
Chapitre I
Nous constatons une variabilit importante les jours nuageux (1) par rapport aux jours
avec claircies (2) et les jours de soleil (3). Lirradiation du soleil les jours nuageux est
environ 200W/m alors quelle est de 1000W/m pour les jours ensoleills. La prsence de
nuages modifie sensiblement limportance des rayonnements du soleil, les nuages jouant un
rle de milieu diffusant [10].
Figure I-3 : Irradiation globale (W/m) au sol Toulouse du 11 juin au 14 juin 2009 (date proche du
solstice dt) [10].
Chapitre I
La figure I-5, publie par Mto France, montre que prs du quart de cet clairement
incident est rflchi dans l'espace par l'atmosphre : pareille rflexion est essentiellement le
fait des nuages (65 W.m-2), le reste (15 W.m-2) tant d aux autres constituants
atmosphriques comme les gaz et arosols. Il reste donc 180 W.m-2 qui parviennent la
surface terrestre au terme d'une transmission dont les deux tiers (120 W.m-2) se font
directement, le reste (60 W.m-2) s'effectuant par diffusion vers le bas.
Chapitre I
.
.
(I-2)
: frquence (s-1)
Chapitre I
(
m)
0,2
0.4
0.5
0.78
1
2
4
E (ev)
Zone
6.2
3.1
2.48
1.59
1.24
0.62
0.31
Ultra-violet
Visible bleu
Visible jaune-vert
Visible rouge
Infrarouge
Infrarouge
Infrarouge
Pour que le rayonnement solaire produise un courant lectrique dans un matriau donn,
faisant alors office de capteur, il faut que les photons soient tout dabord absorbs par un ou
plusieurs matriaux sensibles la longueur donde des photons. Puis, lnergie des photons
excite des lectrons, qui sont ensuite collects afin de constituer un courant lectrique global.
I-3-1 Longitude
La longitude dun lieu correspond langle form par deux plans mridiens (passant par
laxe des ples), lun tant pris comme origine (mridien de Greenwich 0) et lautre
dtermin par le lieu envisag.
9
Chapitre I
On affecte du signe (+) les mridiens situs lest de ce mridien, et du signe (-) les
mridiens situs louest.
La longitude dun lieu peut aussi tre comprise entre -180 et +180, tout cart de 1 de
longitude correspond un cart de 4 minutes de temps. La longitude sera dsigne ici par la
lettre 0 [13].
I-3-2 La latitude
La latitude dun lieu la surface de la terre est langle entre lquateur et le rayon de la
terre passant par le lieu considr. La latitude est compte de 0 +90 dans lhmisphre
nord [14].
La latitude a aussi un effet important : les journes estivales sallongent mesure quon
sloigne de lquateur, et le soleil est plus bas au midi solaire.
Les journes dhiver sont plus courtes, et le soleil encore plus bas qu lquateur.
Autrement dit, lintensit maximale ( midi) et la quantit totale de rayonnement solaire (G)
sur un plan horizontal diminuent mesure quaugmente la latitude, Figure I-7 [15].
Figure I-7: Courbes densoleillement typique par mois pour diffrentes latitudes.
I-3-2 Laltitude
Laltitude dun point correspond la distance verticale entre ce point et une surface de
rfrence thorique (niveau moyen de la mer), on lexprime gnralement en mtre.
10
Chapitre I
axe de rotation est pench dun angle de 23 27 23.45 avec un mouvement de rvolution,
Dans lunivers tout est en mouvement. La terre est en rotation sur elle-mme puis elle
tourne au tour du soleil en Pt = 365jours 5h 48mn 40s 365.25 jours. Elle dcrit une orbite
elliptique dont le soleil occupe lun des foyers. Cette orbite est situe dans un plan appel plan
de lcliptique o le soleil est presque au centre. Elle est lgrement aplatie, elle correspond
un cercle de rayon moyen de 1.49675*108km (1 AU). Cette distance est minimale au dbut
janvier et maximale au dbut de juillet, figure (I-8) [18].
11
Chapitre I
Le rayonnement direct Ion est lclairement reu par un plan dispos sous incidence
normale aux rayons solaires par unit de surface la limite suprieure de latmosphre. Il est
donn par lquation (I-3) en watts par mtre carr
. 1 " 0.033 $% &
'((.)
Avec:
'(*
+,
(I-3)
'((.)
'(*
Pour un lieu donn, la position du soleil est repre chaque instant de la journe et de
lanne par deux systmes de coordonnes diffrents :
Le mouvement du soleil est repr par rapport au plan quatorial de la terre laide de
deux angles (, H).
12
Chapitre I
'('(*
34 5 807,
(I-4)
'(-
Avec:
'*(
'('*(
. 34 5 27,@A
(I-5)
J : le numro du jour de lanne compt partir du 1er janvier, cest dire il varie de 1 365 ou
366 selon lanne.
varie entre deux valeurs extrmes : - 0 + 0 avec 0 = 23,45.
La variation de la dclinaison du soleil au cours de lanne est reprsente par la figure
(I-9) [16].
13
Chapitre I
= 23,45 (au Solstice t) : Le solstice d't (au 21 juin), nous observons que le soleil
est son point le plus lev dans le ciel. Elle marque le dbut de l't dans
l'hmisphre nordique.
Avec
B 153CDE 5 127
CDE C 5 CF " &
L 9.87 sin 2
'('(*
HIJ
(-
(I-6)
'('(*
(I-7)
'('(*
. 34 5 817,
(I-8)
TSV (Temps Solaire Vrai) : Temps repr de faon que le soleil se trouve au znith
midi.
: longitude du lieu.
On prend:
14
Chapitre I
Le repre horizontal est form par le plan de lhorizon astronomique et vertical du lieu. Dans
ce repre, les coordonnes sont la hauteur h et lazimut a, figure (I-11) [19].
Cest langle que fait la direction du soleil avec sa projection sur le plan horizontal. La
hauteur du soleil varie chaque instant de la journe et de lanne selon la relation suivante :
Avec:
15
(I-10)
Chapitre I
Cest langle que fait la projection de la direction du soleil avec la direction du Sud.
Lazimut du soleil varie chaque instant de la journe selon la relation suivante :
%=>3M7
3N7.O3P7
37
(I-11)
Le rayonnement direct est le rayonnement reu directement du Soleil. Il peut tre mesur
par un pyrhliomtre.
Le rayonnement direct reu dans le plan du capteur est :
3Q ,S7 . $%3=7
(I-12)
= (Angle d'incidence) : cest langle entre la direction du soleil et la normale au plan, Cet angle
peut tre dtermin par la connaissance des cosinus directeurs du rayon incident T
UV et la
normale >UV en coordonnes horizontales [16]:
16
Chapitre I
$%3X7. %=>3Y7
>UV W$%3X7. $%3Y7Z
%=>3X7
$%37. %=>3M7
T
UV W$%37. $%3M7Z
%=>37
(I-13)
(I-14)
$%3=7 $%3Y7. $%3X7. %=>3M7. $%37 " $%3Y7. $%3X7. $%3M7. $%37 " %=>3X7. %=>37 (I-16)
(I-17)
Cette quation peut tre crite dune autre manire, laide de lquation des passages
dun systme de coordonnes un autre. On peut crire langle dincidence en coordonnes
horaires, quation (I-18).
%=>37 $%3X7. $%3B7. $%37 " %=>3/7. %=>37
Z
]
3S7.3P7
%=>3M7 37
(I-18)
17
(I-19)
Chapitre I
= 90 5 3 " Y7
Z
_
Q . $%3=7 . %=>3 " =7
(I-20)
Azimut quelconque : a ` 0
On a:
Q . $%37. $%3M7
(I-21)
Pour un plan inclin dun angle sur lhorizontal et orient sud (I-12-d), Q est la
perpendiculaire lhorizon : I.sinh, lautre dans le plan de lhorizon, pointant vers le sud : I
cos (h). cos( a).
La somme des projections donne :
Q . a%=>37. $%3Y7 " $%37. $%3M7. %=>3Y7b
(I-22)
Pour un plan vertical dorientation quelconque dont la normale fait un angle avec le
plan mridien (I-12-e).
On a:
Y 90
Z
cL
]
Q . $%37. $%3X 5 M7
(I-23)
18
(I-24)
Chapitre I
Figure (I-12-a)
Figure (I-12-b)
Figure (I-12-c)
Figure (I-12-d)
Figure (I-12-e)
Figure (I-12-f)
Figure I-12 : Mesure le rayonnement sur une surface dinclinaison quelconque [18].
I3Q7
e
h3Q7
e
+ . i
(I-25)
Chapitre I
Avec :
Alb: albdo (coefficient de rflexion du sol)
h: hauteur de soleil [degr]
Dh: diffus sur plan horizontal
Gh : global horizontal
c>c9m=c 9cnf=c
c>c9m=c 9cTc
(I-26)
Avec :
pq
e
Ih : direct horizontal
20
pq
e
(I-27)
Chapitre I
La figure suivante prsente les appareils de mesure pour les diffrents types de
rayonnement :
I-7 Conclusion
Les donnes mtorologiques concernant le rayonnement solaire ne sont gnralement
pas suffisantes pour pouvoir quantifier tous les phnomnes qui se produisent lorsquun
panneau photovoltaque reoit de la lumire. Une bonne connaissance du gisement solaire
savre ncessaire.
Dans ce chapitre, nous avons prsent des notions importantes sur le gisement solaire
comme les coordonnes terrestres et horaires, les temps de base et le mouvement de la terre
autour de soleil. Ensuite, nous avons prsent les diffrents types de rayonnements (direct,
diffus, albdo et global) et les expressions mathmatiques de chaque rayonnement selon la
variation dinclinaison et dorientation.
21
Chapitre II
II-1 Introduction
L'nergie solaire est une source d'nergie accessible tous (industriels, collectivits et
particuliers). Grce celle-ci, il est possible de produire trois types d'nergies : l'nergie
calorifique avec les installations solaires thermiques (chauffe-eau solaire ou climatiseur
solaire), l'nergie lectrique avec les installations solaires photovoltaques et le solaire
concentration thermodynamique [21].
Llectricit photovoltaque a dans un premier temps t dveloppe pour des
applications autonomes sans connexion un rseau lectrique pour par exemple des satellites
de tlcommunication ou pour des habitations isoles. On la trouve maintenant dans des
applications de diverses puissances comme les calculatrices, les montres et dautres objets
dutilisation courante. En effet, cette lectricit produite par des cellules photovoltaques
individuelles peut alimenter diverses charges continues sans difficult. Plus rcemment, avec
lmergence dinstallations photovoltaques connectes au rseau de distribution, le
photovoltaque a connu un dveloppement important en tant que moyen de production
dlectricit.
Cette volution constante a t rendue possible grce aux recherches fondamentales
menes dans le domaine des matriaux photovoltaques, mais aussi par lamlioration
progressive des dispositifs de gestion de cette nergie mene en parallle. En effet,
llectricit photovoltaque est une source dnergie intermittente, caractre non-linaire et
dpendante de nombreux paramtres comme lirradiance et la temprature. Il a donc fallu
adapter cette source dnergie notre mode de consommation, soit en stockant la production
solaire dans des batteries ou dans tout autre moyen de stockage en cours de dveloppement,
soit en la renvoyant sur le rseau lectrique public [22].
II-2 Conversion dnergie : les diffrentes technologies solaires
Il existe principalement trois faons d'utiliser directement l'nergie solaire : la
thermodynamique, la thermique et le photovoltaque.
22
Chapitre II
23
Chapitre II
Le principe de fonctionnement de lnergie solaire thermique est montr par la figure II3.Pour commencer, le rayon solaire traverse une plaque de verre transparente ; le rayon
lumineux sera alors absorb aprs avoir pass la plaque de verre, par une plaque de mtal noir
qui absorbera environ 80 90% des rayons solaires. Puis, la chaleur ainsi gnre est
transmise un circuit deau qui alimente un circuit secondaire qui, son tour, alimente une
habitation en eau sanitaire ou en chauffage.
La composition dun panneau solaire thermique est montre dans la figure II-4. Il est
compos dun corps opaque qui absorbe le rayonnement solaire en schauffant ; un systme
de refroidissement par le fluide caloporteur (transportant lnergie) ; un isolant thermique
situ sur les faces non exposes au rayonnement et une couverture transparente sur la face
expose, destine assurer leffet de serre lintrieur du capteur.
24
Chapitre II
25
Chapitre II
Figure II-5 : Evolution de la production mondiale des diffrentes technologies de cellules PV [3].
Ces technologies coexistent sur le march dans des proportions quivalentes depuis de
nombreuses annes malgr des prix et des rendements trs diffrents. Laugmentation des
rendements focalise particulirement lintrt des chercheurs.
26
Chapitre II
II-3-1 Le silicium
La filire silicium reprsente aujourdhui lessentiel de la production mondiale des
panneaux photovoltaques. Il sagit dun matriau extrmement abondant, stable et non
toxique. Cette filire est elle-mme subdivise en plusieurs technologies distinctes de part la
nature du silicium employ et/ou sa mthode de fabrication. Cette filire comporte deux
technologies : le silicium monocristallin et le silicium multicristallin [3,24].
II-3-1-1 Le silicium mono-cristallin
Lors du refroidissement, le silicium fondu se solidifie en ne formant qu'un seul cristal de
grande dimension. On dcoupe ensuite le cristal en fines tranches qui donneront les cellules.
Ces cellules sont en gnral d'un bleu uniforme, intense et brillant. Elles sont utilises, mais
ne sont pas majoritaires sur le march de l'nergie photovoltaque.
Le rendement du silicium monocristallin est le plus lev, il est compris entre 12 et 20%
pour les cellules industrielles. Son cot lev est aujourdhui un handicap et le silicium
monocristallin perd du terrain devant le silicium multicristallin.
II-3-1-2 Le silicium multicristallin (Polycristallin)
Le silicium multicristallin (Polycristallin) est devenu aujourdhui la technologie la plus
utilise. A elle seule elle reprsente prs de 50% du march. Ces cellules sont obtenues par
coulage de cristaux de silicium, ce qui rend sa structure htrogne. Son rendement est
lgrement infrieur au silicium monocristallin il est compris entre 10 et 14% selon les
fabricants. En revanche sa fabrication est beaucoup plus simple, les cots de production sont
donc plus faibles.
(a)
(b)
Chapitre II
28
Chapitre II
Chapitre II
Lintrt de ces cellules vient aussi du fait que, contrairement aux cellules base de
matriaux inorganiques, elles offrent lavantage de pouvoir tre dpos en grande surface,
grande vitesse, par des techniques dimpression classiques. Elles ouvrent galement la voie
aux applications lgres, nomades et souples. Enfin, grce des cots de fabrication et de
matriaux plus faibles, ces cellules devraient dans lensemble revenir beaucoup moins chres
que leurs concurrentes [24].
Le tableau ci-dessous
cellules.
Tableau II-1 : Comparatif des rendements des diffrents types de cellules [6].
30
Chapitre II
II-4 Le photovoltaque
II-4-1 La cellule PV
La cellule PV ou encore photopile est le plus petit lment dune installation
photovoltaque. Elle est compose de matriaux semi-conducteurs et transforme directement
lnergie lumineuse en nergie lectrique. Les cellules photovoltaques sont constitues :
dune fine couche semi-conductrice (matriau possdant une bande interdite, qui joue
le rle de barrire dnergie que les lectrons ne peuvent franchir sans une excitation
extrieure, et dont il est possible de faire varier les proprits lectroniques) tel que le
silicium, qui est un matriau prsentant une conductivit lectrique relativement
bonne,
dune couche anti-reflet permettant une pntration maximale des rayons solaires,
dune grille conductrice sur le dessus ou cathode et dun mtal conducteur sur le
dessous ou anode,
Une cellule photovoltaque est base sur le phnomne physique appel effet
photovoltaque qui consiste tablir une force lectromotrice lorsque la surface de cette
cellule est expose la lumire. La tension gnre peut varier entre 0.3 V et 0.7 V en
fonction du matriau utilis et de sa disposition ainsi que de la temprature et du
vieillissement de la cellule [2].
31
Chapitre II
Figure II-11 : Caractristiques dune jonction PN polarise sous diffrents clairements (E).
absorption des photons (dont lnergie est suprieure au gap) par le matriau
constituant le dispositif;
32
Chapitre II
Figure II-12 : Structure (gauche) et diagramme de bande (droite) dune cellule photovoltaque.
Les dimensions respectives des diffrentes zones ne sont pas respectes.
Les photons incidents crent des porteurs dans les zones N et P et dans la zone de charge
despace. Les photo-porteurs auront un comportement diffrent suivant la rgion :
33
Chapitre II
dans la zone de charge despace, les pairs lectron/ trou cres par les photons
incidents sont dissocies par le champ lectrique : les lectrons vont aller vers la
rgion N, les trous vers la rgion P. On aura un photocourant de gnration [25].
cblage des cellules photovoltaques : les cellules sont connectes entre elles par un
fins ruban mtallique (cuivre tam), du contact en face avant (-) au contact en face
arrire (+)
Cellule
Ruban
les cellules sont encapsule sous vide entre 2 films thermoplastiques transparents
(EVA : Ethylne Actate de Vinyle)
le plus souvent prsence dun cadre en aluminium avec joint priphrique pour
permettre la dilatation
un verre tremp en face avant protge les cellules sur le plan mcanique tout en
laissant passer la lumire
34
Chapitre II
(II-1)
Avec :
: la puissance disponible en sortie du GPV
: la tension la sortie du GPV
: le courant de sortie du GPV
II-5-2-1 Mise en srie
Une association de Ns cellules en srie permet daugmenter la tension du gnrateur
photovoltaque (GPV). Les cellules sont alors traverses par le mme courant et la
caractristique rsultant du groupement srie est obtenue par addition des tensions
lmentaires de chaque cellule, figure II-15. Lquation (II-2) rsume les caractristiques
lectriques dune association srie de ns cellules.
.
(II-2)
Avec :
: la tension du circuit ouvert
Ce systme dassociation est gnralement le plus communment utilis pour les modules
photovoltaques du commerce. Comme la surface des cellules devient de plus en plus
importante, le courant produit par une seule cellule augmente rgulirement au fur et mesure
de lvolution technologique alors que sa tension reste toujours trs faible.
35
Chapitre II
sont
habituellement
raliss
en
associant
36
cellules
en
srie
(Vcons=0.6V*36=21.6V) afin dobtenir une tension optimale du panneau Vop proche de celle
dune tension de batterie de 12V [22].
.
(II-3)
Avec
36
Chapitre II
Si lon dsire avoir un gnrateur PV ayant un courant de sortie plus intense, on peut soit
faire appel des cellules PV de plus grande surface et de meilleur rendement, soit associer en
parallle plusieurs modules PV de caractristiques similaires. Pour quun gnrateur PV ainsi
constitu puisse fonctionner de faon optimale, il faut que les (Ns. Np) cellules se comportent
toutes de faon identique. Elles doivent pour cela tre issues de la mme technologie, du
mme lot de fabrication et quelles soient soumises aux mmes conditions de fonctionnement
(clairement, temprature, vieillissement et inclinaison).
La puissance du gnrateur PV sera optimale si chaque cellule fonctionne sa puissance
maximale note Pmax. Cette puissance est le maximum dune caractristique P(V) du
gnrateur, et correspond au produit dune tension optimale note Vop et dun courant optimal
not Iop.
Pour rduire les disfonctionnements, les fabricants ont choisi de ne pas commercialiser
des cellules PV seules. Ainsi, les gnrateurs PV se trouvent souvent sous forme de modules
pr-cbls, constitus de plusieurs cellules, aussi appels par abus de langage panneaux PV.
Chaque rfrence de module a ses propres caractristiques lectriques garanties 10 % selon
le lot de fabrication [1].
Le passage dun module un panneau se fait par lajout de diodes de protection, une en
srie pour viter les courants inverses et une en parallle, dite diode by-pass, qui nintervient
quen cas de dsquilibre dun ensemble de cellules pour limiter la tension inverse aux bornes
de cet ensemble et minimiser la perte de production associe .
37
Chapitre II
La tension en circuit ouvert (Vco) dune cellule PV est comprise entre 0,3V et 0,7V selon
le matriau utilis, la temprature et son tat de vieillissement. Son courant de court-circuit
(Icc) varie principalement selon le niveau dclairement et selon les technologies et les tailles
de cellules (entre 5 et 8A pour le silicium cristallin). Une cellule PV peut tre modlise par
les schmas prsents sur la figure II-19.
La Figure II-19a modlise la cellule PV dans les 1er et 4me quadrants. Pour simuler la
caractristique de la cellule dans le 2me quadrant une quatrime branche est rajoute en
parallle (Figure II-19b). Cette branche est constitue dun gnrateur de tension Ubo (Ubo
tension davalanche) et dune diode mise en srie. Elle simule le fonctionnement de la cellule
PV lorsquelle est polarise en inverse [3].
38
Chapitre II
39
Chapitre II
Une zone o limpdance interne du gnrateur varie trs fortement de Rs Rsh (zone
3). Cest dans la zone 3 quest situ le point de fonctionnement pour lequel la
puissance fournie par le gnrateur est maximale. Ce point est appel point de
puissance optimale, caractris par le couple (Imax, Vmax), et seule une charge dont la
caractristique passe par ce point, permet dextraire la puissance maximale disponible
dans les conditions considres [1].
40
Chapitre II
1
(II-4)
Avec :
: est la temprature absolue
: la constante de charge d'lectron, 1.602. 10$%& '
(: la constante de Boltzmann, 1.38. 10$%& +/,
: le courant photonique
: le courant de saturation
Deux rgimes peuvent tre observs suivant le degr dclairement figure II-18.
Rgime des faibles flux lumineux : dans ce cas, Iph - Is, ce qui permet dcrire :
1
(II-5)
Do :
.
.
.
(II-6)
.
.
Chapitre II
Rgime des flux lumineux suffisamment intenses pour que Iph 0 Is, soit :
01
Do :
(II-7)
(II-8)
Il est important de remarquer que cette tension augmente avec le log de Iph, donc avec le
log de lillumination. En revanche, elle dcrot avec la temprature, malgr le terme
. En
ouvert Vco baisse avec la temprature, ce qui est important dans le dimensionnement des
systmes [13].
Chapitre II
11
2345
(II-9)
67 .
II-7-4 Le rendement,8
Le rendement, 9 des cellules PV dsigne le rendement de conversion en puissance. Il est
dfini comme tant le rapport entre la puissance maximale dlivre par la cellule et la
puissance lumineuse incidente, Pin.
9
2345
2:;
<<. .67
(II-10)
2:;
Ce rendement peut tre amlior en augmentant le facteur de forme, le courant de courtcircuit et la tension circuit ouvert. Le rendement de conversion est un paramtre essentiel.
En effet, la seule connaissance de sa valeur permet d'valuer les performances de la cellule.
II-7-5 Le rendement quantique, EQE
Le rendement quantique est le rapport entre le nombre dlectrons dans le circuit externe
et le nombre de photons incidents. Lorsque les photons perdus par rflexion ( la fentre de la
cellule) et les photons perdus par transmission travers toute lpaisseur de la cellule ( cause
de labsorption incomplte) ne sont pas pris en compte, cette grandeur sappelle alors le
rendement quantique interne, IQE (internal quantum efficiency). Dans le cas contraire, ce
paramtre sappelle le rendement quantique externe, EQE (external quantum efficiency). Le
rendement quantique externe est dfini comme suit:
=>=?@A
?FA .
C?BA E.B
(II-11)
(II-12)
Chapitre II
LEQE est aussi dsign sous le terme dIPCE (de lexpression anglaise Incident Photon
to Current Efficiency). En remplaant les trois constantes par leurs valeurs numriques, on
obtient
'=?@A 1.24 C?BA.B
(II-13)
La diode anti-retour empchant un courant ngatif dans les GPV. Ce phnomne peut
apparaitre lorsque plusieurs modules sont connects en parallle, ou bien quand une charge en
connexion directe peut basculer du mode rcepteur au mode gnrateur, par exemple une
batterie durant la nuit.
Les diodes by-pass peuvent isoler un sous-rseau de cellules lorsque lclairement nest
pas homogne vitant ainsi lapparition de points chauds et la destruction des cellules mal
claires.
La mise en conduction de ces diodes affecte la caractristique de sortie du gnrateur,
comme illustr sur la figure II-24, par la perte dune partie de la protection dnergie et par la
prsence de deux maximums de puissance [29].
44
Chapitre II
Figure II-24 : Effet de la diode by-pass sur la caractristique I(V) dun gnrateur photovoltaque.
(a)
(b)
Figure II-25 : Evolution du PPM dun module photovoltaque dune puissance crte de 80W en
fonction de la temprature (a) et de lclairement (b).
45
Chapitre II
Dans un systme lectrique comprenant une source et une charge, la recherche du point
de fonctionnement optimal par des techniques doptimisation reprsente ce qui est le plus
important. Dans le cas du photovoltaque, cette dmarche est plus complexe du fait que la
caractristique des cellules dpend fortement de lensoleillement et de la temprature
ambiante, entre autres. Il faut trouver un dispositif permettant de fonctionner tout moment
suivant le point de fonctionnement optimal. Diffrentes mthodes de maximisation de
puissance classes en deux catgories : les mthodes indirectes, utilisent des bases de donnes
regroupant les caractristiques des panneaux photovoltaques (PV) dans diffrentes conditions
climatiques (temprature, ensoleillement) mais aussi des quations mathmatiques
empiriques permettant de dterminer le point de puissance maximum et les mthodes directes,
sont des mthodes qui utilisent les mesures de tension et de courant des panneaux et dont
lalgorithme est base sur la variation de ces mesures. Lavantage de ces algorithmes est quils
ne ncessitent pas une connaissance pralable des caractristiques des panneaux PV. Parmi
ces mthodes, on retrouve la mthode de diffrenciation, la mthode Perturb & Observ
(P&O), lincrment de conductance.
46
Chapitre II
(a)
(b)
Figure II-26 : Evolution de la caractristique I(V) (a) et P(V) (b) en fonction de l'irradiation.
(a)
(b)
Figure II-27 : Evolution de la caractristique I(V) (a) et P(V) (b) pour diffrentes tempratures.
47
Chapitre II
Par contre, si la temprature crot irradiation constante, la tension vide Vco dcrot
avec la temprature. Plus la temprature est leve plus Vco est faible et le courant de courtcircuit Icc augmente avec la temprature. Cette hausse est nettement moins importante que la
baisse de tension. Linfluence de la temprature sur Icc peut tre nglige dans la majorit des
cas.
La temprature et lclairement sont donc les deux principaux paramtres qui vont
modifier la caractristique dun gnrateur PV. Ces deux paramtres devront donc tre tudis
avec soin lors de la mise en place dune installation PV.
La production de cette lectricit renouvelable est propre. Elle nest pas toxique.
Lnergie photovoltaque est particulirement attractive pour les sites urbains, dus
leur petite taille, et leur opration silencieuse.
Les matriaux employs (verre, aluminium) rsistent aux pires conditions climatiques
(notamment la grle).
La dure de vie des panneaux photovoltaques est trs longue. Certains producteurs
garantissent les panneaux solaires pour une dure de 25 ans.
Sil faut stocker lnergie avec des batteries, le cot de linstallation augmente.
48
Chapitre II
Pollution la fabrication.
Malgr ces inconvnients, le march photovoltaque ne cesse pas de trouver des
applications et de sagrandir. En plus, la technologie photovoltaque est dans un
processus de maturation dans laquelle les inconvnients pourraient sattendrir, surtout
en ce qui concerne les cots de fabrication [30].
II-12 Conclusion
En rsum, technologiquement, un capteur PV est proche dune diode PN de par sa
constitution, les matriaux utiliss, et les phnomnes physiques identiques mis en uvre. Le
comportement dune cellule PV peut donc se modliser comme celui dune mauvaise jonction
PN autant en statique quen dynamique lorsque cette dernire nest pas claire.
Dans ce chapitre, nous avons prsent les enjeux et les dveloppements actuels du
photovoltaque. Nous avons ensuite prsent le fonctionnement dune cellule en expliquant
brivement le phnomne photovoltaque (Leffet photovoltaque). Nous avons vu que la
cellule PV prsente une caractristique I(V) non linaire, prsente un point de puissance
maximal (PPM) caractris par un courant (Imax) et une tension (Vmax) et quelle peut tre
modlise par un circuit lectrique simple. Nous avons prsent linfluence des diffrents
paramtres extrieurs sur cette caractristique. Le courant de court-circuit volue
principalement avec lclairement et la tension vide avec la temprature. Linterconnexion
de cellules PV en srie ou en parallle pose plusieurs problmes de dsquilibre qui sont trs
pnalisants si les cellules n'ont pas le mme point de fonctionnement. Nous avons prsent les
diffrentes technologies de cellules actuellement sur le march et ou cours de dveloppement,
et malgr la fin du silicium annonce depuis de nombreuses annes, ce dernier garde une
grande longueur davance sur les autres technologies. Pour garantir une dure de vie
importante dune installation photovoltaque destine produire de lnergie lectrique sur
des annes, des protections lectriques doivent tre ajoutes aux modules.
49
Chapitre III
III-1 Introduction
50
Chapitre III
Tous les deux sont bass sur l'quation de diode bien connue de Shockley.
Nous avons tudi un module BP Solar 340, prsent sur la figure III-1.
51
Chapitre III
Le tableau III-1 donne les caractristiques du module BP Solar 340 sous les conditions
standards (1000 W/m, masse optique: AM 1.5, Temprature de cellule: 25 C).
Grandeurs
valeur
Puissance nominale
Tension au MPP ( )
Courant au MPP ( )
Courant de court-circuit ( )
Tension de circuit ouvert ( )
Coefficient du rendement de la temprature
Facteur de forme ()
Nombre de cellules en srie (Ns)
Nombre de cellules en parallle (Np)
Coefficient de sensibilit de la tension la temprature
Coefficient de sensibilit de lintensit la temprature
40 W
16,50 V
2,42 A
2.60 A
20.00 V
0.0049 %
0.771
36
2
-0.09 V/K
+0,0065 A/K
(III-1)
(III-2)
(III-3)
(III-4)
.
(III-5)
.
(III-6)
. !
52
(III-7)
Chapitre III
Il est connu aussi par le nom 2M7P (Lumped, 2 Mechanism model with 7 Parameters)
[28-30]. Le fonctionnement dune cellule solaire peut tre modlis en considrant le schma
lectrique quivalent ci-dessous figure (III-2). Il consiste en la description mathmatique dun
circuit ralis par la connexion en parallle de deux diodes ayant les courants de saturation
" et # , les facteurs de diode $" et $# , une source de courant produisant un photo-courant
! , qui dpend de lclairement solaire [34].
53
Chapitre III
Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de Kirchhoff
[35]:
&
"
& !
(III-8)
Avec:
! : courant photonique
"
: courant de diode 1
: courant de diode 2
La diode tant un lment non linaire, sa caractristique I-V est donne par la relation
[35]:
+
78
9
- ..
+
!
Avec :
6
"
1 ..
/ & 1/
(III-9)
/ & 1/
(III-10)
45
(III-11)
Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante
[35,36]:
% ! & " Hexp
45
(III-12)
UVW
Avec:
(III-13)
Chapitre III
Les courants de saturation " et # sont donns par les relations suivantes [35,38]:
" A" . :@ . ()* '
@/#
# A# . :
?_`a .9
. ()* '
,- .8.7
?_`a .9
,1 .8.7
(III-14)
(III-15)
Les constantes Cs1 et Cs2 sont gnralement comprises respectivement entre 150 - 180
A.K-3 et 1,3 -1,7 x 10-2 A.K-5/2 pour une cellule de 100 cm.
Une valeur du facteur didalit $ diffrent de lunit est associe un mcanisme de
def : Energie de gap (Silicium cristallin = 1,12 eV, Silicium amorphe = 1,7 eV, CIS = 1,03
55
Chapitre III
Il est possible de dterminer ces caractristiques par des mthodes numriques itratives.
(La mthode de dichotomie, la mthode de Lagrange, la mthode de point fixe et la mthode
de Newton Raphson).
La mthode de Newton Raphson est choisie pour la convergence rapide de la rponse
[33,40].
La mthode de Newton Raphson est lune des mthodes les plus utilises pour la
rsolution des quations non linaires.
(III-16)
A partir dune valeur initiale )h de la solution, on cherche une correction i) telle que
0 g
)h j i)
(III-17)
Z ll
mn .om 1
#!
/j'
Z lll
mn .om q
@!
/jr
(III-18)
Il suffit maintenant de ngliger les termes dordre suprieur ou gal 2 en i) pour obtenir :
g
)h j g k
)h . i) s 0
(III-19)
(III-20)
La correction i) est en principe la quantit que lon doit ajouter pour annuler la fonction
g
) puisque nous avons nglig les termes dordre suprieur ou gal 2 dans le
dveloppement de Taylor, cette correction nest pas parfaite et on pose :
Donc :
Avec :
)" )h j i)
(III-21)
)t3" )t & Zl
m
Z
m
(III-22)
g
) : est la drive de la fonction g
)
g
) 0 , )t est une valeur actuelle et )t3" est une prochaine valeur.
g[% \ & % & " u()*
M2NP .O2
S
M. .Q-
56
M2NP .O2
S
M. .Q1
45
/ 0(III-23)
Chapitre III
%
t3" %
t &
M2 NO2
w .P
M2 NO2
w .P
H
S
H
S
*z j*z .{
M. .QM. .Q1
R
?2
w ?- xm
?"y?- xm
?"y &L
M2 NO2
w .P
M2NO2
w .P
H
S
H
S
P
P
P
M. .QM. .Q1
?"?- .L R.m
?1 .L R.m
?L R
M.
M.
P5
{|
(III-24)
57
Chapitre III
(quation (III-14)) et # (quation (III-15)), les facteurs de diode $" et $# , une source de
Lquation caractristique est dduite dune manire directe partir de la loi de Kirchhoff
[33]:
% =! &
"
&
(III-25)
Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante:
% ! & " H()*
& 1S
(III-26)
Chapitre III
%
t3" %
t &
M2 NO2
w .P
M2 NO2
w .P
H
S
H
S
M. .QM. .Q1
?2
w ?- xm
?"y?- xm
?"y
M2 NO2
w .P
M2 NO2
w .P
H
S
H
S
P
P
M. .QM. .Q1
?"?- L R.m
?1 L R.m
M.
M.
(III-27)
Chapitre III
parallle de deux diodes ayant les courants de saturation " (quation (III-14)) et #
(quation (III-15)), les facteurs de diode $" et $# , une source de courant produisant un photocourant ! (quation (III-13)) qui dpend de lclairement solaire et de la temprature
"
&
(III-28)
Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante [33]:
% ! & " H()*
M2
R
M. .Q-
M2
R
M. .Q1
& 1S
(III-29)
%
t3" &
M2
M2
L
R
L
R
?2
w ?- um M. .Q- ?"v?- um M..Q1 ?"v
?"
(III-30)
1000 W/m .
Chapitre III
Une cellule photovoltaque peut tre dcrite de manire simple comme une source idale
de courant qui produit un courant Iph (quation (III-13)) proportionnel la puissance
lumineuse incidente, en parallle avec une diode qui correspond laire de transition P-N de
la cellule PV. Il est connu aussi sous le nom L3P (Lumped, 1 Mechanism model with 3
Parameters) [7-30]. Pour un gnrateur PV idal, la tension aux bornes de la rsistance est
gale celle aux bornes de la diode.
(III-31)
61
Chapitre III
La diode tant un lment non linaire, sa caractristique I-V est donne par la relation
[11-33] :
'()* ' + / & 1/
(III-32)
M2
R
M. .Q
& 1S
(III-33)
8
_UVW
9._`a
R ()* H'
,.7
/ . L8
"
_UVW
"
R & '8 /S
(III-34)
M2
L
R
?2
w ? um M. .Q- ?"v
?"
(III-35)
62
Chapitre III
rsistance srie .
dtermins partir des systmes des quations I (V) pour diffrents points de fonctionnement
(donns par les fabricants) [40-47].
Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante:
63
& 1S
(III-36)
Chapitre III
%
t3" %
t &
?2
w ? xm
M2 NO2
w .P
H
S
M. .Q
?"y
M2 NO2
w .P
H
S
P
M. .Q
?"? L R.m
M.
(III-37)
(III-38)
Chapitre III
Le courant lectrique produit par la cellule est alors donn par lexpression suivante [45]:
% ! & H()*
45
(III-39)
%
t3" %
t &
?2
w ?
M2NO2
w .P
H
S
*z j*z .{
M. .Qxm
R
?"y&L
{|
M2NO2
w .P
H
S
P
P
M. .Q?"? L R.m
?L R
M.
P5
(III-40)
65
Chapitre III
La rsistance shunt est une rsistance qui prend en compte les fuites invitables du
courant qui intervient entre les bornes dune photopile. En gnral, la rsistance shunt est trs
leve [42], son effet se fait sentir surtout dans la partie gnration de courant.
Chapitre III
Ceci provient du fait quil faut soustraire du photo-courant, outre le courant direct de
diode, un courant supplmentaire variant linairement avec la tension dveloppe. La
puissance fournie par une cellule solaire varie avec sa rsistance parallle, plus cette
rsistance est leve plus la puissance fournie est importante.
Une comparaison de l'effet de la rsistance shunt sur le comportement des
caractristiques I(V), P(V)
(a)
(b)
Figure III-16 : Linfluence de la rsistance shunt (Rsh) sur les caractristiques I (V) (a), P(V) (b,)
G=1000W/m.
(a)
(b)
Figure III-17 : Linfluence de la rsistance shunt (Rsh) sur les caractristiques I (V) (a), P(V) (b),
G=250W/m
67
Chapitre III
Une courbe assume la rsistance infinie de shunt tandis que l'autre assume une rsistance
de shunt de 50 ohms. 1000 W/m, la diffrence entre les deux courbes est peine
perceptible. La diffrence dans la puissance maximale pour ces deux courbes est environ
0,5%. Pour lirradiance infrieure (G=250W/m) reprsente sur la figure (III-17), la
diffrence entre les deux courbes est plus prononce et la diffrence dans la puissance
maximale est environ 4,2%.
Une autre justification partielle pour la rsistance infinie, que les courants de shunt ne
sont pas un mcanisme inhrent de perte dict par les proprits matrielles. Les courants de
shunt sont principalement dus la fuite courante le long des bords de la cellule, et ces effets
sont rduits au minimum en construisant le module dans un cadre de
bons isolateurs
lectriques [31].
Les figures (III-18, III-19) montrent linfluence de la rsistance srie sur la caractristique
I(V) et P(V) de la cellule photovoltaque.
La rsistance srie agit sur la pente de la caractristique dans la zone o la photodiode se
comporte comme un gnrateur de tension. Elle ne modifie pas la tension du circuit ouvert, et
lorsquelle est leve, elle diminue la valeur du courant de court circuit.
Laugmentation de la rsistance srie se traduit par une diminution de la pente de la
courbe de puissance.
Figure III-18 : Linfluence de la rsistance shunt (Rs) sur la caractristique I(V) dune cellule.
68
Chapitre III
Figure III-19 : Linfluence de la rsistance shunt (Rs) sur la caractristique P(V) dune cellule.
69
Chapitre III
70
Chapitre III
Les figures (III-20, III-21) comparent entre les diffrents modles deux diodes et les
figures (III-22, III-23) son tour comparent les diffrents modles une diode pour une
2
Figure III-24: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
G=250W/m.
Figure III-25: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
G=1000W/m.
71
Chapitre III
Figure III-26: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
T=75C et G=1000W/m.
Figure III-27: Caractristiques I-V pour les modles une exponentielle et deux exponentielles,
T=0C et G=1000W/m.
les figures (III-24), (III-25), (III-26) et (III-27) montrent que les rsultats obtenus par les
modles deux diodes (deux exponentielles) marquent un point important aux niveaux de la
zone o limpdance interne du gnrateur varie trs fortement de Rs Rsh (la zone 3 o se
situe le point de fonctionnement pour lequel la puissance fournie par le gnrateur est
maximale), la puissance fournie et la tension de circuit ouvert obtenues par ces modles sont
suprieures par rapport aux modles une diode quand les irradiations sont basses et la
temprature leve.
72
Chapitre III
Le modle deux diodes a un lger avantage, car il fait appel la recombinaison des
porteurs minoritaires dans le volume du matriau.(Les branches de chacune des diodes
reprsentent respectivement le courant de diffusion dans la base et lmetteur (Id1), et le
courant de gnration-recombinaison (Id2) dans la zone de charge despace de la jonction
(ZCE)).
III-6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons prsent les caractristiques lectriques fondamentales
dune cellule photovoltaque (module photovoltaque) et les circuits quivalents ont t
dcrits. Des modles mathmatiques de complexit variable ont t discuts (modlisation),
aussi bien que des critres pour choisir un modle convenablement dtaill. Nous avons vu
que la cellule PV prsente une caractristique I(V) non linaire dont il est possible de rsoudre
l'quation des caractristiques. Bien qu'il puisse tre possible de trouver la rponse par des
plusieurs mthodes, la mthode de Newton Raphson est choisie pour sa convergence rapide.
Six modles dune cellule photovoltaque ont t valus. Daprs les rsultats de simulation,
on peut dire que :
Les performances dune cellule photovoltaque sont dautant plus dgrades que Rs est
grande ou que Rsh est faible.
La reprsentation dune cellule photovoltaque par le circuit quivalent une ou deux
diodes semble correcte. Malgr a, le modle deux diodes prsente quand mme un lger
avantage, car il fait appel la recombinaison des porteurs minoritaires dans le volume du
matriau. Le modle deux diodes est trs bon si lon possde une quantit suffisante de
donnes exprimentales pour dterminer lensemble des paramtres.
Une comparaison entre ces modles a montr que le modle L4P combine entre la
simplicit et la prcision parce quil fournit des donnes qui sont comparables aux donnes
exprimentales [30,31].
73
Chapitre IV
IV-1 Introduction
Le photovoltaque a trouv son utilit dans des applications petites chelles et pour des
systmes de transmissions isols. Lnergie photovoltaque est une source dnergie
intressante. Elle est renouvelable, inpuisable et non polluante. Pour quelle soit utilise sur
une large plage dapplications et pour satisfaire les contraintes du cot, le systme devrait
prsenter une bonne exploitation des cellules photovoltaques. Pour cela, il faut extraire le
maximum de puissance du gnrateur PV.
La conception de systmes photovoltaques optimiss est par nature difficile. En effet,
ct source, pour un gnrateur photovoltaque, la production de puissance varie fortement en
fonction de lclairement, de la temprature, mais aussi du vieillissement global du systme.
Ces variables influenant le comportement du systme prsentent des fluctuations
quotidiennes et saisonnires. Pour ces raisons, le panneau photovoltaque ne peut fournir une
puissance maximale que pour une tension particulire et un courant bien dtermin ; ce
fonctionnement puissance maximale dpend de la charge ses bornes, que ce soit de nature
continue, ou bien alternative.
Pour que le gnrateur fonctionne le plus souvent possible dans son rgime optimal, la
solution communment adopte est alors dintroduire un convertisseur statique qui jouera le
rle dadaptateur source-charge. Pour des conditions donnes, cest au point de puissance
maximale de la caractristique puissance en fonction de la tension que lon exploite au mieux
la puissance crte installe. Ces points correspondent donc au point de puissance optimale,
terme traduisant le caractre relatif aux conditions dclairement et de temprature de la
puissance fournie [4].
En gnral, il y a beaucoup de modles mathmatiques simplifis permettant de
dterminer la puissance maximale fournie par un gnrateur photovoltaque en fonction des
variations de lirradiation solaire et la temprature ambiante, par exemple; Borowy et Salameh
(1996) [50], ont donn un modle simplifi, avec lequel la puissance maximale produite peut
tre calcule pour un certain module photovoltaque une fois lirradiation solaire sur le
module photovoltaque et la temprature sont dtermines. En 2002, Jones et Underwood [49]
ont propos un autre modle permettant de calculer la puissance lectrique maximale aux
bornes dun capteur photovoltaque. Cette dernire a un rapport rciproque avec la
temprature du module et elle a en plus une relation logarithmique avec lclairement solaire
74
Chapitre IV
absorb par le module photovoltaque. En outre, Jones et Underwood [49] ont donn le
modle thermique du module photovoltaque travers lvaluation de beaucoup de facteurs.
En 2004, Lu Lin [52] a propos un autre modle permettant de calculer la puissance
maximale fournie par un module photovoltaque pour un ensoleillement et une temprature du
module donns avec quatre paramtres constants dterminer exprimentalement.
Ltude bibliographique a fait ressortir quil existe deux approches concernant la
modlisation des capteurs photovoltaques. La premire ncessite deffectuer des mesures sur
le capteur une fois install. Cest le cas des modles de Sandia et Cenerg [49]. La deuxime
approche consiste se baser uniquement sur les donnes fournies par les constructeurs.
Ils font apparatre comme paramtre la temprature du module, qui nest autre que la
temprature de fonctionnement des cellules photovoltaques [49].
Dans ce chapitre, nous prsenterons dabord quatre modles mathmatiques simplifis
permettant de dterminer la puissance maximale en fonction des variations des conditions
mtorologiques (irradiation solaire et temprature ambiante).Ces modles sont bass aussi
sur les caractristiques techniques du module (donnes du constructeur), et puis nous
comparons les modles prsents.
Ce modle fait usage des spcifications des modules PV offertes par les fabricants, donc
il offre une faon trs simple de calculer la puissance produite par les modules PV [49, 50,].
75
Chapitre IV
Les formules pour calculer le point optimum de tension et le courant sous des conditions
arbitraires sont montres comme suit :
1
.
.
1
(IV-1)
Avec :
1
"
.
!
.
# # $
(IV-2)
(IV-3)
(IV-4)
Avec :
G : clairement solaire incident sur un plan inclin (W/m2).
Chapitre IV
95 . 2 . 6 2 1 .
3
Avec :
(IV-5)
6 6 65
(IV-6)
(IV-7)
Ta : temprature ambiante
NOCT : temprature nominale de fonctionnement de la cellule solaire (Nominal Operating
Cell Temperature). Elle est dfinie comme tant la temprature de la cellule, si le module est
soumis sous certaines conditions comme lclairement solaire (800 W/m2), la distribution
spectrale (AM 1.5), la temprature ambiante (20 C) et la vitesse de vent (> 1m/s);
Alors la puissance optimale la sortie dun module est dtermine par :
I . +
(IV-8)
(IV-9)
&'BM .2F O
77
(IV-10)
Chapitre IV
O K1 est un coefficient constant, qui peut tre calcul par la formule suivante :
P
23
(IV-11)
Avec :
FF : facteur de forme
Le "facteur de forme" (fill factor) est le rapport entre la puissance maximale que peut
fournir un module photovoltaque et la puissance quil est thoriquement possible dobtenir
(puissance optimale).
JJ
Q
# .
# .
# .
(IV-12)
Avec :
(IV-13)
Avec :
Pmax3 : puissance maximale produite (W)
Selon des mesures exprimentales effectues sur un module BP Solar de 340 W, les
constantes a, b, c et d sont gales, respectivement 0.0002, 0.0004, 0.1007 et 0.1018 [52].
78
Chapitre IV
Lnergie produite par un gnrateur photovoltaque est estime partir des donnes de
lirradiation globale sur un plan inclin, de la temprature ambiante et des donnes du
constructeur pour le module photovoltaque utilis.
La puissance lentre Pe du champ PV est donne par [53] :
I@ W. C. H
(IV-14)
Avec :
S: la surface du module photovoltaque (m2)
G : lirradiation solaire sur un plan inclin (W/m2)
N : le nombre de module constituant le champ photovoltaque
relation suivante :
XY
QZ
2.[.\
(IV-15)
XY X5 . X2 . X O
(IV-16)
Avec
^_
23
(IV-17)
Chapitre IV
X O 1 aB6U 60 F
(IV-18)
Avec :
(IV-19)
Do :
Ib X5 . X2 B1 aB6 65 F F. H. W. C
(IV-20)
80
Chapitre IV
Chapitre IV
Les tudes sont effectues pour plusieurs valeurs de lclairement solaire savoir 300
W/m2, 500 W/m2, 900 W/m2 et 1000 W/m2. Les rsultats qui sont prsents sur les figures
(IV-2), (IV-3), (IV-4) et (IV-5) donnent la variation de la puissance maximale en fonction de
la temprature du module photovoltaque. On remarque, que la puissance maximale dlivre
est inversement proportionnelle la temprature du module PV pour les modles 2, 3 et 4.
Pour le premier modle, la puissance augmente partir de la temprature 280 K jusqu'
atteindre un point maximal correspondant une temprature de 300 K pour la figure (IV-2)
puis chute dune manire linaire. On constate le mme comportement pour les figures (IV3), (IV-4) et (IV-5) mais les puissances maximales obtenues sont diffrentes suivant les
valeurs des irradiations.
Le tableau ci-dessous donne les valeurs de la puissance maximale obtenues pour chaque
modle du module photovoltaque pour diffrentes irradiation :
82
Chapitre IV
Irradiation (W /m)
300
500
900
1000
8.894
Le tableau IV-1 : La puissance maximale obtenue pour chaque modle du module PV pour diffrentes
Irradiations.
Les rsultats reprsents dans le tableau IV-1 montrent que la puissance dlivre par le
modle 3 est plus importante par rapport aux autres modles (Modles 1et 2), car il donne un
rsultat porche de celui donn par le constructeur dans les conditions normales (Puissance de
40W).
De plus, si on compare les rsultats des modles 3 et 4 on remarque que ces deux
modles donnent des rsultats comparables pour diffrentes
valeurs de tempratures et
dirradiations.
En considrant que le modle 3 est semi empirique dont les coefficients sont dtermins
exprimentalement, en plus de sa caractristique linaire par rapport la temprature et
lclairement, il est considr comme tant le modle de rfrence pour comparer les
diffrents modles.
Les figures (IV-6) (IV-11) reprsentent les erreurs relatives de la puissance pour chaque
valeur de lclairement solaire par rapport au modle exprimentale de rfrence [52].
83
Chapitre IV
Figure IV-6 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 300 W/m2.
Figure IV-7 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 500 W/m2.
Figure IV-8 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 900 W/m2.
84
Chapitre IV
Figure IV-9 : Zoom- Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 900 W/m2.
Figure IV-10 : Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 1000 W/m2.
Figure IV-11 : Zoom- Erreur relative commise par les diffrents modles, G = 1000 W/m2.
85
Chapitre IV
IV-5 Conclusion
86
Conclusion gnrale
Conclusion gnrale
87
Conclusion gnrale
Dans une seconde phase, nous nous sommes intresss la puissance maximale quon
peut extraire dun panneau photovoltaque
En effet, la production dnergie lectrique laide de panneau photovoltaque prsente
un point optimum de fonctionnement, c'est--dire, quil existe une tension aux bornes du
gnrateur pour laquelle la puissance rcolte est maximale. Ce point optimum a une
particularit de varier avec lclairement et la temprature. Nous avons prsent quatre
modles mathmatiques permettant de calculer la puissance maximale la sortie du module
photovoltaque en fonction des conditions mtorologiques (Eclairement solaire et
temprature du module).Selon les rsultats de comparaison et les remarques cites, on peut
dire que le modle 1 et 2 peuvent tre appliqus avec exactitude dans les applications
pratiques pour les conditions normales (Eclairement de 1000 W/m, masse optique: AM 1.5,
Temprature de cellule: 25 C), et que le modle 4 est le plus optimal car il donne les plus
petites erreurs compar au modle de rfrence qui se base sur les donnes exprimentales et
cela pour les difrents valeurs dclairement et de la temprature. De plus, cette erreur est
linaire.
Cependant, il nous est tris difficile de conclure sur lexactitude dun tel ou tel modle en
labsence de donnes exprimentales fiables. Cest pour cela quon recommande de faire les
essais sur les panneaux solaires installs au niveau du laboratoire des Technologies Avances
de Gnie Electrique (LATAGE) et de comparer les
des modles quon peut reproduire facilement en excutant les programmes que nous avons
dvelopps sous MATLAB.
88
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Annexe
Annexe 1
Diagramme ci-dessous rsumant les tapes de calculs pour obtenir le diagramme solaire
pour une latitude donne
Diagramme solaire
Reprsentation plane en coordonnes rectangulaires de la trajectoire du soleil dans le ciel.
Les coordonnes utilises sont la hauteur et lazimut solaire, qui dfinissent univoquement la
position du soleil en un instant prcis.
Annexe
Annexe 2
Exemple de chaine de production de cellules photovoltaques en silicium
Annexe
Annexe 3
Caractristiques I(V) pour les modles une exponentielles deux exponentielles [31]
Rsume