Chapitre 4

FICHE DU QUATRIEME CHAPITRE

Titre :

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Objectif :
Comprendre les Rappeler le fonctionnement des transistors bipolaires.
Expliquer le fonctionnement des circuits transistors.

Pr-requis :
Semi-conducteurs
Lois et thormes gnraux de l'lectronique.

Classes :
Niveau 1 des I.S.E.T.

Elments de contenu :
Transistor jonction :
NPN
PNP
Rgime de fonctionnement
Circuits de polarisation
Transistor en commutation
Transistor en rgime variable

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

50

Chapitre 4

LE TRANSISTOR
BIPOLAIRE
A- Fonctionnement en rgime statique
1- Introduction
Le transistor est un composant lectronique fabriqu pour la premire fois en 1954. L'influence
de son apparition a t norme sur l'industrie lectronique et a conduit toutes les inventions
depuis les circuits intgrs jusqu'aux microprocesseurs.

2- Structure interne d'un transistor

Le transistor est constitu par un cristal semi-conducteur (germanium ou silicium) comportant
trois zones dopes diffremment de faon former :
Soit deux zones N spares par une zone P : c'est le transistor NPN.
Soit deux zones P spares par une zone N : c'est le transistor PNP.
Le transistor prsente donc deux jonctions PN. Pour qu'il puisse fonctionner il faut que :
La zone intermdiaire soit trs mince : on l'appelle la base.
L'une des deux zones extrmes soit fortement dopes : on l'appelle l'metteur.
L'autre zone extrme soit faiblement dope : on l'appelle le collecteur.

Type

Structure

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

Symbole

51

Chapitre 4
Collecteur (C)

NPN

N
P
N

Base (B)

B
E

Emetteur (E)
Collecteur (C)

PNP

P
N
P

Base (B)

B
Emetteur (E)

Figure 4.1 Structure interne et symboles.

La flche sur l'metteur indique le sens du courant et permet aussi de reconnatre le type du
transistor. Elle est oriente de la rgion P vers la rgion N.

3- Diffrents montages d'un transistor

Pour tudier le fonctionnement d'un transistor, il faut choisir un circuit d'entre (deux bornes
entre les quelles on applique le signal d'entre) et un circuit de sortie (deux bornes entre les
quelles on reoit le signal de sortie).
Puisque le transistor comporte trois bornes, une de ces bornes doit tre commune l'entre et
la sortie. On peut donc monter le transistor de trois manires diffrentes. Pour un transistor
NPN on a les montages suivants :
Emetteur commun

Base commune
E
C

C
Sortie

Entre

Entre

Collecteur commun

B
Sortie

E
Sortie
C

Entre

Figure 4.2 Diffrents montages dun transistor.

4- Conventions et notations
VCB

IC

VCB

IB

IC
IB
V BE

V BE
V BE

V BE

IE

IE

Figure 4.3 Conventions et notations.

On a donc :

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

52

Chapitre 4

VCE = VCB + VBE

et

IE = IC + IB

5- Effet transistor
Le transistor est fait pour fonctionner avec une
source d'alimentation (Vcc) branche entre metteur
et collecteur dans un sens tel que sa jonction
collecteur-base soit polarise en inverse et une
source dite de polarisation (VBB) alimente le diple
base-metteur.

RC
+

RB
V BB

IB

VCC

+
-

IE

Figure 4.4 Effet transistor.

5.1- Transistor bloqu

Si la jonction base-metteur est bloque (ouverte ou polarise en inverse ou VBB < seuil) alors
aucun courant ne peut traverser le transistor entre son collecteur et son metteur. Il est dit
bloqu.
5.2- Transistor passant

Lorsque le gnrateur de polarisation VBB applique sur le diple base-metteur une tension
directe suprieure au seuil, un courant va pouvoir la traverser. Ce courant not IB est appel
courant de base.
On constate alors qu'un courant beaucoup plus important circule entre collecteur et metteur.
Ce courant not Ic est appel courant de collecteur.
Le courant de collecteur traverse la jonction collecteur-base dans le sens inverse : c'est
l'effet transistor.
IC : courant de collecteur.
IB : courant de base.
ICE0 : courant de fuite (trs faible).

On peut crire :
IC = ICE0 + IB

: amplification de courant (10 1000).

6- Caractristiques d'un transistor

Soit le schma suivant :
Le circuit d'entre comporte les grandeurs
(variables) VBE et IB.

RC

IB
V BB

RB

IC

VCC

Le circuit de sortie comporte les grandeurs

(variables) VCE et IC.

VCE
IE

Figure 4.5 Montage en metteur commun.

Le rseau de caractristiques est l'ensemble des courbes traduisant les relations entre les quatre
grandeurs VBE, IB, VCE et IC.

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

53

Chapitre 4

IC

C a r a c t r i s ti q u e d e tra n s f e r t
en c o u ran t
I c = f ( I B ) V C E = c te

IB

(m A )

C a r a c t r i s ti q u e s d e s o r ti e
I c = f ( V C E ) I B = C te

( A )

V
C a r a c t r i s ti q u e d e tr a n s f e r t
e n te n s i o n
V B E = f ( V C E ) I B = c te

C a r a c t r i s t i q u e s d 'e n t r e
V B E = f ( I B ) V C E = C te

C E (V)

B E (V)

Figure 4.6 Rseau de caractristiques.

6.1- Rseau d'entre

La caractristique d'entre est la courbe VBE = f(IB) lorsque VCE est maintenue
constante. Elle est analogue celle d'une diode jonction.
L'ensemble des caractristiques d'entre obtenues pour diffrentes valeurs de VCE forme
le rseau d'entre.
Ces caractristiques sont pratiquement confondues.
- Schma quivalent du diple base-metteur
IB

IB

V BE

BE

V BE0

r est la rsistance d'entre (de base). Elle vaut de

500 1 K.
r = VBE/IB
VBE0 est le seuil de la jonction base-metteur.

Figure 4.7 Schma quivalent en base commune.

6.2- Rseau de sortie

La caractristique de sortie est la courbe IC = f(VCE) lorsque IB est maintenu constant.
L'ensemble des caractristiques de sortie obtenues pour diffrentes valeurs de Ia forme
le rseau de sortie.

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

54

Chapitre 4

- Schma quivalent du diple collecteur-metteur

IC

IC

VCE

VCE

Figure 4.8 Schma quivalent collecteur commun.

6.3- Rseau de transfert en courant

- La caractristique de transfert en courant

maintenue constante.

est la courbe I C = f(IB) lorsque VCE est

= IC/IB ; S = IC/IB ; si la courbe est une droite : = s.

7- Valeurs limites d'un transistor

Ces limites sont indiques par les fabricants. Elles sont :
ICmax pour le courant collecteur.
VCEmax pour la tension collecteur-metteur.
Pmax pour la puissance dissipe totale.

IC

Pmax

Ic max
S a tu ra tio n

Ces valeurs, reportes sur le rseau de sortie,

dlimitent une zone de la quelle le point de
fonctionnement (de repos) ne doit pas sortir pour
ne pas dtruire le transistor.

Zone de
fonctionnement
normal

Blocage

C E

V CEmax
Figure 4.9 Limites de fonctionnement dun transistor.

8- Droite de charge statique

Ic

+V

Rc
IB
V

BB

V BE

CE

CC

C'est l'quation d'une droite de pente -1/Rc. Elle

est appele droite de charge.
IC
V cc
R c

IE

La loi des mailles applique au circuit de

sortie donne :
VCC = RCIC + VCE
Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

IB =0

C E

V cc

55

Chapitre 4
Figure 4.10 Droite de charge.

IC = - VCE/RC + VCC/RC

9- Transistor interrupteur
IC

La faon la plus simple d'utiliser un transistor est

en mode interrupteur. Un tel transistor fonctionne
au point de saturation et au point de blocage
uniquement.
Un transistor satur se comporte comme un
interrupteur ferm du collecteur l'metteur.
Un transistor bloqu se comporte comme un
interrupteur ouvert.

I.Ferm

S ( 0 ,V c c /R c )

I.Ouvert

C E

B (V c c ,0 )
Figure 4.11 Fonctionnement en commutation.

10- transistor source de courant

Ic

VBB = VBE + RCIE

V VBE
IE BB
= constante
RE
(VBB : cste , VBE : cste ; RE : cste)

+V

Rc
IB
V

B E

BB

Le transistor fonctionne en source de courant.

I E
R

Figure 4.12 Transistor en source de courant.

B - fonctionnement en rgime variable

1- Introduction
Le signal disponible la sortie d'un capteur est en gnral de faible puissance. Il est donc
ncessaire de l'amplifier avant de le transfrer au circuit d'utilisation (charge).

C a p te u r s

T r a i te m e n t
A m p l i f i c a te u r
* A tr a n s i s to r s
* A C I lin a ire s

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

56

Chapitre 4
Figure 4.13 Structure en rgime variable.

Un amplificateur est dispositif linaire qui augmente l'amplitude d'un signal. Le principe
consiste appliquer un petit signal alternatif l'entre d'un transistor et recueillir un plus
grand signal alternatif de mme frquence.
Avant d'appliquer un signal alternatif un transistor, il faut dterminer un point Q de
fonctionnement prs du point milieu de la droite de charge statique. Le signal alternatif d'entre
produit des fluctuations autour de ce point.

V c c /R c

V c c /2 R c

V
V c c /2

CE

V cc

Figure 4.14 Point de fonctionnement.

Pour que le dispositif reste linaire, les fluctuations du courant et de la tension ne doivent pas
saturer le transistor ni le bloquer.

2- Influence de la position du point de repos

IC

+12V
1 K

12Vpp

6V

2N 3904

6V

CE

6
Figure 4.15 -Point au milieu de la droite de charge.

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

57

Chapitre 4
IC

+12V

1 K

8V

8Vpp
2N 3904

4V

CE

crtage infrieur

4
Figure 4.16 -Point dcal vers la saturation.

IC
+12V
1K

3V

6Vpp
2N3904

9V

CE

crtage suprieur

9
Figure 4.17 -Point dcal vers le blocage.

On constate que lorsque le point de repos est choisi au milieu de la droite de charge l'amplitude
du signal alternatif de sortie peut atteindre la moiti de la tension d'alimentation sans risque
d'crtage.

3- Mthode dtude d'un circuit amplificateur

C
Source
alternative

C
V

Amplificateur

C1 et C2 sont des condensateurs de couplage

Charge

Figure 4.18 Structure gnrale.

Dans un amplificateur transistor, la source continue tablit les courants et tensions de repos
(fixe le point de repos sur la droite de charge). La source alternative fait fluctuer ces courants
et tensions.
La faon la plus simple d'analyser un amplificateur consiste diviser l'analyse en deux parties :
Une analyse en continue : annuler la source alternative et ouvrir tous les condensateurs
le circuit qui reste est le circuit quivalent en continu.
Une analyse en alternatif : annuler la source continue et court-circuiter tous les
condensateurs le circuit qui reste est le circuit quivalent en alternatif.

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

58

Chapitre 4

4- Analyse de quelques montages

4.1- Premier montage

+12 V

On dsire avoir un courant continu

maximum de collecteur de 12 mA avec
=100.

R
C

Rc
C2

vo

vi

Figure 4.19 Exemple pour =100 .

4.1.1- Etude en continu

Schma quivalent

Icmax = 12mA , = 100 ;

Icmax = VCC/RC
RC = VCC/ Icmax = 1 K

Rc

V
V

+12 V

CE

BE

Figure 4.20 Schma quivalent (=100)

IB = (12 - VBE)/RB ; IBmax = 1/ Icmax = 12.10-3/100 = 120 A

RB = (12 - 0,7)/120.10-6 = 11,3/120.10-6 = 95 k
4.1.2- Etude en alternatif
ie

V e

ic
R

ve

re=r

ib

Figure 4.21 Etude enalternatif.

ve = rib ; vs = - Rcic
AV

vS
R .i
R
C C C
ve
r.ib
r

.RC
R
C
.re
re

4.1.3- Influence de la temprature, de et de re :

Influence de

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

59

Chapitre 4

Pratiquement

25mV
25mV
re 2.
IE
IE

25.10 3

re

6.10 3

50.10 3
6.10 3

4,16 re 8,32
416 r 832
Do 100.

10 3
10 3
AV 100.
832
416

120 AV 240

Donc ce montage prsente un gain instable. Il n'est pas commercialisable.

Pour calculer les lments de ce circuit on a utilis le facteur. Alors, si on remplace le
transistor, mme s'il est identique au prcdent peut tre diffrent. Les conditions de
fonctionnement du montage seront donc modifies.
Influence de la temprature
IC

Si T alors IC = (IB + ICB0) donc le point

de fonctionnement change de position, ce
qui provoque l'crtage du signal de sortie.

Q '

Q
V

CE

Figure 4.22 Influence de la temprature.

4.2 - Deuxime montage : Stabilisation thermique par rsistance d'metteur.

+ 12 V
R

Rc

Figure 4.23 Stabilisation par RE.

Effet de la rsistance RE :
Si T ICB0 IC= (IB + ICB0) VB VRB IB d'o IC
Donc la rsistance RE permet de stabiliser le point de repos lorsque la temprature augmente.
Calcul de RE :
On se fixe en pourcentage de tension d'alimentation VCC appliquer RE (soit par exemple
10%) donc VRE = 12 V.
Pour avoir le mme point de fonctionnement Q (6V , 6mA), R E doit tre gale 1,2/6.10 -3, soit
RE = 200 .

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

60

Chapitre 4

Calcul de la nouvelle valeur de RB :

RB

12 0,7 1,2
60.10

170k

RC

12 6 1,2
60.10 3

800

Il suffit d'utiliser une rsistance fixe de 100 K en srie avec une rsistance ajustable de mme
valeur.
Calcul du gain en tension AV :
RC
AV .
re R E

800
800
AV
8,3 200
4,17 200

3,84 AV 3,92
Le gain est stable mais il est faible. Il faut donc l'amliorer.
4.3 - Troisime montage : Amlioration du gain en tension

Pour augmenter le gain en tension prcdent tout en assurant la stabilit thermique, on limine
une partie de la rsistance RE en AC par insertion d'un condensateur comme l'indique la figure
suivante :
+ 12 V
R

Rc

R
V

E1

E2

Figure 4.24 Amlioration du gain en tension.

En DC le condensateur C3 n'intervient pas. Les rsistances RE1 et RE2 (RE1 + RE2 = 200)
participent la stabilisation thermique.
En AC RE1 sera limine par le condensateur C3 (dcouplage). Donc l'expression du gain
RC
devient : AV
AV
re R E1
Calcul de RE1 et RE2 :
La rsistance re varie de 4,16 8,32 re = 4,16. Pour stabiliser le gain on doit avoir :
RE1 >> re RE1 10 x re = 10 x 4,16 = 41,6

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

61

Chapitre 4

RE1 41,6
On prend alors RE1 = 41,6 et RE2 = 200 - 41,6 = 158,4 .
Donc RE1 42 et RE2 158
Calcul du gain :
800
800
AV
8,3 42
4,16 42

15,9 AV 17,33
Ce dernier montage permet d'avoir un gain stable et de valeur acceptable, mais il est encore
sensible . Pour remdier cet inconvnient on modifie le montage de manire obtenir une
tension constante la base du transistor.
4.4 - Elimination de l'influence de :

Une tension de base constante peut tre obtenue :

Soit par utilisation d'une source supplmentaire
+ 12 V
R1

C2

C1

V e

~
V B

RE1

C3

E2

Figure 4.25 Elimination de l'influence de (source supplmentaire).

Cette solution est efficace mais elle n'est pas conomique.

Soit par utilisation d'un pont diviseur de tension.
+ 12 V
R
C

E1

~
V

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

E2

62

Chapitre 4

Figure 4.26 Elimination de l'influence de (pont diviseur de tension).

On peut obtenir une tension de base constante si le courant dans les rsistances R 1 et R2 est trs
suprieur celui dans la base. On calcule les valeurs de R1 et R2 de la condition I = 10 IB.
Alors
IB = 60 A I = 600 A ; VB = 0,7 + 1,2 = 1,9 V
d'o VR2 = R2 x I = VB RC = 1,9/600 A = 3,2 K ; R1 = 16,8 k

5 - Modle en alternatif d'un tage metteur commun

Pour pouvoir analyser un amplificateur plusieurs tages, nous avons besoin d'un circuit
simple en courant alternatif d'un tage. Pour obtenir un tel modle il faut calculer l'impdance
d'entre et l'impdance de sortie.
5.1 - Impdance d'entre

La source alternative qui attaque un amplificateur doit lui fournir un courant alternatif. Plus ce
courant est faible, plus l'amplificateur est meilleur.
L'impdance d'entre d'un amplificateur dtermine le courant que celui-ci tire de la source
alternative.
Par dfinition l'impdance en courant alternatif d'entre est :

Ze

ve
ie

Exemple :
ie

ve

vs
R

re

ib

Ze

ve

Figure 4.27- Modle quivalent.

Ze = (R1 R2 // re)
5.2- Impdance de sortie

Le circuit de sortie peut tre reprsent par le

modle de Thvenin ci-contre :
L'impdance de sortie est l'impdance vue sortie
ouverte.

Zs

Ave

vs

Figure 4.28 Impdance de sortie

D'o le modle alternatif d'un tage amplificateur en metteur commun :

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

63

Chapitre 4
Zs

ve

Ze

Ave

vs

Figure 4.29 Modle quivalent en metteur commun.

Cours Electronique/M. Ben AMMAR ISET de Sfax

64