Circuito Darlington

Cuando el circuito necesita ms corriente que la que puede suministrar un simple

transistor, como cuando se quiere controlar un motor o un rel, necesitas emplear
un dispositivo que sea capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede
ser un circuito Darlington, tambin llamado par Darlington o transistor Darlington
Es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Esta
compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan en
cascada.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor
T2.
Fet: caracteristicas
Unipolar: slo un tipo de portador de cargar
Controlados por voltaje

Diferencias jfet y mosfet

Diseo de JFET y MOSFET

Tanto el JFET (JFET, del ingls junction field effect transistor), o transistor de
efecto de campo de juntura, como el MOSFET (MOSFET, del ingls metal oxide
semiconductor field effect transistor), o transistor de efecto de campo de xido
metlico semiconductor, comparten un diseo comn de base unipolar. La tensin
se lleva a travs de un canal conductor desde la fuente y uniones de drenaje. La
resistencia a esta corriente vara en funcin de la entrada de tensin en el terminal
de la compuerta. La compuerta del MOSFET est aislada del material del canal por
una capa de dixido de silicio, que le permite funcionar tanto en el modo de
agotamiento como en el de enriquecimiento.

Tipo de canal
El diseo del JFET limita su canal de ser utilizado en un modo de agotamiento
nico. Un canal de agotamiento aumenta la resistencia en respuesta a la tensin
detectada en la compuerta principal.

El canal de un MOSFET puede ser fabricado tanto en la forma de agotamiento

como en la de enriquecimiento. El canal de un MOSFET de tipo incremental se
vuelve menos resistente a medida que se aplica tensin a la compuerta. Ambos
transistores estn disponibles en las configuraciones del canal-n y canal p.

Flujo de corriente
La configuracin bsica de los dos tipos de transistores muestra una diferencia
fundamental con respecto al flujo de corriente a travs del canal.
Un JFET est normalmente encendido, es decir, permite que la corriente fluya
libremente entre los terminales de fuente y drenaje cuando no hay entrada de
tensin en la compuerta. El agotamiento aumenta la resistencia en este canal hasta
que la puerta llegue a la "pizca" de tensin, que cierra el canal.
Un dispositivo MOSFET de tipo de agotamiento es tambin un canal normalmente
encendido. El MOSFET del tipo de enriquecimiento es normalmente un canal
apagado. La tensin en la compuerta de este tipo de dispositivo reduce la
resistencia a travs de este canal que permite que la corriente fluya.

Impedancia
La impedancia de entrada JFET es alta, lo que significa que el dispositivo drenar
poca o ninguna corriente desde el circuito al que est unido. No hay corriente
indeseada que ingrese en el circuito desde el dispositivo, haciendo que esta sea til
en una amplia gama de diseos de circuitos

. El diseo MOSFET tiene una impedancia an mayor que el JFET. El precio por
esta caracterstica es que el dispositivo MOSFET es ms susceptible a daos por
una acumulacin de electricidad esttica.