Apostila de Eletrônica Básica I

SERVIO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL-SENAI
Centro de Formao Profissional

Fbio Arajo Motta
Eletrnica
Bsica I
Presidente da FIEMG
Robson Braga de Andrade
Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica
Diretor Regional do SENAI e

Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Alexandre Magno Leo dos Santos
Gerente de Educao e Tecnologia

Edmar Fernando de Alcntara
Compilador
Clodoaldo R. de Arajo
Unidade Operacional
SENAI CFP FAM Centro De Formao Profissional Fbio Arajo Motta
Curso Tcnico em Eletrnica
APRESENTAO
Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento.
Peter Drucker
O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos
os perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produo,
coleta, disseminao e uso da informao.
O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso, e,
consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a gide do conceito da
competncia: formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resoluo de problemas, com conhecimentos
tcnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
conscincia da necessidade de educao continuada.
Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento, na sua rea
tecnolgica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualizao se faz
necessria. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliogrfico, da sua infovia, da
conexo de suas escolas rede mundial de informaes internet - to
importante quanto zelar pela produo de material didtico.
Isto porque, nos embates dirios, instrutores e alunos , nas diversas oficinas
e laboratrios do SENAI, fazem com que as informaes, contidas nos materiais
didticos, tomem sentido e se concretizem em mltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja, por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua
curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre os
diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada !
Gerncia de Educao e Tecnologia
SUMRIO
1. RESISTORES....................................................................................4
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
Introduo............................................................................................................................. 4
Finalidade dos Resistores..................................................................................................... 4
Caractersticas dos resistores...............................................................................................4
Simbologia............................................................................................................................. 6
Tipos de Resistores............................................................................................................... 6
Cdigo de Cores Para Resistores......................................................................................... 8
Interpretao do Cdigo........................................................................................................ 9
1.7.1 Resistores de 1 a 10...................................................................................................... 11

1.7.2 Resistores abaixo de 1..................................................................................................... 11
1.7.3 Resistores de 5 anis......................................................................................................... 12
1.8
Resistores Ajustveis.......................................................................................................... 12
1.9
Potencimetros................................................................................................................... 14
2. CAPACITORES................................................................................19
2.1 Introduo.................................................................................................................................. 19
2.2 Descarga do Capacitor............................................................................................................... 22
2.3 Capacitncia............................................................................................................................... 23
2.4 Tipos de Capacitores.................................................................................................................. 24
3. TRANSFORMADORES....................................................................32
3.1
Introduo........................................................................................................................... 32
3.2
Relao de Transformao................................................................................................. 35
3.3
Ligao de Transformadores em 110 e 220 V.....................................................................35
3.3.1 Transformador com primrio a trs fios..............................................................................35
3.3.2 Transformador com Primrio a quatro fios..........................................................................36
3.4
Relao de fase entre as tenses do primrio e do secundrio..........................................37
4. MATERIAIS SEMICONDUTORES...................................................39
4.1
Introduo........................................................................................................................... 39
4.2
Constituio Qumica.......................................................................................................... 39
4.3
Dopagem............................................................................................................................. 42
4.3.1 Semicondutor Tipo n........................................................................................................... 42
4.3.2 Semicondutor Tipo p........................................................................................................... 44
4.4
Propriedades Trmicas....................................................................................................... 46
5. DIODO SEMICONDUTOR...............................................................48
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
Formao do Diodo Juno pn........................................................................................ 48

Aspecto e Representao do Diodo....................................................................................50
Aplicao de Tenso sobre o Diodo....................................................................................50
Comparao entre Diodo Ideal Versus Diodo Real.............................................................53
Curva Caracterstica do Diodo............................................................................................ 55
Limites de Operao do Diodo............................................................................................ 59
Teste Diodos semicondutores............................................................................................. 61
6. RETIFICAO.................................................................................63
2

6.1
6.2
6.3
Retificao de Meia Onda com Diodo Semicondutor..........................................................63

Retificao de Onda Completa............................................................................................ 67
Exerccios de Retificao.................................................................................................... 74
7. FILTROS EM FONTES DE ALIMENTAO....................................76

7.1
7.2
Capacitor como Elemento de Filtragem..............................................................................77

Exerccios de Filtro em Fonte de Alimentao....................................................................80
8. DIODO EMISSOR DE LUZ..............................................................82

8.1
8.2
8.3
Princpio de Funcionamento................................................................................................ 83
Parmetros Caractersticos do LED....................................................................................83
Clculo do Resistor Limitador da corrente no LED..............................................................84
9. DIODO ZENER.................................................................................86
9.1
9.2
10.
Comportamento do Diodo Zener......................................................................................... 86

Caracterstica do Diodo zener............................................................................................. 88
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSO....................92
10.1 Funcionamento do Circuito Regulador.....................................................................................92

10.2- Exerccios de Diodo Zener e Regulador de Tenso a Zener...................................................95
11.
PRTICAS DE CIRCUITOS COM DIODOS.................................98
11.1 Prtica de Verificao do Funcionamento de Retificao de Meia Onda e Onda Completa .. .98
11.2 Prtica de Verificao do Funcionamento de filtro em Fontes de Alimentao......................102
11.3 Prtica de Regulador de Tenso com Diodo Zener................................................................106
12.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS............................................108
1. Resistores
1.1 Introduo
Os
resistores
so
componentes
eletrnicos,
utilizados
nos circuitos
eletrnicos para limitar a circulao de corrente eltrica, atravs da sua resistncia.

Dificilmente se encontrar um equipamento eletrnico que no utilize resistores.
Este Captulo, que tratar dos resistores e cdigos de cores, foi elaborado
para capacit-lo a identificar caractersticas eltricas e construtivas dos resistores,
bem como interpretar valores de resistncia expressos por cdigo de cores.
Estude-o atentamente, pois as informaes apresentadas sero utilizadas no
dia a dia do aprendizado de eletrnica bsica.
1.2 Finalidade dos Resistores

Os resistores so componentes colocados nos circuitos com a finalidade de
limitar a corrente eltrica. A figura 1 mostra alguns resistores.
1.3 Caractersticas dos resistores

Os resistores possuem caractersticas eltricas importantes:
a) Resistncia hmica
o valor especfico de resistncia do componente. Os resistores so
fabricados em valores padronizados, estabelecidos por norma.
Ex.: 120, 560, 1500.
b) Percentual de tolerncia
Os resistores esto sujeitos a diferenas no seu valor que decorrem do
processo de fabricao. Estas diferenas se situam em 5 faixas de percentual:
20% de tolerncia
4
10% de tolerncia
5% de tolerncia
2% de tolerncia
1% de tolerncia
Os resistores com 20%, 10% e 5% de tolerncia so considerados resistores
comuns e os de 2% e 1% so resistores de preciso. Os resistores de preciso so

usados apenas em circuitos onde os valores de resistncia so crticos.
A percentual de tolerncia indica qual a variao de valor que o componente
pode apresentar em relao ao valor padronizado. A diferena no valor pode ser
para mais, por exemplo, (+20%) ou para menos (20%) do valor real ou padro.
A tabela 1 apresenta alguns valores de resistor com o percentual de tolerncia
e os limites entre os quais deve se situar o valor real do componente.
Tabela 1: Valor real de alguns resistores
Valor Nominal
1000
Tolerncia (%)
10%
560
5%
120
1%
- 10%
+ 10%
- 5%
+ 5%
- 1%
+ 1%
Min.
Mx.
Min
Mx
Min
Mx
Valor Real
1000 x 0,9 = 900
1000 x 1,1 = 1100
560 x 0,95 = 532
560 x 1,05 = 588
120 x 0,99 = 118,8
120 x 1,01 = 121,2
A tabela 2 apresenta os valores padro de fabricao de resistores com

tolerncia de 5%.
Encontram-se ainda resistores com os valores da tabela 2 multiplicados por

0,1; 10; 100; 1000; 10000; 100000. Exemplos: 1,1; 180; 2700; 36k; 56k;
8,2M.
Pela tabela observa-se que os valores padronizados acrescidos da tolerncia
permitem que se obtenha qualquer valor de resistncia desejada. Tomando 3 valores
consecutivos da tabela, tm-se:
1.4 Simbologia
Utilizados para representao dos resistores indicando o smbolo oficial que
deve ser utilizado no Brasil, segundo a norma ABNT.
A figura 2 abaixo mostra os smbolos de resistores.
Nos diagramas, o valor do resistor aparece ao lado do smbolo ou no seu interior,

como mostrado na Fig.3.
1.5 Tipos de Resistores

Existem trs tipos de resistores quanto constituio:
Resistores de filme de carbono.
Resistores de carvo (no so mais fabricados).
Resistores de fio.
Cada um dos tipos tem, de acordo com sua constituio, caractersticas que o
tornam mais adequados que os outros tipos em sua classe de aplicao. A seguir,
so apresentados os processos bsicos de fabricao e a aplicao do componente.
1.5.1 Resistor de Filme de Carbono
O resistor de filme de carbono, tambm conhecido como resistor de pelcula,
constitudo por um corpo cilndrico de cermica que serve de base para a
fabricao do componente (fig.4).
6
Fig.4 Cilindro de cermica usado na confeco de resistores de pelcula
Sobre o corpo depositada uma fina camada em espiral, de material resistivo

(filme de carbono) que determina o valor hmico do resistor (fig.5).
Fig.5 Filme de carbono em espiral
Os terminais (lides de conexo) so colocados nas extremidades do corpo em

contato com a camada de carbono.
Os terminais possibilitam a ligao do elemento ao circuito (fig.6).
Fig.6 Fixao dos terminais do resistor
O corpo do resistor pronto recebe um revestimento que d acabamento na

fabricao e isola o filme de carbono da ao da umidade.
A figura 7 apresenta um resistor pronto, em corte, aparecendo conexo dos
terminais e o filme resistivo.
Fig. 7 Representao de um resistor em corte
As caractersticas fundamentais do resistor de filme de carbono so a

preciso e a estabilidade do valor resistivo.
1.5.2 Resistores de Carvo
O resistor de carvo constitudo por um corpo cilndrico de porcelana.
No interior da porcelana so comprimidas partculas de carvo que definem a
resistncia do componente (fig.8).
Com maior concentrao de partculas de carvo o valor resistivo do

componente reduzido. Apresentam tamanho fsico reduzido e os valores de
dissipao e resistncia no so precisos. Podem ser usados em qualquer tipo de
circuito.
1.5.3 Resistores de fio
Constitui-se de um corpo de porcelana ou cermica que serve como base.
Sobre o corpo enrolado um fio especial (por exemplo, nquel-cromo) cujo
comprimento e seo determinam o valor do resistor. A figura 09 apresenta um
resistor de fio em corte. Nela aparecem os terminais, o fio enrolado e a camada
externa de proteo do resistor.
Fig.9 Resistor de Fio
O resistor de fio tem capacidade para trabalhar com maior valores de

corrente. Este tipo de resistor produz, normalmente uma grande quantidade de calor
quando em funcionamento.
Para facilitar o resfriamento nos resistores que produzem grandes
quantidades de calor o corpo de porcelana macio substitudo por um tubo de
porcelana (fig. 10).
Fig.10 Resistores que dissipam muito calor
Resistores que dissipam grande quantidade de calor so construdos sobre

um tubo oco de porcelana para facilitar o resfriamento.
1.6 Cdigo de Cores Para Resistores

O valor hmico dos resistores e sua tolerncia podem ser impressos no corpo
do componente, atravs de anis coloridos (fig.11).
Fig.11 Cdigo de cores impressos no corpo do resistor
A cor de cada anel e sua posio com relao aos demais anis,
corretamente interpretada fornece dados sobre o valor do componente.
A disposio das cores em forma de anis possibilita que o valor do
componente possa ser lido de qualquer posio.
1.7 Interpretao do Cdigo

O cdigo se compe de trs cores usadas para representar o valor hmico, e
uma para representar o percentual de tolerncia.
Para a interpretao correta dos valores de resistncia e tolerncia do
resistor, os anis tm que ser lidos em uma seqncia correta.
O primeiro anel colorido a ser lido aquele que est mais prximo da
extremidade do componente. Seguem na ordem 2, 3 e 4 anis coloridos (fig.12).
Fig.12 Cdigo de cores indicam o valor da resistncia do resistor
Os trs primeiros anis coloridos (1, 2 e 3) representam o valor do resistor.

O 4 anel representa o percentual de tolerncia.
O primeiro anel colorido representa o primeiro nmero que formar o valor do
resistor, conforme ilustrado na fig.13.
Fig.13 Primeiro anel indicando o primeiro algarismo do valor do resistor
A cada nmero corresponde uma cor, como mostra a tabela 4.

Tabela 4 cdigo de cores para resistores.
O segundo anel colorido representa o segundo nmero que forma o valor do

resistor.
Fig.14 Segundo anel indicando o segundo algarismo do valor do resistor
Para o segundo anel, as cores tm o mesmo significado do 1 anel.

O terceiro anel representa o nmero de zeros que segue aos dois primeiros
algarismos, sendo chamado de fator multiplicativo. A figura 15 mostra trs exemplos.
Fig 15 Terceiro anel indicando o fator multiplicador
A cada nmero de zeros corresponde uma cor, como mostra a tabela 5.

Tabela 5 Cdigo de cores dos multiplicadores
Observao: As cores violeta, cinza e branco no so encontradas no 3

anel por que os resistores padronizados no alcanam valores que necessitem de 7,
8 ou 9 zeros.
Os resistores usados como exemplo esto representados na fig.16.
Fig 16 Resistores de 680, 3.300 e 560.000 com cdigo de cores.
O quarto anel colorido representa a tolerncia do resistor. A cada percentual

corresponde uma cor caracterstica, como pode ser visto na tabela 6.
Tabela 6 Cdigo de cores relativo a tolerncia.
Observao:.: A ausncia do quarto anel indica a tolerncia de 20%.

Acrescendo-se uma tolerncia de 10% aos valores dos resistores usados
como exemplo.
10
680
10% - Azul (6), cinza (8), marrom (1), prateado (10%)
3300
10% - Laranja (3), laranja (3), vermelho (2), prateado (10 %)
560000 10% - Verde (5), azul (6), amarelo (4) , prateado ( 10%)
1.7.1 Resistores de 1 a 10
Para representar resistores de 1 a 10 (exemplo: 2,7) o cdigo estabelece o
uso da cor DOURADO NO 3 ANEL. O dourado neste anel indica a existncia da
vrgula entre os dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
1,8
5% - Marrom (1), cinza (8), dourado, dourado (5%)
4,7
10% - Amarelo (4), violeta (7), dourado, prateado (10%)
8,2
20% - Cinza (8), vermelho (2), dourado, sem cor (20%)
1.7.2 Resistores abaixo de 1

Para representar resistores abaixo de 1 (exemplo: 0,27) o cdigo
determina o uso do PRATEADO NO 3 ANEL. O prateado no 3 anel significa a
existncia de 0, antes dos dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
0,39
20% - Laranja (3), branco (9), prateado, sem cor (20%)
0,15
10% - Marrom (1%), verde (5), prateado, prateado (10%)
A tabela a seguir apresenta o cdigo de cores completo:
11
1.7.3 Resistores de 5 anis

Em algumas aplicaes so necessrios resistores com valores mais
precisos, que se situam entre os valores padronizados.
Estes resistores tm o seu valor impresso no corpo atravs de cinco anis
coloridos (fig. 17).
Fig. Resistor com cinco anis
Nestes resistores, os trs primeiros anis so dgitos significativos, o quarto

anel representa o nmero de zeros (fator multiplicativo) e o quinto anel a tolerncia
(fig. 17).
Tabela 8 Cdigo de cores para resistores de cinco anis.
1.8 Resistores Ajustveis

So resistores cujo valor de resistncia pode ser ajustado, dentro de uma
faixa pr-definida. A Fig.18 mostra alguns resistores ajustveis.
12
Fig.18 Exemplo de resistores ajustveis.
Estes tipos de resistores so utilizados em circuitos que exigem calibrao.

Existem dois tipos de resistores ajustveis:
Resistor ajustvel de fio (Fig.19a).
Trimpot (Fig.19b).
Fig.19a Resistor ajustvel de fio.
Fig.19b Trimpot.
A constituio fsica dos resistores ajustveis no preparada para suportar

trocas de valor freqentes. Este tipo de componente utilizado em pontos de um
circuito onde o ajuste feito uma vez e no mais alterado.
Os resistores ajustveis (de fio e trimpot) so usados para ajustes definitivos
nos circuitos.
1.8.1 Resistores Ajustveis de Fio
um resistor de fio ao qual foi acrescentado um terceiro terminal,
denominado de cursor, como mostrado na Fig.20.
Fig.20 Resistor ajustvel de fio.
13
Esse terminal mvel desliza em contato eltrico com as espiras de fio que
constituem o resistor podendo ser fixado na posio desejada. Os resistores
ajustveis de fio, em geral, dissipam grande quantidade de calor porque trabalham
com correntes elevadas.
Por essa razo, normalmente so montados em locais com boa ventilao,
sendo ligados ao circuito atravs de condutores.
1.8.2 Trimpot
um tipo de resistor ajustvel utilizado em pontos de ajuste onde as
correntes so pequenas (da ordem de miliampres ou menos). A Fig.21 mostra dois
tipos de trimpots.
Fig.21 Tipos de trimpots.
Pelo fato de dissiparem pequenas quantidades de calor, os trimpots podem

ser montados no prprio circuito onde esto atuando. Existem trimpots verticais e
horizontais, de forma a permitir uma opo para uma montagem mais adequada a
cada aplicao. A Fig.22 mostra trimpots desses dois tipos.
Fig.22 Trimpot vertical e trimpot horizontal.
1.9 Potencimetros
So resistores com derivao que permite a variao do valor resistivo pelo
movimento de um eixo. A Fig.23 mostra alguns tipos de potencimetros.
14
Fig.23 Tipos de potencimetros.
Os potencimetros so usados nos equipamentos para permitir a mudana do

regime de operao.
Por exemplo, o potencimetro de volume permite o aumento ou diminuio do
nvel de intensidade do som. J o potencimetro de brilho permite o controle de
luminosidade das imagens.
1.9.1 Funcionamento
Entre os dois terminais extremos o potencimetro um resistor comum.
Sobre esse resistor desliza um 3 terminal, chamado de cursor que permite utilizar
apenas uma parte da resistncia total do componente (de um extremo at o cursor).
1.9.2 Simbologia
A Fig.24 mostra os smbolos utilizados para representar os potencimetros,
salientando o smbolo normalizado pela ABNT.
Fig.24 Smbolos dos potencimetros.
A diferena entre os smbolos dos resistores ajustveis e potencimetros

aparece na ponta do trao diagonal.
Os
componentes
cujo
valor
est
sujeito
modificao
constante
(potencimetros usados no controle de volume, por exemplo) so denominados

variveis. Nos seus smbolos aparece uma seta na ponta do trao diagonal.
Os componentes cujo valor de resistncia ajustado na calibrao e no
sofre mais alterao, so chamados de ajustveis. O resistor ajustvel um
exemplo caracterstico desse tipo de componente.
15
1.9.3 Tipos de Potencimetros

Existem dois tipos de potencimetros:
De fio.
De carbono (linear ou logartmico).
1.9.3.1 POTENCIMETRO DE FIO

Sobre uma tira de fibra isolante, em forma de anel so enroladas vrias
espiras de fio especial (com resistividade elevada). Fixam-se terminais nas
extremidades da fibra e as pontas do fio formam um resistor, conforme ilustrado na
Fig.25.
Fig.25 Tira de fibra, espira de fio e terminais de um potencimetro de fio.
Sobre o topo da fibra corre o contato mvel do cursor que ligado

mecanicamente ao eixo do componente. O cursor ligado ao terminal do
potencimetro, como mostrado na Fig.26.
Fig.26 Detalhes dos componentes bsicos de um potencimetro.
Os potencimetros de fio para circuitos eletrnicos so encontrados em

valores de at 22k de resistncias e potncias de dissipao de at 4W.
16
Nos potencimetros de fio a resistncia entre o cursor e os extremos varia

uniformemente com o movimento do eixo.
Se o eixo for movimentado at a metade do curso total, a resistncia entre o
cursor e os extremos a metade da resistncia total. Por outro lado, se o cursor for
movimentado de 1/4 do curso total em relao a um extremo, a resistncia entre
este extremo e o cursor 1/4 da resistncia total. Entre o outro extremo e o cursor
haver, portanto 3/4 da resistncia, como ilustrado na Fig.27.
Fig.27 Valores de resistncia para diversas posies do cursor.
Componentes com esta caracterstica so chamados de lineares,.Portanto,

os potencimetros de fio sempre so lineares.
Nos potencimetros lineares, a variao da resistncia proporcional ao movimento
do eixo.
1.9.3.2 POTENCIMETRO DE CARBONO (CARVO)
So semelhantes aos potencimetros de fio na sua construo. Diferem
apenas em um aspecto: nos potencimetros de carvo as espiras de fio especial (do
potencimetro de fio) so substitudas por uma camada de carbono que
depositada sobre uma superfcie de material isolante, como pode ser visto na
Fig.28.
17
Fig.28 Detalhes construtivos de um potencimetro de carbono.
Os
potencimetros
de
carbono
podem
ser
lineares
ou
logartmicos.
Os
potencimetros de carvo lineares so semelhantes aos de fio, ou seja, a variao da

resistncia entre um extremo e o cursor proporcional ao movimento do eixo.
Os potencimetros de carvo logartmicos se comportam de forma diferente, com
respeito relao entre posio do cursor e resistncia.
Quando se inicia o movimento do cursor, a resistncia sofre pequena variao.
medida que o cursor vai sendo movimentado, a variao na resistncia torna-se cada vez
maior.
A variao da resistncia entre um extremo e o cursor desproporcional ao
movimento do eixo.
18
2. CAPACITORES
2.1 Introduo
O capacitor um componente capaz de armazenar cargas eltricas, sendo
largamente empregado nos circuitos eletrnicos.
Um capacitor se compe basicamente de duas placas de material condutor,
denominadas de armaduras, isoladas eletricamente entre si por um material isolante
chamado dieltrico, como pode ser visto na Fig.29 armaduras dieltrico.
Fig.29 Constituio de um capacitor.
O material condutor que compe as armaduras de um capacitor

eletricamente neutro no seu estado natural.
Em cada uma das armaduras, o nmero total de prtons e eltrons igual,
portanto, as placas no tm potencial eltrico.
No existindo potencial eltrico em cada uma das armaduras, no h
diferena de potencial ou tenso entre elas, conforme ilustrado na Fig. 30..
Fig.30 Diferena de potencial zero.
19
O fenmeno de armazenamento de cargas pelo capacitor pode ser

compreendido mais facilmente analisando o movimento de eltrons no circuito.
Por esta razo ser utilizado o sentido eletrnico da corrente eltrica no
desenvolvimento do assunto.
Conectando-se os terminais do capacitor a uma fonte de CC, o capacitor fica
sujeito diferena de potencial dos plos da fonte.
O potencial da bateria aplicado a cada uma das armaduras faz surgir entre
elas uma fora eltrica que nada mais do que uma fora de atrao (cargas de
sinal diferente) ou repulso (cargas de mesmo sinal) entre cargas eltricas.
O plo positivo da fonte absorve eltrons da armadura qual est conectado
enquanto o plo negativo fornece eltrons outra armadura, como ilustrado na
Fig.31.
Fig.31 Absoro de eltrons da armadura no polo positivo e fornecimento de eltrons do negativo

armadura.
A armadura que fornece eltrons fonte fica com ons positivos adquirindo
um potencial positivo e a armadura que recebe eltrons da fonte fica com ons
negativos, adquirindo potencial negativo, conforme ilustrado na Fig.32.
Fig.32 Cargas em um capacitor conectado a uma fonte.
20
Isto significa que ao conectar o capacitor a uma fonte de CC, surge uma
diferena de potencial entre as suas armaduras.
A tenso presente nas armaduras do capacitor ter um valor to prximo ao
da tenso da fonte que, para efeitos prticos, pode-se consider-las iguais, como
indicado na Fig.33.
Fig.33 Tenso das armaduras igual tenso da fonte.
Um capacitor conectado diretamente a uma fonte de alimentao apresenta entre

suas armaduras uma tenso que pode ser considerada igual da fonte.
Quando o capacitor assume a mesma tenso da fonte de alimentao, diz-se que o
capacitor est carregado.
Se, aps ter sido carregado, o capacitor for desconectado da fonte de CC, suas
armaduras permanecem com os potenciais adquiridos, como ilustrado na Fig 34.
Fig.34 Permanncia dos potenciais das armaduras aps a fonte CC ser desconectada.
Isto significa dizer que, mesmo aps ter sido desconectado da fonte de CC,
ainda existe tenso presente entre as placas do capacitor.
Resumindo-se, pode-se dizer que quando um capacitor conectado a uma
fonte de CC, ele absorve energia desta fonte, armazenando cargas eltricas (ons
positivos e negativos) nas suas armaduras.
21
Esta capacidade de absorver e manter a energia em suas armaduras que

define o capacitor como sendo um armazenador de cargas eltricas.
A energia armazenada no capacitor na forma de desequilbrio eltrico entre
suas armaduras pode ser reaproveitada.
2.2 Descarga do Capacitor

Tomando-se um capacitor carregado e conectando-se seus terminais a uma
carga, haver uma circulao de corrente, pois o capacitor atua como fonte de
tenso. Este comportamento pode ser visto na Fig.35.
Fig.35 Descarga de um capacitor sobre uma carga (resistor).
Isto se deve ao fato de que atravs do circuito fechado inicia-se o

restabelecimento do equilbrio eltrico entre as armaduras.
Os eltrons em excesso em uma das armaduras movimentam-se para a outra
onde h falta de eltrons, at que se restabelea o equilbrio de potencial entre elas,
como ilustrado na Fig. 36.
22
Fig. 36 Eltrons nas armaduras.
Durante o tempo em que o capacitor se descarrega, a tenso entre suas

armaduras diminui porque o nmero de ons restantes em cada armadura cada
vez menor. Aps algum tempo, a tenso entre as armaduras to pequena que
pode ser considerada zero.
Quando um capacitor est em descarga, a tenso entre as suas armaduras
diminui at praticamente zero .
2.3 Capacitncia
A capacidade de armazenamento de cargas de um capacitor depende dos
seguintes: rea comum entre as armaduras, espessura do dieltrico e natureza do
dieltrico.
2.3.1 rea das Armaduras
Quanto maior a rea das armaduras, maior a capacidade de armazenamento
de um capacitor.
2.3.2 Espessura do Dieltrico
Quanto mais fino o dieltrico, mais prximas esto s armaduras. O campo
eltrico formado entre as armaduras maior e a capacidade de armazenamento
tambm.
23
2.3.3 Natureza do Dieltrico

Quanto maior a capacidade de isolao do dieltrico, maior a capacidade de
armazenamento do capacitor.
A capacidade de um capacitor de armazenar cargas denominada de
capacitncia. (C) se define sendo a razo entre a carga eltrica a armadura (Q) pela
diferena de potencial entre elas (V) :
C
Q
V
Quanto maior a capacitncia, maior a capacidade de armazenamento de

cargas.
A unidade de medida de capacitncia o farad e representada pela letra F.
Entretanto, a unidade farad extremamente grande, o que leva ao uso de
submltiplos dessa unidade.
A Tabela 4 apresenta os smbolos representativos de cada submltiplo e o
seu valor com relao unidade.
Tabela 4 - Submltiplos do farad.
A converso de valores entre as subunidades feita da mesma forma que as

outras grandezas.
A seguir tem-se, alguns exemplos de converso.
1) 1F o mesmo que 1.000nF.
5) 820nF o mesmo que 0,82F.
2) 22nF o mesmo que 22.000pF. 6) 1.200pF o mesmo que 1,2nF.

3) 68nF o mesmo que 0,068F. 7) 47.000pF o mesmo que 47nF.
4) 150pF o mesmo que 0,15nF. 8) 47.000pF o mesmo que 0,047F.
A capacitncia um dos itens que especifica um capacitor.
2.4 Tipos de Capacitores

Atualmente encontra-se no mercado um grande nmero de tipos de
capacitores, empregando os mais diversos materiais.
Estes capacitores podem ser resumidos em quatro tipos bsicos:
Capacitores fixos despolarizados.

24
Capacitores ajustveis.
Capacitores variveis.
Capacitores eletrolticos.
A Fig.37 mostra alguns capacitores na sua forma real.
Fig.37 Alguns tipos de capacitores.
2.4.1 Capacitores Fixos Despolarizados

Apresentam um valor de capacitncia especfico, que no pode ser alterado.
A Fig.38 mostra o smbolo usado para representar os capacitores fixos
despolarizados.
Fig.38 Smbolo dos capacitores fixos despolarizados.
A Fig.39 mostra diversos tipos de capacitores fixos.
Fig.39 Diversos tipos de capacitores fixos: (a) stiroflex, (b) cermica e (c) polister
25
Estes capacitores se caracterizam por ser despolarizado, ou seja, qualquer

uma das suas armaduras pode ser ligada tanto a potenciais positivos como
negativos.
Capacitores despolarizados no tm polaridade especificada para ligao.
Alguns capacitores fixos podem apresentar-se na verso axial com os dois
terminais nas extremidades ou radial com os dois terminais no mesmo lado do
corpo. A Fig.40 mostra estes dois tipos de capacitores.
Fig.40 Capacitor fixo: (a) axial e (b) radial.
De acordo com a necessidade de montagem, pode-se utilizar um ou outro

tipo.
2.4.2 Capacitores Ajustveis
So utilizados nos pontos de calibrao dos circuitos. A Fig.41 mostra um
capacitor ajustvel tpico e o seu smbolo.
Fig.41 Capacitor ajustvel.
Apresentam valor de capacitncia ajustvel dentro de certos limites, por exemplo,

10pF a 30pF.
2.4.3 Capacitores Variveis
So utilizados em locais onde a capacitncia constantemente modificada. A
Fig.42 mostra um capacitor varivel e o seu smbolo.
26
Fig.42 Capacitor varivel e seu smbolo.
Encontram-se ainda capacitores variveis mltiplos que se constituem de dois

ou mais capacitores variveis acionados pelo mesmo eixo. A Fig.43 mostra um
capacitor duplo e seu smbolo.
Fig.43 Capacitor duplo e seu smbolo.
A linha pontilhada indica que os dois capacitores tm seu movimento

controlado pelo mesmo eixo.
2.4.4 Capacitores Eletrolticos
Os capacitores eletrolticos so capacitores fixos cujo processo de fabricao
permite a obteno de altos valores de capacitncia com pequeno volume. A Fig.44
permite uma comparao entre as dimenses de um capacitor eletroltico e um no
eletroltico de mesmo valor.
Fig.44 Comparao entre os volumes de um capacitor eletroltico com um no eletroltico.
O fator que diferencia os capacitores eletrolticos dos demais capacitores fixos

o dieltrico. Nos capacitores fixos comuns o dieltrico de papel, mica ou
27
cermica. O dieltrico dos capacitores eletrolticos um preparado qumico

chamado de eletrlito que oxida pela aplicao de tenso eltrica, isolando uma
armadura da outra. A utilizao do eletrlito permite a reduo da distncia entre as
armaduras a valores mnimos, o que possibilita a obteno de maiores valores de
capacitncia (desde 1F at os valores maiores que 200.000F). O capacitor
selado em um invlucro de alumnio que isola as armaduras e o eletrlito da ao da
umidade.
Os capacitores eletrolticos apresentam algumas desvantagens que so
decorrentes do seu processo de fabricao. So elas:
Polaridade.
Alterao de capacitncia.
Tolerncia.
2.4.4.1 POLARIDADE
A formao da camada de xido entre as placas depende da aplicao de
tenso nas armaduras com polaridade correta.
A ligao com polaridade incorreta sobre as armaduras do capacitor provoca
a destruio do eletrlito, permitindo a circulao de corrente entre as armaduras. O
capacitor sofre um processo de aquecimento que faz o eletrlito ferver, podendo
inclusive provocar uma exploso do componente devido formao de gases no
seu interior.
Os capacitores eletrolticos polarizados so utilizados apenas em circuitos
alimentados por corrente contnua. Nos circuitos de corrente alternada a troca de
polaridade da tenso danifica o componente.
O smbolo dos capacitores eletrolticos expressa a polaridade das armaduras,
como pode ser visto na Fig.45.
Fig.45 Smbolo dos capacitores eletrolticos.
28
No componente, a polaridade expressa de duas formas: por um chanfro na

carcaa, que indica o terminal positivo ou pelo sinal positivo (+) impresso no corpo,
como ilustrado na Fig.46
Fig.46 Indicao da polaridade em capacitor eletroltico: (a) chanfro na carcaa ou (b) sinal positivo
impresso.
2.4.4.2 ALTERAO DE CAPACITNCIA

O capacitor eletroltico sofre alterao de capacitncia quando no est sendo
utilizado. Esta alterao se deve ao fato de que a formao da camada de xido
entre as armaduras depende da aplicao de tenso no capacitor.
Quando o capacitor eletroltico permanece durante um perodo sem utilizao,
o dieltrico sofre um processo de degenerao que afeta sensivelmente a sua
capacitncia.
Capacitores eletrolticos que no esto em uso tm a sua capacitncia
alterada.
Por esta razo, sempre que for necessrio utilizar um capacitor que estava
estocado durante algum tempo, deve-se conect-lo a uma fonte de tenso contnua
durante alguns minutos para permitir a reconstituio do dieltrico antes de aplic-lo
no circuito.
2.4.4.3 TOLERNCIA
Os capacitores eletrolticos esto sujeitos a uma tolerncia elevada no valor
real, com relao ao valor nominal. Esta tolerncia pode atingir valores de 20 a 30%
e at mesmo 50% em casos extremos.
Os capacitores eletrolticos tm grande tolerncia no seu valor de
capacitncia.
29
Existem dois tipos de capacitores eletrolticos, que esto relacionados com o

tipo de dieltrico empregado:
Capacitor eletroltico de xido de alumnio.
Capacitor eletroltico de xido de tntalo.

A Fig.47 mostra um capacitor eletroltico de xido de alumnio e outro de
tntalo.
Fig.47 Capacitores eletrolticos: (a) xido de alumnio e (b) xido de tntalo
Os capacitores eletrolticos de xido de tntalo apresentam a seguinte

vantagem sobre os eletrolticos de xido de alumnio: a capacitncia dos capacitores
de xido de tntalo sofre menor variao com o passar do tempo.
Existem ainda os capacitores eletrolticos mltiplos, que consistem em dois,
trs ou at mesmo quatro capacitores no mesmo invlucro. A Fig.48 mostra estes
tipos de capacitores.
Fig.48 Capacitores eletrolticos mltiplos.
30
Em geral, nesses capacitores o invlucro externo ou carcaa comum a

todos os capacitores.
Capacitores eletrolticos como os da Fig.48, so muito usados em fontes de
alimentao. Os capacitores eletrolticos mltiplos podem ser representados pelo
smbolo mostrado na Fig.49.
Fig.49 Smbolo dos capacitores eletrolticos mltiplos .
31
3. Transformadores
3.1
Introduo
O transformador um dispositivo que permite elevar ou abaixar os valores de
tenso em um circuito CA. A maioria dos equipamentos eletrnicos emprega

transformadores para elevar ou abaixar tenses. A fig.50 mostra alguns tipos de
transformadores.
3.1.1 Funcionamento
Quando uma bobina conectada a uma fonte de CA, um campo magntico
varivel surge ao seu redor. Se outra bobina for aproximada da primeira, o campo
magntico varivel gerado na primeira bobina corta as espiras da segunda bobina,
conforme mostrado na fig.51.
fig. 51 campo magntico varivel cortando as espiras da segunda bobina
Em conseqncia da variao do campo magntico sobre as espiras, surge

uma tenso induzida na segunda bobina.
A bobina na qual se aplica tenso CA denominada primrio do
transformador. A bobina onde surge tenso induzida denominada secundrio do
transformador, conforme ilustrado na fig.52.
32
Fig. 52 tenso induzida no secundrio
Observao: As bobinas primria e secundria so eletricamente isoladas

entre si. A transferncia de energia de uma para outra se d exclusivamente atravs
das linhas de foras magnticas.
A tenso induzida no secundrio proporcional ao nmero de linhas
magnticas que cortam a bobina secundria e ao nmero de suas espiras. Por isso,
o primrio e o secundrio so montados sobre um ncleo de material
ferromagntico, conforme a fig. 53.
Fig.53 ncleo de material ferromagntico
Esse ncleo tem a funo de diminuir a disperso do campo magntico,

fazendo com que o secundrio seja cortado pelo maior nmero possvel de linhas
magnticas. Como conseqncia, obtm-se uma transferncia melhor de energia
entre primrio e secundrio. Veja na fig. 54, o efeito causado pela colocao do
ncleo no transformador.
fig.54 efeito causado pela colocao do ncleo no transformador
33
Com a incluso do ncleo o aproveitamento do fluxo magntico gerado no

primrio maior. Entretanto, surge um inconveniente: o ferro macio sofre grande
aquecimento com a passagem do fluxo magntico.
Para diminuir este aquecimento utiliza-se ferro silicoso laminado para a
construo do ncleo, conforme fig.55.
fig.55 Ferro silicoso laminado
Com a laminao do ferro se reduzem as correntes parasitas responsveis

pelo aquecimento do ncleo.
A laminao no elimina o aquecimento, mas reduz sensivelmente em relao
ao ferro macio.
A figura
56
mostra os smbolos empregados para representar o
transformador, segundo a norma ABNT.
fig.56 smbolos de transformadores
Os traos colocados no smbolo entre as bobinas do primrio e secundrio

indicam o ncleo de ferro laminado. O ncleo de ferro empregado em
transformadores que funcionam em baixas frequncias (50Hz, 60Hz, 120Hz).
Transformadores que funcionam em frequncias mais altas (kHz) geralmente
so montados em ncleo de FERRITE. A figura 57 mostra o smbolo de um
transformador com ncleo de ferrite.
fig.57- transformador com ncleo de ferrite
34
3.2 Relao de Transformao

Como j vimos, a aplicao de uma tenso CA ao primrio de um
transformador causa o aparecimento de uma tenso induzida em seu secundrio.
Aumentando-se a tenso aplicada ao primrio, a tenso induzida no secundrio
aumenta na mesma proporo. Essa relao entre as tenses depende
fundamentalmente da relao entre o nmero de espiras no primrio e secundrio.
Por exemplo, num transformador com primrio de 100 espiras e secundrio
de 200 espiras, a tenso do secundrio ser o dobro da tenso do primrio, fig. 58.
Se chamarmos o nmero de espiras do primrio de Np e do secundrio de
Ns, podemos escrever: Vs/Vp = 2 Ns/Np = 2 (l-se : saem 2 para cada 1 que entra.)
O resultado da relao Vs/Vp e Ns/Np chamado de relao de
transformao e expressa a relao entre a tenso aplicada ao primrio e a tenso
induzida no secundrio.
Um transformador pode ser construdo de forma a ter qualquer relao de
transformao que seja necessria.
3.3 Ligao de Transformadores em 110 e 220 V

Os aparelhos eletrnicos so fabricados de tal forma que podem ser usados
tanto em redes de 110 quanto de 220V. Isso possvel atravs da seleo feita por
meio de uma chave situada na parte posterior do aparelho.
Na maioria dos casos, essa chave est ligada ao primrio do transformador.
De acordo com posio da chave, o primrio preparado para receber 110 e 220V
da rede eltrica e fornece o mesmo valor da tenso ao secundrio.
Existem dois tipos de transformadores cujo primrio pode ser ligado para 110
e 220V:
Transformador 110/220V com primrio a trs fios;
Transformador 110/220V com primrio a quatro fios.
3.3.1 Transformador com primrio a trs fios.

O primrio do transformador a trs fios constitudo por uma bobina para
220V com uma derivao central, fig. 59.
35
Essa derivao permite que se utilize apenas uma das metades do primrio,
de modo que 110V sejam aplicados entre uma das extremidades da bobina e a
derivao central, fig. 60.
Veja na figura 61 a representao esquemtica dessa ligao.
A chave usada para seleo 110/220 normalmente deslizante, de duas

posies e dois plos.
tambm conhecida como HH. Quando esse tipo de chave utilizado, a
ligao do transformador fica como mostra a figura 62
Normalmente, as duas sees da chave so utilizadas em paralelo, fig.63
3.3.2 Transformador com Primrio a quatro fios.

O primrio desse tipo de transformador constitui-se de duas bobinas para
110V, eletricamente isoladas entre si, conforme figura fig. 64.
a)
Ligao para 220V

Em um transformador para entrada 110/220V com o primrio a quatro fios, a
ligao para 220V feita colocando as bobina do primrio em srie e observando a

identificao dos fios, ou seja, I1 para a rede, I2 e F1 em ponte e F2 para a rede, fig.
65.
b) Ligao para 110V
Em transformador para entrada 110/220 com primrio a quatro fios, a ligao
para 110V feita colocando as duas bobinas primrias em paralelo e respeitando a
identificao dos fios, ou seja, I1 em ponte com I2 na rede, F1 em ponte com F2 na
rede, fig. 66
Quando a chave HH est na posio 110V, os terminais I1, I2, F1 e F2 so
conectados em paralelo rede, fig. 67.
36
Quando a chave HH est na posio 220V, os terminais I1 e F2 ficam ligados

rede por meio da chave, fig. 68.
3.4
Relao de fase entre as tenses do primrio e do secundrio

A tenso no secundrio gerada quando o fluxo magntico varivel corta as
espiras do secundrio. Como a tenso induzida sempre oposta tenso indutora,

a tenso no secundrio tem sentido contrrio do primrio.
Isto significa que a tenso no secundrio est defasada 180 da tenso no
primrio, ou seja, quando a tenso no primrio aumenta num sentido, a tenso do
secundrio aumenta no sentido oposto, fig. 69.
a) Ponto de Referncia
Considerando-se a bobina do secundrio de um transformador ligado em CA,
observa-se que cada momento um terminal positivo e o outro negativo. Aps
algum tempo, existe a troca de polaridade. O terminal que era positivo torna-se
negativo e vice-versa, fig.70.
Nos equipamentos eletrnicos comum um dos terminais do transformador

ser usado como referncia, ligado ao terra do circuito. Nesse caso, o potencial do
terminal aterrado considerado como sendo 0V, no apresentando polaridade.
Isto porm, no significa que no ocorra a troca de polaridade no secundrio.
Em um semiciclo da rede, o terminal livre positivo em relao ao terminal aterrado
(referncia). No outro semiciclo, o terminal livre negativo em relao ao terminal de
referncia, fig. 71.
37
b) Transformador com derivao central no secundrio

O transformador com derivao central no secundrio (center tap) tem ampla
aplicao em eletrnica. Na maioria dos casos, o terminal central utilizado como
referncia e ligado ao terra do circuito eletrnico, fig. 72.
Durante seu funcionamento, ocorre uma formao de polaridade bastante

singular. Num dos semiciclos da rede, um dos terminais livres do secundrio tem
potencial positivo em relao referncia. O outro terminal tem potencial negativo, e
a inverso de fase (180) entre primrio e secundrio ocorre normalmente, fig. 73.
No outro semiciclo h uma troca entre as polaridades das extremidades livres do
transformador, enquanto o terminal central permanece em 0V e acontece novamente
a defasagem de 180 entre primrio e secundrio. Assim, verificamos que com esse
tipo de transformador possvel conseguir tenses negativas e positivas
instantaneamente, usando o terminal central como referncia. Isso pode ser
observado com o auxlio de um osciloscpio. Veja a figura 74 e o grfico 2.
38
4. Materiais Semicondutores
4.1 Introduo
Alguns materiais apresentam propriedades de conduo eltrica intermediria
entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais materiais so
denominados de semicondutores. A caracterstica mais interessante do material
semicondutor, e que o torna atrativo do ponto de vista da fabricao de
componentes eletrnicos, a possibilidade de se poder variar substancialmente sua
condutividade eltrica pela alterao controlada de sua composio qumica ou
estrutura cristalina.
Um exemplo tpico de um elemento qumico que pode formar materiais
exibindo caractersticas eltricas distintas o carbono. Dependendo da forma com
que os tomos de carbono se interligam, o material formado pode tornar-se um
isolante ou um condutor.
Uma das formas naturais de matria formada por tomos de carbono
arranjados ordenadamente em uma estrutura cristalina o diamante, que um
material de grande dureza e eletricamente isolante.
Os tomos de carbono podem tambm arranjar-se naturalmente em uma estrutura
amorfa ou no cristalina, dando origem ao grafite que um material
semicondutor.
Nas sees seguintes sero discutidas algumas das caractersticas principais
associadas aos materiais semicondutores e a forma pela qual esses materiais
podem ser utilizados na construo de dispositivos eletrnicos.
4.2 Constituio Qumica

Os materiais semicondutores mais simples so constitudos de tomos de um
nico elemento qumico com quatro eltrons na camada de valncia.
tomos exibindo esta configurao eletrnica so denominados de tomos
tetravalentes.
A Fig.75 ilustra a configurao dos tomos tetravalentes de germnio (Ge) e
silcio (Si) que do origem a materiais semicondutores.
39
Fig.75 Configurao eletrnica dos tomos de silcio e germnio .
Os tomos que tm quatro eltrons na camada de valncia tendem a se

arranjar ordenadamente na formao do material segundo uma estrutura cristalina
com tomos vizinhos compartilhando seus eltrons de valncia, conforme ilustrado
na Fig.76.
Fig.76 Compartilhamento de eltrons de valncia entre dois tomos de silcio.
O compartilhamento de eltrons entre tomos tetravalentes em uma estrutura

cristalina ilustrado na Fig.77a. Esse tipo de ligao qumica recebe a denominao
de ligao covalente, sendo representada simbolicamente por dois traos
interligando cada par de ncleos, como mostrado na Fig.77b.
Fig.77 Compartilhamento de eltrons entre tomos ligados covalentemente em uma estrutura

cristalina e a representao simblica correspondente.
Nas ligaes covalentes os eltrons permanecem fortemente ligados ao par

de ncleos interligados. Por esta razo os materiais formados por estruturas
40
cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes covalentes, adquirem

caractersticas de boa isolao eltrica.
Materiais com estruturas cristalinas puras formadas por elementos qumicos
tetravalentes so bons isolantes eltricos.
Na forma cristalina, o silcio e o germnio puros so materiais semicondutores
com propriedades eltricas prximas quelas de um isolante perfeito.
A Fig.78 mostra uma representao planar do arranjo de tomos tetravalentes
em uma rede cristalina, onde cada tomo forma quatro ligaes covalentes com
seus vizinhos.
A representao ilustrada na Fig.78 acima uma verso simplificada da

situao real em que os tomos tetravalentes se arranjam em uma estrutura
tridimensional. Essa estrutura tridimensional ilustrada na Fig.79, com os tomos
interligados em uma geometria tetradrica. O tetraedro assim formado sempre
contm um tomo central interligado aos seus quatro vizinhos posicionados nos
vrtices do tetraedro.
Fig.79 Estrutura tridimensional de uma rede cristalina de tomos tetravalentes .
41
4.3 Dopagem
A dopagem um processo qumico no qual tomos estranhos so
introduzidos na estrutura cristalina de uma substncia.
Os materiais encontrados em sua forma natural, geralmente contm um certo
grau de impurezas que se instalam durante o processo de formao desses
materiais. Essa situao pode ser caracterizada como um processo de dopagem
natural.
A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrio, com o objetivo de
introduzir no cristal uma determinada quantidade de tomos de impurezas, de forma
a alterar, de maneira controlada, as propriedades fsicas naturais do material.
Em um cristal semicondutor a dopagem geralmente realizada para alterar
suas propriedades eltricas. O grau de condutividade bem como o mecanismo de
conduo do semicondutor dopado ir depender dos tipos de tomos de impureza
introduzidos no cristal, como descrito a seguir.
4.3.1 Semicondutor Tipo n
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do
semicondutor uma quantidade de tomos contendo excesso de um eltron de
valncia relativamente ao nmero de eltrons da camada mais externa de cada
tomo do cristal, forma-se um semicondutor tipo n. Neste processo, uma pequena
quantidade dos tomos dopantes introduz apenas ligeiras modificaes na estrutura
cristalina do semicondutor puro.
Um exemplo tpico de formao de um semicondutor tipo n ocorre quando
tomos de fsforo so introduzidos na estrutura cristalina do silcio.
Conforme ilustrado na Fig.80, apenas quatro dos cinco eltrons de valncia do
fsforo, podem participar das ligaes covalentes com os tomos de silcio.
42
Fig.80 Dopagem de silcio com tomo de fsforo.
Como mostrado na Fig.80, o quinto eltron de valncia do tomo de fsforo

no participa de nenhuma ligao covalente, pois no existe um segundo eltron de
valncia disponvel nos tomos vizinhos que possibilite a formao dessa ligao.
Esse eltron extra pode, portanto, ser facilmente liberado pelo tomo de fsforo,
passando a transitar livremente atravs da estrutura do cristal semicondutor.
Com a adio de impurezas, e conseqente aumento no nmero de eltrons
livres, conforme ilustrado na Fig.81, o cristal que era puro e isolante passa a ser
condutor de corrente eltrica. importante observar que embora o material tenha
sido dopado, o nmero total de eltrons permanece igual ao nmero total de prtons
no cristal, de forma que o material continua eletricamente neutro.
Fig.81 Eltrons livres no silcio dopado com fsforo.
O semicondutor dopado com tomos contendo excesso de um ou mais eltrons na

camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo n, pois nesses
materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por cargas negativas.
Essa conduo eltrica ocorre independentemente da polaridade da tenso aplicada
entre as extremidades do material semicondutor, conforme ilustrado na Fig.82.
43
Fig.82 Corrente de eltrons em um semicondutor tipo n.
4.3.2 Semicondutor Tipo p

Quando os tomos introduzidos na estrutura cristalina do semicondutor
exibem deficincia de um eltron de valncia relativamente ao nmero de eltrons
da camada mais externa de cada tomo do cristal, forma-se um semicondutor tipo
p.
O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na camada de valncia,
quando utilizado no processo de dopagem do silcio d origem a um semicondutor
tipo p, conforme ilustrado na Fig.83.
fig.83 Dopagem de silcio com tomo de ndio.
Como se pode observar na Fig.83, o tomo de ndio se acomoda na estrutura

cristalina, formando trs ligaes covalentes com tomos vizinhos de silcio. Com
respeito ligao com o quarto tomo de silcio, verifica-se a ausncia do segundo
44
eltron que comporia o par necessrio formao daquela ligao com o tomo de
ndio. Essa ausncia de eltron de ligao denominada de lacuna.
A existncia de lacunas no semicondutor permite que haja um mecanismo de
conduo distinto daquele observado em um semicondutor tipo n. No caso do
semicondutor tipo n, os eltrons adicionais resultantes do processo de dopagem
podem transitar livremente no interior do material. Por outro lado, quando a
dopagem produz lacunas no semicondutor, um eltron proveniente de uma ligao
covalente s poder transitar para um ponto do cristal onde haja uma lacuna
disponvel.
Esse mecanismo de conduo est ilustrado na Fig.84, onde se considera
uma representao de um cristal de silcio dopado com tomos de ndio submetido a
uma ddp.
O movimento de eltrons de valncia se d do plo negativo para o plo
positivo, pela ocupao de lacunas disponveis na rede cristalina. Nesse processo,
cada eltron torna disponvel uma nova lacuna em seu stio de origem, como pode
ser observado na representao da Fig.84.
fig.84 Movimento de lacunas em um semicondutor sujeito a uma ddp.
Esse movimento de eltrons equivale, portanto, a um movimento de lacunas

do plo positivo para o plo negativo do material.
45
De acordo com esse ponto de vista, as lacunas em um semicondutor dopado

se comportam efetivamente como cargas positivas que podem transitar em um
cristal quando este est submetido a uma tenso externamente aplicada.
O semicondutor dopado com tomos contendo deficincia de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo p,
pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por
lacunas que se comportam como portadores de carga positiva durante o processo
de conduo eltrica.
Como no processo de conduo eltrica de um semicondutor tipo n, o
movimento de lacunas em um semicondutor tipo p, submetido a uma ddp, ocorre
independentemente da polaridade da tenso aplicada entre as extremidades do
material.
Analisando-se as propriedades bsicas de semicondutores dopados, nota-se
que o nmero de eltrons em um semicondutor tipo n, ou lacunas em um
semicondutor tipo p, cresce com o aumento do nmero de tomos de impurezas
introduzidas no cristal. Com o aumento do nmero de portadores de carga, aumenta
a condutividade eltrica do material. Dessa forma, torna-se possvel alterar de forma
controlada a condutividade eltrica de um semicondutor, efetuando-se a dosagem
adequada da quantidade de dopagem do cristal durante a etapa de fabricao.
Essa caracterstica de controle externo de condutividade possibilita o uso de
cristais semicondutores como matria prima na fabricao de componentes
eletrnicos, incluindo diodos, transistores, circuitos integrados etc., bem como na
construo de dispositivos optoeletrnicos, tais como fotodetetores, diodos
emissores de luz e lasers semicondutores.
A condutividade eltrica de um semicondutor pode ser controlada pela
dosagem adequada da quantidade de dopagem do cristal, durante a etapa de
fabricao.
4.4 Propriedades Trmicas

A temperatura exerce influncia direta sobre as propriedades eltricas de
materiais semicondutores. Quando a temperatura de um material semicondutor
aumenta, o aumento de energia trmica do eltron de valncia facilita a sua
liberao da ligao covalente de que participa. Cada ligao covalente que se
46
desfaz por esse processo propicia, portanto, a gerao de um par eltron/lacuna a

mais na estrutura do cristal, conforme ilustrado na Fig.85.
fig.85 Gerao por aquecimento de pares eltron/lacuna em um semicondutor.
O aumento do nmero de portadores devido ao aquecimento do cristal

aumenta sua condutividade, permitindo assim que se obtenha um maior fluxo de
corrente no material.
47
5. Diodo Semicondutor
O diodo semicondutor um componente que pode comportar-se como
condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada aos
seus terminais. Essa caracterstica permite que o diodo semicondutor possa ser
utilizado em diversas aplicaes, como, por exemplo, na transformao de corrente
alternada em corrente contnua.
5.1 Formao do Diodo Juno pn

Um diodo semicondutor formado a partir da juno entre um semicondutor
tipo p e um semicondutor tipo n, conforme ilustrado na Fig.86. Existem vrios
processos que permitem a fabricao desse tipo de estrutura e que utilizam tcnicas
altamente sofisticadas para o controle de crescimento dos cristais semicondutores
com os graus de dopagens desejados. A estrutura formada recebe a denominao
de juno pn.
fig.86 Diodo semicondutor.
Conforme ilustrado na Fig.87, logo aps a formao da juno pn, alguns

eltrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p.
O mesmo processo ocorre com algumas lacunas existentes no semicondutor
tipo p que difundem para o semicondutor tipo n.
Fig.87 Difuso de eltrons e lacunas logo aps a formao da juno pn.
48
Durante o processo de difuso, parte dos eltrons livres se recombinam com

lacunas na regio prxima juno. A diminuio do nmero de eltrons livres
existentes inicialmente do lado n que conseguiram se difundir e recombinar com as
lacunas no lado p, produz uma regio de cargas positivas do lado n e negativas do
lado p da juno.
Conforme ilustrado na Fig.88, as cargas produzidas nas proximidades da
juno so cargas fixas rede cristalina. Essa regio de cargas prxima juno
denominada regio de cargas descobertas ou regio de depleo.
fig.88 Regio de cargas descobertas nas proximidades da juno pn.
Com o aparecimento da regio de depleo, o transporte de eltrons para o

lado p bloqueado, pois estes so repelidos da regio negativamente carregada do
lado p. O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte para o lado n
repelido pelas cargas positivas existentes no lado n da juno.
Portanto, imediatamente aps a formao da juno, uma diferena de
potencial positiva gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial previne
a continuao do transporte de portadores atravs da juno pn no polarizada.
Imediatamente aps a formao da juno pn, aparece uma barreira de
potencial que positiva do lado n e negativa do lado p da juno.
A tenso VB proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo,
depende do material utilizado na sua fabricao. Valores aproximados para os
diodos de germnio e silcio so VB = 0,3 V e VB = 0,7 V, respectivamente.
No possvel medir diretamente o valor de VB aplicando um voltmetro
conectado aos terminais do diodo, porque essa tenso existe apenas em uma
pequena regio prxima juno. No todo, o componente eletricamente neutro,
uma vez que no foram acrescentados nem retirados portadores do cristal.
49
5.2 Aspecto e Representao do Diodo

O diodo semicondutor representado em diagramas de circuitos eletrnicos
pelo smbolo ilustrado na Fig.89. O terminal da seta representa o material p,
denominado de anodo do diodo, enquanto o terminal da barra representa o material
n, denominado de catodo do diodo.
fig.89 Representao do diodo.
A identificao dos terminais do componente real pode aparecer na forma de

um smbolo impresso sobre o corpo do componente ou alternativamente, o ctodo
do diodo pode ser identificado atravs de um anel impresso na superfcie do
componente, conforme ilustrado na Fig. 90.
Fig.90 Formas de identificao dos terminais do diodo semicondutor para dois tipos comuns de
encapsulamento.
Observa-se que o comportamento de qualquer componente eletrnico depende

diretamente da sua temperatura de trabalho. Essa dependncia trmica um fator
importante que deve ser considerado quando se projeta ou se montam circuitos com
esses componentes.
5.3 Aplicao de Tenso sobre o Diodo

A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente
se comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo pela polarizao
direta ou pela polarizao inversa do componente, conforme examinado a seguir.
5.3.1 Polarizao Direta
Polarizao direta uma condio que ocorre quando o lado p submetido a
um potencial positivo relativo ao lado n do diodo, conforme ilustrado na Fig. 91.
50
Nessa situao, o plo positivo da fonte repele as lacunas do material p em direo

ao plo negativo, enquanto os eltrons livres do lado n so repelidos do plo
negativo em direo ao plo positivo .
fig.91 Diodo submetido polarizao direta.
Na situao ilustrada na Fig.92, o valor da tenso aplicada ao diodo inferior

ao valor VB da barreira de potencial. Nessa condio, a maior parte dos eltrons e
lacunas no tm energia suficiente para atravessar a juno.
Fig.92 Diodo sob polarizao direta para V<VB.
Se a tenso aplicada aos terminais do diodo excede o valor da barreira de

potencial, lacunas do lado p e eltrons do lado n adquirem energia superior quela
necessria para superar a barreira de potencial, produzindo como resultado um
grande aumento da corrente eltrica atravs do diodo, como mostrado na Fig. 93.
Fig.93 Diodo sob polarizao direta para V > VB.
Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo corrente eltrica sob

a condio V > VB, diz-se que o diodo est em conduo.
51
Um diodo est em conduo quando polarizado diretamente sob a condio V

> VB .
5.3.2 Polarizao Inversa
A polarizao inversa de um diodo ocorre quando o lado n fica submetido a
um potencial positivo relativo ao lado p do componente, como mostrado na Fig.94.
Fig.94 Diodo sob polarizao inversa
Nessa situao, os plos da fonte externa atraem os portadores livres

majoritrios em cada lado da juno; ou seja, eltrons do lado n e lacunas do lado p
so afastados das proximidades da juno, conforme ilustrado na Fig.95.
Fig.95 Regio de depleo de um diodo sob polarizao inversa.
Com o afastamento dos portadores majoritrios, aumenta no s, a extenso

da regio de cargas descobertas, como tambm o valor da barreira de potencial
atravs da juno.
Com o aumento da barreira de potencial, torna-se mais difcil o fluxo, atravs
da juno, de eltrons injetados pela fonte no lado p e de lacunas no lado n. Como
resultado, a corrente atravs do diodo tende praticamente a um valor nulo.
Quando o diodo est sob polarizao inversa, impedindo o fluxo de corrente
atravs de seus terminais, diz-se que o diodo est em bloqueio ou na condio
de corte.
Um diodo inversamente polarizado bloqueia o fluxo de corrente eltrica
52
5.4 Comparao entre Diodo Ideal Versus Diodo Real

sempre conveniente modelar um determinado componente eletrnico
atravs de seu circuito equivalente. O circuito equivalente uma ferramenta
largamente utilizada em eletrnica para representar um componente com
caractersticas no comuns, por um circuito consistindo de componentes mais
simples, tais como interruptores, resistores, capacitores etc.
No caso do diodo semicondutor, o circuito equivalente se torna bastante
simplificado quando o diodo considerado ideal, conforme descrito a seguir.
5.4.1 O Diodo Semicondutor Ideal
Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta caractersticas
ideais de conduo e bloqueio.
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente eltrica sem
apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado, como ilustrado
na segunda linha da Tabela 1. O interruptor fechado , portanto, o circuito
equivalente para o diodo ideal em conduo.
Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se
como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O
interruptor aberto ilustrado na terceira linha da Tabela 1 , portanto, o circuito
equivalente para o diodo ideal na condio de corte.
Em resumo, o diodo ideal comporta-se como um interruptor, cujo estado
controlado pela tenso aplicada aos seus terminais.
Tabela 1 Circuitos equivalentes para o diodo ideal.
5.4.2 O Diodo Semicondutor Real

O diodo ideal um modelo simplificado do diodo real, pois naquele modelo
alguns parmetros relacionados fabricao e s propriedades de materiais
53
semicondutores so desprezados. Modelos mais realsticos do diodo operando em

conduo ou em bloqueio so descritos a seguir.
a) Diodo em conduo
Com respeito s caractersticas de conduo do diodo semicondutor, deve-se
levar em conta que o diodo entra em conduo efetiva apenas a partir do momento
em que a tenso da fonte externa atinge um valor ligeiramente superior ao valor VB
da barreira de potencial.
Deve-se tambm considerar a existncia de uma resistncia eltrica atravs
da juno quando o diodo est sob polarizao direta. Essa resistncia existe em
qualquer semicondutor, devido a colises dos portadores com a rede cristalina do
material. O valor da resistncia interna dos diodos em estado de conduo
normalmente inferior a 1.
Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito equivalente do diodo em
conduo pode ser obtido pela associao srie de um resistor Rc, representativo
da resistncia direta de conduo, com uma fonte de tenso VB correspondente ao
valor da barreira de potencial na juno, como mostrado na Fig.96.
fig.96 Modelo real do diodo semicondutor em conduo.
Em situaes em que o diodo utilizado em srie com componentes que

exibem resistncias muito superiores sua resistncia de conduo, esta pode ser
desprezada e o diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra em um
erro significativo.
No circuito da Fig.97, por exemplo, o valor da resistncia externa 1.500
vezes superior resistncia de conduo do diodo, e o erro relativo cometido no
clculo da corrente do circuito ao se considerar o diodo como ideal de apenas
1,5%.
54
Fig.97 Circuito com diodo submetido conduo e clculo do erro cometido ao se utilizar o diodo
ideal como modelo.
b) Diodo em bloqueio
Efeitos associados temperatura e a absoro de ftons nas proximidades
da juno de um diodo possibilitam a gerao de uma pequena quantidade de
portadores minoritrios, ou mais precisamente, lacunas no lado n e eltrons livres
no lado p. Conseqentemente, sempre existe uma corrente de fuga, quando o
diodo inversamente polarizado, correspondendo passagem de portadores
minoritrios atravs da juno. Essa corrente de fuga geralmente da ordem de
alguns microampres, o que indica que a resistncia da juno inversamente
polarizada pode chegar a vrios megahoms.
O diodo em bloqueio pode, portanto, ser modelado a partir do circuito
equivalente mostrado na Fig.98.
Fig.98 Circuito equivalente para o diodo em bloqueio.
5.5 Curva Caracterstica do Diodo

O comportamento de qualquer componente eletrnico pode ser expresso
atravs de uma curva caracterstica ou curva VI que representa a relao entre
tenso e corrente atravs dos terminais do componente. Dessa forma, para cada
55
valor da tenso aplicada, pode-se, a partir dos dados da curva caracterstica, obter o
valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa. A curva caracterstica do diodo
serve para determinar seu comportamento real qualquer que seja o seu estado de
polarizao, conforme examinado a seguir:
a) Regio de conduo
Durante a conduo, uma corrente Id flui atravs do diodo, conforme ilustrado
na Fig.99. A medida que aumenta a corrente injetada Id, a queda de tenso Vd ,
observada atravs dos terminais do diodo, aumenta muito pouco em relao ao
valor VB, como conseqncia do baixssimo valor da resistncia de conduo do
diodo.
Fig.99 Modelo do diodo no regime de conduo e parmetros utilizados na definio da curva

caracterstica.
Uma representao grfica dessa relao tenso corrente para o caso do

diodo de silcio mostrada na Fig.100. Nessa representao, a curva caracterstica
do diodo obtida simplesmente pela unio de todos os pontos representativos dos
pares de valores possveis de corrente Id e tenso Vd, atravs do diodo no regime
de conduo.
fig.100Curva caracterstica do diodo de silcio no regime de conduo.
56
A obteno do valor de tenso V0 que corresponde a um dado valor de

corrente I0, feita conforme ilustrado na Fig.101 Deve-se traar inicialmente uma
linha horizontal a partir do ponto sobre o eixo vertical correspondente ao valor I0.
Essa linha intercepta a curva no ponto P indicado na Fig.101. Traando-se a

partir de P uma linha vertical, obtm-se a interseo com o eixo horizontal no ponto
V0 que o valor desejado da queda de tenso nos terminais do diodo. Atravs da
curva verifica-se tambm que, enquanto a tenso sobre o diodo no ultrapassa um
valor limite, que corresponde ao potencial da barreira VB, a corrente atravs do
diodo permanece muito pequena. Essa condio est indicada na Fig.102, para um
tipo de diodo de silcio, onde Id < 6mA para Vd < 0,7 V. A partir do valor limite VB =
0,7 V, a corrente atravs do diodo pode aumentar substancialmente sem que isso
cause um aumento significativo na queda de tenso atravs do diodo. Verifica-se,
portanto, que na faixa de valores Vd > 0,7V, o diodo comporta-se praticamente como
um resistor de baixssima resistncia.
fig.102 Curva caracterstica para um tipo comum de diodo de silcio.
b) Regio de bloqueio
57
Como discutido anteriormente, existe uma corrente de fuga quando o diodo

inversamente polarizado. Essa corrente de fuga aumenta gradativamente com o
aumento da tenso inversa nos terminais do diodo. Esse comportamento pode ser
observado na regio de tenses e correntes negativas do grfico da curva
caracterstica mostrado na Fig.103. Note-se que, para este tipo de diodo de silcio, a
corrente de fuga satura no valor de 1 microampre negativo.
Fig.103 Grfico exibindo a poro da curva caracterstica em que o diodo inversamente polarizado.
Como em polarizao direta a corrente tipicamente mais de 1.000 vezes

superior ao valor da corrente de polarizao inversa, a representao das duas
regies de operao em um mesmo grfico geralmente feita utilizando-se a escala
de mA na regio de tenses positivas, e a escala de mA na regio de tenses
negativas. Essa forma de representao est ilustrada na Fig.104, para um tipo
comum de diodo de silcio, onde se pode visualizar detalhadamente o
comportamento da curva caracterstica em ambos os regimes de operao.
58
Fig.104 Curva caracterstica de um diodo de silcio com escala vertical dupla para detalhar os
regimes de polarizao direta e inversa.
5.6 Limites de Operao do Diodo

Os limites de operao do diodo em cc estabelecem os valores mximos de
tenso e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente
contnua, sem provocar danos a sua estrutura.
Analisando o comportamento do diodo no regime de conduo, verifica-se
que a corrente de conduo o fator diretamente influenciado pelo circuito de
alimentao do diodo. A queda de tenso nos terminais do diodo no regime de
conduo praticamente independente do circuito, mantendo-se em um valor
prximo ao valor do potencial da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 V para o silcio
e 0,3 V para o germnio.
No regime de polarizao inversa, a tenso atravs do diodo o parmetro
diretamente influenciado pelo circuito de alimentao. A corrente de fuga no muito
influenciada pelo circuito externo pois depende apenas das propriedades materiais
do diodo.
Dessa forma, os limites de operao do diodo so definidos pela corrente de
conduo mxima e tenso inversa mxima descritas a seguir:
5.6.1 Corrente de conduo mxima
59
A corrente mxima de conduo de um diodo fornecida pelo fabricante em

um folheto de especificaes tcnicas. Nesses folhetos, a corrente mxima de
conduo aparece designada pela sigla IF, com a abreviao F simbolizando a
palavra inglesa forward que significa para a frente, direto(a) etc. Na Tabela 2 so
especificados valores de IF para dois tipos comerciais de diodos.
Tabela 2 Valores de IF para dois diodos.
5.6.2 Tenso Inversa Mxima

Sob polarizao inversa, o diodo opera no regime de bloqueio. Nessa
condio, praticamente toda tenso externamente aplicada atua diretamente entre
os terminais do diodo, conforme ilustrado na Fig.105.
Fig.105 Circuito alimentando diodo sob polarizao inversa.
Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor

mximo da tenso inversa. A aplicao de um valor de tenso inversa superior
quele especificado pelo fabricante, provoca um aumento significativo da corrente
de fuga suficiente para danificar o componente.
Os fabricantes de diodos fornecem nos folhetos de especificao o valor da
tenso inversa mxima que o diodo suporta sem sofrer ruptura. Esse valor
designado por VR. Na Tabela 3 esto listadas as especificaes de alguns diodos
comerciais com os respectivos valores do parmetro VR.
Tabela 3 Especificaes de diodos e tenses inversas mximas correspondentes.
60
5.7 Teste Diodos semicondutores

As condies de funcionamento de um diodo podem ser verificadas pela
medio da resistncia atravs de um multmetro.
Os testes realizados para determinar as condies de um diodo resumem-se
a uma verificao da resistncia do componente nos sentidos de conduo e
bloqueio, utilizando a tenso fornecida pelas baterias do ohmmetro. Entretanto,
existe um aspecto importante com relao ao multmetro que deve ser considerado
ao se testarem componentes semicondutores:
Existem alguns multmetros que, quando usados como ohmmetros, tm
polaridade real invertida com relao polaridade indicada pelas cores das pontas
de prova.
Isso implica que, para estes multmetros:
Ponta de prova preta Terminal positivo
Ponta de prova vermelha Terminal negativo
Para realizar o teste com segurana deve-se utilizar um multmetro cuja
polaridade real das pontas de prova seja conhecida ou consultar o esquema do
multmetro para determinar as polaridades reais.
5.7.1 Execuo do Teste
Para determinar se o diodo est defeituoso, no necessrio identificar os
terminais do anodo e do catodo. Basta apenas conectar as pontas de prova do
multmetro aos terminais do diodo e altern-las para verificar o comportamento do
diodo quanto s duas polaridades possveis.
A seguir so descritos possveis testes de diodos que podem ser realizados
com o multmetro.
Diodo em boas condies: O ohmmetro deve indicar baixa resistncia para um
sentido de polarizao e alta resistncia ao se inverterem as pontas de prova nos
terminais do diodo, conforme ilustrado na Fig.106.
Diodo em curto: Se as duas leituras indicarem baixa resistncia, o diodo est em
curto, conduzindo corrente eltrica nos dois sentidos.
Diodo aberto (interrompido eletricamente): Se as duas leituras indicarem alta
resistncia o diodo est em aberto, bloqueando a passagem de corrente eltrica nos
dois sentidos.
61
Identificao do anodo e catodo de um diodo: Em muitas ocasies, a barra de

identificao do catodo no corpo de um diodo pode estar apagada.
Fig.106 Teste das condies do diodo com um multmetro. Neste exemplo, o diodo est em boas
condies e a cor vermelha corresponde polaridade positiva.
Nessas situaes, os terminais do diodo podero ser identificados com auxlio

do multmetro. O diodo exibe baixa resistncia quando a ponta de prova com a
polaridade real positiva conectada ao anodo. Basta, portanto, testar o diodo
conectando-se as pontas de prova nas duas posies possveis. Quando o
multmetro indicar baixa resistncia, o seu anodo estar conectado ponta de prova
com polaridade real positiva.
62
6. Retificao
Retificao o nome dado ao processo de transformao de corrente
alternada (ca) em corrente contnua (cc). Esse processo utilizado com a finalidade
de permitir que equipamentos de corrente contnua sejam alimentados a partir da
rede eltrica que disponvel apenas na forma de corrente alternada.
A retificao de meia onda um processo de transformao de ca em cc,
que permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de alimentao da
carga, conforme ilustrado na Fig.107.
Fig.107 Diagrama ilustrando o princpio de operao do circuito retificador de meia onda.
O circuito retificador de meia onda com diodo empregado em equipamentos

que apesar, de exigirem uma tenso de alimentao unipolar, no necessitam que a
mesma permanea constante como funo do tempo como, por exemplo, nos
carregadores de bateria.
6.1 Retificao de Meia Onda com Diodo Semicondutor

As caractersticas de conduo e bloqueio do diodo semicondutor podem ser
utilizadas para obter uma retificao de meia onda a partir da corrente alternada da
rede eltrica domiciliar. A configurao bsica desse tipo de circuito ilustrada na
Fig.108 e o comportamento da tenso na carga em cada semiciclo da tenso de
alimentao descrito a seguir.
Fig.108 Circuito retificador de meia onda com diodo semicondutor.
63
6.1.1 Semiciclo Positivo

Com base na Fig.109, a tenso no ponto A positiva com relao ao ponto B,
durante o semiciclo positivo. Com esta polaridade da tenso de entrada, o diodo
entra no regime de conduo, permitindo, portanto a circulao de corrente.
Nessas condies, a tenso na carga assume uma forma prxima quela da tenso
de entrada, como pode ser observado na Fig.109.
Fig.109 Alimentao da carga durante o semiciclo positivo da tenso de entrada.
No entanto, um exame mais minucioso da operao daquele circuito durante

o semiciclo positivo mostra que existe uma pequena diferena entre as duas formas
de tenso, conforme se pode observar na Fig.110. Note-se que o diodo s entra
efetivamente em conduo a partir do instante de tempo em que a tenso de
entrada supera o potencial de barreira VB. A partir desse momento, a tenso no
diodo mantm-se prxima ao valor VB at o instante de tempo em que, aps
comear a decrescer, torna-se menor do que o valor VB.
Sob essas condies, existiro dois pequenos intervalos de tempo, um no
incio e outro no fim do semiciclo positivo, durante os quais a tenso na carga nula.
Fora desses intervalos, a tenso de entrada supera o valor VB e a tenso na carga
assume uma forma prxima tenso de entrada.
Vale tambm notar, conforme pode ser observado na Fig.110, que o valor
mximo da tenso na carga menor que o valor mximo da tenso de entrada, por
uma quantidade igual queda de tenso sobre o diodo no regime de conduo.
Esse valor da ordem de 0,7 V para o diodo de silcio. Em situaes em que a
condio Vmx >> VB satisfeita, a diferena entre as duas formas de tenso se
torna desprezvel durante o semiciclo positivo.
64
Fig.110 Detalhamento das formas de tenso na entrada do circuito, no diodo e na carga durante o
semiciclo positivo.
6.1.2 Semiciclo Negativo

Durante o semiciclo negativo o potencial no ponto A se torna negativo em
relao ao ponto B. Com essa polaridade na entrada, o diodo entra em bloqueio
comportando-se efetivamente como uma chave aberta, impedindo a circulao de
corrente, conforme ilustrado na Fig.111.
Fig.111 Circuito retificador durante o semiciclo negativo.
A condio de corrente nula no circuito implica que toda a tenso de entrada

transferida para o diodo, com a tenso na carga mantendo-se nula, conforme
ilustrado na Fig.112.
65
Fig.112 Tenses no circuito retificador durante o semiciclo negativo.
Conclui-se, portanto, que para cada ciclo completo de tenso de entrada,

apenas o semiciclo positivo transferido diretamente para a carga, estando o
semiciclo negativo aplicado diretamente entre os terminais do diodo.
Se a posio do diodo for invertida, conforme ilustrado na Fig.113, a tenso
na carga simplesmente muda de sinal conforme ilustrado na Fig.114.
A forma de tenso resultante sobre a carga denominada de tenso
contnua pulsante. Esta denominao advm do fato de o fluxo de corrente no
circuito se dar em um nico sentido e na forma de pulsos separados por intervalos
de tempo nos quais a corrente no circuito nula.
Fig.113 Circuito retificador com diodo invertido em relao configurao mostrada na Fig.109.
Fig.114 Dependncia temporal da tenso na entrada, sobre o diodo e sobre a carga do circuito
mostrado na Fig.113.
6.1.3 Medio da Tenso na Carga

66
No circuito retificador de meia onda, a tenso de sada que medida na carga

pulsada. Para medir essa tenso de sada, utiliza-se um multmetro ou um
voltmetro de cc com as pontas de prova conectadas aos terminais da carga.
O voltmetro cc ou multmetro em escala de tenso cc, conectado sada do
circuito retificador, sempre indica um valor mdio para a tenso contnua pulsante
sobre a carga.
6.1.4 Clculo da Tenso de Sada
VRL
EMX VD
EMX Vef x
Emx = Tenso mxima ou tenso de pico

Vef = Tenso eficaz
A tenso de sada ser:
VRL
(Vef x
2 VD)
Quando a tenso eficaz menor do que 10 volts.
Se a tenso eficaz for maior que 10 volts, a queda de tenso no diodo passa
a ser desprezvel, portanto, a tenso de sada pode ser calculada da seguinte forma.
VRL
(Vef x
2)
dividindo-se a raiz quadrada de dois por pi, obtm-se 0,45, ou
seja, a nova frmula poder ser descrita a seguir.

VRL Vef x 0,45
quando a tenso eficaz maior que 10 volts.
6.2 Retificao de Onda Completa

A retificao de onda completa um processo de transformao de ca em cc, que
permite o aproveitamento dos dois semiciclos da tenso de alimentao da carga,
conforme ilustrado na Fig.115
fig.115 - Diagrama ilustrando o princpio de operao do circuito retificador de onda completa.
O circuito retificador de onda completa o mais empregado nos

equipamentos eletrnicos, pois permite obter um melhor aproveitamento da energia
disponvel na entrada do circuito.
67
A retificao de onda completa pode ser realizada com o emprego de um

transformador
com
derivao
central
dois
diodos
semicondutores
ou
alternativamente, pelo uso de uma ponte de quatro diodos, conforme descrito a

seguir.
6.2.1 Retificao de Onda Completa com Derivao Central
A retificao de onda completa com derivao central a denominao
tcnica que se d ao circuito retificador de onda completa que emprega dois diodos
semicondutores, quando se deriva o terminal negativo de sada do circuito da poro
central do secundrio do transformador, sendo o terminal positivo considerado no
ponto de interconexo dos dois diodos, conforme ilustrado na Fig.116.
Fig.116 Diagrama de circuito do retificador de onda completa com derivao central.
Esse tipo de configurao tambm recebe a denominao de center tap. A

expresso center tap de origem inglesa, sendo traduzida para a lngua portuguesa
como derivao central.
6.2.1.1 FUNCIONAMENTO
O princpio de funcionamento do circuito retificador de onda completa com

derivao central pode ser compreendido analisando-se a operao do circuito por
semiciclo da tenso de entrada, conforme exposto a seguir.
a) Semiciclo negativo
Estabelecendo-se a referncia de potencial no primrio e secundrio do
transformador, conforme indicado na Fig.117, verifica-se, que durante o semiciclo
negativo da tenso de entrada, o nodo do diodo D1 fica submetido a um potencial
positivo, ao passo que o anodo do diodo D2 fica submetido a um potencial negativo.
68
Fig.117 Retificador de onda completa submetido a uma tenso de entrada negativa.
Dessa forma, o diodo D1 entra no estado de conduo enquanto o diodo D2

entra em bloqueio. Utilizando-se o modelo ideal para o diodo semicondutor, obtmse o circuito equivalente ilustrado na Fig.118. Como pode ser a observado, a
condio de conduo de D1 permite a circulao de corrente atravs da carga do
terminal positivo para o terminal de referncia. Nessas condies, a tenso existente
no primrio transferida, com uma inverso de sinal, diretamente para a carga.
Fig.118 Circuito equivalente para o retificador de onda completa durante o semiciclo negativo.
b) Semiciclo positivo
Durante o semiciclo positivo, ocorre a inverso de polaridade no secundrio
do transformador, conforme ilustrado na Fig.119. Conseqentemente, o diodo D1
torna-se inversamente polarizado entrando em bloqueio. O estado de polarizao
direta nesse caso ocorre no diodo D2, que entra no regime de conduo.
Fig.119 Circuito retificador de onda completa submetido a uma tenso positiva.
O circuito equivalente durante este semiciclo , portanto, oposto quele

correspondente ao semiciclo negativo, conforme ilustrado na Fig.120. A corrente
69
agora circula pela carga, atravs do diodo D2 que est em conduo. O fluxo de
corrente mantm-se no mesmo sentido daquele obtido durante o semiciclo negativo,
e a tenso no primrio transferida diretamente para a carga, conforme ilustrado na
Fig.120.
Fig.120 Circuito equivalente para o retificador de onda completa durante o semiciclo positivo.
Analisando-se, portanto, um ciclo completo da tenso de entrada, verifica-se

que o circuito retificador transfere para a carga dois semiciclos de tenso positiva
com relao referncia de potencial, conforme ilustrado na Fig.121, onde os
diodos conduzem isoladamente em cada semiciclo.
Fig.121 Resposta do retificador durante um ciclo completo na entrada.
6.2.1.2 TENSO E CORRENTE DE SADA

a) Tenso de sada
A retificao de onda completa com derivao central transfere carga dois
semiciclos positivos de tenso para cada ciclo da tenso de entrada. Como a tenso
de sada formada de pulsos idnticos de tenso, o que mostrado na Fig.122, a
tenso cc que seria medida na carga pode ser obtida determinando-se o valor mdio
da tenso de sada em apenas um semiciclo da tenso de entrada.
Fig.122 Dependncia temporal da tenso na sada do retificador.
70
6.2.1.3 CLCULO DA TENSO DE SADA

VRL
2 x EMX VD
EMX Vef x
Emx = Tenso mxima ou tenso de pico

Vef = Tenso eficaz
A tenso de sada ser:
VRL
2 x (Vef x 2 VD)
Quando a tenso eficaz menor do que 10 volts.
Se a tenso eficaz for maior que 10 volts, a queda de tenso no diodo passa a ser
desprezvel, portanto, a tenso de sada pode ser calculada da seguinte forma.
VRL
2 x (Vef x
2)
dividindo-se a raiz quadrada de dois por pi, obtm-se
0,45 x 2 = 0,9, ou seja, a nova frmula poder ser descrita a seguir.

VRL Vef x 0,9
Quando a tenso eficaz maior que 10 volts.
6.2.2 Retificao de Onda Completa em Ponte

A retificao de onda completa em ponte utiliza quatro diodos semicondutores
e transfere para a carga uma onda retificada, sem a necessidade de uso de um
transformador com derivao central, conforme ilustrado na Fig.123.
Fig.123 Retificador de onda completa com ponte de quatro diodos.
Esse tipo de configurao, tambm denominado de Ponte de Gratz, tem o

seu princpio de funcionamento descrito a seguir.
6.2.2.1 FUNCIONAMENTO
a) Semiciclo Positivo
Considerando o semiciclo de tenso positiva na entrada do circuito ilustrado
na Fig.124, uma inspeo das polarizaes dos quatro diodos indica os regimes de
operao listados na Tabela 1.
71
Fig.124 Retificador em ponte durante o semiciclo positivo.
Tabela 1 Polarizaes e regimes de operao dos diodos durante o semiciclo

positivo da tenso de entrada.
Utilizando o modelo da chave ideal para o diodo, e as condies

estabelecidas na Tabela 1, obtm-se o circuito equivalente apresentado na Fig.125.
Fig.125 Circuito equivalente do retificador em ponte durante o semiciclo positivo.
Como as chaves em aberto no interferem no funcionamento do circuito,

verifica-se que D1 e D3 em conduo fecham o circuito eltrico, tornando os pontos
A e B da Fig.126 equivalentes. Dessa forma, a tenso de entrada transferida para
a carga.
72
Fig.126 Simplificao do circuito da Fig.125.
b) Semiciclo Negativo
Durante o semiciclo negativo, ocorre a inverso de polaridade nos terminais
de entrada do circuito, conforme mostrado na Fig.127 e os regimes de operao dos
diodos so modificados conforme listado na Tabela 2.
Fig.17 Retificador em ponte durante o semiciclo negativo.
Tabela 2 Polarizaes e regimes de operao dos diodos durante o semiciclo

negativo da tenso de entrada.
Com base na Tabela 2, e utilizando-se novamente o modelo da chave ideal

para o diodo, obtm-se o circuito equivalente mostrado na Fig.128.
Fig.128 Circuito equivalente para a ponte retificadora durante o semiciclo negativo.
73
O circuito equivalente com as chaves em aberto removidas mostrado na

Fig.129. Um exame do circuito indica que a tenso de entrada transferida, com
uma inverso de sinal, para a carga. Como a tenso de entrada negativa, aquela
na carga permanece positiva, completando, assim, o processo de retificao.
Fig.129 Circuito equivalente resultante do retificador em ponte durante o semiciclo negativo.
A Fig.130 ilustra como a corrente flui no circuito durante o semiciclo negativo

da tenso de entrada, onde se pode verificar que o fluxo de corrente se d no
mesmo sentido daquele obtido durante o semiciclo positivo.
Fig.130 Fluxo de corrente na ponte retificadora durante o semiciclo negativo da tenso de entrada.
6.3 Exerccios de Retificao.

1) O que significa a expresso retificao?
2) Defina retificao de meia onda e onda completa.
3) Cite os trs inconvenientes da retificao de meia onda.
4) Qual a freqncia da CC pulsante na sada de uma retificao de meia onda e
onda completa aplicada a uma rede CA de 50Hz?
74
5) Calcule o que se pede na tabela abaixo.

Tenso de
Entrada (VCA)
7VCA
Tenso de
Sada (VCC)
Resistncia de
Carga (RL)
560
Corrente de
Carga (IRL)
6VCA
0,010A
15VCA
680
12VCA
0,020A
18VCA
820
27VCA
0,030A
10VCC
15VCC
6)
0,015A
Tipo de
Retificao
R. M. ONDA
R. O. C. D.
CENTRAL
R. O. C.
PONTE
R. M. ONDA
R. O. C. D.
CENTRAL
R. O. C. E.
PONTE
R. M. ONDA
R. O. C. D.
CENTRAL
1K
Explique o funcionamento do circuito abaixo, mostre as formas de onda, e

calcule a tenso de sada.
tenso de entrada:110V
tenso de sada no secundrio do transformador: 18V.
R
L
7) Explique o funcionamento do circuito abaixo, mostre as formas de onda, e
calcule a tenso de sada.
tenso de entrada:110V/220V
tenso de sada no secundrio: 18V +18V .

D
1
RL
D
2
75
7. Filtros em Fontes de Alimentao

A tenso contnua pura se caracteriza por ter uma nica polaridade e por um
valor que no varia ao longo do tempo, como mostrado no grfico da Fig.131.
Fig.131 Tenso puramente contnua como funo do tempo.
A tenso de sada produzida pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda

como de onda completa, toma a forma de uma srie de pulsos. A Fig.132 mostra
esse tipo de tenso de sada para o caso do retificador de onda completa. Como
pode ser a observado, embora os pulsos de tenso sejam de mesma polaridade,
existe uma variao no tempo do valor da tenso de sada.
Fig.132 Dependncia no tempo da tenso de sada de um retificador de onda completa.
Salvo em algumas situaes, como por exemplo, na sada dos carregadores

de bateria convencionais, a tenso pulsada fornecida pelos circuitos retificadores
comuns no apropriada para uso em circuitos mais sofisticados cuja operao
demanda um alto grau de pureza na tenso contnua de alimentao.
Essa deficincia presente no retificador comum resolvida pelo emprego de um filtro
conectado entre a sada do retificador e a carga, conforme ilustrado na Fig.133. O
filtro atua no sentido de aproximar a tenso na carga, tanto quanto possvel, da
tenso contnua ideal, de valor constante como mostrado no grfico da Fig.130.
Fig.133 Diagrama de blocos de um circuito retificador com filtro na sada.
76
7.1 Capacitor como Elemento de Filtragem

A capacidade de armazenamento de energia eltrica dos capacitores pode ser
utilizada como recurso para realizar um processo de filtragem na tenso de sada de
um circuito retificador. Essa filtragem realizada conectando-se o capacitor
diretamente nos terminais de sada do circuito retificador, como mostrado nos dois
diagramas da Fig.134.
Fig.134 Circuitos retificadores de meia onda e onda completa com capacitor de sada.
Considere, por exemplo, a operao do retificador de meia onda com

capacitor de sada. Nos intervalos de tempo em que o diodo entra em regime de
conduo, uma parte da corrente flui atravs da carga com a parte restante fluindo
para o capacitor, como mostrado na Fig.135.
Fig.135 Operao do retificador de meia onda com capacitor de sada durante o regime de conduo.
Nesses intervalos de tempo, carga eltrica transferida da armadura

conectada ao ctodo do diodo para a segunda armadura do capacitor.
Nos intervalos de tempo em que o diodo opera no regime de bloqueio, o
capacitor inicia o processo de transferncia da carga eltrica da armadura negativa
para a positiva. Com o circuito retificador em bloqueio, no possvel a ocorrncia
de um fluxo de corrente atravs do circuito retificador. Conseqentemente, a
corrente produzida pela descarga do capacitor flui atravs do resistor de carga,
conforme ilustrado na Fig.136.
77
Fig.136 Operao do retificador de meia onda com capacitor de sada durante o regime de bloqueio.
Por estar em paralelo com o capacitor, o resistor de carga fica sempre

submetido mesma diferena de potencial existente entre as armaduras do
capacitor. medida que ocorre a descarga do capacitor, a diferena de potencial
entre as armaduras diminui, como mostrado na Fig.137.
Fig.137 Tenso de sada do circuito retificador durante o processo de descarga do capacitor.
Esse processo de descarga continua at o momento em que a tenso na

entrada atinge um valor V1 suficiente para colocar o diodo novamente no regime de
conduo, como mostrado na Fig.138. Este valor V1 exatamente igual tenso no
capacitor aps um certo intervalo de tempo de descarga. A partir desse instante de
tempo, o anodo do diodo torna-se positivo em relao ao catodo, e a carga eltrica
armazenada na armadura positiva do capacitor comea novamente a aumentar.
Fig.138 Grfico da tenso de sada do retificador de meia onda com filtro capacitivo.
Observando-se o grfico da Fig.138, nota-se que o diodo permanece em

conduo at o instante em que a tenso de entrada atinge o valor mximo Vmx.
Dessa forma, a colocao do capacitor permite que a tenso de sada, embora
78
varivel, permanea sempre prxima ao valor mximo Vmx, obtendo-se

efetivamente um aumento no valor mdio da tenso de sada.
O aumento no valor mdio da tenso no resistor de carga pode ser observado
comparando-se os grficos das tenses de sada do circuito retificador com e sem
filtro capacitivo, conforme ilustrado na Fig.139.
fig.139 Tenses de sada do circuito retificador de meia onda com e sem filtro capacitivo.
A colocao de um capacitor na sada de um circuito retificador aumenta o

valor da tenso mdia na carga.
7.1.1 Tenso de Ondulao
O capacitor na sada do circuito retificador sofre sucessivos processos de
carga e descarga. Nos perodos de conduo do diodo o capacitor sofre carga e sua
tenso aumenta, enquanto nos perodos de bloqueio o capacitor descarrega e sua
tenso diminui.
Os intervalos de tempo t1 e t2 indicados na Fig.140 definem as duraes dos
processos de carga e descarga, respectivamente.
Fig.140 Definio dos tempos de carga e descarga do capacitor.
Como se pode observar no grfico da Fig.141, a tenso de sada no assume

o valor constante caracterstico de uma tenso puramente contnua, variando no
tempo entre os valores extremos V1 e Vmx. Essa variao na tenso de sada
denominada de ondulao, termo derivado do ingls ripple.
79
Fig.141 Ondulao na tenso de sada do circuito retificador de meia onda com filtro Capacitivo.
Ondulao ou ripple, a variao observada na tenso de sada do circuito

retificador com filtro capacitivo.
Exemplo 1
Utilizando T = 16,6 ms, Imx = 150 mA e Vond = 2V, o uso da equao para clculo
do capacitor descrita a seguir:
C
TxI
Vond
16,66 x 150
2
C 1245F
Exemplo 2: Repetir o Exemplo 1 para o caso de um circuito de onda completa.

Neste caso, utiliza-se o valor de T = 8,33 ms, que fornece:
C
TxI
Vond
8,33 x 150
2
C 625F
Ao se projetar uma fonte retificadora, alm do valor da capacitncia do filtro,

deve-se, tambm, especificar sua tenso de isolao. A tenso de isolao deve ser
sempre superior ao maior valor da tenso de operao do capacitor.
7.2 Exerccios de Filtro em Fonte de Alimentao

1) Qual a finalidade de um filtro em uma fonte de alimentao?
2) Quais as caractersticas de uma tenso contnua pura?
3) Qual a caracterstica do capacitor que permite que o componente seja usado
como elemento de filtragem?
4) Quando ocorre a carga do capacitor ligado como filtro em um circuito retificador?
5) O que acontece com a energia armazenada no capacitor nos semi perodos em
que h bloqueio do elemento retificador?
6) Por que a tenso mdia de sada aumenta quando um capacitor ligado como
filtro em uma retificao?
7) De que depende a tenso de ondulao na sada de um circuito retificador?
8) Determine o capacitor de filtro necessrio em cada uma das situaes a seguir.
a - onda completa, VCC = 18V, IRL = 300mA, VONDPP = 2,7V
80
b - meia onda, VCC = 45V, IRL = 0,2A, VONDPP = 4,5V

c - onda completa, VCC = 30V, RL = 60, VONDPP = 6V
81
8. Diodo Emissor de Luz

O diodo emissor de luz um tipo especial de juno semicondutora que emite
luz quando diretamente polarizada. A sigla LED surgida do termo ingls Light
Emitting Diode, a denominao amplamente utilizada nas referncias a esse
componente.
A forma adotada para se representar o LED em diagramas de circuito essa
mostrada na Fig.142.
Fig.142 Smbolo de um diodo emissor de luz.
LEDs so encapsulados nas mais diversas configuraes, algumas das quais

esto ilustradas na Fig.143.
Fig.143 Alguns encapsulamentos tpicos de LEDs.
O catodo do LED pode ser identificado como sendo o terminal localizado

prximo ao corte lateral na base do encapsulamento, conforme indicado na Fig.144.
Fig.144 Identificao do ctodo de um tipo comum de LED.
LEDs so largamente utilizados como mostradores luminosos em uma

variedade de equipamentos eletroeletrnicos, em dispositivos de controle remoto,
em sensores de alarmes residenciais ou industriais, ou mesmo como fontes de luz
em sistemas de comunicaes pticas.
Dentre as caractersticas principais do diodo emissor de luz, pode-se
destacar:
Baixo consumo de energia.

82
Imunidade a vibraes mecnicas.
Pequenas dimenses.
Alta durabilidade.
8.1 Princpio de Funcionamento

Como ilustrado na fig.145, quando o diodo emissor de luz polarizado
diretamente, entra em conduo, permitindo a circulao de corrente.
A corrente atravs do LED se processa atravs da injeo de lacunas
provenientes do lado p e de eltrons, do lado n da juno. Dessa forma, uma grande
quantidade de eltrons e lacunas coexistem em uma estreita regio nas
proximidades da juno.
Fig.145 Diodo emissor de luz no regime de conduo.
A coexistncia de eltrons e lacunas possibilita a ocorrncia de processos de

recombinao eltron/lacuna. Recombinao o nome que se d ao processo de
captura de eltrons por lacunas existentes nas ligaes entre tomos do cristal
semicondutor. Nesse processo, o eltron libera energia na forma de um fton de luz,
conforme ilustrado na Fig.146.
Fig.146 Emisso de ftons por processos de recombinao na juno pn.
8.2 Parmetros Caractersticos do LED

A seguir so apresentados alguns dos parmetros de especificao de um LED.
8.2.1 Corrente Direta Nominal
A corrente direta nominal, denotada pelo parmetro IF o valor de corrente
de conduo especificado pelo fabricante para o qual o LED apresenta um
83
rendimento luminoso timo. Esse valor tipicamente 20mA para LEDs disponveis
comercialmente.
8.2.2 Corrente Direta Mxima
A corrente direta mxima, denotada pelo parmetro IFM, corresponde ao valor
mximo da corrente de conduo que pode fluir atravs do LED, sem que este
venha a sofrer ruptura estrutural.
8.2.3 Tenso Direta Nominal
A tenso direta nominal, denotada pelo parmetro VF a especificao
fornecida pelo fabricante para a queda da tenso tpica atravs do LED quando a
corrente de conduo atinge o valor nominal IF, como ilustrado na Fig.147.
Fig.147 Queda de tenso e corrente nominais em um LED.
8.2.4 Tenso Inversa Mxima

A tenso inversa mxima, denotada pelo parmetro VR, a especificao
para o valor mximo da tenso inversa que pode ser aplicada ao LED sem que este
venha a sofrer ruptura. A tenso inversa mxima em LEDs comerciais tipicamente
da ordem de 5V.
A Tabela 1 lista as caractersticas de alguns LEDs disponveis comercialmente.
O diodo emissor de luz pode ser testado seguindo o mesmo procedimento de

teste do diodo comum; ou seja, com o emprego de um multmetro selecionado para
medio de resistncia. O painel do instrumento deve indicar valores de alta e baixa
resistncia ao se alternar a posio dos terminais de conexo do multmetro aos
terminais do LED. Geralmente o LED acende durante o teste com polarizao direta.
8.3 Clculo do Resistor Limitador da corrente no LED

O valor de resistncia do resistor limitador pode ser obtido da expresso
84
VCC VF
IF
onde:
Vcc = tenso de sada da fonte.
VF = tenso nominal de conduo do LED.
IF = corrente nominal de conduo do LED.
Exemplo 1: Determinar a resistncia do resistor limitador para os seguintes dados

abaixo. VCC = 10 V;
VF = 2V;
IF = 20mA.
R
VCC VF
IF
10 2
0,020
R 500
85
9. Diodo Zener
O diodo Zener um tipo especial de diodo utilizado como regulador de
tenso. A sua capacidade de regulao de tenso empregada principalmente nas
fontes de alimentao, para obteno de uma tenso de sada praticamente
constante.
A Fig.148 mostra o smbolo geralmente utilizado para representao do diodo
Zener nos diagramas de circuito.
Fig.1 Smbolo de representao do diodo Zener.
9.1 Comportamento do Diodo Zener

O comportamento do diodo Zener depende fundamentalmente da forma como
polarizado, conforme discutido a seguir.
9.1.1 Polarizao Direta
Quando polarizado diretamente, o diodo Zener se comporta como um diodo
convencional; ou seja, operando no regime de conduo com uma queda de tenso
tpica atravs de seus terminais.
A Fig.149 mostra um circuito utilizado para polarizar diretamente um diodo
Zener de silcio, juntamente com a poro da curva caracterstica representativa da
regio de conduo do diodo.
Fig.2 Diodo Zener polarizado diretamente e curva caracterstica correspondente.
Normalmente o diodo Zener no utilizado com polarizao direta nos

circuitos eletrnicos.
86
9.1.2 Polarizao Inversa

At um determinado valor da tenso inversamente aplicada, o diodo Zener
comporta-se como um diodo comum, ou seja, operando no regime de bloqueio.
Neste regime, circula atravs do diodo uma pequena corrente de fuga, conforme
ilustrado no grfico da Fig.150.
Fig.150 Regies de conduo e bloqueio na curva caracterstica do diodo Zener.
Na Fig.150, o sinal negativo associado corrente de fuga ou de saturao (Is ) indica que, no regime de bloqueio, a corrente flui no sentido inverso atravs do
diodo.
A partir de um determinado valor da tenso inversa aplicada ao diodo, ocorre
o efeito de ruptura, que faz com que o diodo entre subitamente em conduo,
mesmo estando submetido a uma polarizao inversa, conforme ilustrado na
Fig.151. A partir dessa condio, a corrente inversa aumenta rapidamente e a queda
de tenso atravs do diodo se mantm praticamente constante.
O valor VZ da tenso inversa a partir da qual o diodo Zener entra no regime
de conduo denominado de tenso Zener.
Fig.151 Efeito de ruptura em um diodo Zener.
87
O valor Vz da tenso inversa que coloca o diodo Zener em regime de

conduo denominado de tenso Zener.
Enquanto houver corrente inversa fluindo atravs do diodo Zener, a tenso
entre os seus terminais mantm-se praticamente fixada no valor VZ.
O funcionamento tpico do diodo Zener com corrente inversa, o que
estabelece uma tenso constante entre os seus terminais.
importante observar que quando polarizado inversamente, qualquer juno
semicondutora pode sofrer o efeito de ruptura. A diferena fundamental entre um
diodo Zener e aquele aqui denominado de diodo comum ou convencional, reside no
fato de o diodo Zener ser fabricado com materiais semicondutores condicionados a
resistir ao valor intenso da corrente inversa presente no regime de ruptura, ao passo
que um diodo convencional seria danificado permanentemente se submetido s
mesmas condies de operao.
9.2 Caracterstica do Diodo zener

So os seguintes os parmetros utilizados na caracterizao do diodo Zener:
Tenso Zener.
Potncia mxima de dissipao.
Coeficiente de temperatura.
Tolerncia.
9.2.1 Tenso Zener

O valor da tenso Zener ou tenso de ruptura de um diodo controlada
durante o processo de fabricao e depende da resistividade da juno
semicondutora. A escolha adequada das dimenses, tipo de material e grau de
dopagem, possibilitam a operao normal do diodo mesmo quando submetido a alto
valor de corrente inversa.
Os diodos Zener so fabricados com valores do parmetro Vz que variam de
2V at algumas dezenas de volts. O valor da tenso Zener fornecido pelo
fabricante nos folhetos tcnicos do componente.
9.2.2 Potncia Mxima de Dissipao
88
O diodo Zener operando com uma tenso fixa Vz na regio de ruptura,

percorrido por uma alta corrente inversa, dissipando, portanto, potncia na forma de
calor. A potncia dissipada Pz pode ser obtida do produto:
PZ VZ x IZ
(1)
onde Iz a corrente inversa de operao definida na Fig.151.

Cada diodo Zener pode operar at um valor mximo da potncia de dissipao,
valor este que assegura a operao normal do componente. Esse limite de potncia
fornecido pelo fabricante no folheto de especificaes do diodo.
Utilizando as especificaes do parmetro Vz e da potncia mxima de
dissipao Pzmx, a corrente inversa mxima de operao do diodo Izmx, pode ser
calculada com o auxlio da Eq.(1), resultando em:
IZmx
PZmx
Vz
(2)
O valor da corrente, calculado atravs da Eq.(2), no pode ser excedido sob

pena de danificao do diodo Zener por excesso de aquecimento. Diodos Zener com
potncia mxima de dissipao de cerca de 1 Watt podem ser encontrados com
encapsulamentos de vidro ou plstico. Para operao a nveis mais altos de
potncia, o componente geralmente fabricado com um encapsulamento metlico,
do tipo mostrado na Fig.152 para facilitar a retirada de calor do material
semicondutor, minimizando, assim, o aquecimento.
Fig.152 Encapsulamento de um diodo Zener de alta potncia.
A faixa de valores de corrente de operao do diodo Zener ilustrada na Fig.153,

determinada por dois valores limite, assim definidos:
Izmx = valor mximo da corrente de operao.
Izmn = valor mnimo da corrente de operao.
89
Fig.153 Limites de operao do diodo Zener na curva caracterstica.
O valor mximo calculado com o uso da Eq.(2), e o valor mnimo definido

como 10% do valor mximo; ou seja,
IZmin
IZmx
10
(3)
9.2.3 Coeficiente de Temperatura

Os diodos Zener so fabricados com materiais semicondutores, que sofrem
influncia da temperatura. Esta influncia se traduz em variaes no valor da tenso
Zener, a partir de variaes na temperatura de operao.
Esse efeito pr-especificado pelo fabricante, sendo caracterizado na forma
de um coeficiente de temperatura que permite determinar de quantos milivolts
varia o valor Vz para cada grau centgrado de variao da temperatura.
Devido a uma diferena existente entre os dois mecanismos responsveis
pela produo da corrente de ruptura em um diodo Zener, o coeficiente de
temperatura pode ser positivo ou negativo. Essa diferena permite classificar dois
grupos distintos de componente conforme discriminado na Tabela 1.
Tabela 1 Diviso de componentes em dois grupos de acordo com o sinal do
coeficiente de temperatura.
90
A curva caracterstica da Fig.154 ilustra a dependncia trmica da tenso

Zener para um componente com coeficiente de temperatura positivo.
Fig.154 Variao da curva caracterstica de um diodo Zener com coeficiente de temperatura positivo.
Os valores da tenso Zener constantes nos folhetos tcnicos so definidos

para uma temperatura de operao de 25C.
9.2.4 Tolerncia
A tolerncia do componente especifica a variao que pode existir entre o
valor especificado e o valor real da tenso inversa de operao do diodo Zener.
Isso significa que um diodo Zener de 12 V pode ter uma tenso inversa real, por
exemplo, de 11,5 V.
A tolerncia juntamente com os parmetros de operao so especificados
pelos fabricantes por um cdigo de identificao do componente, conforme descrito
na Tabela 2.
Tabela 2 Formas de especificao da tolerncia de diodos Zener a partir dos
cdigos de identificao.
A tolerncia de 5% do componente 1N4742A especificado na Tabela 2, indica

que a tenso Zener pode variar no intervalo 11,4V Vz 12,6V. J o componente
1N4733, de 10% de tolerncia, teria uma tenso Zener situada no intervalo 4,6V Vz
5,6V.
91
10. Diodo Zener como Regulador de Tenso

O comportamento do diodo Zener na regio de ruptura permite a montagem
de circuitos reguladores de tenso, a partir de fontes que forneam tenses
onduladas, incluindo situaes em que a carga apresente um consumo varivel. Um
diagrama representativo de um circuito regulador de tenso a diodo Zener na sada
de uma fonte de alimentao ilustrado na Fig.155.
Fig.155 Diagrama de blocos e formas de onda em uma fonte de alimentao regulada a diodo Zener.
Para que o diodo Zener opere adequadamente como regulador de tenso

necessrio introduzir um resistor que limite a corrente inversa atravs do diodo a um
nvel inferior ao valor mximo especificado pelo fabricante, conforme indicado na
Fig.156. Como pode ser a observado, o diodo deve ser conectado em paralelo com
a carga, que fica assim submetida mesma tenso existente entre os terminais do
Zener.
Fig.156 Um possvel diagrama de circuito para obteno de uma sada regulada de 6V.
10.1 Funcionamento do Circuito Regulador.

O circuito regulador com diodo Zener deve ser alimentado na entrada com
uma tenso pelo menos 40% superior ao valor da tenso Zener, para que possa
efetuar adequadamente a regulao.
92
Por exemplo, se a tenso regulada for especificada com um valor de 6V o

circuito regulador deve utilizar um diodo Zener com VZ = 6V e ser alimentado com
uma tenso de entrada de pelo menos 8,5V, como mostra a Fig.157.
Fig.157 Um possvel diagrama de circuito para obteno de uma sada regulada de 6V.
Com base no diagrama de circuito mostrado na Fig.158, a corrente atravs do

resistor limitador dada pela soma.
IS IR IZ
(1)
Onde:
IS = corrente atravs do resistor Rs;
IZ = corrente inversa no diodo Zener;
IR = corrente de carga.
Fig.158 Correntes atravs dos elementos do circuito da Fig.157.
Com o diodo Zener operando na regio de ruptura, a corrente atravs do

resistor limitador tal que a queda de tenso se torna:
VS Vent VZ
(2)
Onde:
Vs = queda de tenso no resistor limitador.
Vent = tenso de entrada.

Existem trs possibilidades de variao nas condies de operao da fonte
regulada:
Variaes no nvel de tenso de entrada.
Variaes na corrente de carga.

93
Variaes no nvel de tenso de entrada e na corrente de carga.
A operao do circuito regulador mediante essas condies analisada a seguir.

10.1.1 Variaes no Nvel de Tenso de Entrada
Esta situao muito comum em circuitos eletrnicos alimentados pela rede
eltrica ca, como resultado da ondulao na tenso cc obtida a partir do processo de
retificao com ou sem filtro capacitivo de sada. O comportamento do circuito
regulador operando sob estas condies discutido a seguir.
a) Acrscimo no Nvel de Tenso de Entrada
Quando ocorre um acrscimo no nvel da tenso de entrada, esse aumento
normalmente tenderia a ser transferido diretamente para a carga. Entretanto, o diodo
Zener estando em paralelo com a carga mantm a tenso de sada constante.
A Fig.159a mostra o circuito regulador submetido a um acrscimo na tenso de
entrada que varia de um valor Vent(t1) at um valor Vent(t2) entre os instantes de
tempo t1 e t2, de acordo com o grfico da Fig.159b. A este aumento de tenso deve
corresponder um aumento de corrente no circuito.
Fig.159 (a) Circuito regulador a diodo Zener, com o grfico ilustrativo do aumento na tenso de
entrada em (b) e o aumento correspondente na corrente atravs do diodo em (c).
O aumento de corrente no circuito ocorre exclusivamente atravs do diodo

Zener, conforme se pode verificar a partir da curva caracterstica mostrada na
Fig.159c. Como pode ser a observado, a corrente atravs do diodo que no instante
94
t1 valia Iz(t1), aumenta para um valor Iz(t2). Isso faz que a tenso atravs do diodo
aumente do valor Vz(t1) para o valor Vz(t2). No entanto, como a regio de ruptura na
curva caracterstica praticamente vertical, a variao na tenso Zener muito
pequena, fazendo que a tenso na carga permanea praticamente constante.
10.2- Exerccios de Diodo Zener e Regulador de Tenso a

Zener.
1)
Qual o principal emprego do diodo zener?
2)
De que fator depende o comportamento do diodo zener?
3)
Por que o diodo zener no usado com polarizao direta?
4)
Com se comporta o diodo zener com polarizao inversa menor que a tenso
zener?
5)
Qual a diferena fundamental entre o diodo convencional e o diodo zener
com respeito a ruptura?

6)
Quais as caractersticas eltricas importantes do diodo zener?
7)
O que tenso zener?
8)
Qual a equao da potncia zener?
9)
Por que a corrente zener mxima importante?
10)
Por que o diodo zener tem dependncia trmica?
11)
O que significa dizer que o coeficiente de temperatura de um diodo zener de
+15mV/C?
12)
Determine os valores de IZmx e Izmn para cada um dos diodos zener
listados abaixo:
Tenso zener
A - 10V
B - 6V
C - 12V
13)
Potncia zener
1W
0,4W
10W
Um diodo zener de 5,8V 1W apresenta o coeficiente de temperatura de
12mV/C (a 25C). Qual a tenso nominal do diodo a 45C?

A questo 14 refere ao circuito colocado a seguir.
+
Vi
RS
VZ
VRL
RL
95
14)
Qual a tenso sobre a carga (VRL) e sobre RS (VRS), se a tenso de
entrada (Vi) e a tenso zener forem:

Tenso de entrada
Vi = 9V
Vi = 25V
Vi = 5V
Vi = 15V
Tenso zener
VZ = 6V
VZ = 15V
VZ = 3V
VZ = 10V
Tenso na carga
VRL =
VRL =
VRL =
VRL =
Tenso no RS.
VRS =
VRS =
VRS =
VRS =
15) Com base no circuito abaixo, determine a corrente solicitada.

+
Vi
IRS
IZ
IRS = 120 mA
IRS =
IRS = 72 mA
16)
IRL
IRL = 80 mA
IRL = 60 mA
IRL =
IZ =
IZ = 19 mA
IZ = 25 mA
Determine qual o valor do resistor necessrio, em cada item da questo 15
para obter um VRS de 5V.

17) Determine os valores solicitados com base no circuito que segue.
+
1
0
V
VZ =
IRS =
R
S
2
7
6
V
1
W
VRL =
IRL =
RL
=
68
0
VRS =
IZ =
18) Determine novamente os valores do circuito da questo anterior, com uma

tenso de entrada constante.
VZ =
IRS =
VRL =
IRL =
VRS =
IZ =
96
As questes 19 a 25 referem ao circuito colocado a seguir, que tem uma

tenso de entrada constante.
VRS
+
Vi =15V
40
IRS
IRL VRL
10V
IZ
1W
19) Quais os valores de IZmx e IZmn do diodo zener?

20) Considerando que a tenso de entrada constante em 15V, qual a queda de
tenso no resistor RS?
21) Que corrente circula em RS? Seu valor ser sempre constante?
22) Considerando a carga ajustada para 120, determine:
a) IRL
b) IZ
23) Se a carga do circuito for modificada para 180, que valores tero as correntes
IRS, IRL e IZ?
24) Se a carga for ajustada para 100, que valores tero as correntes IRS, IRL e
IZ?
25) Nas situaes 22, 23 e 24 a potncia zener mxima foi atingida?
As questes 26 e 27 devem ser respondidas com base no circuito a seguir.
+18V
100
1
12V
RL = 400
1
W
26) Que tenso existir sobre a carga?
a) Se todos os componentes estiverem bonstas condies de funcionamento?
b) Se o resistor de 100 estiver aberto?
c) Se o diodo zener estiver em curto circuito?
d) Se o diodo zener estiver aberto?
97
27) Qual a queda de tenso e a corrente no resistor de 100 na condio normal

de funcionamento do circuito?
98
11. Prticas de Circuitos Com Diodos.

11.1
Prtica
de
Verificao
do
Funcionamento
de
Retificao de Meia Onda e Onda Completa .

Objetivos:
- Determinar o rendimento de uma retificao de meia onda e onda completa
- Observar as formas de onda no circuito retificador de meia e onda completa
- Pesquisar defeitos acompanhando o fluxograma de testes.
Equipamentos:
- Multmetro analgico e digital
- Osciloscpio duplo trao
Materiais Necessrios
R1 - Resistor de 560 W
D1, D2, D3, D4 Diodo retificador 1N4007
T1 Transformador 120/220V
12+12V 250mA
1 Determinao do Rendimento da Retificao de Meia Onda.

1.1 Monte o circuito abaixo.
12VCA
S1
12VCA
110V
R1=560
OBSERVAO: se o primrio do transformador for a 4 fios, realizar a

ligao correspondente do primrio para a tenso disponvel da bancada, 127V.
1.2 Prepare o primrio do transformador de acordo com a tenso disponvel na
bancada, (127V).
1.3 Mea e ajuste a tenso de sada do variador de voltagem (varivolt ) para 110 V.
1.4 Conecte o primrio do transformador ao varivolt (desligado) e informe ao
professor para conferncia.
1.5 Ligue o varivolt e mantenha a chave S 1 desligada.
99
1.6 Mea a tenso CC de sada usando o multmetro.

VCC = ______________ V
1.7 Mea a tenso CA entre o terminal central do transformador e um dos
extremos.
VCA = _________________ V
1.8 Determine o rendimento da retificao de meia onda.
Rendimento =
VCC
= __________ ou __________%
VCA
1.9 ligue a chave S1.

O que acontece com a tenso de sada da fonte quando S 1 ligada?
1.10 Mea a tenso de sada da fonte e determine o rendimento da retificao de
onda completa derivao central.
VCC = ________ V ( com S1 ligada)
Rendimento =
VCC
= __________ ou __________%
VCA
1.11) Conhecendo-se a tenso fornecida pelo transformador e a tenso de sada

possvel determinar se uma fonte fornece onda completa ou meia onda? (compare
os itens 1.10 e 1.8).
1.12 Pode-se dizer que com a chave S 1 aberta tem o mesmo efeito do que se um
diodo da fonte estivesse aberto?
1.13
2
Mantenha a chave S1 ligada.
Observao das Formas de Onda em um Circuito Retificador de Meia Onda e

Onda Completa.
2.1 Conecte o canal do osciloscpio entre o terminal central do transformador

(terra) e um dos extremos.
2.2 Sincronize pelo canal 1 e ajuste a base de tempo de forma a obter 2 ciclos
completos da CA na tela.
2.3 Conecte a entrada de sinal da ponta de prova do canal 2 sobre a carga.
2.4 Reproduza no espao abaixo as figuras projetadas pelo osciloscpio.
100
Quantos semiciclos positivos da tenso so aplicados carga para cada ciclo

da CA fornecida pelo transformador?
2.5 Desenhe no espao abaixo como seria a figura mostrada na tela do
osciloscpio se os diodos fossem invertidos.
2.6 - Que influncia esta inverso teria sobre:

a) o valor da tenso de sada?
b) a polaridade da sada?
2.7 Desligue a chave S 1. Descreva o que aconteceu com a tenso de sada e
desenhe as formas de onda.
2.7 Desligue o varivolt .
101
3 Verificao do Rendimento e Observao de Formas de Onda no Circuito

Retificador em Ponte.
3.1 Desmonte o circuito a partir do secundrio do transformador.
3.2 Remonte a retificao conforme o circuito abaixo.
110VCA
12VCA
R1 = 560
3.3 Determine o rendimento da retificao em ponte.

Rendimento =
VCC
= __________ ou __________%
VCA
3.4 - A retificao em ponte tem aproximadamente o mesmo rendimento da

retificao com derivao central?
3.5 - A pequena diferena entre os rendimentos se deve ao fato de que na ponte
existem duas quedas de tenso nos diodos (1,4V) a serem consideradas, ao invs
de uma?
3.6 - Qual das duas retificaes aproveita melhor o transformador? (Compare as
tenses de sada e os secundrios utilizados em cada tipo de retificao).
3.7 Conecte o osciloscpio, canal 1 sobre a carga e observe a figura.
A sada onda completa?
3.8 Pergunte ao instrutor porque no possvel observar simultaneamente a
tenso CA no transformador e a tenso CC na sada usando o osciloscpio duplo
trao.
102
11.2 Prtica de Verificao do Funcionamento de filtro

em Fontes de Alimentao.
Objetivos:
-Verificar o comportamento da tenso de sada de um circuito retificador sem
filtro e com filtro.
-Verificar as formas de onda sada de um circuito retificador com filtro.
-Verificar os fatores que influenciam na tenso de ondulao.
-Medir a tenso de ondulao, usando em osciloscpio.
Equipamentos:
-Osciloscpio
-Multmetro
Lista de Materiais
D1, D2 Diodo retificador 1N4007
R1 - Resistor de carbono de 470 1/2W
C1 - Capacitor Eletroltico 220F 25V
C2 - Capacitor Eletroltico 470F 25V
T1 Transformador 120/220V 12+12V, 500mA
P1 - Potencimetro de fio de 1K
S1, S2, S3, - Chave liga e desliga
1 Verificao do Comportamento da Tenso de Sada da Fonte com Utilizao de
um Filtro
1.1 - Monte o circuito abaixo.
S3
D1
Carga
R
S2
120VCA
1 P1
C1
D2
S1
OBSERVAO: Faa a conexo do primrio conforme a tenso disponvel.

1.2 - Estabelea as seguintes
103
S1 ( onda completa ) desligada

S2 (filtro) desligada
S3 (carga) ligada
1.3 - Conecte o circuito a rede eltrica e ligue o VARIVOLT, alimentando o circuito.
1.4 - Mea a tenso da sada da fonte usando o Multmetro.
Vsada = __________ V ( meia onda, sem filtro )
1.5 - Ligue a chave S2, conectando o filtro a fonte.
1.6 - Mea a tenso de sada da fonte.
Vsada = __________ V ( meia onda, com filtro ).
1.7 - O que se observa comparando a tenso de sada da fonte retificadora quando
se acrescenta um filtro?
1.8 - Ao que se deve esta modificao na tenso de sada?
1.9 - Desligue a chave S2.
1.10 - Ligue a chave S1
1.11 - Que tipo de circuito retificador se configura, com a ligao de S 1?
1.12 - Mea a tenso de sada do circuito
Vsada = _________ V ( onda completa, sem filtro )
1.13 - Mea a tenso de sada do circuito com filtro ligado, (S 2 ligada).
Vsada = _________ V ( onda completa, com filtro ).
correto afirmar que a incluso de um filtro eleva o valor mdio da tenso de sada
tanto em circuito de meia onda como de onda completa?
1.14 - Desligue o filtro e retorne para meia onda.
1.15 - Determine o tempo de carga e descarga do capacitor, usando o eixo dos
tempos do osciloscpio.
tc = ___________ ms
td = __________ ms
1.16 - Pode-se afirmar que o capacitor o responsvel pela tenso presente na

carga durante a maior parte do tempo?
1.17 - Pode-se concluir que toda a energia perdida pelo capacitor
durante um
grande perodo de descarga tem que ser reposta nas suas armaduras em curto
perodo de carga?
1.18 - Desconecte o osciloscpio do circuito e desligue a chave S 2.
1.19 - Desligue o VARIVOLT.
2 Observao dos Fatores que Influenciam na Tenso de Ondulao.
104
2.1 - Posicione as chaves conforme segue.

S1 - desligada ( circuito em meia onda )
S2 - desligada ( sem filtro )
S3 - ligada
( carga ligada )
2.2 - Ligue o VARIVOLT.

2.3 - Conecte o multmetro de forma que este permanea indicando a tenso de
sada ( sobre a carga).
2.4 - Varie a carga, atuando no potencimetro P 1 e observe o multmetro.
A tenso de sada depende da corrente da carga?
2.5 - Ligue a chave S1, tornando o circuito onda completa.
2.6 - Varie a carga e observe o multmetro.
A tenso de sada depende da corrente absorvida pela carga?
2.7 - Nos circuitos retificadores sem filtro a tenso de sada depende da carga?
2.8 - Desligue a chave S1.
2.9 - Ligue o filtro.
2.10 - Ajuste a carga para o valor mximo. ( corrente mxima, ou seja resistncia
mnima)
2.11 - Conecte o osciloscpio na sada da fonte, em modo DC, vertical 1V/ div.
possvel observar a ondulao existente na sada da fonte?
2.12 - Varie a carga e observe o osciloscpio.
A tenso de ondulao depende da carga?
2.12 - Ajuste a carga para o valor mnimo (resistncia mxima).
2.13 - Ligue a chave S1, passando para onda completa.
O que acontece coma ondulao quando o circuito passa de meia onda para onda
completa?
2.14 - A tenso de ondulao em uma fonte depende do tipo de circuito utilizado
(considerando a mesma carga e mesmo filtro)?
2.15 - Desligue o Varivolt e chave S1.
2.16 - Conecte momentaneamente o capacitor C2 no circuito, aumentando a
capacitncia do filtro.
O que aconteceu com a ondulao quando a capacitncia do filtro foi aumentada?
2.17 - A ondulao na sada de uma fonte com filtro, depende da capacitncia do
filtro?
105
Que fatores influenciam na ondulao presente na sada de uma fonte?

2.18 - Desconecte o capacitor C2.
3 Medida da Tenso de Ondulao
3.1 - Ajuste a carga para o valor mnimo (resistncia mxima).
3.2 - Conecte o osciloscpio na sada do circuito ( em modo DC ).
possvel medir com preciso a tenso pico a pico de ondulao?
3.3 - Passe a chave seletora de modo de entrada do osciloscpio para AC.
3.4 - Passe a chave seletora de ganho vertical para 0,5V/ div.
No modo AC possvel medir com preciso a tenso de ondulao?
3.5 - Determine a tenso de ondulao e tenso de sada da fonte.
VONDPP = ___________ V
Vsada = ___________ V
A tenso de sada depende da ondulao?

3.6 - Quanto maior a ondulao, menor a tenso de sada de uma fonte. Esta
afirmativa correta?
106
11.3 Prtica de Regulador de Tenso com Diodo Zener.

Objetivos:
- Medir as tenses e as correntes no circuito regulador abaixo.
- verificar o funcionamento do regulador de tenso.
- Medir a forma de onda da tenso contnua regulada e no regulada.
- Verificar a corrente no diodo zener em funo das variaes da resistncia
de carga.
Equipamentos:
- Osciloscpio
- Multmetro.
Materiais Necessrios.
Capacitor - 2200F
Resistor de zener - 100
Resistor ( R1 ) - 680
Diodo zener ( Dz ) - 1N4740 - 10V
Potencimetro de fio ( P1 ) - 100
Resistor (R2) - 330
Diodo retificador D1, D2 - 1N4007
Transformador - 110/220V e 12V + 12V
Diodo Led de qualquer cor.
1) Monte o circuito abaixo.
Carga
Rz
D1
R1
C
R2
Dz
P1
D2
1.1)
Mea as tenses VCC sem carga, VCC com carga, VRZ, VR1, VF, VZ e VRL.
1.2)
Mea as tenses IR1, IT, IRZ, IZ e IRL.
107
1.3)
Varie o potencimetro para carga mxima (IRL mx), (potencimetro ajustado

para resistncia mnima) e anote os valores de I RL, IZ e IRZ.
1.4)
Gire o potencimetro para carga mnima (potencimetro ajustado para

resistncia mxima ) e anote os valores de IRL, IZ e IRZ.
1.5)
Varie o potencimetro para carga mdia (resistncia mdia) e mea a I RL, IZ e

IRL.
1.6)
Mea a tenso de ondulao no capacitor e na carga.
1.7)
Qual o componente sofre as variaes da tenso de entrada?
1.8)
Qual componente sofre as variaes de corrente da carga?
1.9)
Porque a tenso de ondulao depois de regulada quase no existe?
108
12. Referncias Bibliogrficas

SCHUSTER, KARL. Constituio da Matria: EP 01 [Aufbau der Materie] Traduzido
e adaptado pelo Setor de Divulgao Tecnolgica, Siemens. 2.a ed. So Paulo,
Siemens/Edgard Blcher, 1977, 62p.
VAN VALKENBURG, NOOGER & NEVILLE. Eletricidade Bsica, 15.a ed., So
Paulo, Freitas Bastos, vol. 1, 1970.
LANG, JOHANNES G. Corrente, tenso, resistncia: EP 02 [ Strom, - Spannung Widerstand] Traduzido e adaptado pelo Setor de Divulgao Tecnolgica, Siemens.
2.a ed. So Paulo, Siemens/Edgard Blcher, 1977, 73pp.
SENAI/Departamento Nacional. Grandezas eltricas. Rio de Janeiro, Diviso de
Ensino e Treinamento, 1980, 65p. (Mdulo Instrucional: Eletricidade- Eletrotcnica,
2).
KOLLER, ALOIS. O circuito eltrico: EP 03 Der elektrische Stromkreis Trad. e
adaptado pelo setor de Divulgao Tecnolgica, Siemens. So Paulo, Siemens,
1975, 60pp.
SENAI: Departamento Nacional, Circuito eltrico. Rio de Janeiro, Diviso de
Ensino e Treinamento, 1980, 49pp (Mdulo Instrucional: Eletricidade - Eletrotcnica,
4).
HBSCHER, HEINRICH ET ALII. Electrotcnia, curso elemental. Elektrotechnik
Grundstufe Barcelona, Revert, c 1983, 296 pp.
LOUREIRO, HLIO ALBUQUERQUE & FERNANDES, LUIZ EDUARDO PENNA.
Laboratrio de dispositivos eletrnicos. Rio de Janeiro, Guanabara Dois, 1982,
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SENAI/ Departamento Nacional, Associao de resistores, Diviso de Ensino e
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SENAI/Departamento Nacional. Lei de Ohm, Rio de Janeiro, Diviso de Ensino e
Treinamento, 1980, 91p (Mdulo Instrucional: Eletricidade- Eletrotcnica, 5)
SENAI/DN Reparador de Circuitos Eletrnicos, Eletrnica Bsica I. Rio de Janeiro
(Coleo Bsica SENAI. Mdulo 1).
ZBAR, PAUL B. Instrumentos e medidas em eletrnica, Prticas de Laboratrio.
Trad. Aracy Mendes da Costa. So Paulo, McGraw Hill, 1978, 22p.
BOYLESTAD, ROBERT & NASHELSKY, LOUIS. Dispositivos eletrnicos e teoria
109
de circuitos. 3.a ed., S.1, Prentice-Hall. 1984.

DEGEM SYSTEMS. Eletrnica elementar. Israel, Eletrnica Modular Pantec,
c1976, 141p. ilust.
MARCUS, ABRAHAM. Eletricidade Bsica. Trad. de Ernest Muhr. So Paulo,
Importadora de livros, c1964. 194p. ilust.
SENAI/Departamento Nacional. Impedncia. Rio de Janeiro, Diviso de Ensino e
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VALKENBURG, NOOGER & NEVILLE. Eletricidade Bsica. Trad. J.C.C. Walny e
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ARNOLD, Roberts & BRANDT, Hans. Retificadores semicondutores no controlados.
So Paulo, E. P. U., 1975, 49p. il. (Eletrnica Industrial, 1).
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e desenvolvimento
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VAN VALKENBURG, NOOGER & NEVILLE. Eletrnica bsica. 9.a ed. Rio de
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DEGEM SYSTEMS . Fontes de alimentao eletrnicas. Israel, Eletrnica Modular
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ARNOLD, Roberts & BRANDT, Hans. Retificadores semicondutores no controlados.
So Paulo, E. P. U., 1975, 49pp. il. (Eletrnica Industrial, 1).
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e desenvolvimento
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CURSO DE SEMICONDUTORES; diodos emissores de luz. So Paulo. Nova
Eletrnica, (38): 121-3, abr./80
110
DAMAYE, R. Optoeletrnica: Fundamentos tericos y aplicaciones practicas Optoelectronique; bases thoriques et applications pratiques Trad. de Daniel Santano y
Leon. Madrir, Paraninfo, 1974, 243 pp. ol.
DEBOO G. J. BURROUS, C. N. Integrated circuits and semiconductor devices:
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SINGH, J., Semiconductor optoelectronics: Physics and Technology, New York,
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TUCCI, Wilson Jos. Introduo eletrnica. 7.a ed., So Paulo, Nobel 1983,
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MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Christos C., Integrated Electronics: Analog and Digital
Circuits and Systems, pp. 73-77 (McGraw-Hill, Inc., International Student Edition,
1972).
ARNOLD, Robert & BRANT, Arns. Transistores, segunda parte. So Paulo, EPU,
1975. il. (Eletrnica Industrial, 2).
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FIGINI, Gianfranco. Eletrnica industrial; circuitos e aplicaes. So Paulo, Hemus, c
1982. 336p.
111

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Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

Gerncia de Educao e Tecnologia

Curso Tcnico em Eletrnica

1.7.1 Resistores de 1 a 10...................................................................................................... 11

Formao do Diodo Juno pn........................................................................................ 48

Curso Tcnico em Eletrnica

Retificao de Meia Onda com Diodo Semicondutor..........................................................63

7. FILTROS EM FONTES DE ALIMENTAO....................................76

Capacitor como Elemento de Filtragem..............................................................................77

8. DIODO EMISSOR DE LUZ..............................................................82

Comportamento do Diodo Zener......................................................................................... 86

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSO....................92

10.1 Funcionamento do Circuito Regulador.....................................................................................92

PRTICAS DE CIRCUITOS COM DIODOS.................................98

Curso Tcnico em Eletrnica

eletrnicos para limitar a circulao de corrente eltrica, atravs da sua resistncia.

1.2 Finalidade dos Resistores

1.3 Caractersticas dos resistores

Curso Tcnico em Eletrnica

comuns e os de 2% e 1% so resistores de preciso. Os resistores de preciso so

A tabela 2 apresenta os valores padro de fabricao de resistores com

Encontram-se ainda resistores com os valores da tabela 2 multiplicados por

Curso Tcnico em Eletrnica

Nos diagramas, o valor do resistor aparece ao lado do smbolo ou no seu interior,

1.5 Tipos de Resistores

Curso Tcnico em Eletrnica

Fig.4 Cilindro de cermica usado na confeco de resistores de pelcula

Sobre o corpo depositada uma fina camada em espiral, de material resistivo

Fig.5 Filme de carbono em espiral

Os terminais (lides de conexo) so colocados nas extremidades do corpo em

Fig.6 Fixao dos terminais do resistor

O corpo do resistor pronto recebe um revestimento que d acabamento na

Fig. 7 Representao de um resistor em corte

As caractersticas fundamentais do resistor de filme de carbono so a

Curso Tcnico em Eletrnica

Com maior concentrao de partculas de carvo o valor resistivo do

Fig.9 Resistor de Fio

O resistor de fio tem capacidade para trabalhar com maior valores de

Fig.10 Resistores que dissipam muito calor

Resistores que dissipam grande quantidade de calor so construdos sobre

1.6 Cdigo de Cores Para Resistores

Fig.11 Cdigo de cores impressos no corpo do resistor

Curso Tcnico em Eletrnica

1.7 Interpretao do Cdigo

Fig.12 Cdigo de cores indicam o valor da resistncia do resistor

Os trs primeiros anis coloridos (1, 2 e 3) representam o valor do resistor.

Fig.13 Primeiro anel indicando o primeiro algarismo do valor do resistor

A cada nmero corresponde uma cor, como mostra a tabela 4.

O segundo anel colorido representa o segundo nmero que forma o valor do

Curso Tcnico em Eletrnica

Fig.14 Segundo anel indicando o segundo algarismo do valor do resistor

Para o segundo anel, as cores tm o mesmo significado do 1 anel.

Fig 15 Terceiro anel indicando o fator multiplicador

A cada nmero de zeros corresponde uma cor, como mostra a tabela 5.

Observao: As cores violeta, cinza e branco no so encontradas no 3

Fig 16 Resistores de 680, 3.300 e 560.000 com cdigo de cores.

O quarto anel colorido representa a tolerncia do resistor. A cada percentual