SEGUNDA SEMANA FEBRERO CURSO 2011-2012

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1- El circuito de la figura emplea realimentacin negativa. Suponiendo que los
amplificadores operacionales son ideales, y usando la restriccin del punto suma,
analizar el circuito para hallar el valor de vo .

A) VO 11V
B) VO 1V
C) VO 11V
D) VO 12V
Resolucin:
Sealando las corrientes y los nodos:

Por la restriccin del punto-suma, tenemos:

i0 0

VA VB 5V

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Nodo C:
VA VC i1R 2mA * 3k 6V

De dnde:
VC VA 6V 5V 6V 1V

Cmo:
Vo VC 1V

La respuesta es:
B) Vo 1V

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2- Se dispone de un diodo a una temperatura de 30 C. Sbitamente se le aplica una
corriente directa de 1000 mA y la tensin pasa a ser de 0,75 V. Al pasar varios
minutos el diodo se calienta debido a la disipacin de potencia y la tensin baja
hasta 0,55 V. Calcular la temperatura final del diodo.
A)
B)
C)
D)

T final 100 C
T final 80 C
T final 150 C
T final 130 C

Resolucin:
A medida que el diodo se calienta, su tensin directa disminuye aproximadamente 2
mV / C. As, el aumento de la temperatura viene dado por:
T V / 2mV / C

Sustituyendo valores, tendremos:

T 0,75V 0,55V ) /(2mV / C 0,2V /(2mV / C ) 100 C.

La temperatura del diodo final es:

T final Tinicial T 30 C 100 C 130 C.

La respuesta es:
D) T final 130 C.

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3- Un transistor npn tiene un valor de 100 . Determinar su regin de
funcionamiento si I B 55A e I C 2,5mA
A)
B)
C)
D)

Se halla en la regin de saturacin

Se halla en la regin activa
Nos falta informacin para poder afirmar en que regin se halla
Se halla en la regin de corte

Resolucin:

Dado que no se cumple que

IB 0

I B I C

=>

Que la regin de funcionamiento es la de saturacin

Ya que tenemos:
I B 100 * 55A 5,5mA
I C 2,5mA

La respuesta es:
A) Se halla en la regin de saturacin

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4- Un chip de un computador contiene 20.000 puertas, que tienen una disipacin de
potencia esttica igual a cero. En el caso peor la salida de cada puerta oscila a
150MHz. La disipacin de potencia dinmica total que se permite para el chip es de
10W. Si la tensin de alimentacin es de 5 V, determinar la carga permitida para
cada puerta.
A)
B)
C)
D)

CL
CL
CL
CL

130 fF
800 pF
40 fF
150 pF

Resolucin:
La potencia dinmica disipada por el chip viene dada por:
Pdi fCL VDD

La capacidad de carga del chip vendr dada por:

CL

Pdis
2
f VDD

Sustituyendo valores, la capacidad de carga del chip es:

CL

10W
2,67 pF
2
150 *106 Hz 5V

Por lo que la capacidad de carga por puerta ser:

C L puerta

CL
133 fF
20.000 puertas

La respuesta es:
A)

C L puerta 133 fF

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5- Un amplificador presenta una ganancia de corriente en cortocircuito de 9.
Cuando el amplificador funciona con una carga de 100 , la ganancia de corriente
es de 7. Calcular la resistencia de salida del amplificador.
A)
B)
C)
D)

R0
R0
R0
R0

200
250
350
150

Resolucin:
- Representando el amplificador en cortocircuito, tenemos:

Dnde:
Ai

iO Aisc ii

Aisc 9
ii
ii

- Representando el amplificador del enunciado en carga, tenemos:

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Como la ganancia de corriente en carga viene dada por:
Ai

RO
io Aisc ii RO

Aisc
R0 RL
ii
ii RO RL

Dnde, nos dicen que:

Ai 7
Aisc 9

RL 100

Sustituyendo valores:
79

RO
RO 100

7 RO 700 9 RO

=>

9 7RO 700

La respuesta es:
C) R0 350

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PROBLEMA 1
Consideremos el seguidor de fuente de la figura, siendo VDD 15V ; RL 1k,
R1 R2 1M . El transistor NMOS tiene KP 50A / V 2 , 0, L 1,5m,
W 150m y Vto 1V .

L KP

W 2K

=>

KP W 50A / V 2 150m

2,5mA / V 2

2 L
2
1
,
5
m

Los valores del punto Q deben satisfacer la ecuacin:

I DQ K VGSQ Vto

Despejando VGSQ :
VGSQ Vto

I DQ
K

R2
106
15V * 6
7,5V
VG VDD *
R1 R2
10 106

VS 4,5V

VS VG VGSQ

VGSQ Vto

I DQ
K

1V

11

10mA
1V 2V 3V
2,5mA / V 2

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6- Hallar el valor de RS para I DQ 10mA
A)
B)
C)
D)

RS
RS
RS
RS

350
400
450
150

La respuesta es:
Sustituyendo valores:
VG VDD *

R2
106
15V * 6
7,5V
R1 R2
10 106

VS 4,5V

VS VG VGSQ

VGSQ Vto

I DQ
K

1V

10mA
1V 2V 3V
2,5mA / V 2

Puesto que:

RS

VS
4,5V

450
I DQ 10mA

La respuesta es:
RS 450

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7- Calcular la ganancia de tensin AV
A)
B)
C)
D)

AV
AV
AV
AV

0,72
0,99
1,29
0,18

Resolucin:

g m 2 KP W / L I DQ 2 * 50 *106 150 / 1,5 10 0,316S

AV

vo
g m RL

vin 1 g m RL
RL

AV

1
1

310,34
1 / rD 1 / RS 1 / RL 1 / 1 / 450 1 / 1000

vo
g m RL
0,316 * 310

0,989
vin 1 g m RL 1 0,316 * 310

La respuesta es:
AV 0,99

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8- Calcular la resistencia de entrada, Rin
A)
B)
C)
D)

Rin
Rin
Rin
Rin

0,5M
2M
1,5M
137,3k

Resolucin:
Rin R1 // R2

1
RR
10 6 *106
1 2 6
0,5 *10 6 0,5M
1 / R1 1 / R2 R1 R2 10 106

La respuesta es:
Rin 0,5M

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PROBLEMA 2
La tensin de salida de un amplificador operacional vara entre -10 y +10 V y puede
suministrar o absorber 25 mA. El slew-rate es de 10 V/s. Se usa el amplificador
operacional en la configuracin de la figura:

Hay un error en el enunciado dnde dice El slew-rate es de 10 V/s, debe decir El

slew-rate es de 1 V/s

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9- Hallar el ancho de banda de potencia del amplificador operacional.
A)
B)
C)
D)

f FP
f FP
f FP
f FP

53,9kHz
159Hz
1,59kHz
15,9kHz

Resolucin:
El ancho de banda de potencia viene dado por la expresin:
SR 1V / s
f FP

SR
2VoMax

f FP

SR
1V / 10 6 s

15,9kHz
2VoMax 2 *10V

VoMax 10V

La respuesta es:
f FP 15,9kHz

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10- Para una frecuencia de 5kHz y RL 100 Qu tensin mxima de salida es
posible sin distorsin?
A)
B)
C)
D)

VoM
VoM
VoM
VoM

1,24V
4,98V
2,49V
9,23V

Resolucin:
Teniendo en cuenta que los recortes pueden comenzar cuando la tensin de salida
alcanza 10 V, o cuando la corriente de salida alcanza 25 mA.
i2

Vo
R2

io i2 iL

io
iL

1
Vo Vo
1

Vo
R2 RL
R2 RL

Vo
RL

Sustituyendo valores:
1
1
1
1
io Vo 10V

100,1mA
100k 100
R2 RL

Como se verificara que io 100,1mA I oMax 25mA . Por lo que no puede alcanzarse
la mxima tensin de salida posible Vo max 10V
Por lo que, en este caso la tensin mxima de salida, se da cuando io I o max :
1
1
despejamos Vo :
R2 RL

Si en la expresin: io Vo
Vo max

25mA
I oMax

2,497V
1
1 1 1
R R 100k 100
L
2

La respuesta es:
C) Vo max 2,49V
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