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CIRCUITOS ELECTRONICOS

I.

II.

TEMA: Amplificador base comn


INTRODUCCCIN TEORICA.

Transistor BJT
El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico de
estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s,
que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin
tiene

lugar

gracias

al

desplazamiento

de

portadores

de

dos

polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran


utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un
solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha.

De esta manera quedan formadas tres regiones:


Emisor, que se diferencia de las otras

dos

por

estar

fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se


debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de

carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
Como probar un transistor
Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito
equivalente de ste, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar
diodos.

Ver la figura.

Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN


y PNP estn compuestos por diodos y se sigue la misma tcnica que
probar diodos comunes.
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La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y
C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos.
Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del
transistor" no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor
Relacin de corrientes
Considerando la ley de Kirchhoff: la suma de corrientes que entran en
un nudo es igual a la suma de corrientes que salen por dicho nudo. Al
aplicarse a un transistor PNP, la ley de Kirchhoff proporciona una
importante relacin entre las tres corrientes del transistor:
Ie = Ib + Ic
Esta ecuacin indica que la corriente de emisor es igual a la suma de
las corrientes de colector y base. Teniendo en cuenta que la corriente
de base es mucho menor que la corriente de colector, es habitual
hacer la siguiente aproximacin: la corriente de colector es casi igual
a la corriente de emisor.
Ie Ic
Y la corriente de base es mucho ms pequea que la corriente de
colector
Ib Ic
Alfa
El alfa de continua se define como la corriente de colector dividida
entre la corriente de emisor.
Ic

dc =
Ie
Como la corriente de emisor es casi igual a la corriente de colector,

dc

es ligeramente menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de

baja potencia,
alta potencia

dc

dc

es mayor que 0.99. Incluso en un transistor de

es mayor que 0.95.

Beta
El beta de continua se define como la relacin entre corriente de
colector y la corriente de base.
Ic

dc =
Ib

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El beta de continua se conoce tambin como la ganancia de corriente
porque una pequea corriente de base produce una corriente mucho
mayor de colector.
La ganancia de corriente es una gran ventaja del transistor y ha
llevado a todo tipo de explicaciones. Para transistores de baja
potencia (por debajo de 1W) la ganancia est entre 100 y 300. Los
transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen
ganancia entre 20 y 100
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar

tienen

diferentes

regiones

operativas, definidas principalmente por la forma en que son


polarizados:

Regin activa:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin
activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.
En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles.
Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo

inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.


Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente
circulando, no hay cada de voltaje). Este caso normalmente se

presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)


Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
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Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic =
Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector
veces ms grande. (Ic = * Ib)

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y
"N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora
de las circunstancias.

Los

transistores

PNP

consisten

en

una

capa

de

material

semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los


transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin
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a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

Como las zonas dopadas son de tipo opuesto al de un NPN, es


necesario

invertir

la

forma

Especficamente, tal cambio

de

considerar

su

funcionamiento.

quiere decir que los huecos son los

portadores mayoritarios en el emisor en vez de serlo los electrones


libres.
De manera breve, la explicacin de lo que sucede a nivel atmico en
el transistor PNP es la siguiente: el emisor inyecta huecos en la base,
la mayor parte de las cuales fluyen hacia el colector. Por esta razn la
corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor.
El transistor de la figura tiene dos uniones: una entre el emisor-base y
otra entre base-colector. Por tanto un transistor es similar dos diodos
contrapuestos. El diodo inferior se denomina diodo emisor-base y el
diodo superior se denomina diodo colector-base.

CONFIGURACIN EMISOR COMN


La configuracin de transistores que se encuentra con mayor
frecuencia se muestra en la figura para los transistores pnp y npn. Se
denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn
tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso,
es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De
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nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en
forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor
comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida
o circuito del colector.

Ecuaciones bsicas:
Ie = Ic + Ib
Vcc = Vce + IcRL
Vs = Vbe + IbRs
Pc = Vce Ic
CONFIGURACION BASE COMUN
La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que
la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin.
Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un
potencial de tierra. Las direcciones de corriente se referirn a la
convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de
electrones.
Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que
enorme

cantidad

de

literatura

disponible

en

las

instituciones

educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que


las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin
definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo
del diodo define la direccin de conduccin para la corriente
convencional. Para el transistor:

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CIRCUITOS ELECTRONICOS

CONFIGURACIN COLECTOR COMN


La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente
para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una
elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que
es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor
comn.

III.

MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO.


-

UNMSM

Fuente de C.C
Multimetro
Osciloacopio
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-

Generador de ondas
Resistencias
Transistor
Condensador
Potenciometro

Una fuente de C. C. Variable

Un Multmetro

Resistores de

Transistor PNP.

Potencimetro de 1M .

UNMSM

Cables conectores.

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CIRCUITOS ELECTRONICOS

Circuito

Potencimetro 1 k

Potencimetro
100k

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UNMSM

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