TRANSISTOR MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor).

Approche simplifie en basse frquence.

Transistor effet de champ grille isole (lisolant est loxyde de silicium).

La diode (parfois zener) intgre au transistor le protge contre les surtensions

apparaissant dans les circuits inductifs lors de variation brutales de courant.

Principe, cas du MOSFET canal N.

(le canal P fonctionne de la mme manire avec courants et tensions inverses):
Le transistor MOSFET est command par une tension VGS qui lorsquelle devient suffisamment grande
(VGS>Vth) provoque ltablissement dun courant entre le drain et la source. Le mode de fonctionnement
dpend alors de la tension VDS, donc de la polarisation. Le transistor MOSFET ne consomme pas dnergie la
commande (IG=0).

Schma quivalent en petits signaux

Rgime linaire : v

GS

V et v
th

DS

GS

th

En rgime linaire (appel aussi triode), le canal conducteur est important, le transistor se comporte entre
drain et source comme une rsistance dpendant de VGS.
Si VGS est grand devant Vth et VDS petit devant Vgs-Vth cette rsistance est minimale et appele RDS on. Cest ce
mode de fonctionnement qui sera utilis en commutation.

Schma quivalent en petits signaux

Rgime satur : v

GS

V et v
th

DS

>v

GS

th

En rgime satur, la largeur du canal est module par les variations (petits signaux) de Vgs. Le transistor se
comporte comme un amplificateur de transconductance, id=f(vgs).
Ce mode de fonctionnement est utilis en microlectronique pour la ralisation des amplificateurs
oprationnels. Le paramtre gm dpend fortement de la polarisation.
Puissance consomme :

P = VDS .I D , en rgime linaire : P = RDS on .I D2

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TRANSISTOR MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor).

Exemple de polarisation en rgime linaire :
Pour un BSH108 (Farnell : 1758067), montage source commune (VDD=5v) on dsire un courant dans RD de 1A
VDD

RD

Q1
Vgs

Daprs la documentation (ID=f(VGS) du BSH108 ( 25C) pour obtenir un courant ID=1A il faut VGS=2,2v ,
En rgime linaire le courant ID sera limit 1A par la charge RD (droite rouge hrizontale).
On voit sur la droite de charge (en rouge droite) que VDS fait 1,2v (pointills rouges) pour VGS=2,2v. Le
transistor est alors en rgime satur, si lon continue augmenter VGS le point de fonctionnement se dplace
vers la gauche. A partir de VGS=2,4v (pointills bleus) on entre en rgime linaire (le transistor se comporte
comme une rsistance). Plus VGS augmente , plus la pente de la doite ID=f(VDS) est raide donc la rsistance RDS
petite.
VDS fait approximativement 100mV pour VGS=5v (pointills verts), on peut en dduire RDSon=100m. Le
constructeur donne RDSon=100m typique et RDSon=140m max pour ID=1A et VGS=5v.
On trouve dans la documentation Vth=2v (valeur max)
Si VGS >> Vth (dans notre exemple VGS=VDD donc trs suprieur Vth) le transistor se comporte comme une
rsistance RDSon , le cas le plus dfavorable sera celui ou RDSon est max (ici 140m)

RD =

VDD RDS on .I D
= 4,86
ID

P = RDS on .I D2 = 19,6mW

Remarque : Le circuit dentre dun MOSFET se comporte en fait comme un condensateur (Ciss=190pF), partir
dune certaine frquence celui-ci ne sera plus ngligeable, une frquence de coupure apparait.
Pramtres statiques du BSH108 (doc NXP):

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