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A. Sedeo
XQ = 0,995 ZQ
RQ = 0,1 XQ
Equipo elctrico
Z Q (Ct 1,1).
Datos
Clculos
UNq = 25 kV
IkQ = 11547 A
Z Q (Ct 1,1).
Red de MT
XQ = 0,995 ZQ
RQ = 0,1 XQ
Corriente de c.c.(tripolar Ct = 1,1; AT, U>1000 V
(UNE21240)
mxima) en Q (IkQ)
I " kQ
U nQ
3.I "kQ
1375m
R
m
U nQ
S " kQ
U NQ .
= 11547 A
3.Z Q
3.U nQ
Impedancia resultante:
Zm.Q
n
Zm.Q: Impedancia para
X
xi ;Idem para R.
un c.c. en extremo
i 1
anillo abierto
Corriente de c.c.(tripolar Ct = 1,1; AT, U>1000 V
U NQ .
=10494 A
(UNE21240)
I kmQ C t .
mxima) en extremo
3
.
Z
mQ
anillo (ImQ)
Z
m
1375
3.I "kQ
I k Q Ct .
X
m
1368
136,8
IaQ =11547 A
( = 1)
IsQ = 28414 kA (cresta)
( = 1,74)
141,5
119,25
185,0
278,3
1487.2
1513,0
ImQ' =10494 kA
( = 1)
IsmQ = 23003 kA (cresta)
( = 1,55)
Cortocircuitos asimtricos
I k" 2
cU
cU
3 "
I k 0,866 I k"
Z1 Z 2
2Z1
2
(III.25)
1
Ao 2000
CLARIS INGENIERA
PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
Si
Z1 Z 2 Z k ;Z o 0 ;
A. Sedeo
I s2
3
Is
2
I k2 PE "
3C U n
Z
Z 1 Z 0 1 1
Z2
(III. 26)
I k"1
3cU n
3cU n
Z1 Z 2 Z 0
2Z1 Z 0
3
x
2 0
x1
I k" 3
(III. 27)
Si Z1 = Z2
I k 1G
cU F
Z1 Z h
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
A. Sedeo
Grficas
Figura III.4.1-1: Grfica f ( R )
X
IS = .
2 .Ik;
= 1,00220 + 0,96899 e
-3,0310 X/R
Siendo:
R: La resistencia de la red hasta el punto de
cortocircuito
X: La reactancia de la red hasta el punto de
cortocircuito.
Figura III.4.1-2
I cc
d2
7
F 13 ,85 10 f
L 1 2
d
L
2
d
L
(III.28)
F = fuerza resultante en N
f = coeficiente en funcin del cos , siendo f = 1 para cos = 0
Icc = intensidad mxima de cortocircuito: IS (CRESTA)
d = separacin entre fases
L = longitud de los tramos de embarrado.
Carga uniformemente repartida
Q=F/L
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Ao 2000
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
A. Sedeo
M mx
qL2
12
D4 d 4
W
32 D
D = dimetro exterior del embarrado
d = dimetro interior del embarrado
Fatiga mxima
r mx = Mmx / W
Solicitacin trmica
1
1 1 2
S
S = seccin de cobre en mm2
= 13 para el cobre
t = tiempo de duracin del cortocircuito en segundos
I = intensidad eficaz en amperios
= 180 para conductores inicialmente a T ambiente.
Referencias:
Ajustes de sobrecorrientes
Los ajustes se harn para las protecciones 50, 51 y 50, 51N (50/51 G).
Se atender, adems, la selectividad amperimtrica, cronomtrica y diferencial. Para el futuro se
planifica la selectividad lgica, mediante los mdulos Sepam de Merlin Gerin o similar.
En el Anexo V (Estudio y diseo de la red de tierras) se obtiene una intensidad de defecto a tierra
Id=449 A. A partir de este dato se ajustarn las protecciones 50N y 51N.
Puesto que el nivel de cortocircuito en la acometida y en el anillo de MT vara poco, los rels
instantneos de sobreintensidad (50) correspondiente a los diferentes disyuntores se tendrn que
temporizar (Selectividad cronomtrica para los rels 50).
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
13,5 t o
.
1,5
I
1
IS
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80
I
IS
to
0,808
5
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
A. Sedeo
Ik=11,5 kA
100
t (s)
10
11,25
8,4
8,6
8,8
9
11,25
11,25
1
9
52
(0,180)
11,25
11,26
52
(0,120)
1,15
0,1
1
10
100
I / Is
52//CDA-B
52//CDC-E
Vn = 25 kV
52//CDA-B CURVA MUY INVERSA (VIT)
In = Is = 240 A (secundario 4 A)
Curva 3 (I = 10 Is, t = 0,48 s)
Instantneo 9 (2160 A), t = 120 ms
POWERAUTO, S A
52//CDC-E
FECSAENHER, S A
AJUSTE DE
PROTECCIONES
PARA FASES
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
A. Sedeo
10
t (s)
52//CDA-B
1
52//CDC-E
52//CDA-F/G
0,1
1,15
0,01
1
10
100
I / Is
Vn = 25 kV
POWERAUTO, S A
FECSAENHER, S A
In = Is = 240 A (secundario 4 A)
Curva 2 (I = 10 Is, t = 0,32 s)
Instantneo 8 (1920 A), t = 90 ms
CABEZA DE
ANILLO
52//CDA-B
In = Is = 240 A (secundario 4 A)
Curva 3 (I = 10 Is, t = 0,48 s)
Instantneo 9 (2160 A), t = 120 ms
AJUSTE DE
PROTECCIONES PARA
FASES
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
A. Sedeo
FASES:
- Toma 2 x factor 2 = 4A 240 A
- Familia de curvas: muy inversa
- Curva 3
- Instantneo: 9 (2160 A), t=120 ms
Neutro(tierra):
- Toma 1 x factor 0,4 = 0,4 24 A
- Muy inversa, curva 2,5
Instantneo: 9 (216 A), 220 ms
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
A. Sedeo
52 // CT 3/4 - D /E
Vn = 25 kV
52//CT 3/4- D / E
Ik = 11,5 kA
100
t (s)
10
0,1
0,01
1
10
100
1000
338
I / Is
9
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A. Sedeo
Ik = 11,5 kA
100
t (s)
10
0,1
0,01
338
10
100
1000
I / Is
52 // CT_- D
52 // CT
1/2/5/6 -D
V = 25 k V
CURVA EXTREMADAMENTE INVERSA (EIT)
In = Is = 36,95 A (secundario 3,69 A); TI : 50/5
Curva 4 (I = 10 Is, t = 0,18 s)
Instantneo 10 (369,5 A), t = 60 ms
PROTECCIN DE
SOBREINTENSIDAD
DE
TRANSFORMADORES
DE 1600 k V A
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A. Sedeo
52 / CDC - E
Relacin TI: 300 / 5 A
In = Is = 30 A (secundario 0,5 A)
Curva 3,5 (VIT)
Instantneo 10 (300 A), 300 ms.
52 / CDA - B
Relacin TI: 300 / 5 A
In = Is = 24 A (secundario 0,4 A)
Curva 2,5 (VIT)
Instantneo 9 (216 A), 220 ms.
52 / CDA F / G
Relacin TI: 300 / 5 A
In = Is = 20 A (secundario 0,33 A)
Curva 2,3 (VIT)
Instantneo 8 (160 A), 140 ms.
52 / CT 1 / 2 / 5 / 6 - D
Relacin TI: 50 / 5 A
In = Is = 6,25 A (secundario 0,625 A)
Curva 3 (EIT)
Instantneo 8 (50 A), 60 ms.
52 / CT 3 / 4 D / E
Relacin TI: 50 / 5 A
In = Is = 4,5 A (secundario 0,450 A)
Curva 3 (EIT)
Instantneo 8 (45 A), 60 ms.
5.2.2.
Otros ajustes
Disparo
Aviso (alarma)
Disparo
Aviso.
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PROTECCIN DE SOBREINTENSIDADES MT
A. Sedeo
Aviso
Disparo
Otros ajustes para los Transformadores de Potencia sera el rel 64 (Rel de proteccin a tierra). Ver
protecciones de BT.
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A. Sedeo
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