Amplificador de potencia clase AB en arreglo

complementario
Zulay D. Chavarrro, Edgardo L. Mercado, Cheylibeth C. Ochoa, Fleming Ortiz, Carlos Primera
{zulay.ch1030, edgarmercado93, cheylibeth, flemingortizmangones, carlos.primera89} @gmail.com
Facultad de Ingenieras
Universidad Tecnologica de Bolvar
Noviembre del 2013

AbstractThis report is based on the development and testing

of a power amplifier midband. The circuit consists of a stage,
which consists of two transistors in class AB configuration
with a load of 8 ohms. When checking the specifications of
each component in the circuit simulation is validated design
assumptions implemented in the circuit.
Subsequently, we compared the data obtained from the experiment with those calculated with the intention of knowing how
far are the experimental values of the calculated.
Given the parameters of each component and circuit with
these values , experimentation was carried out in the circuit
implemented where variables were validated detailed design
assumptions , by measuring the same . For this propose, we start
by manipulating the design premises, which are the boundaries
for the proper performance of the components in the circuit,
these are:

RL = 8.2 Ohms
Psal(max) = 6W

Finally, conclusions are drawn on the compatibility between

the experimental data and the expected power amplifier in middle
band, which will be used in the output stage of an audio amplifier
or a radio transmitter that require power gain and acceptable
performance.

Palabras clave: Emisor, transistor, amplificador, voltaje,

corriente, npn, Darlington, ganancia, impedancia, resistencia
de entrada.

II. I NTRODUCCI ON
Los amplificadores de potencia son ampliamente utilizados
en sistemas que requieren una tension de salida con maxima
excursion simetrica y sin distorsion a una carga con baja
resistencia. En los sistemas electronicos de amplificacion
de audio sucede que una vez realizada la amplificacion de
tension por medio de varias etapas de pre-amplificacion, es
necesario actuar sobre esa senal para producir la sensacion
sonora deseada por medio de un actuador. En estos sistemas,
el parlante es ampliamente utilizado como actuador porque
tiene la capacidad de convertir las variaciones de la senal
electrica en presion.
En la practica, un sistema electronico de audio- amplificacion
tiene varias etapas y es comun encontrar que el amplificador
de potencia alimenta la carga. En la etapa de amplificacion
de potencia se busca amplificar la senal de corriente,
reflejando la misma senal de voltaje de entrada en la salida
para conseguir determinada ganancia de potencia con un
rendimiento aceptable.

I. R ESUMEN
Este informe se fundamenta en la elaboracion y
experimentacion de un amplificador de potencia en banda
media. El circuito esta conformado por una etapa, la cual
consiste en dos transistores en configuracion clase AB con
una carga de 8 ohmios. Al comprobar las especificaciones de
cada componente en la simulacion del circuito, se validaron
las premisas de diseno en el circuito implementado.
Posteriormente, se compararon los datos obtenidos de la
experimentacion con los calculados, con la intencion de
saber cuan alejados estan los valores experimentales de los
calculados. Finalmente, se establecen conclusiones sobre la
compatibilidad entre los datos experimentales y los esperados
para el amplificador de potencia en banda media, el cual sera
utilizado en la etapa de salida de un amplificador de audio
o de un transmisor de radio que requieren una ganancia de
potencia y un rendimiento aceptable.

Por otra parte, teniendo en cuenta la potencia de salida

del transmisor, puede suceder que la etapa en la que se
amplifica la potencia necesite gran potencia en la entrada.
Por ejemplo, si el amplificador de potencia de un transmisor
de 10 kW tiene una ganancia de 20 dB y, por tanto, requiere
de una etapa de pre-amplificacion de potencia o driver que le
suministre 100 W.

En el presente desarrollo experimental se muestran las

pautas seguidas para la implementacion de un amplificador
de potencia en banda media, analizando el comportamiento
de la configuracion clase AB entre los transistores Darlington
TIP142 y TIP147 al variarle la frecuencia a la senal de voltaje
en la entrada. De igual manera, se muestran los datos y graficas
(Vsal(wt) y Vent(wt)), corriente en el colector (IcQ) y voltaje
emisor- colector (VceQ), potencia de salida en banda media,
resistencia de entrada en banda media, ganancia de voltaje en

banda media (Av(BM)), eficiencia y distorsion de armonicos)

obtenidos con los datos experimentales del circuito implementado. Finalmente, se calculan los errores porcentuales entre
los resultados experimentales y sus correspondientes valores
calculados para realizar el analisis de los resultados y extraer
conclusiones sobre su funcionamiento.
A. CALCULO CON VALORES REALES
Valores medidos
VOLTAJE DE SALIDA PICO - PICO
Vsal(pp)= 16 V

VOLTAJE COLECTOR - EMISOR

VCEQ1= 10.12 V
VCEQ2= 9.76 V

 

V sal
16V pp
Av =
=
V ent
19V pp
Av(real) = 0.84
Potencia de salida maxima
 

V pp2
162
Psal(max) =
=
8RL
8 (8.2)
P sal(max) = 3.9W atts


Distorcion por armonicos

En forma general:
Ve = Vc + Bo + B1 Cos(wt) + B2Cos(2wt)
Como la frecuencia aplicada fue de 1KHz tenemos que:

C ORRIENTE EN EL PUNTO Q
ICQ1= 7.687 mA
ICQ2= 7.512 mA

R ESISTENCIA DE ENTRADA
Rent= 616 Ohms

R ESISTENCIA DE CARGA
RL= 8.2 Ohms

R ESISTENCIA DEL CIRCUITO DE POLARIZACION

R1= 1.18K Ohms
R2= 1.173K Ohms

Vsal = VCEQ + Bo + B1Cos(2000 t) + B2Cos(4000t)

Cuando :
wt = 0 V sal = V max
wt = /2 V sal = V CEQ
wt = V sal = V min

Sustituyendo estos valores en Vsal nos queda:

Vmax = VCEQ + Bo + B1 + B2 [1]
VCEQ = VCEQ + Bo + B2 [2]
Vmin = VCEQ + Bo - B1 + B2 [3]

De la ecuacion [2] se tiene:

Corriente en el punto Q
 

10 1.4
VCC 2 VBE
=
R1
1.18K
ICQ1
 = 7.288mA
 

VCC 2 VBE
10 1.4
ICQ2 =
=
R1
1.173K
ICQ1 = 7.33mA


ICQ1 =

Resistencia de entrada

Rent = R1 k R2 = 1.18K k 1.173K

Rent = 588.24Ohms

Bo = B2
Restando [1] y [3]:
 


7.5 (8.5)
V max V min
=
B1 =
2
2
B1 = 8
Reemplazando B1 en [1] y despejando:


V max + V min 2V CEQ
B2 = Bo =

4
7.5 8.5 2
B2 = Bo =
4
B2 = Bo = 5.25

Ganancia (Av)
Nos queda:

Regulacion de carga 0.01% + 3mV (rating current + 3A)

Tiempo de recuperacion 100uS (50% cambio de carga,
carga minima 0.5A)

Vsal = DC + Fundamental + Segundo armonico

Donde:
DC = 10-5.25
Fundamental = 8Cos(2000 t)
Segundoarmonico = 5.25Cos(4000t)
La distorsion del segundo armonico es:
 


5.25
|B2|
=
D2 =
|B1|
8
D2 = 0.65625
%D2 = 65.62%

Generador de Funciones GW Instek SFG-2007 [8]

Rango de frecuencia: 1Hz - 20MHz
Precision de frecuencia: + 20ppm
Estabilidad de frecuencia: + 20ppm
Resolucion de frecuencia: 100mHz

Osciloscopio analogico GW GOS 653G [9]

Sensitivity 5mV a 5V/div + 3%
Bandwidth DC 50MHz
Input Impedance 1M ohms
IV. P ROCEDIMIENTO Y METODOLOGIA

III. C ONTENIDO
A. Materiales y equipos
Para el desarrollo del proyecto de laboratorio Amplificador
de potencia clase AB en arreglo complementario se utilizaron
los siguientes elementos:
A. Materiales
Un capacitores electrolticos de 100uF
Voltaje de ruptura: 50 V.
Dos resistencia de 1.2 k Ohms
Potencia de disipacion: un medio de Vatio
Una resistencia de 8.2 Ohms
Potencia de disipacion: 10 Vatios
Un potenciometro de 2 k Ohms
Dos transistores Darlington TIP142 [3]
Voltaje de ruptura 40 V, hFE 100
Corriente del colector 10mA
Dos transistores Darlington TIP147 [4]
Voltaje de ruptura 40 V, hFE 100
Corriente del colector 10mA
Diez jumpers.
Cuatro espadines.
Baquela de 10x10 cm.

En este proyecto de laboratorio se realizo el circuito impreso

correspondiente a un amplificador de potencia en banda media
utilizando transistores Darlington TIP 142 Y TIP147, la cual
consiste en dos transistores en configuracion clase AB con una
carga de 8.2 ohmios. El objetivo es obtener en la salida un
voltaje AC en banda media aproximadamente igual al voltaje
de entrada y una potencia de salida en banda media igual a 6
W. Al estar implementado el circuito en la baquela, verificar el
buen funcionamiento de los equipos a utilizar en la medicion,
se varo la frecuencia de la senal de entrada a una amplitud
pico de 10V mediante el generador de senales y se polarizo
el arreglo con una fuente DC dual a + 10V. Al determinar la
ganancia del amplificador implementado, se toma la amplitud
de la senal amplificada y se vario la frecuencia hasta encontrar
la que corresponde al 70.7% de su amplitud pico. De esta
manera, se determinaron las frecuencias de corte de la banda
media del amplificador implementado.
Mediante el osciloscopio analogo, se identifico la ganancia del
circuito implementado y, con ayuda del multmetro, se obtuvo
la potencia de salida en banda media.
El diseno de baquelita usado y el montaje para las mediciones
de voltaje y corriente fueron los siguientes:

B. Equipos
Dos multmetros UNIT UT71D [5]
Precision en la medicion de resistencia: 0.3%+8 dig).
Precision en la medicion de capacitancia:1.0%+20 dig).

Un Multimetro digital Fluke 177 [6]

Precision en la medicion de resistencia: (0.3% + 8 dig.)
Precision en la medicion de capacitancia: (1.0% + 20
dig.)
Precision en la medicion de tension CC (0,09% + 2)
Resolucion maxima 0,1 mV

Fuente de poder triple salida GW Instek GPC-30300 [7]

Regulacion de linea 0.01% + 3mV

Fig. 1. Circuito para baquelita hecho en Proteus V7

Fig. 5. Montaje para la medicion de las senales de entrada y salida

Fig. 2. Pistas para baquelita hechas en Proteus V7

Fig. 6. Montaje general

Fig. 3. Representacion 3D del circuito hecha en Proteus V7

Fig. 4. Circuito amplificador de potencia clase AB en arreglo complementario

Fig. 7. Superposicion de la senal de entrada y salida

Fig. 8. Superposicion de la senal de entrada y salida para medir la resistencia

de entrada

Fig. 9. Circuito con valores reales hecho en Proteusv7

Fig. 10. Circuito con valores reales hecho en Proteusv7

V. R ESULTADOS
Al validar los parametros de las premisas de diseno en el
circuito implementado (voltaje, corrientes y resistencia del
circuito, y la ganancia de este), se obtuvieron los resultados
mostrados en las tablas 1 y 2 para un amplificador de potencia
clase AB en arreglo complementario usando un transistor
TIP142 y TIP147.

VI. A N ALISIS
DE RESULTADOS
Despues de la respectiva etapa de diseno y simulacion procedemos a hacer la comparacion con los datos experimentales con
los datos calculados luego de haber materializado el circuito,
podemos observar que existe una gran gama de errores ,
esto quiere decir que una vez mas no tenemos una tasa
de error constante, ya que existen errores grandes y errores
pequenos. En este caso los errores mas grandes fueron los
correspondientes a la variable de mas importancia en nuestro
circuito que es la potencia de salida de este con un 35% de
error, esto nos hace dudar de la fidelidad de esta variable, el
error mas pequeno comparando los datos calculados con los
experimentales es el perteneciente a VCEQ1[Vmrs] con un
porcentaje de 1,2%. Las demas variables los demas errores no
sobrepasan las decenas error por lo cual vemos que el comportamiento se acerca a el comportamiento calculado aunque se
esperan mejores resultados. Nos atrevimos a comparar el comportamiento simulado con el comportamiento real de nuestro
circuito lo cual nos arrojo los siguientes resultados, el error
mas grande es el perteneciente a la variable ICQ1[mArms]
con un 13,69% y el mas bajo fue el perteneciente a la
variable VCEQ2[Vrms] con un 0,27% , los demas errores
fueron menores con respecto a la comparacion de los datos
calculados con los experimentales. Aunque esqta vez nuestra
variable mas importante no se encuentra dentro del error mas
grande lo que nos da dos ideas diferentes de lo que es el
comportamiento real de nuestro circuito. Algo que se pudo
observar en la experimentacion es que cuando el circuito se
encuentra mucho tiempo en funcionamiento, se empieza a ver
una degradacion en a potencia maim que pueden disipar os
transistores a medida que aumenta su temperatura, lo que hace
que cambien los valores a medir.
VII. C ONCLUSIONES
Despues de observar el degrade de la potencia con el aumento
de temperatura en los transistores podemos concluir que
la colocacion de los disipadores de calor era estrictamente
necesaria. El circuito a pesar de generar dos impresiones con
respecto a su comportamiento, este siempre cumple con la
funcion para la cual fue disenado, la cual es amplificar la
potencia. El nivel de confiabilidad de nuestro circuito es bueno
ya que las variables no tienen porcentajes de error muy grandes
lo que nos hace ver que la etapa de diseno y simulacion
fue realizada con exactitud, ya que el comportamiento real
de nuestro circuito no se aleja mucho del comportamiento

ideal simulado. En esta u ltima fase se logro cumplir con las

premisas de diseno establecidas previamente.
VIII. AUTORES
Fleming Ortiz Mangones estudiante de septimo nivel
de Ingeniera Electrica sus interese de investigacion
son Automatizacion Industrial.
Cheylibeth Ochoa Garca estudiante de septimo
nivel de Ingeniera Electronica, sus interes de
investigacion son Analisis de Sistemas de Potencia.
Edgardo Mercado Medina estudiante de sexto nivel
de Ingeniera Electrica, sus intereses de investigacion
son Analisis de Sistemas de Potencia y Transporte
de Energa.
Zulay Chavarro Hernandez estudiante de sexto
nivel de Ingeniera Electronica, sus intereses de
investigacion son Comunicaciones, Electronica de
Potencia.
Carlos Primera estudiante de octavo nivel
de Ingeniera Mecatronica, sus intereses de
investigacion son el diseno mecanico.
R EFERENCES
[1]B OYLESTAD , J OHN, Microelectronic Circuits, quinta edicion,
McGraw- Hill, Mexico, 2002.
[2] H AYT, W ILLIAM H, Analisis de circuitos en ingenieria,
McGraw-Hill Interamericana de Espana S.L., 2007.
[3] Obtenidos por web http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/
2N30904.pdf
[4] Obtenidos por web http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/
MultiUni.pdf
[5] Obtenidos por web http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/
MultiFlk.pdf
[6] Obtenidos por web http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/
AnalogOsc.pdf
[7] Obtenidos por web http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/
MultiUni.pdf
[8] Obtenidos por web http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/
fteDC.pdf
[9] Obtenidos por web http://www.finaltest.com.mx/product-p/sfg2007.htm