UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA
EE443 M

2015 II

LABORATORIO N 4A

TEMA: CARACTERISTICA CUADRATICA DEL FET

INTRODUCCION.Los transistores efecto de campo, (FET) son componentes unipolares debido a que su accin solo
depende de un tipo de portador de carga. Los FET pueden ser del tipo unin (JFET) y el tipo de
oxido metlico semiconductor ( MOSFET).Podemos citar entre las caractersticas del FET, las mas
saltantes que la corriente de drenaje I D esta controlada por el voltaje de compuerta de fuente VGS .,
mientras que el transistor bipolar la corriente de colector est controlada por la corriente de base.
Informe previo
Responda las siguientes preguntas:
1.- El canal de un JFET se puede restringir hasta que la corriente de drenaje se corta al incrementar la
polarizacin ----------------------------(directa, inversa) en la compuerta o la fuente.
2.-En un JFET de canal P el material semiconductor de la compuerta es-----------(P, N).
3.-La mxima corriente de drenaje segura,
fuente.

I DSS , se obtiene cuando la --------------esta en cortocircuito a la

4.-El voltaje de drenaje mximo en el que un JFET se puede operar con seguridad, cuando
denomina --------------------------.
5.-El voltaje de estrangulamiento,
(estabilizada , cortada).
6.-En el intervalo cuando

Vp

V p VDS

VGS = 0, se

, es el voltaje en el drenaje al cual la corriente esta------------------------..

mximo, I D permanece-------------------------------.

7.-Cuando GS = - p , I D es-------------------------------8.-Las curvas caractersticas del drenaje de u transistor unipolar corresponden a las curvas caractersticas
del colector de un transistor bipolar ---------------------( V, F)
9.-La curva caracterstica del drenaje muestra como --------------varia con---------------, cuando permanece
constante.
10.-La impedancia de entrada de un amplificador con FET es muy -----------------.
11.- Explicar tericamente un mtodo para determinar experimentalmente Vp.

12.- Explicar tericamente un mtodo para determinar DSS

13.-Mencione ventajas y desventajas del JFET vs BJT
Materiales
Fuente de alimentacin: Dos fuentes de voltaje
Multimetro digital, miliampermetro de 0 a 10 mA.
Semiconductores: JFET de canal N 2N5484 o equivalente.

Compuerta en corto circuito con la fuente,

VGS = 0

1. Conecte el circuito de la figura N1, con S1 abierto. Remueva

compuerta a tierra.

VGG y ponga en cortocircuito la

2. Establezca la salida de V DD en 0V; cierre S1. Mida y registre en la Tabla 1 la corriente de

drenaje, I D , para

VDS = 0 , VGS = 0.

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3. Incrementar la salida de V DD a DS = 0.5 V. Mida y registre en la Tabla N1 la corriente de

drenaje, ID, para VDS=0.5V,VGS=0.
4. Haga que VDS adopte los valores que se listan en la tabla .Para cada valor de VDS mida y
registre en la Tabla 1, el valor de ID.
5. Abra S1. Remueva el cortocircuito entre la compuerta y tierra.
0-10 mA

S1

..

S2

+
2N 5484

VD D

VG G

Fig.N1 Circuito experimental para determinar las caractersticas del drenaje del JFET canal N

Tabla N 1
ID , m A
V GS, V

VDS

- 0 .2 5 - 0 .5

- 0 .7 5 - 1 .0

- 1 .2 5

- 1 .5 - 1 .7 5

- 2 .0

- 2 .5

0
0 .5
1 .0
1 .5
2 .0
2 .5
3 .0
3 .5
4 .0
4 .5
5 .0
7 .0
9 .0
1 1 .0
1 3 .0
1 5 .0

Compuerta polarizada en inversa

1.
2.
3.
4.

Abra s1 y s2.
Haga VDD y VGG en 0Voltios.Cierre s1 y s2. Encienda la fuente.
Ajuste VGG y haga que VGG mida -0.25V.Mantenerlo en ese valor para los pasos 4 y 5.
Mida ID y registre su valor para VDS=0.

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5. Incremente VDD para cada valor listado en la tabla. Para cada valor de VDS mida y registre
ID en la Tabla 1.
6. Reduzca VDD a cero Voltios. Incremente VGG a -0.5 V., mantngalo en ese nivel para el
siguiente paso.
7. Repita los pasos anteriores para cada valor de VDS listado en la Tabla N1.
8. Repita los pasos anteriores hasta que alcance la corriente de drenaje de corte.
9. Apague la fuente.
Caracterstica de transferencia
1. s1 y s 2 estn abiertos, fijar VDD en 15 V, VGG = -2.5 V.
2. Cierre s1 y s 2 .Mantenga Vds constante en 15 V., mida y registre en la Tabla N2 los valores
de ID para cada valor de VGS. Abra s1 ..
-2.5

VGS ,V
ID

-2.0

-1.75

-1.5

-1.25

-1.0

-0.75

-0.50

-0.25

-0

, mA
3. Dibuje en papel milimetrado la familia de curvas caractersticas de drenaje con los datos de
la Tabla N1. VDS es el eje horizontal, e I D el vertical. Identifique cada curva caracterstica
V
por su valor VGS , identifique p .
4. Dibuje por separado en papel milimetrado la caracterstica de transferencia con los datos de
la Tabla N2, VGS es el eje horizontal, e I D el eje vertical.
5. Explique el procedimiento que se deber usar para verificar con experimentos que no hay
corriente de compuerta en el intervalo en el cual el JFET opera con normalidad.
6. Siguiendo el procedimiento, mida la corriente de compuerta, si hay, sobre el intervalo de
operacin normal del JFET.

Conteste las preguntas

1. a) A partir de sus graficas, Cul es el valor de

Vp

?Cmo identifica

Vp

V DS
2. a) A partir de las graficas, cul es el valor de I DSS ?Para que valores de VGS y
se
define I DSS ?
3. Con los datos de la Tabla N1 y la familia de curvas caractersticas, compare el nivel de
corriente de drenaje para cada valor de VGS , en el intervalo de VDS = 5 V a 15 V.Cuales
son sus conclusiones?
4. Su experimento indica que es mas efectivo para controlar la corriente de drenaje, VDS o VGS
?Explique con base en sus datos.
V
5. En este experimento cual es el valor de gs en el que la corriente, I D , se corta?Como se
V
compara con p ?
6. A partir de las curvas caractersticas de drenaje obtenidas de la Tabla N1, determine el
valor de I D , para cada valor de VGS , en la Tabla N2, en VDS = 15 V., compare estos valores
de I D , con los obtenidos en la Tabla N2. Explique cualquier diferencia.
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7. Realice una autoevaluacin

Expresando su opinin y la de su grupo de la manera mas objetiva posible, calificando con una
nota del 1 al 10 su participacin en la experiencia:
Participantes\item

Hemos
trabajado
En equipo

Hemos trabajado
ordenadamente

Hemos
aprendido

Funciono
La
experiencia

Con que nota

calificarias a
tus compaeros

N 1
N 2
N 3
N 4

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