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ESCUELA DE INGENIERA
FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES
1ER. PARCIAL
CATEDRTICO: VCTOR ARMANDO
BOLAOS RODRGUEZ
ALUMNOS:
MNICA ITZEL GOPAR MENDEZ
ROGELIO ESTEVA PEA
JOS ALEJANDRO SILVA MEDINA
MARCO TERICO
Electrn:
Partcula que se encuentra alrededor del ncleo del tomo y que tiene carga
elctrica negativa.
Electrones de Valencia:
Son aquellos que se encuentran en los mayores niveles de energa de
determinado tomo. Son los que posibilitan la reaccin de un tomo con otro, del
mismo elemento o de elementos diferentes, ya que tienen facilidad o
predisposicin para participar en los enlaces.
Material Tipo N:
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen
cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsenico y el
fosforo. El efecto de tales elementos de impureza se indica en la Figura 1.1 (con
antimonio como la impureza en una base de silicio).
Figura 1.1
Material Tipo P:
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con
tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms
utilizados para este propsito son boro, galio e indio. El efecto de uno de estos
elementos, el boro, en una base de silicio se indica en la figura 1.2.
Figura 1.2
Diodo:
Figura 1.3
La polaridad del diodo rectificador se expresa con una franja oscura dibujada junto a uno de
los terminales del elemento (Figura 1.3.1) y que indica el lado por el cual no entra la
corriente.
Figura 1.3.1
Condicindepolarizacineninversa(VD<0V)
SiseaplicaunpotencialexternodeVvoltsatravsdelauninpnconlaterminalpositiva
conectadaalmaterialtiponylanegativaconectadaalmaterialtipopcomosemuestraen
lafigura1.4,elnmerodeionespositivosreveladosenlaregindeempobrecimientodel
materialtipo n seincrementarporlagrancantidaddeelectroneslibresatradosporel
potencialpositivodelvoltajeaplicado. Lacorrienteencondicionesdepolarizacinen
inversasellamacorrientedesaturacineninversayestrepresentadaporIs.
Figura 1.4
Figura 1.5
DESARROLLO
Para obtener la caracterstica tensin- intensidad del diodo, montaremos el circuito
que se muestra en la figura 1.5:
Figura 1.5
Materiales:
1 Protoboard
1 Diodo 0.7 V
1 Resistencia 120 k
1 Fuente de Voltaje
1 Voltmetro
Cables
Dado que se quiere medir la diferencia de potencial entre las terminales del diodo
y la intensidad que lo atraviesa, colocaremos el voltmetro en los extremos del
diodo y, para medir la intensidad, colocaremos nuevamente el voltmetro en los
extremos de la resistencia (de tal manera que al aplicar la ley de Ohm I= V(R)
conoceremos la intensidad). El diodo, tal como aparece en el circuito de la Figura
1.6, est polarizado en forma directa y por lo tanto deja pasar la corriente. Para
medir los valores de tensin e intensidad en polarizacin inversa, no tenemos que
hacer ms que darle la vuelta al diodo (circuito de abajo). Utilizaremos una fuente
de corriente continua porque se trata de aplicar diferentes valores de la tensin a
una polaridad determinada.
Una vez montado el circuito con el diodo en polarizacin directa primero y en
polarizacin inversa despus, medimos los valores de tensin e intensidad,
variando los valores de la tensin de la fuente, tal como aparecen en la siguiente
tabla (los valores de la fuente son aproximados, los qu tendremos en cuenta son
los valores medidos con el voltmetro).
Fuente
0
0.7
Voltaje en el
Diodo
Intensidad
0
0.347
0
0.001577273
Voltaje en
Resistor
0
0.266
6
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
15
15.5
16
16.5
17
17.5
18
18.5
19
19.5
20
20.5
0.37
0.388
0.404
0.415
0.423
0.43
0.435
0.441
0.445
0.449
0.451
0.456
0.46
0.463
0.466
0.468
0.471
0.473
0.474
0.478
0.479
0.481
0.483
0.484
0.487
0.488
0.489
0.491
0.492
0.494
0.495
0.496
0.498
0.499
0.501
0.501
0.503
0.504
0.505
0.506
0.001681818
0.001763636
0.001836364
0.001886364
0.001922727
0.001954545
0.001977273
0.002004545
0.002022727
0.002040909
0.00205
0.002072727
0.002090909
0.002104545
0.002118182
0.002127273
0.002140909
0.00215
0.002154545
0.002172727
0.002177273
0.002186364
0.002195455
0.0022
0.002213636
0.002218182
0.002222727
0.002231818
0.002236364
0.002245455
0.00225
0.002254545
0.002263636
0.002268182
0.002277273
0.002277273
0.002286364
0.002290909
0.002295455
0.0023
0.597
0.998
1.507
2.061
2.499
2.97
3.538
3.99
4.459
4.955
5.468
6.015
6.478
7.01
7.49
7.93
8.47
8.97
9.48
9.99
10.46
10.98
11.4
11.9
12.45
12.97
13.44
13.92
14.47
14.93
15.47
15.88
16.41
16.91
17.43
17.93
18.45
18.89
19.41
19.86
21
21.5
22
22.5
23
23.5
24
24.5
25
25.5
26
26.5
27
27.5
28
28.5
29
29.5
30
30.5
31
31.5
32
0.507
0.509
0.51
0.511
0.511
0.512
0.514
0.514
0.516
0.516
0.518
0.518
0.518
0.519
0.52
0.521
0.521
0.522
0.524
0.525
0.525
0.526
0.527
0.002304545
0.002313636
0.002318182
0.002322727
0.002322727
0.002327273
0.002336364
0.002336364
0.002345455
0.002345455
0.002354545
0.002354545
0.002354545
0.002359091
0.002363636
0.002368182
0.002368182
0.002372727
0.002381818
0.002386364
0.002386364
0.002390909
0.002395455
20.36
20.92
21.4
21.91
22.41
22.89
23.43
23.88
24.4
24.89
25.39
25.9
26.44
26.85
27.39
27.85
28.36
28.88
29.34
29.86
30.37
30.92
31.35
Voltaje en el Diodo
Intensidad
Voltaje en Resistor
ONCLUSIN
En esta entrega estudiamos al diodo en un circuito elctrico y sus caractersticas
BIBLIOGRAFA
Boylestad L., Robert. Electronica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electronicos .
Dcima Edicin. Editorial Pearson, Mxico, 2009. 912 p.
http://quimica.laguia2000.com/general/electron-de-valencia#ixzz40jh8oMVC