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DE MORELIA
INGENIERIA EN ELECTRONICA
FISICA DE SEMICONDUCTORES
Grupo B
5to semestre
Erick Gonzlez Lpez
Matricula: 13121115
Javier Alcauter Flores
Matricula: 13121071
Fecha 27/11/2015
Practica No. 5
Instituto Tecnolgico de Morelia
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Fsica de semiconductores
Rc
Rb
T1 !NPN
Vcc
Vbb
Figura 1.
En caso de usar un transistor pnp las polaridades de las fuentes deben de invertirse.
Reportar:
-Marco terico
-Clculos Hechos.
-Mediciones.
-Observaciones.
-Explicacin de las diferencias teora-practica.
-Conclusiones.
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Fsica de semiconductores
Transistor Bipolar
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o
sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.
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Fsica de semiconductores
Desarrollo practico
Transistor usado PN2222A
Seleccionaremos un transistor de pequea seal y de propsito
general en este caso un transistor PN2222A en cual determinamos
los pines Emisor, Base, Colector y que en este caso usamos el
multmetro para determinarlas y obtuvimos que el multmetro
marcaba solo cuando estaba la punta positiva en la pata del centro
deduciendo que esa era la base y la unin era NPN y despus solo
comparamos las marcaciones para detectar emisor y colector (EB=727 y B-C=725) despus con las hojas de datos comprobamos si
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Fsica de semiconductores
Voltajes de ruptura:
Los voltajes de ruptura se obtuvieron creando un circuito con el variac un diodo
rectificador al circuito tambin se le aumento un resistencia limitadora de corriente de
10K y lo nico que se realiz despus fue acomodar el circuito en la parte de la unin
donde se deseaba obtener el voltaje de ruptura.
Voltajes de ruptura para el transistor NPN 2N2222 bajo la supervisin del profesor:
C-B => 140V
C-E => 60V
E-B => 8V
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Clculos
Clculos para obtener el valor de Rb y Ib
Ic
Ib
=
Rb
Ib=
VbbVbe 12 v0.7 v
=
=
Ib
6 mA
1883.333
Ic 300 mA
=
=6 mA
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CURVAS DE SALIDA
Para las siguiente parte polarizamos el transistor en emisor comn
utilizando una corriente de colector de la mitad de la corriente
mxima del transistor y mediante la fuente Vbb ajustare la corriente
de base y cambiando el voltaje de 0v hasta 24v medir la corriente
de colector y el voltaje colector emisor, y se repetir estos
procedimientos para al menos dos valores debajo de la corriente de
base menores que la necesaria para tener la mitad de la corriente
de colector mxima del transistor
a)
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Fsica de semiconductores
b)
Figura.5.8. a) circuito necesario para obtener las curvas de salida
b) Tabla de valores para valores diferentes de corriente de base (para graficar curvas
de salida).
Figura.5.9. Curvas de salida para los valores prcticos de las tablas Figura.6.8.
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CURVAS DE ENTRADA
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Para obtener las curvas de entrada se dise un nuevo circuito el cual no calentara el
dispositivo para esto se sustituyeron los valores de resistencia los cuales nos ayudaban
a obtener las corrientes deseadas tambin se utiliz el generador de seales el cual
suministrara al circuito los valores deseados pero pulsada mente con lo cual se logra
evitar que el dispositivo se caliente.
Figura.5.12.Tabla de valores prcticos para las curvas de entrada del transistor 2N2222A
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Fsica de semiconductores
CONCLUSION
ERICK GONZALEZ LOPEZ
En esta prctica entend como identificar los pines de un
transistor, y que las condiciones normales de un transistor
NPN se dan cuando el diodo B-E esta polarizado en forma
directa y el diodo B-C est en polarizacin inversa, en esta
condicin gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar esta debido a la baja
contaminacin y grosor
y logran llegar as al colector,
adems de las funciones que tiene como por ejemplo un
amplificador de seales, oscilador, rectificador etc. Y que
deja pasar o cortar seales a partir de una seal de mando,
y de las etapas de corte, activa y saturacin con respecto a
la corriente de base podra funcionar como un interruptor y
las grficas que obtuvimos llegan a un punto de Vds. en el
que ID ya no crece y se mantiene constante para la regin
de saturacin. Adems de que la corriente colector-emisor
puede como ser controlada por la corriente de base-emisor
como un control de corriente o de voltaje, debido a la
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CONCLUSION
Javier Alcauter Flores
Para poder identificar las terminales y el tipo de la unin del
transistor se realizaron varias combinaciones con las putas
del multimetro hasta que se encontr la terminal comn
donde siempre marcaba algo el multimetro de ah se supo
que esa era la base solo haba que checar que punta estaba
en la base para ver el tipo de la unin que en nuestro caso
fue npn despus se midi entre las terminales para ver que
marcaba el multimetro y se observ que daba dos valores
diferentes con los que se supo que el emisor estaba en la
parte donde marcaba ms debido a que existen ms
impurezas en el emisor que en el colector.
Para obtener las curvas de entrada y de salida se tuvieron
que armar sus circuitos respectivamente para no daar
nuestros componentes para las curvas de entrada se tuvo
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