16/3/2016

TransistorWikipedia,laenciclopedialibre

Transistor
DeWikipedia,laenciclopedialibre
Eltransistoresundispositivoelectrnicosemiconductorutilizadoparaentregarunasealdesalidaenrespuestaauna
sealdeentrada.1Cumplefuncionesdeamplificador,oscilador,conmutadororectificador.Eltrminotransistores
lacontraccineninglsdetransferresistor(resistordetransferencia).Actualmenteseencuentraprcticamenteen
todoslosaparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras,lmparasfluorescentes,tomgrafos,telfonoscelulares,entreotros.

Transistor

ndice
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tiposdetransistor
3.1 Transistordecontactopuntual
3.2 Transistordeuninbipolar
3.3 Transistordeefectodecampo
3.4 Fototransistor
4 Transistoresyelectrnicadepotencia
5 Construccin
5.1 Materialsemiconductor
6 Eltransistorbipolarcomoamplificador
6.1 Emisorcomn
6.2 Basecomn
6.3 Colectorcomn
7 Eltransistorbipolarfrentealavlvulatermoinica
8 Vasetambin
9 Referencias
10 Enlacesexternos

Eltamaodeuntransistorguardarelacinconlapotenciaquees
capazdemanejar.

Tipo

Semiconductor

Invencin

JohnBardeen,WalterHouserBrattain
yWilliamBradfordShockley(1947)
Smboloelectrnico

Historia
El fsico austrohngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit en Canad en el ao 19252 una patente para lo que l
denomin"unmtodoyunaparatoparacontrolarcorrienteselctricas"yqueseconsideraelantecesordelosactuales
transistores de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado slido del triodo. Lilienfeld
Configuracin Emisor,baseycolector
tambin solicit patentes en los Estados Unidos en los aos 19263 y 1928. 4 5 Sin embargo, Lilienfeld no public
[editardatosenWikidata]
ningnartculodeinvestigacinsobresusdispositivosnisuspatentescitanalgnejemploespecficodeunprototipo
de trabajo. Debido a que la produccin de materiales semiconductores de alta calidad an no estaba disponible por
entonces,lasideasdeLilienfeldsobreamplificadoresdeestadoslidonoencontraronunusoprcticoenlosaos1920y
1930,aunqueundispositivodeestetipoyasehabaconstruido.6
En1934,elinventoralemnOskarHeilpatentenAlemaniayGranBretaa 7undispositivosimilar.Cuatroaosdespus,
lostambinalemanesRobertPohlyRudolfHilschefectuaronexperimentosenlaUniversidaddeGttingen,concristalesde
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificacin de seales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos prcticos. 8 Mientras tanto, la experimentacin en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de xido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del
alemnWalterSchottkyydelinglsNevillMott,llevaronapensaren1938aWilliamShockleyqueera posible lograrla
construccindeamplificadoresabasedesemiconductores,enlugardetubosdevaco.8
Desdeel17denoviembrede1947hastael23dediciembrede1947,losfsicosestadounidensesJohnBardeen y Walter
HouserBrattaindelosLaboratoriosBell 9llevaronacabodiversosexperimentosyobservaronquecuandodoscontactos
puntualesdeoroeranaplicadosauncristaldegermanio,seprodujounasealconunapotenciadesalidamayorquelade
Rplicadelprimertransistorenactividad,que
entrada.10 El lder del Grupo de Fsica del Estado Slido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los
hoypertenecealaempresaLucent
siguientesmeses,trabajparaampliarengranmedidaelconocimientodelossemiconductores.Eltrmino"transistor"fue
Technologies.
sugeridoporelingenieroestadounidenseJohnR.Pierce,basndoseendispositivossemiconductoresyaconocidosentonces,
comoeltermistoryelvaristorybasndoseenlapropiedaddetransrresistenciaquemostrabaeldispositivo. 11Segnuna
biografadeJohnBardeen,ShockleyhabapropuestoquelaprimerapatenteparauntransistordelosLaboratoriosBelldebaestarbasadoenelefectodecampoyquel
fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido aos atrs, los abogados de los Laboratorios Bell
desaconsejaronlapropuestadeShockleyporquelaideadeuntransistordeefectodecamponoeranueva.Ensulugar,loqueBardeen,BrattainyShockleyinventaronen
1947fueelprimertransistordecontacto,cuyaprimerapatentesolicitaronlosdosprimerosnombrados,elda17dejuniode1948, 12alacualsiguieronotraspatentes
acercadeaplicacionesdeestedispositivo. 131415Enreconocimientoaestelogro,Shockley,BardeenyBrattainfuerongalardonadosconjuntamenteconelPremioNobel
deFsicade1956"porsusinvestigacionessobresemiconductoresysudescubrimientodelefectotransistor".16
En1948,eltransistordecontactofueinventadoindependientementeporlosfsicosalemanesHerbertMataryHeinrichWelker,mientrastrabajabanenlaCompagniedes
FreinsetSignaux,unasubsidiariafrancesadelaestadounidenseWestinghouse.Matartenaexperienciapreviaeneldesarrolloderectificadoresdecristaldesilicioyde
germaniomientrastrabajabaconWelkereneldesarrollodeunradaralemndurantela SegundaGuerraMundial.Usandoesteconocimiento,lcomenzainvestigarel
fenmeno de la "interferencia" que haba observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Matar produjo resultados consistentes y
reproduciblesutilizandomuestrasdegermanioproducidasporWelker,similaresaloqueBardeenyBrattainhabanlogradoanteriormenteendiciembrede1947.Aldarse
cuentadequeloscientficosdeLaboratoriosBellyahabaninventadoeltransistorantesqueellos,laempresaseapresuraponerenproduccinsudispositivollamado
"transistron"parasuusoenlaredtelefnicadeFrancia.17

ElprimertransistordealtafrecuenciafueeltransistordebarreradesuperficiedegermaniodesarrolladoporlosestadounidensesJohnTileyyRichardWilliamsdePhilco
Corporationen1953, 18capazdeoperarconsealesdehasta60MHz.19Parafabricarlo,seusunprocedimientocreadoporlosyamencionadosinventoresmedianteel
cualerangrabadasdepresionesenunabasedegermaniotipoNdeambosladosconchorrosdesulfatodeindiohastaquetuvieraunasdiezmilsimasdepulgadadeespesor.
ElIndioelectroplateadoenlasdepresionesformelcolectoryelemisor.20Elprimerreceptorderadioparaautomvilesquefueproducidoen1955porChrysleryPhilco,
usestostransistoresensuscircuitosytambinfueronlosprimerosadecuadosparalascomputadorasdealtavelocidaddeesapoca.2122
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954 por el qumico Morris Tanenbaum. 23 El da 20 de junio de 1955,
TanenbaumyCalvinFuller,solicitaronunapatenteparaunprocedimientoinventadoporambosparaproducirdispositivossemiconductores.24Elprimertransistordesilicio

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TanenbaumyCalvinFuller,solicitaronunapatenteparaunprocedimientoinventadoporambosparaproducirdispositivossemiconductores.24Elprimertransistordesilicio
comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien haba trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el
crecimiento de cristales de alta pureza. 25 El primer transistor JFET fue construido por el coreanoestadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos
ingenierosdelosLaboratoriosBell,en1960.2627

Funcionamiento
Eltransistorconstadeunsustrato(usualmentesilicio)ytrespartesdopadasartificialmente(contaminadasconmaterialesespecficosencantidadesespecficas)queforman
dosunionesbipolares:elemisorqueemiteportadores,elcolectorquelosrecibeorecolectaylatercera,queestintercaladaentrelasdosprimeras,modulaelpasode
dichosportadores(base).Adiferenciadelasvlvulas,eltransistoresundispositivocontroladoporcorrienteydelqueseobtienecorrienteamplificada.Eneldiseode
circuitosalostransistoresselesconsideraunelementoactivo,28adiferenciadelosresistores,condensadoreseinductoresquesonelementospasivos.29
Demanerasimplificada,lacorrientequecirculaporelcolectoresfuncinamplificadadelaqueseinyectaenelemisor, pero el transistor slo grada la corriente que
circulaatravsdesmismo,sidesdeunafuentedecorrientecontinuasealimentalabaseparaquecirculelacargaporelcolector,segneltipodecircuitoqueseutilice.El
factordeamplificacinoganancialogradoentrecorrientedecolectorycorrientedebase,sedenominaBetadeltransistor.Otrosparmetrosatenerencuentayqueson
particularesdecadatipodetransistorson:TensionesderupturadeColectorEmisor,deBaseEmisor,deColectorBase,PotenciaMxima,disipacindecalor,frecuenciade
trabajo,yvariastablasdondesegraficanlosdistintosparmetrostalescomocorrientedebase,tensinColectorEmisor,tensinBaseEmisor,corrientedeEmisor,etc.Los
trestiposdeesquemas(configuraciones)bsicosparautilizacinanalgicadelostransistoressonemisorcomn,colectorcomnybasecomn.
Modelosposterioresaltransistordescrito,eltransistorbipolar(transistoresFET,MOSFET,JFET,CMOS,VMOS,etc.)noutilizalacorrientequeseinyectaenelterminal
debaseparamodularlacorrientedeemisorocolector,sinolatensinpresenteenelterminaldepuertaygradalaconductanciadelcanalentrelosterminalesdeFuentey
Drenaje.Cuandolaconductanciaesnulayelcanalseencuentraestrangulado,porefectodelatensinaplicadaentreCompuertayFuente,eselcampoelctricopresenteen
el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin
amplificadadelatensinpresenteentrelacompuertaylafuente,demaneraanlogaalfuncionamientodeltriodo.
Lostransistoresdeefectodecamposonlosquehanpermitidolaintegracinagranescaladisponiblehoyendaparatenerunaideaaproximadapuedenfabricarsevarios
cientosdemilesdetransistoresinterconectados,porcentmetrocuadradoyenvariascapassuperpuestas.

Tiposdetransistor
Transistordecontactopuntual
Llamadotambintransistordepuntadecontacto,fueelprimertransistorcapazdeobtenerganancia,inventadoen1947por
John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacincobrexidodecobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el
colector.Lacorrientedebaseescapazdemodularlaresistenciaqueseveenelcolector,deahelnombredetransferresistor.
Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un
golpepodadesplazarlaspuntas)yruidoso.Sinembargoconviviconeltransistordeunindebidoasumayoranchodebanda.
Enlaactualidadhadesaparecido.

Distintosencapsuladosdetransistores.

Transistordeuninbipolar
Eltransistordeuninbipolar(oBJT,porsussiglasdelinglsbipolarjunctiontransistor)sefabricasobreunmonocristaldematerial
semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
elctricoylasdeunaislante.Sobreelsustratodecristalsecontaminanenformamuycontroladatreszonassucesivas,NPNoPN
P,dandolugaradosunionesPN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el sustrato con tomos de elementos
donantesdeelectrones,comoelarsnicooelfsforomientrasquelaszonasP(dondesegeneranportadoresdecarga Positiva o
huecos)selograncontaminandocontomosaceptadoresdeelectrones,comoelindio,elaluminiooelgalio.
Latreszonascontaminadas,dancomoresultadotransistoresPNPoNPN,dondelaletraintermediasiemprecorrespondealaregin
de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminacinentreellas(porlogeneral,elemisorestmuchomscontaminadoqueelcolector).
Elmecanismoquerepresentaelcomportamientosemiconductordependerdedichascontaminaciones,delageometraasociaday
deltipodetecnologadecontaminacin(difusingaseosa,epitaxial,etc.)ydelcomportamientocunticodelaunin.

DiagramadeTransistorNPN

Transistordeefectodecampo
Eltransistordeefectodecampodeunin(JFET),fueelprimertransistordeefectodecampoenlaprctica.Loformaunabarradematerialsemiconductordesiliciodetipo
N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regionesPenunabarradematerialNyseconectanexternamenteentres,seproducirunapuerta.Aunodeestoscontactoslellamaremossurtidoryalotrodrenador.
Aplicandotensinpositivaentreeldrenadoryelsurtidoryconectandolapuertaalsurtidor,estableceremosunacorriente,alaquellamaremoscorrientededrenadorcon
polarizacincero.Conunpotencialnegativodepuertaalquellamamostensindeestrangulamiento,cesalaconduccinenelcanal.
Eltransistordeefectodecampo,oFETporsussiglaseningls,quecontrolalacorrienteenfuncindeunatensintienenaltaimpedanciadeentrada.
Transistordeefectodecampodeunin,JFET,construidomedianteunauninPN.
Transistordeefectodecampodecompuertaaislada,IGFET,enelquelacompuertaseasladelcanalmedianteundielctrico.
TransistordeefectodecampoMOS,MOSFET,dondeMOSsignificaMetalxidoSemiconductor,enestecasolacompuertaesmetlicayestseparadadelcanal
semiconductorporunacapadexido.

Fototransistor
Losfototransistoressonsensiblesalaradiacinelectromagnticaenfrecuenciascercanasaladelaluzvisibledebidoaestosuflujodecorrientepuedeserreguladopor
mediodelaluzincidente.Unfototransistores,enesencia,lomismoqueuntransistornormal,sloquepuedetrabajarde2manerasdiferentes:
Comountransistornormalconlacorrientedebase(IB)(modocomn)
Comofototransistor,cuandolaluzqueincideenesteelementohacelasvecesdecorrientedebase.(IP)(mododeiluminacin).

Transistoresyelectrnicadepotencia
Coneldesarrollotecnolgicoyevolucindelaelectrnica,lacapacidaddelosdispositivossemiconductoresparasoportarcadavezmayoresnivelesdetensinycorriente

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Coneldesarrollotecnolgicoyevolucindelaelectrnica,lacapacidaddelosdispositivossemiconductoresparasoportarcadavezmayoresnivelesdetensinycorriente
hapermitidosuusoenaplicacionesdepotencia.Esascomoactualmentelostransistoressonempleadosenconversoresestticosdepotencia,controlesparamotoresy
llavesdealtapotencia(principalmenteinversores),aunquesuprincipalusoestbasadoenlaamplificacindecorrientedentrodeuncircuitocerrado.

Construccin
Materialsemiconductor
Caractersticasdelmaterialsemiconductor
LosprimerosBJTsehicieronapartirdegermanio(Ge).Silicio(Si)los
tipos actualmente predominan pero ciertas versiones de microondas
Tensindirecta Movilidadelectrnica Movilidaddeagujeros
Max.
Material
avanzado y de alto rendimiento ahora emplean el semiconductor
delaunin
unintemp.
2/(Vs)@25C
2/(Vs)@25C
semiconductor
m
m
V@25C
C
compuesto de arseniuro de galio de material (GaAs) y el silicio
germanio aleacin de semiconductores (SiGe). Individual material del
Ge
0.27
0.39
0.19
70to100
elementosemiconductor(GeySi)sedescribecomoelemental.
Si
0.71
0.14
0.05
150to200

Eltransistorbipolarcomoamplificador

GaAs

1.03

0.85

0.05

150to200

AlSiunin

0.3

150to200

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos

(ModelodeEbersMoll),unoentrebaseyemisor,polarizadoendirectoyotrodiodoentrebaseycolector,polarizadoeninverso.Estoquieredecirqueentrebaseyemisor
tendremosunatensinigualalatensindirectadeundiodo,esdecir0,6a0,8Vparauntransistordesilicioyunos0,4paraelgermanio.
Lointeresantedeldispositivoesqueenelcolectortendremosunacorrienteproporcionalalacorrientedebase:IC=IB,esdecir,gananciadecorrientecuando>1.Para
transistoresnormalesdeseal,varaentre100y300.Existentresconfiguracionesparaelamplificadortransistorizado:emisorcomn,basecomnycolectorcomn.

Emisorcomn
Lasealseaplicaalabasedeltransistoryseextraeporelcolector.Elemisorseconectaalpuntodetierra(masa)tantodela
sealdeentradacomodesalida.Enestaconfiguracin,existetantogananciatantodetensincomodecorriente.Encasode
tener resistencia de emisor, (RE) debe ser mayor de 50 ohmios, y para frecuencias bajas, la se aproxima bastante bien la
impedanciadesalida,porRCylagananciaentensinporlaexpresin:

Comolabaseestconectadaalemisorporundiodopolarizadoendirecto,entreellossepuedesuponerqueexisteunatensin
constante,denominada
yqueelvalordeesconstante.Delgrficoadjunto,sededucequelatensindeemisores:

Ylacorrientedeemisor:
.
Lacorrientedeemisoresigualaladecolectormsladebase:

Emisorcomn.

Despejandolacorrientedecolector:

Latensindesalida,queesladecolectorsecalculaas:

Como>>1,sepuedeaproximar:

y,entoncesesposiblecalcularlatensindecolectorcomo:

La parte entre parntesis es constante (no depende de la seal de entrada), y la restante expresa la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est
desfasada180respectoaladeentrada.

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desfasada180respectoaladeentrada.
Finalmente,lagananciaesexpresadacomo:

Lacorrientedeentrada,

Suponiendoque

,si

puedeexpresarsecomosigue:

,podemosescribir:

Aldividirlatensinycorrienteenlabase,laimpedanciaoresistenciadeentradaquedacomo:

Paratenerencuentalainfluenciadefrecuenciasedebenutilizarmodelosdetransistormselaborados.Esmuyfrecuenteusarelmodeloenpi.

Basecomn
Lasealseaplicaalemisordeltransistoryseextraeporelcolector.Labaseseconectaalasmasastantodelasealdeentradacomoaladesalida.Enestaconfiguracinse
tienegananciaslodetensin.Laimpedanciadeentradaesbajaylagananciadecorrientealgomenorqueuno,debidoaquepartedelacorrientedeemisorsaleporlabase.
Siaadimosunaresistenciadeemisor,quepuedeserlapropiaimpedanciadesalidadelafuentedeseal,unanlisissimilaralrealizadoenelcasodeemisorcomn,da
comoresultadoquelagananciaaproximadaes:
Labasecomnsesueleutilizarparaadaptarfuentesdesealdebajaimpedanciadesalidacomo,porejemplo,micrfonosdinmicos.

Colectorcomn
Lasealseaplicaalabasedeltransistoryseextraeporelemisor.Elcolectorseconectaalasmasastantodelasealdeentradacomoaladesalida.Enestaconfiguracin
setienegananciadecorriente,peronodetensinqueesligeramenteinferioralaunidad.Laimpedanciadeentradaesalta,aproximadamente+1veceslaimpedanciade
carga.Adems,laimpedanciadesalidaesbaja,aproximadamentevecesmenorqueladelafuentedeseal.

Eltransistorbipolarfrentealavlvulatermoinica
Antesdelaaparicindeltransistor,eranusadaslasvlvulastermoinicas.Lasvlvulastienencaractersticaselctricassimilares
aladelostransistoresdeefectocampo(FET):lacorrientequelosatraviesadependedelatensinenelterminalllamadorejilla.
Lasrazonesporlasqueeltransistorreemplazalavlvulatermoinicasonvarias:
Lasvlvulasnecesitantensionesmuyaltas,delordendelascentenasdevoltios,quesonpeligrosasparaelserhumano.
Lasvlvulasconsumenmuchaenerga,loquelasvuelveparticularmentepocotilesparaelusoconbateras.
Elpeso:Elchasisnecesarioparaalojarlasvlvulasylostransformadoresrequeridosparasufuncionamientosumabanun
pesoimportante,queibadesdealgunoskilosadecenasdekilos.
Eltiempomedioentrefallasdelasvlvulastermoinicas,elcualesmuycortocomparadoconeldelostransistores,sobre
todoacausadelcalorgenerado.
Retardo en el arranque: Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar
calientesparaestablecerlaconduccin.
Elefectomicrofnico:Muyfrecuenteenlasvlvulasadiferenciadelostransistores,quesonintrnsecamenteinsensiblesa
l.
Tamao:Lostransistoressonmspequeosquelasvlvulas.Aunqueexisteunanimidadsobreestepunto,convienehacer
unasalvedad:enelcasodedispositivosdepotencia,estosdebenllevarundisipador,demodoqueeltamaoquesehade
considerar es el del dispositivo (vlvula o transistor) ms el del disipador. Como las vlvulas pueden funcionar a
temperaturas ms elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un
disipadormuchomspequeo.
Lostransistorestrabajanconimpedanciasbajas,oseacontensionesreducidasycorrientesaltasmientrasquelasvlvulas
presentanimpedanciaselevadasyporlotantotrabajanconaltastensionesypequeascorrientes.
Costo:Lostransistorescostabanmenosquelasvlvulas,desdesulanzamientoinicialysecontconlapromesadelas
empresas fabricantes de que su costo continuara bajando (como de hecho ocurri) con suficiente investigacin y
desarrollo.
Comoejemplodetodosestosinconvenientessepuedecitaralaprimeracomputadoradigital,llamadaENIAC,lacualpesaba
ms de treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequea ciudad, a causa de sus
aproximadamente18000vlvulas,delascualesalgunassequemabancadada,necesitandounalogsticayunaorganizacin
importantesparamanteneresteequipoenfuncionamiento.

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Basecomn.

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importantesparamanteneresteequipoenfuncionamiento.
Eltransistorbipolarreemplazprogresivamentealavlvulatermoinicaduranteladcadade1950,peronodeltodo.Enefecto,
durantelosaos1960,algunosfabricantessiguieronutilizandovlvulastermoinicasenequiposderadiodegamaalta,como
Collins y Drake luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo en los amplificadores de
radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos elctricos musicales como Fender, siguieron utilizando vlvulas en sus
amplificadoresdeaudioparaguitarraselctricas.Lasrazonesdelasupervivenciadelasvlvulastermoinicassonvarias:
Faltadelinealidad:Eltransistornotienelascaractersticasdelinealidadaaltapotenciadelavlvulatermoinica,porlo
Colectorcomn.
que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisin de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta
variosaosdespus.[citarequerida]
Generacindesealesarmnicas:Lassealesarmnicasintroducidasporlafaltadelinealidaddelasvlvulasresultanagradablesalodohumano,comodemuestrala
psicoacstica,porloquesonpreferidosporlosaudifilos.
Sensibilidadaexplosionesnucleares:Eltransistoresmuysensiblealosefectoselectromagnticosdelasexplosionesnucleares,porloquesesiguieronutilizando
vlvulastermoinicasenalgunossistemasdecontrolycomandodeavionescazadefabricacinsovitica.[citarequerida]
Manejodealtaspotencias:Lasvlvulassoncapacesdemanejarpotenciasmuygrandes,adiferenciadelaquemanejabanlosprimerostransistoressinembargoda
travsdelosaossedesarrollaronetapasdepotenciaconmltiplestransistoresenparalelocapacesdeconseguirmanejodepotenciasmayores.
Vansetambin:VlvulatermoinicayTransistorbipolar.

Vasetambin
Historiadeltransistor
Quiteron
Semiconductor
Transistordealeacin
Transistordepelculadelgada
Transistordeuninbipolar
TransistorIGBT
Transistoruniunin
Vlvulatermoinica

Referencias
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7.Patent
GB439457:
Improvements
in
or
relating
to
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and
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control
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(http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument?CC=GB&NR=439457A&KC=A&FT=D&ND=1&date=19351206&DB=&locale=en_EP) (en ingls). European
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k4C&printsec=frontcover#v=onepage&q&f=false)(eningls) (2nd ed. edicin). Cambridge [etc.]: Cambridge University Press. p. 45. ISBN0521247012. Consultado el 7 de marzo de
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(https://docs.google.com/viewer?
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Enlacesexternos
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Como funcionan realmente los transistores (http://otrogeekmas.blogspot.com/2008/08/comofuncionanrealmentelos.html) Versin original en Ingls
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