CVD

Cvd SE REFIERE A DISOCIACION O REACCION QUMICA DE REAtivos gaseosos en

un medio activado plasma,luz y calor seguido de la formacion de un
productosolido estable. Eln la deposicin involucra fases homogneas y no
homogneas que ocurre cercas en la superficie calentada que lleva el polvo.
El CVD se utiliza para fabricar : materiales nano estructurados, incluido polcos,
Crisoles
Recubrimientos
Compositos
Ventajas
Posibilidad de producir materiales de alta densida.
Produce capas uniformes y ahdesion a velocidades altas.
Puede ser usado para recubrir objetos con forma scomplejas
Tiene la habilidad de controlar estructuras cristalina, morologia de superficie.
La velocidad de deposicin puede se rvariada
Que s eusa un gran gama d eprecursores haluros hidruros, organometalicos .
Se puede usar precursores ene stado liquido solido gaseoso.
Uso de temperatura sbajas.
Deventajas
Riesfo de seguridad por materiale stoxicos corrosivos y inflamableso
explosivos.
Es difcil depositar materiale scompuestoscon estiquiometria controlada.
Algunas modalidades del reactor aumentan costos
Aplicaciones
Fabricacin d emateriale smorfois monocristalinos y materiale spolicristalinos.
Semiconductores, dielctricos, recubrimiento metralicos cermica refractaria
fibras.
Sistema CVD

Suministro d eprecursores
Reactor
Sistema d emanejos d egase sresiduales
Principios d emecanismo de deposicin
Generacin de recativos en fas egaseosa.
Trasporte de especies gaseosas a la cmara d ereaccion
Los reactivos gaseosos forman especies intermedias.
Absorcin de reactivos gaseosas resultan en produccin del deposito y
subproductos.
Difusin del deposito en la superficie activada formando centros cristalizados y
recubrimiento.
Subproductos gaseosos removidos por difusin y conveccin
Subproductos llevados afuera d el acamara
Precursores
Precursores hidruros haluros halohidruros y compuestos orametalicos.
Y deben cumolir con una caracterstica :
Ser estable a temperaura ambiente
Temperatura baja de vaporizacin
Puede generar un vapor estable a baja stemperaturas.
Reacciona abajo d ela temperatura d efusin y cambia la fase del sustrato.
Tene rbaja toxicidad explosiva y inflamable para su manejo.
Termodinmica
Es esencial determinar la factibilidad d ela reaccin de cvd antes d ellevar a
cabo la deposicin. Al igual que LA NATURALEZA Y la cantidad de especies
solida sy gaseosas en el sitema.
Cinetica
Implica la sreacciones qumicas en fase gaseosa y la chermisocion y desorcin
en la superficie del sustrato. En general e slimitad apro las reaccione smas
lentas.

Existe un na formual para determinar la cineticad ereaccion ecuacin de

arhnius.
Intervalos d etemperatura de 105 a 350 la velocidad d edeposicion aumenta
indica que esta limitado pr qumica superficial.
Arriba d e1350 el proceso de superficie es rpida asi que esta limitada por la
difusin de especies gaseosas atraves de un acapa d esustratos. Trasporte d
emasa por lo que n depende de la temepratura
A temperaturas mas altasdecrece la velocidad de reaccin debido a escasa
reactividad o la existencia d ereacciones secundarias que afecta la eficiencia d
deposcison.
Trasporte de masa
Dinmica d efluidos trasferencia de ,asa y energa d elos reactivos del
sistemadesuministro al reactor.
Trasporte d emasa d elos reactivos cerca de a superficiedifusion a travs d ela
capa limitante .
Parmetros que afectan flujo d egas son:
Temperatura del reactor, presio, velocidad del gas caracterstica del gas
Geometra del recator
Principales parmetros a controlar son:
Temperatura,presin, concnetracion d egases precursores, flujo total y
relacionsuperficie/volumen del reactor.
La temperatura controla la termodinmica y l acinetica d ereaccio.presion
parcial y total d elso gases la geometra dlereactor y laaqrquitectura del
sustrato controla el ptrasporte de gas a la superficie del sustrato d etermina
uniformidad del recubrimiento
La temperatura d esutrato el flujo d egas la geometra del reactor y la
viscosidad del gas determian el traasporte de capa limite estpincluye
laestructura y composicin del recubrimiento.