E

ING. JOSE LUIS HERNANDEZ ESCOBEDO

CUADERNO DE APUNTES04/DICIEMBRE/15

UNIDAD I

EL DIODO
Es el dispositivo semiconductor muy simple est formado por la unin de dos
materiales semiconductores. Uno tipo P y uno tipo N su caracterstica principal de
funcionamiento es que permite la conduccin de corriente elctrica en un solo sentido.

Fisicamente existen distintos encapsulados el mas tipico es el siguiente:

DIODO SIN POLARIZACION ( alimentacion )

Al unirse los materiales P y N se da un reacomodo de electrones y huecos en la union,

lo que hace que se forme una zona llamada, zona de deplexion o de agotamiento, la
cual va a oponer cierta resitencia al paso de la corriente de incio en el diodo.

POLARIZACION DIRECTA
Significa conectar la terminal (+) de la fuente al anodo y la (-) al catodo

En este caso la conduccion se presneta, aunque no de manera inmediata. Ya que

debera aplicarse un potencial suficiente para vencer la zona de deplexion mencionada.
Este potencial de aranque es del orden de 0.7v en diodos de silicio y de 0.2v en diodos
de germanio.

POLARIZACION INVERSA
Significa conectar la terminal (-) de la fuente al anodo y la (+) al catodo .

En este caso al aplicarse el voltaje al diodo, la zona de deplexion se hace mas grande,
por lo que el diodo no conduce. La conduccion podria darse solo si el potencial aplicado
lo incrementamos a un valor muy elevado, conocido como voltaje de ruptura

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

En proteus o EWB simular el siguiente circuito:

variar el voltaje de la fuente

Verificar los valores de I y V

Polarizado inversamente

Variar la fuente con valores

MATERIALES INTRINSICOS

En un cristal de silico o germanio que forma una estructura similar a la del carbon
mediante enclaces covalentes entre sus atomos cundo el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden abosrber la energia necesaria para
saltar a la banda de conduccio dejando el correspondiente hueco en la banda de
valencia. Las energias requerdidas a temperatura ambiente son de 1,12 ev y 0,67 ev
para el silicio y el germanio respectivamente
MATERIALES EXTRINSICOS
Si a un semiconductor intrinsico como el anterior se le aade un pequeo porcentaje de
impuereza es decir elementros trivalentes o pentavalentes el semiconductor se
denomina extrinscio y se dice que esta dopado. Evidenetmente las impuerzas deberan
formar parte de la escrtuctura cristalina susitituyendo al correspondiente atomo de
silicio. Hoy en dia se han logrado aadir impuerzas de una parte por cada 10 millones
logrando con ella una modificacion del material
TIPO P
Un seminconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de atomos al semiconductor para poder aumentar el numero de
portadores de cargas libres
(en este caso positovo o huecos ) cuando se aade el
material dopante libera los electrones mas debilemnte vinculados de los atomos del
semiconductor. Este gente dipante es tambien conocido como material aceptar y los
atomos del seminconductor que han perdido un electron son conocios como huecos el
proposito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso de silicio
un atomo tetravalente se le une a un atomo con tres electrones de valencia tatales
como los del grupo 13 de la tabla periodica y se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un atomo de silicio entonces ese atomo de silicio tendra tres enlaces covalentes y
un hueco priducudo que se entrara en conducion de aceptar un electron libre
TIPO N
un semiconductro tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadieno un
cierto tipo de atomos al seminconductor para poder aumentar el numero de portadores
de carga libres cuando se aade el material dopante aparta sus electrones mas
debilmente vinculados a los atomos del semiconductor. Para poder aumentar el numero
de portadores de carga . este tipo de agente dopante es tambien conocido como
material donante ya que da alugnos de sus electrones

PARAMETROS DE LOS DIODOS

Resistencia interna (RB)

Es la suma de las resitencias propias de los materiales semiconductroes (P-N)

RB=RP+RN normalmente es menod de 1
Maxima corriente con polarizacion directa (IF)
Es la maxima corriente que puede circular por el dido sin que sufra dao valor ado por
el fabricante se designa tambien como IF (max) o IO
Descripcio de potencia(PD)
Potencia que puede disipar el diodo sin degradarse
PDmax=Vmax*Imax
Vmax es el voltaje de v presente cuando I es maxima
Maxima tension inversa (Vr)
El voltaje maximo que soporta en polarizacion inversa
Corriente inversa maxima (IR)
Corriente de fuga que existe cuando el Vr se aplica al dido es del orden de algunos
microamperes
Caida de tension en polarizacion directa (Vf)
Es la caida de tension en el diodo cuando la I es maxima medida a temperatura
ambiente (22c) tipicamente tiene un valor entre 0.93-1.1v

Para relacionar el VR adecuado con la aplicacin se recomienda usar un factor de Z. es

decir si la tension inversa del trabajo va a ser de 100v. se selecionaria un diodo con un
VR=200v

Region zener

A medida que se incrementa el voltaje inverso aplicado al diodo los portadores libres se
incrmentan haciendo que la corriente inversa aumente. Si continuamos incrementando
el voltaje inverso el numero de portadores libres se multiplica dando origen a la llamda
corriente de avalcancha. Esto hace que el diodo conduzca en polarizacion inversa a. A
esta region de conduccion invera se le nombra zona zener la mayoria de los diodos se
destruye cuando se da esta forma de conduccion, aunque existen unos diodos
especiales, llamados diodos zener, que pueden funcionar en estas condiciones .

Tipos de diodos.

Existe una gran variedad de diodos. Para distintas aplicaciones, manejo de potencia, frecuencia
de trabajo, etc. Una clasificacion los divide entre diodos rectificadores y diodos de senal.
Diodos rectificadores
Son diodos para convertir una seal de corriente directa. A estos procesos se les llama
rectificacion son diodos que soportan corrientes altas 1 amper o mas y voltajes de polarizacion
inverso muy altros hasta miles de volts
La frecuncia de operacin son muy bajas del orden de 60 hertz
La serie 40xx son diodos rectificados
Diodos de seal
Son diodos que trabajan con seales de baja potencia, del orden de algunos miliwatts, pero a
frecuencia muy alta del orden de KHz o MHz. Normalmente se ofrecen en encapsulados de
vidrio .
Diodo limpitador
Circuito que utiliza diodos de seal se usa para limitar el rango de una seal entrante a un
sistema que solo debera recibir cierto nivel de seal se usa tambien para recortar una seal y
reconformar la forma de onda
Diodo limpitador positivo (recorta la parte negativa)

Para el diodo limpitador negativo se invierte la polaridad del diodo.

Podemos variar el rango de limitacion o recorte usando diodos en serie o una bateria

Nota: rango de limitacion entre +2.1 a -2.1

Para que el circuito limitador funcione adecuadamente recomienda que

100 RB <RS<0.1RL
La Rs debe ser mucho mayor que RB y la Rl mucho mayor que Rs
RB=resistencia interna del diodo

CAMBIADOR DE NIVEL POSITIVO

CAMBIADOR DE NIVEL NEGATIVO

El requisito para que funcione adecuadamente es que :

RL C > 100T
La constante del tiempo del circuito debera ser 100 veces mayor que el periodo de la
seal
El producto RLC debera ser mayor 100 veces que 0.0001
R1 RL=1000

DETECTOR DE PICO
Se usa para determinar el valor maximo de una seal de entrada

El requisito es que la constante de tiempo RLC sea mucho maor que el periodo de la
seal de entrada
RLC>100T
Suponeindo una seal de entrada de 10KHZ y una RL=500 determine el minimo valor
de C que podriamos utlizar para que el circuito funcione adecuadamente

DETECTOR DE PICO A PICO

Si el detector de pico lo combinamos con un cambiador de nivel tendremos un detector
pico a pico

MULTIPLICADOR DE TENSION
Utilizan la misma configuracion que el circuito detector de pico a pico la diferencia es
que emplean diodos rectificados en lugar de diodos de seal producen una salida de
voltaje que es multiplo de voltaje de entrada

DUPLICADOR DE TENSION

TRIPLICADOR DE TENSION

La salida se toma entre c1 y c3 se considera una salida flotante ya que no existe conexin a
tierra

Diodo de emoisor de luz (LED)

Cuando un diodo se polariza directamente los electrones al ocupar los huecos del
material P Pasan de un nivel de energia mayor a uno menor emitiendo energia en
forma de calor en un led la energia emitida se da en forma de luz
Empleando materiales como galio fosforo y arsenico se fabrican leds que emiten la luz
de diferentes colores e inclusive luz infraroja
IS= (VS-VD)/RS
VD: Caida de tencion en el LED tipocamente = 2v

El fabricante indica la IS apropiada para que el led funcione proporcionando la

luminosidad adecuada la tension de ruptura de la un led es baja del orden de 3 v a 5 v
por lo que se daan si el VR es mayor al indicado en el circuito anterior suponga que la
fuente de tension es de 12v y el LED es un TIL222 que trabaja A 25 ma y su caida es
de 2v determine el valor de la resitencia a usar
IS=(VS-VO)/RS 25ma=(12v-2v)/RS
RS=(12v-2v)/25ma=400

DISPLAY DE 7 SEGMENTO

UNIDAD II
FUENTES LINEALES DE ALIMENTACION
ESTA CONFORMADO POR CUATRO ETAPAS:

Transformador
Rectificador
Filtrado
Regulacin

Fuente lineal:
(Dispositivos trabajando de manera continua)

Fuente no lineal:
(Dispositivos trabajando de modo discontinuo (conmutacin)

ELEMENTOS DE UNA FUENTE SERIAL

DIAGRAMA DE BLOQUESDE UNA FUENTE DE VOLTAJE

REDUCCION DE NIVEL

TRANSFORMADOR: se utiliza para reducir o elevar el nivel de entrada a la salida.

Tiene 2 devanados con una relacin de espiras que determina el voltaje de entrada y
salida.

Relacin voltaje-Numero de vueltas:

N1/N2=V1/V2

Relacin de corriente-Numero de vueltas

N1/N2=I2/I1

Relacin potencia de entrada-potencia de salida

V1*I1=V2*I2
Sin cambio de fase
Con cambio de fase 180
RELACION VOLTAJE PICO- VOLTAJE EFECTIVO
Vp

Vp
VRMS

Vp = Vrms * 2

RECTIFICADORES

Voltaje Promedio (Vprom), Voltaje Equivalente (VCD)

Vo = Vprom = VCD = Vp/
Fin = Fout
Ejemplo: Suponga Vin = 220
Razn de Transformacin 10 a 1, Determine el voltaje promedio o voltaje equivalente a
la salida
Vrms = 220
Vp = 220 *

2 = 311.12v

Transformacin de 10 a 1 = 31.11v

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

a) Con Transformador Con Derivacin Central
Vo = Vprom = VCD = 2Vp/
Fout = 2Fin
B) onda completa tipo puente

V0 = Vpom = Vcd =

2 vp

= 0.636 vp

sal = 2ent
Durante el semiciclo (+) de entrada conducen los diodos D1 yD2.
Durante el semiciclo (-) de entrada conducen los diodos D3 y D4.
La direccin de la corriente en la carga, en ambos casos, es en un solo sentido.

Ejemplo:

Suponga: Vin = 220

N1 : N2 = 10 : 1

Determine
a) Vprom de salida
b) frecuencia de salida
c) dibuje la frecuencia de la onda de salida
a) Vin =220

razn 10 : 1 (220)(

311.12
10

Vprom =

) = 311.12v

= 31.11v

(2)(31.11)

Vprom = 19.80v

sal = 50 x 2 = 100Hz

ETAPA DE FILTRADO

Se puede usar filtrado inductivo o capacitivo.

El filtrado inductivo, aunque es efectivo, resulta costoso y muy voluminoso a frecuencias bajas
(60 Hz) por lo que el filtrado capacitivo es ms usado.

FILTRADO CAPACITIVO
Consiste en conectar un capacitor en paralelo con la carga, de un valor tal, que la
constante de tiempo (), sea mucho mayor que el periodo (T) de la seal a ser filtrada.
= constante de tiempo (RL C)
T = periodo de la seal

Voltaje de rizo la seal filtrada (VR)

CALCULA LA VR
VR =

I
FC

VR = Valor pico pico de la seal de rizo.

I = Corriente en la carga.
F = Frecuencia de la seal de entrada al filtro.
C = Capacitor de filtro.
Para calcular IC, tomamos el valor pico (Vp) en la carga y lo dividimos entre RL.
IL =

120
5

VR =

120
5

VP
RL

= 24(

)=

6.788 Amp
(60 Hz)(1006)

= 24(

)=

39.94 v
5 K

= 6.788 x

103

=1.13133333V

39.94 v
5 K

= 6.788 x

103

VR =

6.788 Amp
6
(120 Hz)( 100 )

VR =

6.788 Amp
(60 Hz)(4706 )

=5.656V

= 0.2407

ETAPA DE REGULACION
Entrada
Salida

Regulador

Posibles variaciones
De nivel
RL

El regulador permite tener a la salida, un nivel de voltaje constante ante posibles

variaciones de nivel del voltaje de entrada o de cambios en la resistencia de carga.

DIAGRAMA A BLOQUE DE UN CIRCUITO REGULADOR

Existen 2 configuraciones de reguladores: serie y paralelo.

Ejemplo: De regulador en derivacin (paralelo).
En este dispositivo de regulacin se conecta en paralelo con la carga.

REGULADOR ZENER

Is=Iz+IL por lo tanto Iz=Is-IL

VL=Vz
Is= (Vin-Vout)/Rs
IL=VL/RL

Tth= (VinRL)/ (Rs+RL)

Cuando Vth es mayor que Vz, el diodo zener conduce y su voltaje se presenta en la
carga. Si Vin cambia, el Vth cambiara, pero Vz permanecer constante.

Esta zener en conduccin? R=Si

Cunto vale VL, Is, IL, Iz?
Vth= (VsRL)/ (Rs+RL) si Vth>Vz el zener conduce.
Is= (Vs-VL)/Rs
VL=Vth=18V (1000 Ohm)/ (270 Ohms+1000 Ohm) = 14.170 V > Vz=10 V (por lo tanto
el zener est en conduccin)
Is= (18V-10V)/270 Ohm= 0.029 Amps
IL=10V/1000 Ohms= 0.010 Amps
Iz=Is-IL= 0.029-0.010= 0.019 Amps
REGULADORES EN SERIE
Existen diferentes circuitos en derivacin, como el que se muestra:

Vo= (R1/ (R1+R2)) VD1

Reguladores en serie: son ms eficientes que los reguladores en derivacin, utilizan un

transistor en serie con la carga, trabajando en la zona lineal, es decir, trabajando de
manera contina.
Un ejemplo es el regulador zener:

Vout= Vz+Vb
IL= Vout/RL
Pd (Potencia disipada)=
(Vin-Vout) IL

Otro ejemplo, usando retroalimentacin:

Vout= (R1/ (R1+R2)) Vz

IL=Vout/RL
Pd= (Vin-Vout) IL

REGULADORES LINEALES INTEGRADOS

Los reguladores serie se ofrecen como circuitos integrados que incluyen la
proteccin contra sobre corriente, los ms populares son los de 3 pines.
Pueden entregar un voltaje positivo, negativo o variable. El encapsulado
ms comn y la distribucin de terminales se muestran enseguida:

La serie 78xx son reguladores de voltaje positivos, donde xx=05, 06, 08,
10, 12, 15, 18 o 24 volts de salida.
La serie 79xx entregan salida negativa, donde xx=-05, -06, -08, -10, -12,
-15, -18 o -24 volts de salida.
En ambos casos la corriente I=1Ampere

*Reguladores con salida ajustable

LM31, LM337, LM338, LM350 con un rango de 1.5-37 Volts y corrientes de
1.5 a 5 Amperes

UNIDAD III
ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR

Hay 2 tipos de transistores BJT: NPN y PNP

Estn conformados por 3 secciones de material semiconductor. Fsicamente la base es menos
que el emisor y el colector.
Existen gran variedad de encapsulados para los transistores de distintas formas y materiales
segn sus condiciones de aplicacin

.
En la hoja de datos se nos especifican todas las caractersticas elctricas y mecnicas del
transistor.

FORMACIN DE TRANSISTORES

Se realizan 2 funciones bsicas y muy utilizadas con los transistores:

A) Amplificacin

B) Conmutador

Adems de otras funciones como regulacin, comparar, etc. Se puede decir que existen 2
diodos en un transistor.

Se forman dos zonas de deplecin aun sin estar polarizado

EL TRANSISTOR POLARIZADO

VBB= Fuente de base

VCC= Fuente de colector
RB= Resistencia de base
RC= Resistencia de colector
VB= Voltaje de base
VE= Voltaje de emisor
VC= Voltaje de colector
VBE= Voltaje base-emisor
VCE= Voltaje base -colector

El diodo de entrada (B-E), se polariza directamente.

El diodo de salida se polariza inversamente.
Cada diodo tiene una barrera de potencias de 0.7v.

Relacin de corrientes

IE =

Ic + IB

La corriente de base es muy pequea respecto a las

Ic

IE

, por lo que podemos

decir que
IE

Ic

IB

A la relacin entre
CD

Ic
IB

Ic

IB

Ic

se le designa como

a esta tambin se le llama ganancia de corriente en CD.

A la relacin de
DC

<<

IE

Ic

se le designa como

DC

Ic
IE

Un transistor tiene una ganancia de corriente de 175. Si la corriente de base es de 0.1

mA. Cul es el valor de la corriente del colector.
CD = 175=

Ic
IB
3

Ic= 175(0.1* 10

Ic
3

0.1 10

)= 17mAmp

Un transistor tiene una corriente de colector de 10mA y una corriente de base de 40

A.
Cul es la ganancia de corriente del transistor?
CD =

Ic
IB

10103
40106

= 250

CURVA DE SALIDA DEL TRANSISTOR

Para ciertos valores de polarizacin del circuito de base, tendremos cierta

IB .

Si variamos el Vcc la
Vcc, este valor de

I c alcanza un valor mximo (

I c1 ) si continuamos incrementando

I c permanece constante, hasta que se alcanza el voltaje de ruptura. El

transistor se trabaja en la zona activa.

Para distintos valores de

I B tendremos:

Estas curvas son proporcionadas por el fabricante.

Mediante estas curvas sabremos cuales son los rangos de operacin del transistor (valores de

I B , VCE,

I c apropiados)

Para el circuito anterior suponga

VBB= 10v
Vcc=12v
RB= 47k
Rc= 3.3 k

Ganancia de corriente del transistor ( = hfc= 200)

Determine los valores de

IB =
IC

= IB

VBBVBE
RB

I c y VCE
10 v0.7 v
4700

=1.978mA

IC

= 200 = 1.97 .8 mA

I C = 0.03957A = 39.57mA
3

VCE = VCC-Ic Rc = 12-(39.57* 10

*3300) = -118.581

PUNTO Q
Son los valores actuales de VCE e

IC

presentes en el circuitos para los valores de

polarizacin selecciona dos (VCC, VB, RC, RB).

Cualquier cambio en estos elementos nos producir un cambio en el punto Q, para cierta
polarizacin del circuito de salida.

RECTA DE CARGA

Es una recta que se traza sobre las curvas de salida del transistor. Muestra todos los posibles
valores del punto Q, para cierta polarizacin del circuito de salida.

Para trazarla determinamos dos puntos ICmax=

VCC
RC , que representa la mxima

IC

que

puede presentarse en el circuito de salida y vcc max= vcc que representa el maximo valor de
VCE que se puede presentar, el cual se da cuando el transistor est en corte (

I C =0

Ejemplo:
Para el circuito visto anteriormente trace la recta de carga y ubique el punto Q, cuando:
RB=1M
RB= 0.8M
RB=1.2M

I cmax =

Vcc
Rc

VCE= VCC = 12v

A) Ic= 1.86mA
VCE= 5.862

12
= 3300

= 3.63* 10

B) Ic = 2.32 mA
VCE= 4.32

C) Ic=1.55mA
VCE = 6.86v

TRANSISTOR EN CONMUTACIN

Los circuitos digitales trabajan entre corte y saturacin, de este modo permiten que la
seal de entrada pase o no pase hacia la salida.
En esta configuracin despus de determinar el valor de Rc de acuerdo con las
necesidades de Ic, podemos hacer el valor de RB 10 veces mayor que Rc y con esto
aseguramos una saturacin fuerte en el transistor, cuando se presenta la corriente en la
base.

El punto Q flucta entre corte y saturacin.

Para la figura determine si el circuito esta en saturacin para los siguientes casos.

A) hfc= 100, RB= 51 k

B) hfc= 500, VBB=10v
C)hfc= 100, Rc= 10 k

D) hfc= 100, Vcc= 10v

A)

I cmax =

Vcc
Rc

5v
470

= 0.010A

VCE= Vcc = 5v
IB=

VBBVBE
Rc

Ic =

5 v0.7 v
51000

= 0.0843* 10

IB
3

= 100(0.0843* 10
VCE = Vcc -

) = 8.431* 10

I c Rc
3

=5v-(8.431* 10

) (470)

VCE = 1.03743v

B)

I cmax =

Vcc
Rc

VCE= Vcc = 5v

5v
470

= 0.010A

IB =

VBBVBE
RB

Ic =

IB
3

= 500(*0.0136 10
VCE = Vcc -

10 v0.7 v
680000

= 0.0136* 10

) = 6.8382* 10

I c Rc
3

= 5v-(6.8382* 10

C)

I cmax =

Vcc
Rc

) ( 470) = 1.7860

5v
10000

= 0.5* 10

VCE= Vcc = 5v

IB =

VBBVBE
RB

Ic =

IB
3

= 100 (0.0063* 10

5 v0.7 v
680000

) = 0.6323* 10

= 0.0063* 10

VCE = Vcc -

I c Rc
3

= 5v-(0.6323* 10

)(10000) = -1.3235

Est en saturacin

D)

I cmax =

Vcc
Rc

10 v
470

= 0.021

VCE= Vcc = 10v

IB =

VBBVBE
RB

Ic =

IB

= 100(= 0.01367* 10
VCE = Vcc -

10 v0.7 v
680000

) = 1.3676* 10

I c Rc

= 10- (1.3676* 10

= 0.01367* 10

) (470) = 9.3572v

Polarizacin de emisor

En la polarizacin anterior, con la resistencia en la base, en el punto Q es dependiente

de la , ya
Ic= (Ib).
Si la cambia por efecto de la temperatura u otro factor, el punto Q cambia, lo cual no
es conveniente en ciertas aplicaciones.

La solucin es cambiar el Rb al emisor, lo que produce un comportamiento ms

estable.
En este caso tendremos:
Ve=Vbb-Vbe
Ie=Ve/Re
Se puede notar que en este caso la Ie no depende de la , lo que el punto Q sea ms
estable.

Rc=1K
Vcc=15V
Re=2.2k
Vbb=5V
=100

Ie max=15v/1000=0.015A=15mA

I= (Vbb-Vbe)/Rb =(5V 0.7v)/2200=1.9545 mA

Ic=Ie=1.95A
Ve= Vbb Vbe =(5 0.7 V) =4.3V
Vce=Vc Ve= 13.05 -4.3 = 8.75 V
Vc= Vcc (IcRc)=15 (1.95mA )(1K)=13.05

Configuracin PDT como amplificador.

En esta configuracin en el punto Q se puede ubicar al centro de la recta de carga y
mantenerlo muy estable por tanto, es muy apropiada para usarla cuando requerimos amplificar
una seal.
El sig. Circuito muestra esta aplicacin.

Los capacitores C1, C2 se llaman capacitores de acoplamiento C3 se llama capacitor de

desacoplo.
Los 3 se usan para aislar la seal de CA de los voltajes de polarizacin y evitar que la seal de
entrada produzca cambios la polarizacin.
Note que la seal de salida est a 180 desfasada respecto a la entrada, a la relacin Vout /
Vin
Se le conoce como ganancia del amplificador y se designa = A=Vout/Vin

Amplificador de varias etapas

Podemos conectar varias etapas de amplificacin como las anteriores, en cascada y obtener
una ganancia total, igual al producto de las ganancias individuales.

Etapa 1

etapa 2

etapa 3

A= (A1) (A2) (A3)

Configuracin Darlington
Consiste en conectar 2 transistores como se muestra

De esta forma se incrementa la ganancia de corriente del transistor

Se ofrece tambin como componente integrado

Transistor de efecto de campo (FET)

Los transistores de efecto de campo se basan en el control de corriente de portadores

(electrones o huecos) por medio de un campo elctrico exterior.
Existen dos tipos, transistor de efecto de campo con uniones (JFET o simplemente FET) y en
transistor de efecto de campo con puerta aislada (IGFET) que tambin se le denomina
Metal-Oxido-semiconductor (MOSFET).
En los FET se produce un flujo y control de portadores mayoritarios, por lo que se denomina
transistor unipolar. Tiene ventajas sobre los transistores bipolares de ser ms fcil de fabricar,
ocupar menos espacio en la forma integrada, presentar una impedancia de entrada muy
elevada y tener menos ruido. La desventaja principal es su transustancia g es mucho menor
que los bipolares.
El circuito de polarizacin J-FET puede utilizarse tambin para polarizar un MOSFET. Segn
indicamos en el apartado anterior, el MOSFET de enriquecimiento debe tener una tensin de
compuerta-fuente positiva. Por tanto el circuito de la figura de la izquierda, la tensin
desarrollada en Rs deber ser algo menor que la desarrollada Rg2. En la figura de la derecha
se indica la polarizacin del MOSFET de enriquecimiento. En este circuito se ha suprimido Rs;
por tanto, la tensin compuerta sumidero ser igual a la tensin en circuito abierto en Rg2, la
cual siempre es positiva.

Estructura interna de FET

UNIDAD IV

AMPLIFICADORES OPERACIONALES (OP-AMPS)

Amplificador Ideal
Esquema Interno
Parmetros
Circuitos Bsicos

Introduccin
Amplificadores Operacionales son unos dispositivos ms bsicos en los analgicos.
Se ofrecen como mdulos de circuitos integrados que pueden ser configurados para
modificar sus caractersticas de ganancia, impedancias de entrada y salida, anchos de
banda, etc.
Con ellos se puede realizar todo tipo de operaciones matemticas entre seales
elctricas como sumas, restas, multiplicaciones, integracin, derivacin, etc.
Aunque existen algunos amplificadores operacionales para alta potencia. La mayora
son dispositivos de baja potencia con una limitacin menor de 1 watt.
Las caractersticas elctricas mencionadas anteriormente pueden ser modificadas
fcilmente mediante algunos componentes externos como resistencias y capacitores.
Mediantes estos circuitos es posibles construir tambin circuitos ms complejos como
convertidores de forma de onda, osciladores, filtros activos, entre otros.

Transistor de Efecto de Campo (FET)

El JFET es un dispositivo unipolar. Existen 2 tipos: Canal N y Canal P.
La corriente de ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el
surtidor.

Caractersticas generales

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente.
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico.

Diagrama a Bloques de Op-Amp

Ejemplo de Amplificador Diferencial.

Amplifica la diferencia entre las entradas Vout=A (V1-V2). Note que se alimenta con
voltaje positivo y negativa.

f=unidad a la cual la seal de salida del op-amp tiene una ganancia de 1.

CMRR = Razn de rechazo en modo comn.

Dados dos seales una deseado y otra en modo comn (Ruido) la seal deseada deber ser
mucho mayor que la no deseada (se debe entender como razn de rechazo al ruido)

El ajuste de offset (terminales 1, 5) permite ajustar la salida a cero cuando las entradas son
iguales.

AMPLIFICADOR INVERSOR

A = -R2/R1

Vout= -A (V in)

Vout = - (R2/R1) (V in)

R2 tambin se le llama resistencia de retroalimentacin (feedback) o Rf.

El efecto de usar una resistencia de retroalimentacin hace que parte de la seal de salida se
combine con la de entrada. Esto produce efectos sobre la ganancia, el ancho de banda (BW) y
la impedancia de entrada de entrada (Z in).
En este caso a la ganancia se le llama ganancia de lazo cerrado (ALL) y para, la configuracin
inversora, es igual a:
ACL = -R2/R1
La Z in ser igual a la R1.
Mientras que la frecuencia de corte (fcl) (frecuencia ms alta que puede manejar el op-amp)
estar dado por:
FCL = funidad/ (ACL + 1)

AMPLIFICADOR NO INVERSOR

Vout = A(V in)

A = (R2/R1 + 1)

Vout = (R2/R1 + 1)( V in)

FCL = funidad/ACL

No existe inversin de la seal de salida respecto a la entrada.

La Z in que normalmente es muy alta en lazo abierto, se incrementa ms en lazo cerrado.

SEGUIDOR UNITARIO

Vo = (1) Vin = V in
Es una configuracin, no inversora con una ganancia de 1. Es decir la salida y la entrada son
iguales en cuanto a amplitud y fase, lo que cambia es la impedancia. Tiene una impedancia de
entrada alta y una impedancia de salida baja. Se usa como acoplador de impedancia.

TRIPLICADO SUMADOR
Suma las seales entrantes y las multiplica por las ganancias.

Vo = - (Rf/R1 V1 + Rf/R2 V2 + Rf/R3 V3)

AMPLIFICADOR DISTRIBUIDOR
Permite enviar una seal hacia varios destinos

Restando:
a) USANDO 2 OPAMPS

Vo= - (Rf/R3 ((- Rf/R1)(V1)) + (Rf/R2)(V2))

Vo= - (Rf/R2)(V2) ((Rf)( Rf )/(R3)(R1))(V1)
Suponga:
V1=500mV, V2=100mV, Todas las resistencias de 10kohm
Determine Vo
Vo= ((10kohm)/(10kohm))(V2) ((10kohm)(10kohm)/(10kohm)(10kohm))(V1))
Vo= 400mV
b) USANDO UN OP-AMP

Vo= ((R3)/ (R1+R3)) * ((R2+R4)/ (R2)) (V1) ((R4)/ (R2))/ (V2)

Suponga: V1=100mV, V2=300mV, R1 y R2 =20Kohm, R2 y R4=100kohm
Vo= (20kohm)/ ((20*20) kohm)*((100+100)/ (100)) kohm (100mv)((100/100) (300mv)
Vo= -0.2 V

AMPLIFICADOR DE INSTRUMENTACIN
es una configuracin que produce una alta ganancia, ajustable con una sola resistencia
tiene una alta impedancia de entrada, especialmente si se usan opamps de tecnologa
fet se usa para amplificar seales pequeas como la salida de los sensores que
entregan seales del orden de algunos mV se ofrece tambin como circuito integrado.

CIRCUITOS CONVERTIDORES
Convertidor de voltaje voltaje
(Fuente de voltaje controlada por voltaje)

+
V1
-

Vo= - ((Rf)/ (R1)) V1 =-KV1

Vo = ((Rf/R1) + 1) V1 =KV1

+
KV1

VO
-

El Vo vara al variar el V1 (multiplicando por un factor K)

Convertidor de voltaje corriente

Fuente de corriente controlada por voltaje

Io

+
V1

Io= KV1

Io

La corriente
en la carga
(Io) vara al
variar V1

Io

(Corriente - Voltaje)

Io

+
KI1

Vo=KI1

La cada de voltaje en la cargar vara en funcin de los cambios de I1.