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Herstellung von Artificial Nucleation Centers

mittels Nanoindenting
Bilel Jebali, Paul Huber, Yoonjoo Park

Lehrstuhl fr Technische Elektronik TU Mnchen, Theresienstrae 90, 80333 Mnchen

Einleitung
Steigende Anforderungen an die Rechenleistung heutiger Prozessoren erfordern unter anderem
eine kleinere Dimensionierung von Transistoren in integrierten Schaltungen. Typische Strukturgren betragen daher heutzutage nur noch wenige Nanometer. Doch der Umgang mit immer kleineren Strukturen bringt neue Probleme mit sich. Ein neuer Ansatz diese Probleme zu Umgehen
verspricht der Einsatz von Nanomagneten. Dabei ist es wichtig, die Position des Nukleationszentrums jedes Magneten zu kennen und zu kontrollieren.
Um das zu bewerkstelligen wurden in diesem Praktikum mit Hilfe der Methode des Nanoindentings
Artificial Nucleation Centers (ANCs) hergestellt, und deren Einfluss auf die Magnete
getestet und gemessen.

In einem AFM interagiert eine sich auf einem Cantilever befindliche Spitze mit der Probenoberflche,
wie in Abbildung 1 gezeigt. Der Cantilever ist auf einem beweglichen Kopf befestigt. Diese Art der Befestigung ermglicht es, den im Praktikum verwendeten sog. Tappingmode des AFM zu verwenden, in
dem der Cantilever in seiner Resonanzfrequenz zum
Schwingen angeregt wird. Um nun durch Rastern
ein genaues Hhenprofil der Probenoberflche zu
erstellen, wird ein Laserstrahl auf den Cantilever gerichtet. Der reflektierte Strahl trifft dabei auf eine
Photodiode. Bei der Interaktion der Spitze mit der
Probenoberflche wird der Cantilever leicht verbogen. Dies fhrt zu einer Auslenkung des reflektierten
Laserstrahls an der Photodiode und somit zu einer
nderung der Ausgangsspannung. Das so entstandene Spannungsprofil lsst sich nun ganz leicht
mittels eines Computers in ein Hhenprofil umrechnen.
Um nun einen Indent zu setzen, wird ein Punkt auf dem durch Rastern gescannten Bild ausgewhlt
und eine Schwellspannung festgelegt. Die Spitze wird daraufhin an dieser Stelle in die Probe gedrckt, was zur Folge hat, dass sich der Cantilever anfngt zu verbiegen. Erreicht die Ausgangsspannung an der Photodiode den Wert der Schwellspannung, ist der Indent gesetzt.

Versuchsdurchfhrung

Die in dem Praktikum verwendeten Nanomagnete bestehen


im Kern aus mehreren Lagen sich ab-wechselnder Schichten
Cobalt und Platin, die auf eine Siliziumprobe aufgetragen wurden. Abschlieend befindet sich eine Titanschicht (siehe Abbildung 2). Bei der Wahl der Schwellspannung und Position
der ANCs wurde auf frhere Versuchsergebnisse zurckgegriffen. Im Vorfeld der Versuche wurde sowohl angenommen,
dass bei greren Schwellspannungen bessere Ergebnisse
erzielt werden, als auch dass mehrmaliges Indenten eines
einzelnen Magneten keinen entscheidenden Mehrwert bringt.
Ebenso zeigte sich bei der Arbeit mit dem AFM, dass die
exakte Positionierung der ANCs sehr schwer zu kontrollieren
ist. Das Hauptaugenmerk des Versuchs wurde daher auf die
kontrollierte Positionierung der ANCs mit jeweils 3 verschiedenen Schwellspannungen gerichtet. Beim Indenting wurde
versucht die ANCs entweder an der Kante, etwas eingerckt
bzw. an der Ecke zu setzen (siehe Abbildung 3). Im Folgenden werden die abgebildeten Anordnungen mit A, B bzw. C nomenklatiert.

Die Unterschiedliche Positionierung der ANCs hat ergeben, dass man mit Anordnung B die besten
Umschaltfelder erzeugen kann (siehe Abbildung 5, oben). Ebenso hat das Experiment gezeigt, dass
dieselbe Anordnung bei der Herstellung am besten kontrollierbar ist. Das Ergebnis des Indentings
mit unterschiedlichen Schwellspannungen wurde exemplarisch mit 2V und 3V, wie in Abbildung 5
unten zu sehen, getestet. Es gilt die Faustregel: Eine grere Schwellspannung bewirkt ein
besseres Umschaltfeld.

Abbildung 5: Verteilung der Umschaltfelder bei verschiedenen Anordnungen bei einer Schwellspannung von 3V (oben) und Verteilung der Umschaltfelder bei den Schwellspannungen 3V und 2V mit der
Anordnung B (unten)

Inverterstrukturen
Ein weiteres Ziel des Praktikums war es, die Technik des Indenten an einer praktischen Anwendung
zu testen. Zu diesem Zweck wurden die Ausgnge von Inverterstrukturen, wie auf Abbildung 6 zu
sehen ist, indentiert. Der untere Plot auf Abbildung 7 weist zum einen die erfolgreiche Indentierung
durch die verschmlerte Hysterese nach. Zum anderen kann man eine Verschiebung derselben um
ca. 3-5 mT nach links erkennen, was auf eine Beeinflussung durch den Invertereingang zurckzufhren ist und somit die korrekte Funktionsweise des Inverters nachweist.

Abbildung 6: AFM Scan einer Inverterstrukur vor (links) und nach (rechts) dem Indenting

Versuchsergebnisse und Auswertung


Um den Einfluss der Indents auf die
Magnete zu erfassen, wurden diese
sowohl vor, als auch nach dem Indenting mit dem magneto-optischen KerrEffekt (MOKE) gemessen. Ist das
ANC gut positioniert, verringert sich
das Umschaltfeld des Magneten um
bis zu 79% (siehe Abbildung 4).

Abbildung 7: Vergleich des Umschaltfeldes vor (oben) und nach (unten) dem Indenting. Die untere
Abbildung zeigt eine Verschiebung der Hysterese zur vertikalen Achse nach links um ca. 3-5 mT.

Zusammenfassung und Ausblick


In diesem Praktikum konnte nachgewiesen werden, dass Nanoindenting eine Mglichkeit zur Herstellung von ANCs darstellt. Das Umschaltverhalten von Nanomagneten konnte um bis zu 79% verbessert werden. Ebenso konnte der Nachweis erbracht werden, dass Inverterstrukturen nach dem
Indenting als solche funktionieren. Problematisch ist allerdings das kontrollierte Platzieren von ANCs
mit der zur Verfgung stehenden Technik. Noch zu viele Parameter beeinflussen vor allem den
Herstellungsprozess der ANCs. Um knftig zuverlssige Aussagen ber den Einfluss einzelner
Prozessparameter zu treffen, sind deutlich mehr Versuche und vor allem besseres Equipment
notwendig.