Taller de Electrnica

Unidad 1: Introduccin
Componentes Electrnicos de Potencia
Prof. Carlos R. Baier.
Departamento de Tecnologas Industriales
Universidad de Talca

Semiconductores de Potencia
El desarrollo de los dispositivos semiconductores comienza con el invento
del transistor en 1948, por Bardeen, Brattain, and Shockley, utilizado
principalmente como amplificador de seales en electrnica. (Sin olvidar a
Henry Dunwooy, 1906)

En electrnica de potencia el semiconductor se utiliza como un interruptor

electrnico, por lo que siempre se trabaja en la zona de corte (circuito
abierto) y en la zona de saturacin (cortocircuito).

 El desarrollo de la electrnica de potencia comienza a fines de la

dcada del 50 con el desarrollo del diodo, y se consolida en la dcada
del 60 con la invencin del tiristor.
Los semiconductores se pueden clasificar de diferentes manera, pero la
mejor forma de hacerlo es por su principio de operacin y
caractersticas constructivas.
De esta forma se pueden distinguir:
Semiconductores no controlados (diodos).
Semiconductores semi-controlados (tiristores).
Semiconductores controlados (transistores y otros).

 Otra forma de clasificar a los semiconductores es por la

forma en que se conmutan (encienden y apagan), y de
acuerdo a este criterio se clasifican en:

Semiconductores con conmutacin natural:

Diodos y Tiristores

Semiconductores con conmutacin forzada:

Transistores y Otros con caractersticas de encendido y apagado

 Caractersticas Voltaje-Corriente de un Switch Ideal.

 Caractersticas de un Switch Ideal en estado On.

Cada de tensin nula durante la
conduccin. (Voltaje de Saturacin)
Alta capacidad de conduccin de
corriente. (Corriente Nominal)
Capacidad de conmutacin instantnea
entre estados on off cuando se aplican los
pulsos de encendido y apagado. (Tiempos
de encendido y apagado).
Adems, los circuitos de control deben
consumir bajas cantidades de potencia
para generar los pulsos de disparo y
apagado del dispositivo.

 Caractersticas de un Switch Ideal en estado Off.

Gran capacidad de soportar altas
tensiones inversas y directas cuando se
encuentran apagados. (Tensin de
Bloqueo)
Corrientes nulas durante el estado
apagado. (Corrientes de Fuga)

 Los principales desafos que se deben resolver en el

desarrollo de Semiconductores de Potencia se relacionan
con:
Aumento de capacidad de potencia (voltaje de bloqueo y corriente
de conduccin).
Mayor velocidad de conmutacin.
Menores prdidas de conduccin (menor tensin de saturacin).
Facilidad de control (proceso de encendido y apagado).
Reduccin de costos.
Permitir el desarrollo de nuevas topologas de convertidores.

 Clasificacin de los Convertidores Estticos de Potencia

Bsicamente los convertidores estticos se pueden clasificar tal
como lo muestra la figura.
Los accionamientos de altas potencias se pueden formar a partir de
configuraciones bsicas utilizando semiconductores que puedan
conducir altas corrientes y soporten altos voltajes de bloqueo
Power Converters

AC/AC
Converters

AC/DC
Converters

DC/AC
Converters

High Power
Drives

DC/DC
Converters

 Los accionamientos de altas potencias

Se pueden clasificar tal como lo muestra la figura.
Una clasificacin mas especifica muestra distintas topologas
usadas y comercializadas.

Convertidores de Potencia
150

100

50

-50

-100

va
+
vb

-150

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

DC

vc

20
15
10
5
0
-5

Rectificador No Controlado

-10
-15
-20

500
400
300
200
100
0
-100
-200
-300
-400
-500

Motor
Induccin

DC

500
400
300
200
100
0
-100
-200
-300

Inversor

-400
-500

El Diodo
La conduccin est definida por la polaridad de la corriente
y el voltaje entre anodo y catodo
Smbolo

Caracterstica V-I

Caracterstica Ideal V-I

ID

ID

nodo

VD
Ctodo

VD

El Diodo
Curvas caracteristicas de un diodo de potencia (6000[V]-1320 [A]).

El Tiristor
La familia de los tiristores engloba a diversos dispositivos semiconductores teniendo en
comn una estructura de 4 capas semiconductoras.
Familia de Tiristores:
SCR (Silicon Controlled Rectifier) generalmente llamado tiristor.
LTT (Light Triggered Thyristor) Tiristor Activado por un haz de luz.
TRIAC Tiristor Triodo Bidireccional.
DIAC Tiristor Diodo Bidireccional.
MCT (Mos-Controlated Thyristor).

El Tiristor (SCR).
Los tiristores o SCR (Silicon Controlled Rectifierrs) requieren de un
pulso de corriente en el Gate (compuerta) para que conduzca. La
corriente nodo-ctodo debe superar un valor mnimo para permanecer
encendido. Deja de conducir cuando la corriente nodo ctodo
se
hace cero.

El Tiristor (SCR).
Configuraciones Fsicas del Gate de un SCR.

SCR de Potencia (1400 [V] - 1850 [A]).

Voltaje de Saturacin Corriente.

El Tiristor (SCR).
Curvas de Disipacin de Potencia de un SCR de Potencia (1400 [V] - 1850 [A]).

El Tiristor (SCR).
Parmetros Relevantes en la Especificacin Tcnica.
Tensin Directa de Ruptura (VBO).
Mxima Tensin Reversa (VBR).
Mxima Corriente de Anodo (Iamax).
Mxima Temperatura de Operacin (Tjmax).
Caracterstica I2t.
Mxima tasa de crecimiento del Voltaje directo (dv/dt).
Mxima tasa de crecimiento de la corriente (di/dt).
Corriente de disparo (IL).
Tiempo de Disparo (ton).
Corriente de Recombinacin Inversa (Irqm).

El Tiristor GTO (Gate Turn Off).

Para apagar un tiristor es necesario no entregar pulso de corriente en el Gate y
esperar que la corriente nodo-ctodo se haga cero. El GTO se apaga al aplicar
una corriente negativa en el Gate proporcional a la corriente que circula entre el
nodo y el ctodo.