Leccin 1: Las Caractersticas del Transistor de efecto de campo

LECCIN 1
LAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO
Horus Estfano Daz
horus.diaz@unah.hn

4 MARCO TERICO

RESUMEN: En el presente informe se analiza el

funcionamiento del transistor efecto campo.

Los transistores de efecto de campo o FET se

denominan as porque durante su funcionamiento la
seal de entrada crea un campo elctrico que
controla el paso de la corriente a travs del
dispositivo. Estos transistores tambin se denominan
unipolares, es decir, que solo trabajan con un tipo de
portadores, al contrario de los transistores estudiados
hasta ahora, los cuales trabajaban con dos tipos de
portadores, electrones y huecos. Tambin a estos
transistores se les llama de efecto de campo porque
el control de la corriente se ejerce mediante la
influencia de un campo elctrico exterior.
Estos transistores son de dos tipos:

1 INTRODUCCIN
El presente informe doy a conocer las caractersticas
y funcionamiento de un transistor de efecto campo en el
cual determinamos la curva caracterstica a partir de los
valores medidos y la transconductancia del transistor

2 PALABRAS CLAVE:

1.

Transistor FET: es un dispositivo semiconductor que

controla un flujo de corriente por un canal semiconductor,
aplicando un campo elctrico perpendicular a la
trayectoria de la corriente..

2.

Transconductancia: Nos dice cuan efectiva es la

tensin de puerta-fuente para controlar la corriente de
drenador.

La curva caracterstica del FET define con precisin

como funciona este dispositivo. En ella distinguimos
tres regiones o zonas importantes:

Efecto Campo: Se denominan as porque depende de

un campo elctrico.

Zona lineal.- El FET se comporta como una

resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores
bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se
comporta como una fuente de corriente controlada
por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o
surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

3 OBJETIVOS
3.1 OJETIVO GENERAL
Conocer las caractersticas del transistor y trazar la curva
caractersticas

Segn su construccin pueden ser de canal P o de

canal N. Sus smbolos son los siguientes:

3.2 OBJETIVOS ESPECFICOS

FET O JFET (Junction Field Effect

Transistor)
MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide
Semiconductor Transistor o Insulated Gate
Field Effect Transistor).

Trazar la curva caracterstica de drenaje a

partir de valores conocidos
Trazar
la
curva
caracterstica
de
transferencia a partir de valores medidos.
Determinar la resistencia del canal (RDS) a
partir de valores medidos.
Conectar el FET en un circuito atenuador.
Determinar la transconduntancia del FET a
partir de valores medidos.

Smbolo de un FET canal N

FET canal P

Smbolo de un

Leccin 1: Las Caractersticas del Transistor de efecto de campo

5 MATERIALES Y EQUIPO

1 Computador base PU-2000

1 Tablero maestro
1 Tarjeta de circuito impreso EB-112
1 Generador de funciones
1 Multmetro
1 Osciloscopio de dos canales

6 PROCEDIMEINTO
Figura 6: Medicin de la resistencia de conduccin

1.
2.
3.
4.

Enchuf la tarjeta EB-112 introducindola por las

guas del PU-2000 hasta el colector.
Encend el tablero maestro.
Ejecut los pasos de la figura 1 de la informacin
general para inicializar el PU-2000.
Busqu el circuito de la figura 1 en la tarjeta.

12.
13.
14.

Ajust la fuente de poder PS-1 a 1V

Med la tensin de drenaje VDS y la anot
en la figura 7
Calcul la resistencia de conduccin RDS
(on) con la siguiente expresin.

RDS(on)=
15.

R 3VDS
(VenVDS)

donde

R3=10Kohmios
Puse la fuente de poder PS-1 en 2V y repet
las mediciones.
ATENUADOR

16.
Figura
El

Conect el FET como atenuador, como se

1:
circuito FET

5.
6.

7.
8.
9.

10.

Conect los puentes como se indica en la figura

Hice VGS=0 ajustando la fuente de poder PS-2 a
o. Vari VDS ajustado la fuente de poder PS-1
para obtener los valores de tensin indicados en
la figura 2. Mida y anot los valores de tensin y
de corriente de drenaje ID para cada caso.
Repet el paso 7 para los dems valores de VGS
especificados en la figura 2.
En la figura 3 trac las curvas caractersticas de
drenaje, graficando los valores de la figura 2.
Usando los resultados de la figura 2 anot la
variacin de la corriente de drenaje ID
correspondiente a la variacin de tensin de
compuertas VGS, para los tres valores de
tensin de drenaje indicados en la figura 4.
En la figura 5 grafiqu los valores de la figura 4
obteniendo la caracterstica de transferencia.

muestra en la figura 8

Figura 8: El FET como atenuador

17.
18.

LA RESISTENCIA DEL CANAL (RDS)

11.

Conect el circuito de la prueba de la figura 6

para determinar la resistencia del canal (RDS).
Por ello conecte el borne Ven (Vin) al borne de la
fuente de alimentacin PS-1 con un cable de
conexin.

Ajust VGS (PS-2) a 0V

Ajust la frecuencia del generador de seal
a 1KHz y su amplitud a 200mVp-p con un
offset de 100Mv, como se indica en la figura
9.

Leccin 1: Las Caractersticas del Transistor de efecto de campo

.
Figura 9: La seal de entrada

19.
20.
21.

22.
23.
24.
25.

Med la tensin de drenaje VDS y la anot en la

figura 10. Al mismo tiempo med y anot el valor
de la tensin de entrada Ven.
Cambi el valor de VGS segn la figura 10.
Complet la tabla de la figura 10. Es lineal la
variacin de VDS? Por qu?
Aument Ven a 3Vp-p con 1,5V de offset.
Cambi VGS de 0V a -5V y observ el cambio de
VDS.

15
10

ID (mA)

5
0

LA TRANSCONDUCTANCIA
Arm el circuto de la figura 11 para medir la
transconductancia del FET.
Ajust la fuente de poder PS-1 para obtener el
ID=IDSS de su FET
Ajust la frecuencia de salida del generador de
seales a 1KHz y la amplitud a 100mVp-p.
Med la tensin de drenaje con acoplamiento de
CA y la tensin de compuerta que la causa, y
calcul la trasnconductancia con la siguiente
formula:

10

12

VDS (V)
Figura 3: Las caractersticas de drenaje

VDS
VenR 2
Donde R2=2.2K

7.1 ANLISIS DE RESULTADOS

Figura 11: medicin de la transconductancia

8 CONCLUSIONES

7 TABLAS Y GRFICAS

Tabla 1.

BIBLIOGRAFA

Figura 2: Las caractersticas de drenaje

[1] Allan R. Hamble, Electronica, Segunda Edicin, (Mc

Captulo 4/Transistores bipolares.
.