EL DIODO IDEAL

Es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores

Desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, se asemeja a un
interruptor
Existe una gran gama de aplicaciones

El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales.

Diodo Ideal.
Un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el smbolo y
actuar como un circuito abierto cuando se trate de establecer corriente en la
direccin opuesta.
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir
corriente en una sola direccin.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o
regin de operacin.
Si a un diodo se le aplica polarizacin, se obtienen los siguientes esquemas:

Si la corriente se dirige en direccin opuesta, se obtiene el circuito a continuacin:

MATERIALES SEMICONDUCTORES
Consiste en un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante
dependiendo de factores, como, por ejemplo:

El campo elctrico o magntico

La presin
La radiacin que le incide
La temperatura del ambiente en el que se encuentre.

El ms usado es el silicio, el segundo el germanio y tambin se utilizan GaAs, PIn,

AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd.
Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a
todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica
sp.

TIPOS

Semiconductores intrnsecos

Cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos.

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden

absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.

Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para

el silicio y el germanio respectivamente.

Recombinacin

Proceso inverso dnde los electrones pueden caer desde el estado energtico
correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia
liberando energa.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores,

ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica.
Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes
elctricas.

Por un lado, la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de

conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda
de valencia, que tendern a saltar a los huecos.

Semiconductores extrnsecos
Si le aadimos a un semiconductor intrnseco un pequeo porcentaje de impurezas.
Como: elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco.
Las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente tomo de silicio.
Semiconductor tipo N

Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopadoi aadiendo un cierto tipo de

tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga
libres.

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a

los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en
el material.

Ejemplo de dopaje tipo n:

Considrese el caso del silicio.

Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente.
Si un tomo con cinco electrones de valencia, se incorpora a la red cristalina en
el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios.
A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn
extra que dar, son llamados tomos donadores.
El material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de
cero.

Semiconductor tipo P

Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de

tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga
libres.

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de

los tomos del semiconductor.
El agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

Ejemplo de dopaje tipo p:

En el silicio se une un tomo con tres electrones de valencia y se incorpora a la

red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los huecos.
No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del
tomo situado en la posicin del hueco se expone y se ve equilibrado como una
cierta carga positiva.
Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los
portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P.

i Aadimiento de impurezas a un proceso intrnseco